光电子能谱分析
光电子能谱分析
光电子能谱分析光电子能谱分析是一种基于光电效应原理的表征材料电子结构和性质的重要技术手段。
通过研究材料的光电子能谱，可以得到材料中的电子能带结构、费米能级、元素组成等信息，从而深入了解材料的性质和反应过程。
本文将介绍光电子能谱分析的原理、仪器设备以及应用领域等内容。
一、光电子能谱分析的原理光电子能谱分析是基于光电效应的原理进行的。
光电效应是指当光束照射到物质表面时，光子与物质中的电子相互作用，使得电子从物质中抽离出来，形成光电子。
当光子的能量大于或接近于材料中最外层电子的束缚能时，光电子就会被抽离出来，并在外加电场的作用下被加速，形成具有动能的光电子。
通过测量光电子的动能和强度，就可以得到光电子能谱图。
二、光电子能谱分析的仪器设备光电子能谱分析需要使用光电子能谱仪。
光电子能谱仪主要由光源、样品台、能谱分析器和探测器等部分组成。
光源通常采用气体放电光源或光阴极等发射强度较高的光源，用于产生高能量的光子。
样品台用于固定待测材料，通过样品台上的电子能量分析器，对光电子的能量进行分析，从而得到光电子能谱。
探测器接收并放大光电子信号，将信号传递至数据采集系统进行记录和分析。
三、光电子能谱分析的应用领域光电子能谱分析在材料科学、表面物理化学、固体电子学等领域具有广泛的应用。
以下列举几个典型的应用领域：1. 材料表征与表面分析：通过光电子能谱分析，可以获取材料中电子能带结构、元素组成、表面形貌等信息，用于表征和研究材料的物理性质和化学反应过程。
2. 半导体器件分析：光电子能谱分析可用于研究半导体材料中的载流子分布、能量态密度分布等，从而为半导体器件的设计和性能优化提供依据。
3. 催化剂研究：光电子能谱分析可用于研究催化剂表面活性位点的形成、电子结构及与反应物的相互作用，有助于优化催化剂的催化性能。
4. 电子能带结构研究：通过对不同材料的光电子能谱分析，可以揭示材料电子能带结构的演化规律，深入了解材料的导电性质和能带间的相互作用机制。
X射线光电子能谱分析法
X射线光电子能谱分析法X射线光电子能谱分析法（XPS）是一种常用的表面分析技术，它通过测量材料表面的X射线光电子能谱来研究材料的化学组成、表面形貌以及表面电子结构等信息。
XPS技术具有高表面分辨率、高化学分辨率和宽能量范围等优点，被广泛应用于材料科学、表面科学和界面科学等领域。
下面将详细介绍XPS的原理、仪器结构、测量步骤以及应用。
XPS的原理：XPS基于光电效应，即当光子与物质相互作用时，能够使物质中的电子获得足够的能量从而被抛出。
通过测量被抛出的光电子的能量以及其强度，可以得到材料表面的各种信息。
XPS谱图由两个平行的轴表示，一个是电子能量轴，用来表示光电子的能量，另一个是计数轴，用来表示光电子的强度。
XPS的仪器结构：XPS的典型仪器结构包括光源、透镜系统、分析室、光电子能谱仪、多道分析器和检测器等部分。
其中，光源产生具有特定能量和强度的X射线，透镜系统用于聚焦X射线到样品表面，分析室用于保持真空环境，并可进行样品的表面清洁和预处理，光电子能谱仪用于测量光电子能谱，多道分析器用于对光电子的能量进行分析，检测器用于测量光电子的强度。
XPS的测量步骤：1.样品表面处理：对于有机材料，样品表面可能存在有机污染物，需要通过加热或离子轰击等方法进行表面清洁。
对于无机材料，一般不需要进行表面处理。
2.真空抽取：将样品放入真空室中，并进行抽取，以保证测量时的真空环境。
3.光源和透镜系统调节：调节光源的能量和透镜系统的聚焦，使其能够产生精确的X射线束。
4.测量样品表面：将样品置于X射线束中，测量样品表面的X射线光电子能谱。
5.数据分析：对测量得到的光电子能谱进行分析，得到材料的化学组成、表面形貌以及表面电子结构等信息。
XPS的应用：1.表面化学组成分析：XPS可以确定材料表面的元素组成和化学状态，对于催化剂、薄膜材料等具有重要意义。
2.表面形貌研究：通过测量不同位置的XPS谱图，可以了解材料表面的形貌特征，如晶体结构、晶粒尺寸等。
X射线光电子能谱分析
X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy, XPS）是现代表面分析技术中的一种重要手段。
它通过利用X射线入射在样品表面，当X射线光子与样品表面原子相互作用时，光电子会由样品表面发射出来，在光电子能谱仪中被探测和分析。
XPS可以获得试样的化学组成、化学状态、电荷状态、表面价态等信息，是研究材料界面、表面电子结构和化学活性等问题的有效手段。
一、XPS原理XPS的工作原理基于电子的能量损失。
当单色X射线光子与样品表面发生相互作用时，光子会被表面原子中的一个或多个电子吸收，从而将其能量转移给被激发的电子，将其从价层挪到离子层。
这些被激发的电子称为光电子（photoelectrons），它们遵循能量守恒定律，其动能与入射X射线能量之差等于与样品表面接触的电子势垒（即逸出功）。
二、XPS仪器及实验流程XPS实验仪器由准直系统、透镜和光学系统、交变极化源、能量分辨系统和探测器等部分组成。
实验流程主要包括样品表面清洗、样品加载、真空抽气和光子能谱仪调试等步骤。
在实际实验中，需要对仪器进行校准，然后利用X射线束斑轨迹扫描测量样品的光电子能谱，分析得到有关样品表面化学状态和组分的信息。
三、XPS数据处理和解析对于XPS实验中得到的光电子能谱进行数据处理和解析，包括去噪、基线修正、能峰积分、峰位转换和峰型拟合等。
常见的XPS光电子峰是由不同价态原子轨道势能引起的能级分裂和化学键形成导致的电子态密度变化引起的能级位移等。
通过对峰的形状和位置进行拟合，可以得到样品中化学元素的表面分布和含量，以及化学键的结果和壳层电子转移等信息。
四、XPS应用领域XPS在材料科学、表面物理和化学等领域有广泛的应用。
在表面和界面科学中，XPS可以用于研究材料表面结构、表面吸附反应、薄膜生长和界面电子结构等。
在电化学和电子器件领域，XPS可以用于研究材料电子结构、光伏材料表面化学性质以及界面反应等。
光电子与光子的能谱分析研究
光电子与光子的能谱分析研究光电子与光子的能谱分析研究是一门研究光子和光电子的能量分布和相互作用的学科。
它不仅在物理学领域有着重要的研究价值，而且在应用领域也有广泛的应用前景。
一、光电子能谱分析光电子能谱分析是一种利用光电效应测量物质的电子能量分布的方法。
通过照射物质表面的光子，将能量转化为电子，然后将电子能量分布转化为能谱。
利用能谱可以研究物质的电子结构、元素组成以及表面形貌等信息。
光电子能谱分析在材料科学、化学、生物医学等领域有着广泛的应用。
例如，在材料科学研究中，通过能谱可以研究材料的能带结构和界面态，为材料的设计和制备提供重要依据。
在生物医学领域，光电子能谱分析可以用于研究生物分子的光电响应特性，为新药研发和生物分析提供帮助。
二、光子能谱分析光子能谱分析是一种通过测量光子的能量分布来研究物质特性的方法。
通过照射物质并测量散射的光子能量和强度，可以获得物质的光子能谱。
光子能谱可以用于研究物质的能级结构、电子激发态和相互作用等信息。
光子能谱分析在光谱学、红外光谱学等领域有着广泛的应用。
例如，在光谱学研究中，通过测量物质散射的光子能量和强度，可以确定物质的能级布局和激发态的特征，为光谱分析提供重要依据。
在红外光谱学领域，通过测量红外光子的能谱，可以研究物质的分子振动和转动特性，为分子结构和化学键的鉴定提供帮助。
三、光电子与光子的相互作用光电子和光子的相互作用是光电子与光子能谱分析研究的基础。
当光子入射到物质表面时，会激发物质上的电子，将光子的能量转化为电子的动能。
通过测量电子的动能和强度，可以研究光子和物质的相互作用过程。
光电子与光子的相互作用可以通过多种方法来研究。
例如，通过调节光子的波长和强度，可以实现对光电子能谱的调控和研究。
此外，利用光子的脉冲宽度和相干性等特征，可以研究光子的相互作用时间和方式，为光电子与光子的能谱分析提供更多的信息。
结语光电子与光子的能谱分析研究是一门前沿的学科，对推动科学技术的发展具有重要意义。
X射线光电子能谱(XPS)谱图分析
一、X光电子能谱分析的基本原理X光电子能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。
该过程可用下式表示：hn=Ek+Eb+Er （1）其中:hn：X光子的能量；Ek：光电子的能量；Eb：电子的结合能；Er：原子的反冲能量。
其中Er很小，可以忽略。
对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，式(1)又可表示为：hn=Ek+Eb+Φ（2） Eb=hn-Ek-Φ（3）仪器材料的功函数Φ是一个定值，约为 4 eV，入射X光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能。
各种原子，分子的轨道电子结合能是一定的。
因此，通过对样品产生的光子能量的测定，就可以了解样品中元素的组成。
元素所处的化学环境不同，其结合能会有微小的差别，这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移，由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。
例如某元素失去电子成为离子后，其结合能会增加，如果得到电子成为负离子，则结合能会降低。
因此，利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。
二、电子能谱法的特点(1)可以分析除H和He以外的所有元素；可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布，且直接得到电子能级结构的信息。
(2)从能量范围看，如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”，那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。
它提供有关化学键方面的信息，即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。
而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远，相互干扰少，元素定性的标识性强。
(3)是一种无损分析。
(4)是一种高灵敏超微量表面分析技术，分析所需试样约10-8g即可，绝对灵敏度高达10-18g，样品分析深度约2nm。
X射线光电子能谱分析(XPS)
第18章X射线光电子能谱分析18.1 引言固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法，特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。
目前常用的表面成分分析方法有：X射线光电子能谱（XPS）, 俄歇电子能谱(AES)，静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。
AES 分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究，而XPS的应用面则广泛得多，更适合于化学领域的研究。
SIMS和ISS由于定量效果较差，在常规表面分析中的应用相对较少。
但近年随着飞行时间质谱（TOF-SIMS）的发展，使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。
本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。
X射线光电子能谱（XPS）也被称作化学分析用电子能谱（ESCA）。
该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。
由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献，1981年，Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。
三十多年的来，X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。
XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析，业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。
XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析，而扩展到现代迅猛发展的材料学科。
目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%，是一种最主要的表面分析工具。
在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。
在X射线源上，已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源；传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源；X射线的束斑直径也实现了微型化，最小的束斑直径已能达到6μm大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。
图像XPS技术的发展，大大促进了XPS在新材料研究上的应用。
在谱仪的能量分析检测器方面，也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器，使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。
X射线光电子能谱分析法
X射线光电子能谱分析法X射线光电子能谱分析法（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）是一种非常重要的表面分析技术，广泛应用于材料科学、化学、表面物理、生物技术和环境科学等领域。
本文将对X射线光电子能谱分析法进行详细介绍，包括基本原理、仪器分析系统和应用领域。
一、基本原理X射线光电子能谱分析法是利用X射线照射固体表面，使其产生光电子信号，并通过测量光电子的动能和数量，来确定样品表面的化学成分及其状态。
其主要基于光电效应（photoelectric effect）和X射线物理过程。
光电效应是指当光子入射到固体物质表面的时候，会将表面电子激发到导带或导带以上的能级上，并逃离固体形成受激电子。
这些逃逸的电子称为光电子，其动能与入射光子的能量有关。
X射线物理过程主要包括光子的透射、散射和与原子内电子的相互作用等。
当X射线入射到固体表面时，会发生漫反射和荧光特性，造成信号的背景噪声。
同时，X射线的能量足够高，可以与样品的内层电子发生作用，如光电子相对能谱（Photoelectron RELative Energies）和化学平移分量（Chemical Shift）等。
二、仪器分析系统X射线光电子能谱分析系统包括光源、样品室、分析仪和检测器等。
光源常用的是具有较窄X射线能谱线宽的准单色X射线源，如AlKα线或MgKα线。
样品室的真空度一般要达到10^-8Pa左右，以避免空气对样品的干扰。
分析仪是用于测量光电子动能和数量的关键部件，常见的配备有放大器、电子能谱仪和角度分辨收集器等。
放大器将来自检测器的信号放大，并进行滤波处理以滤除高频噪声。
电子能谱仪是用于测量光电子动能的装置，一般包括一个径向入射、自由运动的光电子束和一个动能分析系统。
角度分辨收集器则用于测量光电子的角度分布。
检测器用于测量光电子的数量，常见的有多种类型的二极管（如能量分辨二极管和多道分析器）和面向瞬态X射线源的时间分辨仪器。
X射线光电子能谱分析
X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱分析（X-ray photoelectron spectroscopy，简称XPS）是一种用来表征材料表面元素化学状态和电子能级分布的表征技术。
它利用X射线照射材料表面，测量和分析材料表面光电子的能谱，通过分析能谱图可以得到有关材料的化学组成、表面化学键的种类和键长、元素的电子与核心电子之间的相互作用等信息。
本文将对X射线光电子能谱分析技术的原理、仪器设备及应用领域进行详细介绍。
X射线光电子能谱分析的原理可以用以下几个步骤来概括：首先，用X射线照射材料表面，激发材料表面的原子和分子。
然后，从激发的原子和分子中发射出光电子。
这些光电子的能量与产生它们的原子或分子的能级差有关。
最后，测量和分析这些光电子的能谱，从而得到材料表面的化学组成和电子能级分布信息。
为了进行X射线光电子能谱分析，需要使用专门的仪器设备，包括X射线源、能量分辨光电子能谱仪和电子能谱仪。
X射线源通常使用非常亮的单晶或多晶X射线管。
光电子能谱仪用来测量光电子的能谱，并将所获得的信号转化为能谱图。
电子能谱仪则用来检测、放大和记录电子能谱图。
X射线光电子能谱分析可以在多个领域应用，具有广泛的研究意义和实际应用价值。
在材料科学领域，它可以用来表征材料表面的成分和化学状态，研究材料的性质和行为；在表面科学领域，它可以研究表面的形貌和变化，探索表面的特性和反应；在催化剂和材料化学领域，它可以分析催化剂的表面状态和反应过程；在电子器件和光学器件领域，它可以研究界面和界面化学反应的机理等。
总结起来，X射线光电子能谱分析是一种非常重要的表征技术，可以提供关于材料表面的成分、化学状态和电子能级分布等信息。
通过XPS技术，可以探索材料的性质、表面的形貌以及材料的化学反应机理等，对于材料科学、表面科学、催化剂和电子光学器件等领域的研究和应用具有重要意义。
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第五章光电子能谱分析一、教学目的1. 了解常用表面分析方法特点及应用。
2. 掌握光电子能谱的基本原理。
3. 掌握光电子能谱实验技术，包括能谱仪的应用及样品测定中应注意的问题。
4. 了解和掌握光电子能谱的应用。
5. 了解俄歇电子能谱分析方法。
一、 教学方法面授二、 教学手段多媒体＋板书三、 学时分配6学时四、 重点、难点1.光电子能谱的基本原理。
2.光电子能谱应用技术。
五、 作业（思考题）1. 表面分析可以得到哪些信息？2. 表面分析方法有哪几种？3. 试述光电子能谱测量原理。
4. 光电子能谱分析表面的深度？5 光电子能谱仪的组成有那些？制样中要注意那些问题？第一节 概 述电子能谱是近十多年才发展起来的一种研究物质表面的性质和状态的新型物理方法。
这里所谓的表面是指固体最外层的l ～10个原子的表面层和吸附在它上面的原子、分子、离子或其他覆盖层，它的深度从小于1到几个nm ，或者包括采取剥离技术将表面层沿纵向深度暴露出新的表面。
用特殊的手段对这类表面进行分析已形成一门新兴的测试方法，即表面分析法表面分析法表面分析法，，它在理论上和实际应用上都有广泛的研究领域。
表面分析方法在无机非金属材料学科中的应用，例如：研究玻璃表面的刻蚀作用、水泥矿物硅酸钙的水化作用、陶瓷表面和界面、高温超导材料表面的作用等均有重要意义。
一、表面分析可以得到的信息表面分析是借助于各种表面分析仪，对物体 10 nrn 以内的表面层进行分析，可得到的信息有：（1）物质表面层（包括吸附层）的化学成分，除氢元素以外的元素都可以从表面分析法获得定性和定量的结果，而X 射线能谱分析一般只能分析到原子序数为11以上的元素（最好的仪器可以分析原子序数为4的Be 元素）。
定量分析也只能达到半定量程度。
（2）物质表面层元素所处的状态或与其他元素间的结合状态和结构，即元素所处的原子状态、价态、分子结构等信息。
（3）表面层物质的状态，如表面层的分子和吸附层分子状态、氧化态、腐蚀状态、表面反应生成物等。
（4）物质表面层的物理性质，这在一般表面分析中虽不是研究的主要内容，但可以得到与表面的元素、价态、结构等信息的关系。
在做表面分析工作时，不仅在制备样品时要求在高真空和超净条件下进行，而且在测试过程中也要注意仪器中的条件，以防止因污染而引起测试误差。
二、表面分析法的特点表面分析技术与普通光谱仪不同，它不是研究光与物质的相互作用后所产生的光的特性，而是研究光（或粒子）与物质相互作用后被激发出来的二次粒子（电子、离子）的能量，以达到所要获得的结果。
它是测定物质表面的平均成分，不是体内，也不是微区成分，它测定的是物质受激而发出的价电子或内层电子的能量；与红外光谱相比，红外光谱给出的是分子指纹，或是基团特征，而表面分析则可给出原子指纹，测定原子的价态（电子结构）、原子和电子所处的能级，从而可以定出分子结构。
表面分析的另一特点是无损分析，分析的是最表层的元素信息，分析灵敏度极高。
三、各种表面分析仪及其研究目的表面分析只是测定物质表面层厚度在10nrn 以内的各种信息，所以与粒子逸出的深度紧密相关。
表面分析法所用的仪器主要有以下几种：（1）离子探针微区分析（缩写IMMA ）和X 射线微区成分分析（电子探针）一样，是测定物质表面微区的化学成分，但是它又与电子探针或能谱分析有差异，主要在于它的激发源是用离子束而不是电子束，测量的是被激发出的离子的质量而不是特征X射线的能量。
（2）紫外光电子能谱（缩写UPS）这是用紫外光作发射源，激发元素的价电子，作元素成分分析的电子结构分析。
（3）俄歇电子能谱（编写AES）俄歇电子的能量一般在50～2000eV，所以逸出深度很小，仅0. 4～2nm。
电子的能量和逸出深度与被测样品的材料有关，与激发它的能量无关。
（4）光电子能谱．或X光电子能谱（XPS），又称电子能谱化学分析（ESCA）。
这是1962年才发现的。
它是用x射线作激发源轰击出样品中元素的内层电子，并直接测量二次电子的能量，这种能量表现为元素内层电子的结合能Eb 。
Eb随元素而不同，并且有较高的分辨力，它不仅可以得到原子的第一电离能，而且可以得到从价电子到K壳层的各级电子电离能，有助于了解离子的几何构型和轨道成健特性，是使用较为广泛的一种表面分析仪。
本章主要介绍光电子能谱和俄歇电子能谱的基本原理、实验方法和应用。
表5－1主要表面分析方法综合图5-1离子、电子、光子（X射线）与固体表面相互作用的模式图第二节 光电子能谱的基本原理一、光与物质的相互作用1．光电效应已经知道，当具有一定能量h ν的人射光子与样品中的原子相互作用时，单个光子把全部能量交级原子中某壳层上一个受束缚的电子，这个电子就获得了能量h ν。
如果h ν大于该电子的结合能E 。
，那么电子就将脱离原来受束缚的能级。
若还有多余的能量可以使电子克服功函数φ，则电子将从原子中发射出去，成为自由光电子，如图5－2，这个过程表示如下：h ν十A —A *＋e − （5－1）式中 A ——中性原子； h ν——辐射能量；A *——处于激发态离子； e −——发射出的光电子。
图5-2 光电效应的过程2．受激原子的弛豫——去激发当入射光子与原子相互作用产生了光电子，这时原子处于受激发高能量状态，如式（5-1）中的A +*，有趋于平衡的倾向，以达到低能量状态，这称作弛豫过程。
假设入射光子将原子K 壳层的一个电子轰击出去成为光电子，同时留下了一个空穴，这时去激的方式一般有两种可能，即发射特征X 射线：A +*＋→A νh ++（特征X 射线能量） （5-3）或者发射俄歇电子A +*＋→A −++e 2 （俄歇电子）就是当L 层电子跃迁到K 层释放出的能量不再以X 射线的形式表现A 引是继续轰击出L 层上另一个电子，从而在L 壳层上造成了两个空穴。
它们的去激发过程如图5-3。
图5-3 原子的去激发过程3．光电子逸出深度由于原子是处于物体内部而不是呈孤立状态，当受激的电子脱离原来原子，就有从表面逸出的可能性，当光电子在固体内移动，最终逸出固体表面以前所经历的距离是电子逸出深度。
图5-4 在某些固体中电子的平均自由程同能量的关系光电子发射可以分为三个过程，即：（1）电子因光吸收而激发；（2）释放出的电子向固体表面移动；（3）克服表面势场而射出——脱离固体表面。
其中过程（2）与电子的逸出深度和能量有关，而过程（3）则与化学位移有关。
二、光电子能谱测量原理当X 射线与物质相互作用时，物质中原子某壳层的电子被激，脱离原子而成为光电子。
如果这电子是K 壳层的，就称它为Is 电子，如是L 层，则有Zs 、ZP 电子，依此类推。
根据爱因斯坦的光电效应定律，X 射线被自由原子或分子吸收后，X 射线的能量h 。
将转变为光电子的动能E 。
以及激发态原子能量的变化，最简单地可以表示为：h ν=r k b E E E ++ -4)式中 r E ——原子的反冲能；b E ——电子的结合能；k E ——光电过程中发射光电子的动能。
这里，原子的反冲能量可以按下式计算。
r E =2)(21νm M − (5-5) M 和m 分别表示原子和电子的质量，ν为激发态原子的反冲速度。
在X 射线能量不太大时，原子的反冲能量近似为:r E =h Mm ν （5-6） 在光电子能谱仪中，常用AI 和Mg 作X 射线源，从而r E 可以忽略不计。
h ν＝k E ＋b E （5-7）1．结合能b E 的导出所谓结合能一般可理解为一束缚电子从所在的能级转移到不受原子核吸引并处于最低能态时所需克服的能量，或者是电子从结合状态移到无穷远时所做的功，并假设原子在发生电离时，其他电子仍维持原来的状态。
图5-5 固体（氧化物）的X 吸收和光电子发射 图5-6 光电子能谱中各种能量关系（a ）样品；（b ）样品与仪器接触 h ν=k E ＋b E +φ （5-8）k E ＋φ ＝E 'k ＋φ' （5-9）h ν= E 'k ＋k E ＋φ' （5-10）或 b E = h ν－E 'k －φ' （5-11） 2．化学位移同种原子中处于不同的化学环境的电子引起结合能的变化，在谱线上造成位移，称为化学位移。
化学位移的解释（1）离子型化合物静电模型图5-7 球形电荷价壳层 图5-8 具有离子键的双原子分子示意图（2）分子电位——电荷热能模型假定其他原子的静电荷为q ，并作点电荷考虑，则分子中第i 个原子内壳层电子的结合能E i 为：E i =kq i +∑≠i j ij iR q =q V ii k + （5-15） 式中Vi ——分子中其余部分在第i 个原子所产生的电位总和——分子电位;q i —第i 个原子的电荷；Rij ——第i 个原子与第j 个原子的距离；k ——比例常数，原子内壳层电子同原子的价电子间平均相互作用。
（3）等效原子核心——等价电子壳层模型原子核心是指原子核加ls 电子壳层。
这个模型原理的基础是假定当一个内壳层电子从某个分子或离子中的原子发射出来时，价电子的变化相当于原子核电荷增加一个单位，或具有同样电荷的原子核心在化学上等效。
它的假设基础与热化学数据相关。
第三节 光电子能谱实验技术一、光电子能谱仪以X 射线为激发源的光电子能谱仪主要由激发源、能量分析器和电子检测器三部分组成。
图5－14是它的方框示意图。
1．激发光源用于光电子能谱的激发源是特征X 射线，常用的X 射线源如表5－5所列。
电子能谱分析的分辨率ΔE 由三个因素决定，即：ΔE 2 =ΔE 2X 十ΔE 2样十ΔE 2仪图5-14 光电子能谱仪示意图其中ΔE 仪是仪器固有的分辨率，不能改变。
ΔE 样是样品的电子能级宽度，它随样品而异。
ΔE X 是X 射线的宽度，可以选择。
MgK α靶和AIK α靶都是较为理想的光电子能谱的激发源。
表5-5 常用于电子能槽的X 射线激发源2．光电子能量分析器这是光电子能谱仪的核心部分，能谱仪的性能指标、结构好坏主要取决于电子能量分析器。
样品在X 射线激发下发射出来的电子具有不同的功能，必须把它们按能量大小进行分离。
在普通X 射线激发源下产生的光电子能量一般在15 0 0 eV 以下，所以光电子能量分析器采用静电型较好，它可以绘出线性能量标度，分辨率高（ leV ），而且精确度可达到±0.02eV 。
静电式能量分析器有球形、球扇形和简镜形三种，它们共同的特点是：对应于内外两面的电位差值只允许一种能量的电子通过，连续改变两面间的电位差值就可以对电子动能进行扫描。
图5-16 半球形电子能量分析器示意图如果分析器的人口和出口狭缝宽度W 相等，而ΔE 仪=21ΔE ，可以得到： ΔE 仪 / E 0= W / 2 r （5－19）式中：r ——分析器平均半径； a ——电子进入分析器时与分析器平均半径r 所成夹角。