一维高分子链中点缺陷引起的局域模
一维双原子连

在简谐近似和最近邻近似下 , 含杂质的一维双 [3 ] 原子链运动方程组为 :
M′
2
d u0 ( u1 + u - 1 - 2 u0 ) ′ 2 =β dt
2
( 1a) ( 1b)
M
2
d u1 ( u2 - u1 ) +β ( u0 - u1 ) ′ 2 =β dt
M
d u- 1 ( u0 - u - 1 ) = β( u - 2 - u - 1 ) + β ′ 2 dt ( 1c)
1 振动方程组的建立与求解
考虑一般的由 N 个原胞组成的一维双原子链 , 原子质量分别为 m 、 M , 相邻原子间的平衡距离为 a ,原胞大小为 2 a . 质量为 M ′ 的杂质原子替代链中 质量为 m 的原子 , 取点缺陷所在位置为坐标原点 . 以 u 2 l 表示第 l 个原胞内质量为 m 的原子离开平衡 位置的位移 , u 2 l - 1 表示第 l 个原胞内质量为 M 的 原子离开平衡位置的位移 , l = 0 , ± 1,± 2 , …, ±N . β是基体原子之间的近邻互作用力常数 ,β ′ 是杂质 原子与其近邻原子间的力常数 ,如图 1 所示 .
4 类谐振子的周期与振幅的关系
图1 含有单个杂质的一维双原子链
[4 ]
,将试探解写为 : us =
Q q ( s) e
- iω t
, s = 1 ,2 ,3 , …,2 N . 代入运动方程组 ( 1 ) ,
得到关于 Q q ( s ) 的线性齐次方程组 :
收稿日期 :2003 - 12 - 30 基金项目 : 教育部高等学校骨干教师资助计划项目 ; 国家理科基地创建名牌课程项目
) 2 ( 1 +ξ
一维类梳状光子晶体中的缺陷模研究

一
.
m e
:(e dm) ); i u( m ̄ u 2
利用 , 如制造 高 品质 的极 窄带 的选 频 滤波 器 、 高效 的光 波导
等 。各 种缺 陷态 对带隙 的影 响也广泛被报道 。 本 文研究了一种一维 的类 梳状结构模 型 , 图 1 , 如 示 这种 类梳状结 构是 由相对介 电常数为 e 的主链 上 N 个等 间距 的 节点( 间距 为 d ) 上分别接上 数 目为 N N。个分 支构成 ( , 其 分支长度及相对介 电常数分别为 d , 。 : , 。 d ,£ ,£ ) 为保证 系 统为一维结构 , 假设 d , 的长度远大于主链及分 支本 d ,d 身的直径 。 我们发现这 种结构 的禁 带来 源于 系统的周 期性 及 节点上分支形成 的共振态 。 带隙的宽度可通过调节 N: N 的 ,
一
维 类 梳 状 光 子 晶 体 中 的 缺 陷 模 研 究
夏 辉 ,彭景 翠 ,张波云。 ,李宏建 ,翦之 渐 ,周仁 龙
1 湖 南 大 学 应 用 物 理 系 , 湖南 长 沙 . 408 10 2
2 湖南公安高等专科学校 ,湖南 长沙 .
400 10 6
摘
要
本文研究 了一 种一维类梳状光 子晶体 的带结构 及缺陷 态对带 隙的影 响 。发现 这种结 构的带 隙来源
会产生 局域态 。分析 了在透射 谱 中局域态作 为长度 、 置及 位 缺陷分 支的数 目的 函数对 带隙的影响 。
1 理论模 型
对 于 图 1 示 的类梳状 结构 , 所 利用 界 面响应理 论…] 当 ,
支所 代替形 成缺陷态 , 运用界 面响应理论 , 于 N 一 。 对 。的情
况, 有
《固体光学与光谱学》

一维晶体中杂质引起的振动模示意图. (a)共振模;(b) 高频局域模; (c) 准局域模
M’>M 共振模 M’<M 局域模
M′ M
准局域模
杂质对 晶格振 动模的 调制与 杂质质 量有关
2
局域模:一维单原子链(M) + 替位杂质原子(M')
一维单原子链(M)的格波解
g 1 2 Sin( aq) M 2
Bend Wag
不同功率下氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的红外吸收光谱
8
Si-H键的可能振动方式[以氢化非晶硅(a-Si:H) 为例] 单 H键
双 H键
三 H键
9
轻杂质诱导低频准局域模 轻杂质诱导低频准局域模 无序体系,全部晶格模激活 与杂质含量相关,存在一个临界杂质浓度, 形成团簇(cluster),如 (SiH4), (SiD4), (GeH4), (GeD4), 不遵守质量平方根反比律 存在同位素效应 在晶格临界点附近, 兼有晶格模延展性和局 域化性质
7
局域模的振动方式(频率依振动方式而异) H在Si中的 高频局域模 Si-H键的不同振 动方式: Si-H 拉伸 2000cm-1
H
Si-H2拉伸 Si-H拉伸 (反对称) (对称)
(A) (A)
(A) (C)
Si
900cm-1 (Si-H)n摇摆 640cm-1
H
弯曲(剪切)
Stretch
• 同位素效应:
遵从质量开方 反比律
6Li
5
模式辨认(Assignment):下标S和D分别表示对称和形变振 动模的吸收
局域模
11B 10B 7Li 6Li
红外吸收峰(150 0K) 618 (cm-1) 635 522 539 565 664 585 680
含一缺陷层一维磁流体光子晶体局域模磁场调控特性研究

本文选用水基 F e O 磁流体作 为光子 晶体 的基元材料 , 含一缺 陷层一维纳米磁流体光子 晶体结构 为
收 稿 日期 : 2 0 1 3—1 0—2 8
基金项 目: 江西省教育厅科技项 目( G I 』 1 3 6 6 0 ) ; 江西省研究生创新 专项资金项 目( Y C 2 0 1 3一¥ 2 6 2 ) 作者简介 : 郝丽丽 ( 1 9 8 6一) , 女, 河北邯郸人 , 赣南师范学院物理与电子信息学 院 2 0 1 2级硕 士研究生 , 研究方向 : 光学. t通讯作者 : 谢应茂 ( 1 9 6 3一) ,男 , 江西寻乌人 ,赣南 师范学 院物理与 电子信息学院教授 , 硕士生导 师, 主要从事激光物理 与光电子学研
究, E—ma i l : x i e y i n g m a o @1 2 6 . t o m.
第 6期
郝 丽丽 , 谢应 茂
含一 缺 陷层一 维磁 流体 光子 晶体局 域模 磁场 调控 特 陛研 究
2 3
的透射谱 , 结 果如 图 4所示 . 由图 4可 得 : 局域模 波 长最 大 调控 量 为 1 0 n m, 当折射 率 n :1 . 4 2 5时光 子 晶体
学、 东北 大学 研究 人员 分别研 究 了基 于磁 流体 渗入 的光 子 晶体 光纤 带 隙效 应 的磁 光 传感 器 和 基 于磁 流 体 的 测量 磁场 的空心光 子 晶 体 光 纤 传 感 器 l l 卜H ; 深 圳 大 学 研 究 人 员 研 究 了 光 子 晶体 缺 陷模 的 带 宽 与 品 质 因 子¨ . 但关于 T i O 和 纳米 磁流体 作 为基元 材 料 的含一 缺 陷层 一维 纳 米 磁 流体 光 子 晶体 局 域模 磁 场调 控 特 性 的研究 鲜有 报道 . 本 文研究 含 一缺 陷层 一维 纳米 磁流体 光 子 晶体 局域 模磁 场调 控特 性 , 对认 识该 结构 的光 子 晶体 以及 应用 开发 此类 光子 晶体 有重 要 的意义 .
一维和二维准晶中位错与夹杂问题及接触问题研究

一维和二维准晶中位错与夹杂问题及接触问题研究一维和二维准晶中位错与夹杂问题及接触问题研究引言固态材料的研究一直是材料科学领域的关注焦点之一。
材料中的位错、夹杂和接触问题是影响材料性能和机械行为的关键因素。
本文将重点研究一维和二维准晶中的位错与夹杂问题,以及与之相关的接触问题,探讨其对材料的影响及这些问题的研究进展。
一、一维准晶中的位错与夹杂问题位错是材料中晶体结构的缺陷,可以通过晶格错位或原子位移来描述。
一维准晶中的位错应力场与经典晶格位错不同,因为一维准晶中的晶格具有更复杂的周期性和交替性。
位错对材料的机械性能和变形行为有重要影响,对位错的研究有助于理解准晶材料的结构和特性。
夹杂是指在晶体中插入的杂质或其他非晶相。
夹杂会导致晶格畸变、界面扩散和电子结构变化,从而影响材料的物理性质。
夹杂的大小、形状和分布将决定材料的力学性能、导电性能和热导率等。
二、二维准晶中的位错与夹杂问题与一维准晶不同,二维准晶中的位错和夹杂问题更具挑战性。
二维准晶的晶胞结构相对更复杂,存在更多的可能性。
通过研究二维准晶中的位错结构和性质,可以揭示材料的微观机制和宏观行为。
位错和夹杂可以相互作用,这种相互作用对材料的性能和行为起着重要作用。
当位错与夹杂相遇时,位错可以穿透夹杂,也可以分解为子位错重新排列。
这种相互作用将影响位错迁移和能量传播路径。
通过研究位错与夹杂的相互作用,可以了解材料中位错穿行和位错子排列的机制。
三、准晶中的接触问题准晶中的接触问题涉及材料的表面与外界或其他材料之间的接触行为。
由于准晶具有特殊的晶体结构和相互作用特性,其表面的接触行为与晶体的接触行为存在差异。
准晶的结构对于界面的宏观性质和微观行为具有重要影响。
准晶的接触问题涉及粘附、摩擦和磨损等现象。
准晶材料的独特结构使其具有出色的抗摩擦和耐磨损性能。
了解准晶的接触行为对于开发新的功能材料和提高材料性能具有重要意义。
结论位错、夹杂和接触问题是准晶材料研究的关键领域之一。
高分子物理(第四版)课后习题--名词解释

以下为1~6章的名词解释,资料来源为高分子物理(第四版)材料科学基础(国外引进教材),化工大词典,百度百科,维基百科等。
第一章高分子链的结构全同立构:高分子链全部由一种旋光异构单元键接而成间同立构:高分子链由两种旋光异构单元交替键接而成构型:分子中由化学键所固定的原子在空间的几何排列,这种排列是热力学稳定的,要改变构型必需经过化学键的断裂与重组分子构造(Architecture):指聚合物分子的各种形状,一般高分子链的形状为线形,还有支化或交联结构的高分子链,支化高分子根据支链的长短可以分为短支链支化和长支链支化两种类型共聚物的序列结构:是指共聚物根据单体的连接方式不同所形成的结构,共聚物的序列结构分为四类:无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、接枝共聚物接枝共聚物:由两种或多种单体经接枝共聚而成的产物,兼有主链和支链的性能。
嵌段共聚物(block copolymer):又称镶嵌共聚物,是将两种或两种以上性质不同的聚合物链段连在一起制备而成的一种特殊聚合物。
环形聚合物:它的所有结构单元在物理性质和化学性质上都是等同的超支化聚合物:是在聚合物科学领域引起人们广泛兴趣的一种具有特殊大分子结构的聚合物构象:由于σ单键内旋转而产生的分子在空间的不同形态。
链段:高分子链上划分出的可以任意取向的最小单元或高分子链上能够独立运动的最小单元称为链段。
链柔性:是指高分子链在绕单键内旋转自由度,内旋转可导致高分子链构象的变化,因为伴随着状态熵增大,自发地趋向于蜷曲状态的特性。
近程相互作用:是指同一条链上的原子或基团之间,沿着链的方向,因为距离相近而产生相互作用远程相互作用:因柔性高分子链弯曲所导致的沿分子链远距离的原子或基团之间的空间相互作用。
远程相互作用可表现为斥力或引力,无论是斥力还是引力都使内旋转受阻,构想数减少,柔性下降,末端距变大。
自由连接链:假定分子是由足够多的不占体积的化学键自由结合而成,内旋转时没有键角限制和位垒障碍,其中每个键在任何方向取向的几率都相同。
一维掺杂光子晶体缺陷模的全貌特征
一维掺杂光子晶体缺陷模的全貌特征
刘启能
【期刊名称】《半导体光电》
【年(卷),期】2007(28)2
【摘要】通过一维掺杂光子晶体缺陷模的三个不同角度的立体图以及它们对应的俯视切面图,全面地研究了缺陷模随杂质光学厚度、杂质折射率以及光子晶体折射率的变化关系,得出了一维掺杂光子晶体缺陷模的全貌特征,并得到以下重要结论:缺陷模透射峰随杂质光学厚度变化呈周期性的出现,在同一周期上缺陷模的波长随杂质光学厚度呈线性变化;缺陷模透射峰的半高宽度随杂质折射率的增加而减小,但陷模透射峰的高度不受杂质折射率变化的影响;光子晶体的折射率对缺陷模透射峰的峰高和半高宽度都有显著的影响。
【总页数】4页(P224-227)
【关键词】掺杂光子晶体;缺陷模;特征矩阵;全貌特征
【作者】刘启能
【作者单位】重庆工商大学理学院
【正文语种】中文
【中图分类】O436
【相关文献】
1.正负交替一维掺杂光子晶体缺陷模的特性 [J], 胡莉;刘启能
2.多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响 [J], 刘启能;张翠玲;林睿;胡莉
3.一维磁流体掺杂光子晶体缺陷模的磁控可调特性 [J], 郝丽丽;谢应茂
4.一维掺杂光子晶体缺陷模的共振理论 [J], 刘启能
5.一种研究一维掺杂光子晶体缺陷模的方法 [J], 刘启能;龙涛;代洪霞
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一维光子晶体缺陷模局域场强的分布特征
一维光子晶体缺陷模局域场强的分布特征近年来,以光子晶体(PC)研究谐振腔衍射与缺陷模型为关注的焦点已经引起广泛关注。
光子晶体缺陷模型具有复杂的谐振结构,其中主要特征是谐振腔之间存在局域场强的分布特征。
特别是,一维光子晶体中的缺陷模型,其局域场强的分布特征在光子晶体研究中具有重要的学术意义。
本文的主要目的是系统性地探讨一维光子晶体缺陷模型中局域场强的分布特征。
首先,我们介绍一维光子晶体的概念。
一维光子晶体是指使用金属等材料制成的有序结构,其中具有非常强大的禁带结构,可极大地限制光子的传播。
在一维光子晶体中,缺陷模型的存在主要由其谐振结构的禁带结构引起的,因此研究缺陷模型的局域场强分布特征对于更加深入地了解一维光子晶体结构至关重要。
其次,我们考虑光子晶体谐振腔中的缺陷模型的局域场强分布特征:由于谐振腔内的电磁场存在周期性变化,从而产生缺陷模型。
缺陷模型以局域场强为主要特征,在一维光子晶体中,缺陷模型的局域场强分布可以简单地分为“保持型”和“变化型”两类。
即便是在非理想情况下,缺陷模型也可以保持局域场强的一致分布。
另外,也有可能出现局域场强的变化特性。
这种局域场强的变化特性可以用双曲正弦函数来表示,因此可以提供相关的模型参数,以便进一步研究缺陷模型的局域场强分布。
综上所述,一维光子晶体缺陷模型的局域场强分布特征可以简单地分为“保持型”和“变化型”两类。
即使在非理想情况下,缺陷模型也可以保持局域场强的一致分布。
另外,也存在缺陷模型局域场强的变化特性,可以用双曲正弦函数来表示,以便进一步研究缺陷模型的局域场强分布模式。
最后,本文所讨论的一维光子晶体缺陷模型的局域场强分布特征对于更加深入了解一维光子晶体结构具有重要的研究意义。
从理论上以及实验上,我们可以进一步研究和优化局域场强分布。
这将有助于获得更好的光学性能和优化结构。
总之,以上就是我们关于一维光子晶体缺陷模型中局域场强分布特征的研究。
未来,我们将深入探讨这一领域的相关性质,以期取得更多的研究成果。
一维有限光子晶体中的单个缺陷
第2 4卷第 2 期
Vo . 4 No 2 12 .
重庆工商大学学报( 然科 学版) 自
J hnq g ehoB s e n Nt c E ) ogi cnl ui s U i ( aSi d C nT ns v
考虑一位于空气 中的有限层体系由介 电层 A和 B 交替而成的多层膜系统。其光学性质用折射率 和 l 表征 , l , 实际厚度分别为 a b 晶体周期 d=a+ , 和 , b 周期数为 Ⅳ。 电磁波沿 向从左向右垂直进入 设 方
该系统 , 该系统最左表面坐标为原点 , 记为 , 最右一层的右表面坐标为 。 光波在介质中的传播 由麦克斯
摘
要: 在一维有限光子 晶体 中利用传输矩阵推 导 了其反射和透射 系数 , 并讨论 了单个缺
陷位置对透射 系数的影响, 发现单个缺 陷在晶体 中不同位置具有相 同的缺 陷模频率, 但其透射 峰具有不 同的高度 , 同时当缺 陷在 晶体 中心时, 其透射峰最 高。
关键 词 : 子 晶体 ; 陷 ; 陷模 光 缺 缺 中图分 类号 :04 13 7 . 文 献标 识码 : A
M
其 , , (:二; 中c= c,二; : , 鱼 : 。
所 以
即
: -( X’ 。) I 2 ( ( . ) / \)(。 。 /^ )一 。 \, (= 2 ( ) 0 \( ( , ) o ) : / )
\[ 0) 0)]/ \ X1(h 一 一( 2(.) ( E / ) iB
性质来作光学延迟性设计[ , 3 当缺 陷层具有 K r非线性时 , 】 e r 光子晶体具有双稳 、 多稳性质 ; 当缺陷层掺
有二能级原子 , 则会出现光脉冲的超光速传播现象 。这里是一维有 限光子 晶体 中引入单个缺 陷时 , 】 其 位置对透射系数以及缺陷模的影响情况。
一维Klein-Gordon晶格中非线性局域模稳定性研究
式 中 8是 利 用 多重 尺 度方 法 引入 的 一个 小参 数 .
P:~ ? Kc
m s 一o m J 0o a ∞ 1 9k 9 c L 。
Q=一
阶龙 格库 塔 方法 进 行数 值 实验 来展 现 一维 K e . l n i
G ro 晶格 中非 线性局域模 所具有 的稳定性 特征. odn
一
n2和 小参 量 8 . 5不 同 , 时初始 时刻 非 线 / :0 1 0 同
性局 域模 的 中心 位置 不 同.
1
原 子序 号
一
3 oo
0
30 0
() t 0 c 一6 0
原 子 序号
图 3 t 时 2 非 线性 局 域模 =0 个
2 数 值实验
在数 值 实验 中 , 相关参 数 如下 : 子个 数选 择 原 为 52 , 1 个 原子 质量 r n=1选 择 品格常数 为 1 , , . 谐 0 性 系数 =1 , . 格点 势 =1 =O , 0 , 。 波矢 = /, 1 n 2
3 结 论
蛏 鞲露 蛳
清楚 地 看 到 ,碰 撞 后 2 局 域模 形状 大 小均 没 有 个
本 文通 过 四阶龙格 库 塔方 法数 值 实验 ,清 晰 地 展 现 了一维 K e . od n晶格 中的非线 性 局域 l nG ro i
显著 改 变 , 现 出其 粒子 性 . 体
模 的传 播 和碰 撞过 程 .从 实 验结 果可 以发 现 非线
【 C LNS M 2 ] OL I A. A q ai o t u m p rxma o o u s c ni u a p o i t n fr — n i s lo s na tmi c a [ . h m. h s L R , oi n n a c h i J C e P y . e . 1 8 , t i o n ] 91
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(
)
i t -ω , un = - u - n = u( n t )= u n e
{
| n| … A n = 1, 3, 5, λ , | n| … n = 2, 4, 6, B λ ,
( 9)
将试解 ( 9) 式代入方程 (6) 式, 可解得: 其中 | λ | < 1, α = B / A。
m2 m1 ) m( 2 1 -ε m1 0
0
0 -Δ β
0
Δ β
0
Δ β 2 - Δ β Δ β
Δ β -Δ β
0
m2 =
位移矩阵 U 为 U =
| , 可设解的一般形式为 u n = A 令 u n ~ ex[ i t] p ω λ 2 n|
200)?0)?*2 * 收稿日期: 作者简介: 吕岿 (*LC0 Q ) , 男, 讲师, 研究方向为凝聚态物理。 2000 年 R 200) 年在浙江大学攻读硕士学位,
554
原
子
与
分
子
物
理
学
报
2003 年
2
理论模型
在 复式晶格中, 设原两种基团质量分别为 m 1 和 m 2 , 质量为 M 的其它元素取代链中的 m 2 , 取点缺陷 所在位置为坐标原点。 因此
556
原
子
与
分
子
物
理
学
报
2003 年
2 λ =
2 2 2 2 4 - ω4 ω2ω11 + ω1 ± η 11 - ω1ω2 + 2 2 2 2 (ω1 - ω11 ) 2 11 ヘ- ω4 2 2 2 4 - ω2 ω2ω11 + ω1 ± η 1ω2 + 2 2 ω1
(10)
α=-
1 2 ヘ
(11)
第 20 卷第 4 期 200) 年 *0 月
原
子
与
分
子
物
理
学
报
Vol. 20,( . 4 2=> . ,200)
+,-./0/ 1234.56 27 5829-+ 5.: 926/+3654 ;,<0-+0
文章编号:*000?0)@4 (200)) 04?0AA)?0B
一维高分子链中点缺陷引起的局域模
在简谐近似下根据上面规定的模型, 其位能部分可简单写为 V = 1 1 2 2 2 ( u l - u l + 1) [ ( u 0 - u - 1) ] + β +( u 0 - u 1 ) Σ 2β0 l≠ 2 1 0, -1 ( 5)
[13] , 只考虑最近邻的基团相互作用, 由 (1)~(3) 式可得点缺陷及其相邻基团的运 应用拉格朗日方程
*
引言
一维高分子系统中由于非线性激发 (诸如孤子、 极化子) , 或掺杂、 配错等, 会引起晶格振动的局域模,
[*] [2] 这方面的研究已引起了人们重视。邢彪等人 从 00, 模型出发, 研究了一维电子?晶格耦合系统中极化 子的晶格振动, 发现了两个新的定域振动模。在对聚乙炔的红外吸收谱的研究中, 发现聚乙炔的红外吸收 [)] [4] 与孤子附近的局域振动模有关。 , . ->o 等人 基于连续的 8 6 9 模型, 得到三个局域振动模。孙鑫和他 发现了五个局域模, 其中 DE 模 ( E>FGGHIHJ KoJH) 是快变的交替振动 的合作者从分立的 00, 模型出发, [A] [@] 模 , 他们还定性解释了聚乙炔的红外吸收谱 。姚凯伦等人考虑了聚乙炔的平面结构, 在二维空间内 [ C, [L] B] 研究了孤子的局域振动模 。安忠等人 则讨论了相邻两条链间电子跃迁对反式聚乙炔中孤子能谱及
)
2 1 1 2 2 β0 2 β0 之间时 2 有实根, 时λ2 有实根, 即ω2 > 2 这时将求得局域振动解; λ ω 的其 β0 m 1 + m 2 或ω 在 m 2 , m1 他取值将获得格波解。 本文仅讨论局域振动解情况。 由于点缺陷左右两端的半无限长链对点缺陷具有反演对称性, 符合这一要求的解具有对称和反对称 下面对这两种情况分别加以分析。 两种可能的性质, 即有反对称解: un = u - n 。 u n = - u - n 和对称解: (1) 反对称情况 由于讨论的是局域振动解, 要求 u n 的振动是衰减的, 因此方程 对于反对称情况, u 0 = 0。 un = - u - n ,
2 1 2 2 2 2 2 2 2 其中, ω1 = 2 ω2 = 2 α = B / A。 β0 / m 1 , β0 / m 2 , 由 (7) ( 、8) 式联立求解可判断λ 根的性质。 可知当 2 (ω2 m 2 - 2 (ω2 m 1 - 2 β0 ) β0 )ω - 2 β0
(
m1 + m2 > 0 m1 m2
孤子附近的局域模的影响。 为了提高高分子材料的溶解性, 人们研究了各种取代聚合物, 虽然有取代基时, 聚合物的电导率降低,
[*0] 但却大大改善了它们的溶解性。 3oJF 等人 利用 7H+l) 作催化剂在硝基苯溶液中成功地合成了聚 ( 2, A? 二烷氧基苯) , 他们发现引入对称的烷氧基后, 聚对苯 ( ;;;) 聚合物可溶于四氢呋喃 ( 8,7) 中。在噻吩环
或吡咯环的 ) 位或 (和) 或在吡咯环的 . 上引进一个长的烷基取代 4 位上引进长的烷基或烷氧基取代基, 基, 可使制备的聚合物溶于有机溶液。此外, 将结构型导电高分子与可溶性高分子 (如聚苯乙烯、 聚氯乙烯
[**] 等) 共聚是制备可溶性导电高分子的另一重要方法, 曹俊奎等人 以聚醚醚酮 ( ;//M) 和苯酞圈形聚芳醚 [*2] 均聚物为原料, 通过溶液缩聚法制备了 ;//M N ;:+ 有规嵌段共聚物系列样品, 王海侨等人 采 砜 ( ;:+) 用 OP>>PG 反应, 合成了一种分子主链上烷氧基取代刚性共轭聚对苯乙炔 ( ;;V ) 链段与柔性聚氧化乙烯
4 2 2 2 2 4 2 2 1 2 3ω11 + ω1ω2 - 4ω1ω11 + ω1 - 2ω2ω11 ∓η 2 + ω = 4 ω1 2 2 2 (ω1 - ω11 ) 4 2 2 2 2 4 2 2 1 2 ω11 - ω1ω2 - 4ω1ω11 + 3ω1 + 2ω2ω11 ± η ω 11 2 2 4 (ω2 1 - ω11 )
555
如仅考虑一个点缺陷和最近邻的相互作 L、 K 是决定于点缺陷原子质量和力常数改变扩展范围的矩阵, 用, 则有 = L = = K = =
Mn =
{
n = 0 M, … m 1, n = ± 1, 3, 5, … m 2, n = ± 2, 4, 6,
m2 - M , 当ε > 0 时, 代表缺陷取代较重基团情况, 而ε < 0 代表缺陷取代 m2 现假设只有近邻基团间存在相互作用, 相互作用能可以一般 较轻基团情况。 设平衡时相邻基团距离为 a , 引进质量缺陷参数为ε = 地写成: ( a + δ)= v ( a )+ v 1 2 δ + 高阶项 2β ( 1)
动方程为 L Ü = K U - FU 式中, 即 F 为理想晶格的力常数矩阵, = F = = - β0 = 2 β0 - β0 0 0 - β0 2 β0 - β0 - β0 2 β0 = - β0 = = ( 6)
第 20 卷第 4 期
吕岿等: 一维高分子链中点缺陷引起的局域模
设 u n 是第 n 个基团相对平衡位置的位移, 则第 n - 1 个基团与它的相对 其中δ 表示对平衡距离 a 的偏离。 位移δ = u n - u n - 1 , 第 n + 1 个基团与它的相对位移δ = u n + 1 - u n 。 按一般小振动近似, 相互作用能保留 到δ2 项, 即简谐近似, 在这个近似下, 相邻基团间的作用力为: F =dv δ ≈-β d δ ( 2)
这表明相邻基团间存在正比于相对位移δ 的弹性恢复力, 其中β 为弹性恢复力常数 (简称力常数) 。 点 缺陷引入晶格将导致缺陷附近的力常数发生改变, 设β0 为原基团 m 1 、 m 2 之间的力常数, β1 为点缺陷与其 为反映力常数改变的性质和程度, 引起参数 r = β0 β1 。 相邻基团 m 1 的力常数, β0 由于点缺陷的存在, 晶格振动的哈密顿量为 H = T + V 其中动能部分为: T = 1 1 1 ・ ・ ・ ( M - m 2) m u2 m 2Σ u2 u2 2 l +1 + 2 2l + 2 0 2 1Σ l l ( 4) ( 3)
2 2 2 2 u0 1 [ω( ω2 ε∓φ] 1 1 - ε )+ 2 α= A =- 2 2 2 2 - 2ω1ω2 εヘ ε∓ω1φ 2 2 2 2 4 2 2 ) (ω2 (ω2 1 [ω( ε + 2ω2 ε - ω1 )+ 4ω2 ε∓ ε + ω1 + 2ω2 ) 1 1 +ε 1 1 2 φ] ω = 2 2 (1 + ε) (2ω2 ) ε∓φ 2 4 4 4 4 4 2 2 2 式中, 4 ε ω2 + ω1 + ω1 ε - 2ω1 ε, ω1 = 2 ω2 = 2 φ = ヘ β0 / m 1 , β0 / m 2 。 由于计算过于繁杂, 无法求得简洁解析解, 只作数值计算分析。 β1 ≠β0 的情况,
(2) 对称情况
[14] 此时 n = 0 处的缺陷处振幅不为零。 设运动方程的试解 为
i t -ω , un = u - n = u( n t )= u n e