HSPICE介绍
Hspice应用讲解
Hspice应用讲解Hspice是一种通用电路分析程序，可用来进行集成电路和电子线路的分析模拟。
它可以用来分析电路的非线性直流特性，线性交流小信号特性，非线性瞬态特性，温度特性等。
其中，直流分析（.DC）不光可进行直流转移特性分析，还可进行直流工作点（.OP），直流小信号传输特性（.TF），直流小信号灵敏度（.SENS）分析；在进行交流分析（.AC）的同时还可进行噪声特性（.NOISE）和失真特性（.DISTO）分析；在进行瞬态分析（.TRAN）的同时还可进行傅立叶（.FOUR）分析；进行温度特性分析（.TEMP）以求得电路的温度特性。
在进行交流分析和瞬态分析前先进行直流分析，以决定其非线性元件的线性化小信号模型和其初始条件。
Hspice输入描述文件格式：Hspice的输入描述文件格式是一种自由格式，其输Array入的第一条语句必须是标题语句，且不能省略；最后一条语句必须是结束语句（.END），其余语句的顺序是任意的。
在输入描述文件的任何地方都可插入注释语句（在语句前加“*”或“$”），程序只对注释语句进行原样打印而不进行任何处理。
元件语句是说明该元件的拓扑关系和元件值的。
每个元件给予一个元件名，元件名的第一个字母说明该元件的类型，Hspice并对各种类型的元件所对应的英文字母作了规定，元件名不能重复。
元件的节点号可以用一正整数表示，也可以用网点名表示。
模型语句是说明该元件的模型参数的。
在模型语句中定义一组元件模型参数并赋予一个唯一的模型名，在元件语句中即可引用此模型名，表明此元件具有该组模型参数值。
子电路是用一组元件语句来定义，程序会自动将这组元件插入到子电路被调用的地方，其大小和复杂性没有限制，并允许其包含其他子电路。
在电路中不能包括短路的电压源和电感，开路的电流源和电容，电路中的每个节点都不能悬空。
控制语句是控制程序的运行和规定分析及输出的内容。
如温度语句，工作点分析语句，交流分析语句，瞬态分析语句，打印语句，绘图语句和可选项语句等。
HSPICE介绍
HSPICE介绍1、为什么要使用Hspice进行电路仿真Avant! Star_Hspice（Synopsys公司）是IC设计中最长用的仿真工具，是目前业界使用最为广泛的IC设计工具，甚至可以说是事实上的标准。
目前，一般的书籍中都采用比较简单的MODEL对MOS电路进行计算和估算。
而工艺厂商提供的MODEL往往要高级的多、复杂的多。
因此设计者除了利用书本上的公式对电路进行估算外，还需要使用更高级的MODEL对电路进行精确的仿真，这就有赖于仿真工具的使用，如Hspice，Spectre。
2、Hspice仿真的流程v1.0 可编辑可修改3、Hspice所使用的单位（不区分大小写）4、输入文件格式（ /.sp）5、电路元器件在Hspice文件中的表示方法在器件名字前面加上前缀字符，即可被Hspice程序识别，如：MOS器件前缀为：MBJT器件前缀为：QDiode器件前缀为：D子电路的前缀为：X电阻、电容、电感的前缀分别为R、C、L下面表示一个器件名为M1的MOS管MM1 ND NG NS NB MNAME L=VAL W=VAL M=VAL下面表示一个器件名为C1的电容CC1 net1 net2 1pf定义字电路的语句如下：.SUBCKT SUBNAM（子电路的名字） 1 2 3 4（字电路外部节点）例子：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4(描述电路结构).ENDS OPAMP调用子电路时，使用X前缀加实例名，将SUBCKT实例化，如：.XOPAMP1 1 2 3 4 OPAMP6、信号源描述（激励描述）：电压源－V，电流源－IVxxx/Ixxx n+ n- <<DC=> dcval> <AC=acmag, <acphase>>+ <M=val>直流：V1 1 0 DC=5V 或 V1 1 0 5VI1 1 0 DC=5mA 或I1 1 0 5mA交流模式：V1 1 0 AC=10V,90 幅度为10v，相位为90度交直流模式：V1 1 0 AC=10V,90 直流分量是Vxxx/ Iyyy n+ n- <tranfun>+ <M=val>tranfun：EXP, PULSE, PWL…。
Hspice仿真工具介绍
HSPICE仿真工具的介绍：一．HSPICE 的特点与结构HSPICE 除了具备绝大多数SPICE 特性外，还具有许多新的特点，主要有：1.优越的收敛性2.精确的模型参数，包括许多Foundry 模型参数3.层次式节点命名和参考4.基于模型和库单元的电路优化，逐项或同时进行AC，DC 和瞬态分析中的优化5.具备蒙特卡罗（Monte Carlo）和最坏情况（worst-case）分析6.对于参数化单元的输入、出和行为代数化7.具备较高级逻辑模拟标准库的单元特性描述工具8.对于PCB、多芯片系统、封装以及IC 技术中连线间的几何损耗加以模拟二．电源描述语句HSPICE 中提供了一些供激励用的独立源和受控源。
电源描述语句也由代表电源名称的关键字、连接情况和有关参数值组成。
描述电源的关键字含义为：V: 独立电压源 I: 独立电流源E: 电压控制电压源 F: 电流控制电流源G: 电压控制电流源 H: 电流控制电压源基于上面的语句格式，HSPICE 规定有七种独立电源：1. 直流源一般形式：VXXX n+ n- <<DC=>dcval>IXXX n+ n- <<DC=>dcval>例 V1 2 0 DC=5vV1 2 0 5vI1 3 0 DC=3mAI2 3 0 3mA2. 交流源一般形式：VXXX n+ n- <AC=acmag,<acphase>>IXXX n+ n- <AC=acmag,<acphase>>例：V1 1 0 AC＝10V 90VIN 1 0 AC 10V 90ISRC 23 21 AC 0.333 45.0如果在关键字AC 后面省去acmag，就认为该值是1。
如果省去acphase，则认为该值为0。
3. 脉冲源一般形式：PULSE <(> V1 V2 <td<tr<tf<pw<per>>>> <)>或： PU <(> <V1 V2 <td<tr<tf<pw<per>>>> <)>其中：V1: 脉冲源开始前的初始值V2: 脉动值td: 第一个脉冲开始前的延迟时间，缺省值为0.0tr: 脉冲上升时间，缺省值为TSTEPtf: 脉冲下降时间，缺省值为TSTEPpw: 脉冲宽度，缺省值为TSTEPper: 脉冲周期，缺省值为TSTEP4. 正弦源（调幅正弦信号）一般形式：SIN <(> vo va <freq<td< < >>>> <)>其中：vo: 电压或电流偏移量va: 电压或电流幅度峰值freq: 频率，缺省值是1／TSTOP。
CMOS实验课1HSPICE介绍
HSPICE介绍1、为什么要使用Hspice进行电路仿真Avant! Star_Hspice（Synopsys公司）是IC设计中最长用的仿真工具，是目前业界使用最为广泛的IC设计工具，甚至可以说是事实上的标准。
目前，一般的书籍中都采用比较简单的MODEL对MOS 电路进行计算和估算。
而工艺厂商提供的MODEL往往要高级的多、复杂的多。
因此设计者除了利用书本上的公式对电路进行估算外，还需要使用更高级的MODEL对电路进行精确的仿真，这就有赖于仿真工具的使用，如Hspice，Spectre。
2、Hspice仿真的流程3、Hspice所使用的单位（不区分大小写）4、输入文件格式（.net /.sp）5、电路元器件在Hspice文件中的表示方法在器件名字前面加上前缀字符，即可被Hspice程序识别，如：MOS器件前缀为：MBJT器件前缀为：QDiode器件前缀为：D子电路的前缀为：X电阻、电容、电感的前缀分别为R、C、L下面表示一个器件名为M1的MOS管MM1 ND NG NS NB MNAME L=VAL W=VAL M=VAL下面表示一个器件名为C1的电容CC1 net1 net2 1pf定义子电路的语句如下：.SUBCKT SUBNAM（子电路的名字） 1 2 3 4（子电路外部节点）例子：.SUBCKT 2NAND 1 2 3(描述电路结构).ENDS 2NAND调用子电路时，使用X前缀加实例名，将SUBCKT实例化，如：.XOPAMP1 4 5 6 OPAMP6、信号源描述（激励描述）：电压源－V，电流源－IVxxx/Ixxx n+ n- <<DC=> dcval> <AC=acmag, <acphase>>+ <M=val>直流：V1 1 0 DC=5V 或V1 1 0 5VI1 1 0 DC=5mA 或I1 1 0 5mA交流模式：V1 1 0 AC=0.5V,90 幅度为0.5v，相位为90度交直流模式：V1 1 0 3v AC=0.5V,90 直流分量是3vVxxx/ Iyyy n+ n- <tranfun>+ <M=val>tranfun：EXP, PULSE, PWL…。
hspice基础知识
hspice基础知识元件描述语句1.1 R、L、C 元件描述语句元件语句一般由元件名、元件所连接的电路节点号和元件参数值组成。
元件在输入中以一行表示，该行不能以“.”开始。
语句中的第一个字母是关键字，它确定了该元件的类型。
一般形式：elname或elname其中：elname: 元件名，是一个带有一个关键字母的不超过15个字符的字符串。
HSPICE 中表示元件的关键字母的含义：C－电容K－耦合互感L－电感R－电阻T－无损耗传输线U－有损耗传输线node1... 节点名，用来说明元件所连接的节点，节点名的第一个字符必须是字母，整个字符串不超过16 个字符（连第一个字母在内）。
＝（）′[ ]等符号不能出现在节点名中。
mname: 模型参考名，对除了无源器件外所有元件都是必需的。
当基本元件参数不能充分描述时，调用相应的模型来描述。
pname1... 元件参数名，用来标明一些元件的参数值。
val1... 赋于的参数值或模型节点，这些数值可以是数值，也可以是代数表达式。
M=val 元件的倍增因子。
二. 电容、电感和电阻(1) 电容：一般形式：CXXX n1 n2 capval > ++或CXXX n1 n2 C=val++或CXXX n1 n2 C=equation CTYPE=0 or 1例：C1 3 2 10U IC=3VCBYP 13 0 1UFC2 1 2 CMOD 6PF若系统中所用电容是非线性的，则其一般形式是：CXXX n1 n2 POLY C0 C1 C2 ...电容值＝C0＋C1*V＋C2*V**2＋…(2) 电感：一般形式：LXXX n1 n2 Lval >+或LXXX n1 n2 L=val+或LXXX n1 n2 L=equation LTYPE=0 or 1例：LLINK 42 69 1UHLSHUNT 23 51 10U 0.001 0 15 IC=15.7MALH8 5 80 LMOD 2MH若系统中所用电感是非线性的，则其一般形式是:LXXX n1 n2 POLY L0 L1 L2 ...电感值＝L0＋L1*i＋L2*i**2＋…在非线性电容和电感的表达式中，POLY 表示其中的数值C0,C1,C2…（和L0,L1,L2…）是描述元件值的多项式系数。
HSPICE_简介
Hspice和Pspice的区别
缺点就是，对内存敏感，内部是frotran写的 采用类似c指针的方式对内存地址进行操作， 大概只可以做5000个晶体管，速度很慢 其实在有效的2000个晶体管以上的电路就应 该考虑用cadence,主要比起Hspice来说， cadence在电路收敛性问题比较少。（后面 会讲到收敛性问题）
Vin node1 node2 dc h1 .alter change VIN=5 .PARAM h1=5V .ALTER FF .DEL LIB 'D:\TEST\PROCESS\0.6U BCD V0.1PHASE1.lib' TT .LIB 'D:\TEST\PROCESS\0.6U BCD V0.1PHASE1.lib' FF SS TT FF SF FS
简单电路正向设计的典型流程
1. 功能定义 2. 行为设计 3. 逻辑级电路设计——得到由基本逻辑单元组成的电路
（数字电路） 4. 逻辑级仿真（迭代） 5. 选择合适的工艺库。把各基本功能单元映射至其上；或 设计各单元晶体管级电路——得到电路级网表
6. 电路级仿真：验证各单元电路是否具有期望的
功能，性能估计。（迭代） 7. 版图设计、DRC, LVS 8. 提取版图网表，进行后仿真：验证功能，估计 性能。（迭代） Hspice主要应用于电路级仿真、分析。可以辅助调 整电路参数。得到功耗、延时等性能估计。
预编译” 三． “预编译”指令
1． .INCLUDE Statement ．
.INCUDE语句：引用一个文件，被引用的文 件置于引用文件前。 例： LNA .include “me98xxxx/model.sp“ ···
2. .PARAM statement
HSPICE_简介
第一章概论§1.1 HSPICE简介随着微电子技术的迅速发展以及集成电路规模不断提高，对电路性能的设计要求越来越严格，这势必对用于大规模集成电路设计的EDA工具提出越来越高的要求。
自1972年美国加利福尼亚大学柏克莱分校电机工程和计算机科学系开发的用于集成电路性能分析的电路模拟程序SPICE（Simulation Program with IC Emphasis）诞生以来，为适应现代微电子工业的发展，各种用于集成电路设计的电路模拟分析工具不断涌现。
HSPICE是Meta-Software公司为集成电路设计中的稳态分析，瞬态分析和频域分析等电路性能的模拟分析而开发的一个商业化通用电路模拟程序，它在柏克莱的SPICE（1972年推出），MicroSim公司的PSPICE （1984年推出）以及其它电路分析软件的基础上，又加入了一些新的功能，经过不断的改进，目前已被许多公司、大学和研究开发机构广泛应用。
HSPICE可与许多主要的EDA设计工具，诸如Candence,Workview等兼容，能提供许多重要的针对集成电路性能的电路仿真和设计结果。
采用HSPICE软件可以在直流到高于100MHz的微波频率范围内对电路作精确的仿真、分析和优化。
在实际应用中，HSPICE能提供关键性的电路模拟和设计方案，并且应用HSPICE进行电路模拟时，其电路规模仅取决于用户计算机的实际存储器容量。
§1.2 HSPICE的特点与结构HSPICE除了具备绝大多数SPICE特性外，还具有许多新的特点，主要有：!优越的收敛性!精确的模型参数，包括许多Foundry模型参数!层次式节点命名和参考!基于模型和库单元的电路优化，逐项或同时进行AC，DC和瞬态分析中的优化!具备蒙特卡罗（Monte Carlo）和最坏情况（worst-case）分析!对于参数化单元的输入、出和行为代数化!具备较高级逻辑模拟标准库的单元特性描述工具!对于PCB、多芯片系统、封装以及IC技术中连线间的几何损耗加以模拟在HSPICE中电路的分析类型及其内部建模情况如图1.2.1和图1.2.2所示：图1.2.1HSPICE的电路分析类型图1.2.2 HSPICE的内部建模技术集成电路设计中的分析和验证是一种典型的围绕一系列结构的试验和数据管理。
Hspice使用指南
.tran 10n 20u .end
把以上代码写进“记事本”，然后在某处新建一个文件夹，命名为”inv”,把这个记事本另 存为”inv.sp”保存在这个新建文件夹里.
打开 Hpice,点击
,选择刚刚弄好的 inv.sp 文件，点击
编译结束以后，可以点击
来观察数据输出状态，主要是检查是否有”error”
a) 脉冲源
PULSE(v1 v2 td t rtf pw per) v1为初值，v2为脉动值。Td为延迟时间，补缺值为0。tr和tf分别为上升时间和下降时间，补 缺值为tstep（瞬态分析的步长）。pw和per分别为脉冲宽度和周期，补缺值为tstop（瞬态分 析的终止时刻）。具体波形如下： pwtrtdtfpervv1v2Ot
2. 独立电压源和独立电流源
Vxxxxxxx
+
n
-
n
<<DC>直流值>
<AC<交流振幅<交流相位>>>
<瞬态值>
+-
Ixxxxxxx n n <<DC>直流值> <AC<交流振幅<交流相位>>> <瞬态值>
+
-
V和I分别是独立电压源和独立电流源的关键字，n 和n 是电源的正负节点。第一个选项为电
源的直流值（字母DC可以省略），第二个选项为交流数据，第三个选项为瞬态数据。这三 组数据可以在一次仿真中同时给出。若作直流分析，取直流常数值；若作交流分析，独立源 被视为是由振幅和相位所描述的正选小信号（频率即为交流分析频率）；作瞬态分析时，则 用随时间变化的瞬时数据（也可为常数）；支流和瞬态分析可用同一值描写，如果随时间变 化，则取t=0的值作直流分析。 瞬态数据随时间变化可以有如下五种形式：
Hspice语言学习总结
HSpice语言学习总结第一讲：《SPICE》概述（1）元器件模型构成器件模型的方法有两种：◆行为级模型—“黑匣子”模型例如IBIS模型和S参数,最新的是Verilog－AMS模型和VHDL-AMS模型精度较差，一致性不能保证，受测试技术和精度的影响。
一般应用到高频、非线性、大功率等大型电路设计◆等级(LEVEL)模型例如Hspice便是利用这种模型精度较高一般应用于中小型电路的IC设计（2）LEVEL模型②LEVEL1—LEVEL3：线性模型或低阶模型，可直接进行计算或估算。
②流片工厂提供的模型，如Level 49和Mos 9、EKV 等，无法直接进行计算或估算，需要用电路仿真软件进行仿真，以便得到精确的结果。
如Hspice③Hspice提取模型，是利用提取元件库的形式.lib,元件库一般由工厂提供（3）集成电路特征线宽微米：Micrometer: >1.0um亚微米：0.8um 0.6um深亚微米：0.5um 0.35um 0.25um超深亚微：0.25um 0.18um 0.13um纳米：0.09um (90nm) 0.07um (70nm)Moor 定律：每一代（3年）硅芯片上的集成密度翻两番。
加工工艺的特征线宽每代以30%的速度缩小。
（4）Hspice的使用流程（5）Hspice网表输入格式----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 第二讲HSPICE网表的语法（1）文件名格式：●工具的多少：Cadence>>Hspice●精度：一般Hspice>Cadence●适用对象：Cadence 用于RF设计较好，Hspice更适合模拟IC设计●目前应用建议：用Cadence布线布图以及版图设计，Hspice仿真（1.0）后缀名：.sp。
HSPICE介绍
HSPICE介绍HSPICE介绍1、为什么要使⽤Hspice进⾏电路仿真Avant! Star_Hspice（Synopsys公司）是IC设计中最长⽤的仿真⼯具，是⽬前业界使⽤最为⼴泛的IC设计⼯具，甚⾄可以说是事实上的标准。
⽬前，⼀般的书籍中都采⽤⽐较简单的MODEL对MOS 电路进⾏计算和估算。
⽽⼯艺⼚商提供的MODEL往往要⾼级的多、复杂的多。
因此设计者除了利⽤书本上的公式对电路进⾏估算外，还需要使⽤更⾼级的MODEL对电路进⾏精确的仿真，这就有赖于仿真⼯具的使⽤，如Hspice，Spectre。
2、Hspice仿真的流程3、Hspice所使⽤的单位（不区分⼤⼩写）4、输⼊⽂件格式（.net /.sp）5、电路元器件在Hspice⽂件中的表⽰⽅法在器件名字前⾯加上前缀字符，即可被Hspice程序识别，如：MOS器件前缀为：M BJT器件前缀为：QDiode器件前缀为：D⼦电路的前缀为：X电阻、电容、电感的前缀分别为R、C、L下⾯表⽰⼀个器件名为M1的MOS管MM1 ND NG NS NB MNAME L=VAL W=VAL M=VAL下⾯表⽰⼀个器件名为C1的电容CC1 net1 net2 1pf定义字电路的语句如下：.SUBCKT SUBNAM（⼦电路的名字） 1 2 3 4（字电路外部节点）例⼦：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4(描述电路结构).ENDS OPAMP调⽤⼦电路时，使⽤X前缀加实例名，将SUBCKT实例化，如：.XOPAMP1 1 2 3 4 OPAMP6、信号源描述（激励描述）：电压源－V，电流源－IVxxx/Ixxx n+ n- < dcval> >+直流：V1 1 0 DC=5V 或V1 1 0 5VI1 1 0 DC=5mA 或I1 1 0 5mA交流模式：V1 1 0 AC=10V,90 幅度为10v，相位为90度交直流模式：V1 1 0 0.5v AC=10V,90 直流分量是0.5vVxxx/ Iyyy n+ n-+tranfun：EXP, PULSE, PWL…。
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HSPICE介绍
1、为什么要使用Hspice进行电路仿真
Avant! Star_Hspice（Synopsys公司）是IC设计中最长用的仿真工具，是目前业界使用最为广泛的IC设计工具，甚至可以说是事实上的标准。
目前，一般的书籍中都采用比较简单的MODEL对MOS 电路进行计算和估算。
而工艺厂商提供的MODEL往往要高级的多、复杂的多。
因此设计者除了利用书本上的公式对电路进行估算外，还需要使用更高级的MODEL对电路进行精确的仿真，这就有赖于仿真工具的使用，如Hspice，Spectre。
2、Hspice仿真的流程
3、Hspice所使用的单位（不区分大小写）
4、输入文件格式（.net /.sp）
5、电路元器件在Hspice文件中的表示方法
在器件名字前面加上前缀字符，即可被Hspice程序识别，如：MOS器件前缀为：M
BJT器件前缀为：Q
Diode器件前缀为：D
子电路的前缀为：X
电阻、电容、电感的前缀分别为R、C、L
下面表示一个器件名为M1的MOS管
MM1 ND NG NS NB MNAME L=VAL W=VAL M=VAL
下面表示一个器件名为C1的电容
CC1 net1 net2 1pf
定义字电路的语句如下：
.SUBCKT SUBNAM（子电路的名字） 1 2 3 4（字电路外部节点）例子：
.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4
(描述电路结构)
.ENDS OPAMP
调用子电路时，使用X前缀加实例名，将SUBCKT实例化，如：
.XOPAMP1 1 2 3 4 OPAMP
6、信号源描述（激励描述）：
电压源－V，电流源－I
Vxxx/Ixxx n+ n- <<DC=> dcval> <AC=acmag, <acphase>>
+ <M=val>
直流：V1 1 0 DC=5V 或V1 1 0 5V
I1 1 0 DC=5mA 或I1 1 0 5mA
交流模式：V1 1 0 AC=10V,90 幅度为10v，相位为90度
交直流模式：V1 1 0 0.5v AC=10V,90 直流分量是0.5v
Vxxx/ Iyyy n+ n- <tranfun>
+ <M=val>
tranfun：EXP, PULSE, PWL…。
<M=val>只用来描述电流源，表示并联的电流源个数。
默认为1。
脉冲源：
Vxxx n+ n- PULSE (v1 v2 td tr tf pw per)
（脉冲电流源有类似的书写方法）
正弦源：
Vxxx n+ n- SIN ( vo va freq td Θφ) （正弦电流源可以类似的方式给出）
v0 失调值
va 幅度
freq 频率
td 延迟时间
Θ阻尼因子
φ相位
任意方波源：
Vxxx n+ n- pwl ( t1 v1 t2 v2 t3 v3……R TD )
7、分析命令
工作点分析
.OP 会在输出文件中列出一些直流参数和各结点的工作点电压与支路电流、静态功耗。
直流分析
.DC var1 START STOP STEP/<SWEEP var2 type np start2 stop2>,
Type: DEC(十进位）/OCT（倍频）/LIN（线性）/DATA＝datanm/POI(列表）
Np －单位范围内的点数（依type而定）。
SWEEP后的变量可是电
压、电流或温度等变量。
例：
.DC xval 1k 10k 0.5k SWEEP TEMP LIN 5 25 125
交流分析
.AC type np fstart fstop <SWEEP var start stop incr>
例：
.AC DEC 10 1K 100MEG
*1kHz-100MHz,每10倍频程取10个点打印。
瞬态分析
.TRAN var1 START=start1 STOP=stop1 STEP=incr1 或者
.TRAN tincr1 tstop1 < tincr2 tstop2 ...tincrN tstopN>
+ <START=val> <UIC>
注意：Tran分析时起止时刻及步长指的是输出打印点的时刻，Hspice真正的计算步长是由Hspice自己决定的。
例：
.TRAN 0.1NS 25NS 1NS 40NS START=10NS
*0－25ns，步长0.1ns, 25ns-40ns,步长1ns; 从10ns开始输出结果。
.TRAN1NS 100NS *以1ns的步长输出到100ns
8、测量命令：
MEASURE命令
.MEASURE <DC|AC|TRAN> result TRIG … TARG …
Result是测量结果的名字，
TRIG … TARG 为起始···中止（依分析内容不同可是时刻、频率···）TRIG 和TARG的格式如下：
TRIG trig_var V AL=trig_val <TD=time_delay> <CROSS=c> <RISE=r> <FALL=f>
TARG targ_var V AL=targ_val <TD=time_delay> <CROSS=c | LAST> <RISE=r | LAST> <FALL=f | LAST> *last表示最后一次事件。
例：
.meas tran tdlay trig v(1) val=2.5 td=10n rise=2
+ targ v(2) val=2.5 fall=2
该例测量一个名为tdlay的时间，在节点1处的电压第二次超过2.5v，时开始测量（注意在超过2.5v以后10n秒才开始计算次数），到节点2处的电压第二次回落到2.5v时停止测量。
9、输出命令
.PRINT<DC | TRAN> P(element_or_subcircuit_name) POWER
*打印功率值
.PRINT TRAN P(M1) P(VIN) P(CLOAD) POWER
.PLOT DC POWER P(IIN) P(RLOAD) P(R1)
.PROBE antype ov1 … <ov32>
*antype 可以是DC /AC/TRAN……后面的变量可以使电压或者电流及器件的参数等等。
10、例题
下图反相器中的MOS 管L=1.2u ，W=1.2u 。
试建立反相器子电路，并考察子电路的VTC 特性。
建立完整电路后，分析该反相器链的直流传输特性、时序特性及带负载能力（负载为电容0.5P 1P 2P ）。
第一步：设计反相器单元
Vout
Vdd
第二步：写出输入文件，执行DC 分析获得反相器的VTC 特性图
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER
.LIB ‘‘
.global vdd
.option probe
Mn out in 0 0 NMOS W=1.2u L=1.2u
Mp out in vdd vdd PMOS W=1.2u L=1.2u
CL OUT 0 0.5PF
VDD VDD 0 5V
VIN VIN 0 PULSE(0 5V 10NS 1N 1N 50N 100N)
.DC VIN 0 5V 0.1V
.op
.probe dc v(V out)
.end
第三步写出SUBCKT并实例化三个，来实现反相器链对反相器链执行DC扫描。
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER CHAIN
.LIB ‘’
.global vdd
.SUBCKT INV IN OUT wn=1.2u wp=1.2u
Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1.2u
Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1.2u
.ENDS
. X1 IN 1 INV WN=1.2U WP=3U
X2 1 2 INV WN=1.2U WP=3U
X3 2 OUT INV WN=1.2U WP=3U
CL OUT 0 1PF
VDD VDD 0 5V
VIN VIN 0 0
.DC VIN 0 5V 0.1V
.measure DC ttrans when v(out)=2.5v
.PROBE dc v(V out)
.END
第四步执行measure 命令测量延迟时间。
VIN VIN 0 PULSE(0 5V 10NS 1N ＋1N 50N 100N)
.TRAN 1N 200N
.measure tran tdelay trig v(in)
＋val=2.5 td=8ns rise=1
+ targ v(out) val=2.5
＋td=9n fall=1
.PRINT V(OUT)
.end
第五步考察电路带容性负载的能力，同学门自己完成（提示：建立DATA包含三个容值，瞬态分析时执行SWEEP DATA=DATANM）
..。