(完整word版)Varian离子注入设备规格
第八章离子注入

沟道效应
当注入离子未与硅原子碰撞减速,而是穿透了晶 格间隙时(见下图)就发生了沟道效应。
沿<110>晶向的硅晶格视图
控制沟道效应的方法 1. 倾斜硅片:保证很短距离发生碰撞
常用方法,一般MOS工艺倾斜7o 阴影效应、横向掺杂、超浅结注入不起作用 2. 缓冲氧化层:离子通过氧化层后,方向随机。 可同时减小离子注入损伤 产生不需要的氧注入 有效性与厚度、注入能量、方向、杂质种类相关
N M A X0 .R 4 P0 .4 5 5 5 1 6 0 A 1 4c m 2 3 .6 1 0 1 9c m 3
xj RPRP 2lnNMAX NB
1903A556A2ln3.61019cm3 1015cm3
4450A
8.3 离子注入效应
1. 沟道效应 2. 注入损伤 3. 离子注入退火
qIn tA1.6 1 2 0 m 1 A 9C 1 6 1 m s2cm 21014cm 2
2. 在N型〈111〉衬底硅片上,进行硼离子注入,形成 P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1015cm-3, 注入能量:60KEV,注入剂量:5.0E14,试计算硼 离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。
2. 在N型〈111〉衬底硅片上,进行硼离子注入,形成 P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1015cm-3, 注入能量:60KEV,注入剂量:5.0E14,试计算硼 离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。
1. 已知某台离子注入机的束斑为2.0cm2、束流为 2.0mA、注入时间为16ms,试计算硼离子(B+)注 入剂量。(注:电子电荷q = 1.6×10-19库仑)
倒掺杂阱注入
高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大,倒 掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
离子注入技术(Implant)

4、离子注入系统复杂昂贵。
3
离子注入的应用
半导体掺杂工艺: 大规模集成电路 固体材料表面改性: 抗腐蚀、硬度、耐磨、润滑 光波导: 光纤传感器 太阳能电池
离子注入机设备与发展
中束流 μA 350D
NV6200A
NV10-80
大束流 mA NV10-160 NV10-160SD NV10-180
离子注入过程:入射离子与半导体(靶)的原子核和 电子不断发生碰撞,其方向改变,能量减少,经过一 段曲折路径的运动后,因动能耗尽而停止在某处。 离子浓度呈高斯分布。
x
y
0
z
注入离子分布(高斯型)
RP:投影射程,射 程的平均值
2.3 退火工艺
• 注入离子会引起晶格损伤ห้องสมุดไป่ตู้一个高能离子可以 引起数千个晶格原子位移)。 • 离子注入后需要将注入离子激活。
基本结构:离子注入系统(传统)
离子源:用于离化杂质的容器。常用的杂质 源气体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。 质量分析器:不同离子具有不同的电荷质量 比,因而在分析器磁场中偏转的角度不同,由 此可分离出所需的杂质离子,且离子束很纯。 加速器:为高压静电场,用来对离子束加速。 该加速能量是决定离子注入深度的一个重要参 量(离子能量为100keV量级)。 中性束偏移器:利用偏移电极和偏移角度分 离中性原子。
4 总结
未来电子技术发展水平的瓶颈;
未来高精工艺的发展方向;
未来尖端技术如航空航天、军事等领域 所必须的基础。
Thank you!
各向同性
可以独立控制结深和浓 不能独立控制结深和 离子注入与扩散的比较 3 度 浓度
一 言 以 蔽 之 : 可 控 性 好
离子注入的缺点
viista810离子注入机说明书

viista810离子注入机说明书
1、打开真空计《先开左边开关,再打开右边开关,左边表盘为低真空,右边表盘为高真空,可以换挡最后抽到本底真空-*10Ypa以下,本底气压越高越好)今打开机械泵今电磁阀1(抽到2Pa以下,需要几分钟时间)今电磁阀2。
2、在控制柜后面的所有开关都打开今分子泵电源开今关电磁阀1。
3、合头部电源(绿为开,红为关)打开供气小流量N2量程010sccm (2.5sccm起弧》大流量0---100sccm(He60sccm起弧)打开电弧电压(70V左右)今灯丝电源电流(10A左右)今引出电压引出电流(根据实验需要可任意加)抑制电压1000V左右,抑制电流越小越好,最好是0今打开加速电源(10100KV,可根据实验需要参数设定来调节)
100kV10mA为最大参数。
灯丝电源和电弧电源可以调节加谏电流,加速申源控制加速电压,可以按需要进行调节到自己想要的。
4、如果出故障小红灯闪按下控制柜上面的大红色按钮和上面的黄色按钮停止工作,等一会再试试,如果还不行就全都关了,找老师检修。
5、关机步骤
1)控制柜关
先关抑制电源10多秒之后将引出电源(左旋降到0)关掉电弧
电源(左旋降到0)关掉今灯丝电源(最好不要超过15A)(左旋降。
到0)关掉流量(左旋降到0)关掉予合头部分电源关掉(按红色按钮。
2)关掉真空计(先右下角开关,再关左下角开关)。
3)关闭分子泵红色Stop关电磁阀2关机械泵今关总电源控制柜后面所有开关都关掉。
iG5 Nissin Implanter离子注入机简介

<Next Generation>
Compare iG5 with iG4
Layout
2950mm
3450mm
3800mm
8195mm 5000mm
iG4
Weight: 36ton
12100mm 12500mm
7500mm 7400mm
iG5
Weight: 100ton
<Next Generation>
Component
Compare iG5 with iG4
Ion Source
Analyzing Magnet Process Chamber Platen Profile Monitor PFG Transfer Chamber VAC Robot
iG4
Load lock Chamber
iG5
<Next Generation>
Compare iG5 with iG4
iG4v4 iG5 P、B 5~80keV 1~700μA/cm 0.3~1000μA/cm M/ΔM≧4~15 ≧7.5E10ions/cm2 1300x1500mm 48sec/sheet 72sec/sheet 59sec/sheet 9,135sheet/mon 1.95m2/sheet 17,813m2/mon
僅Filament更換 洗浄/再使用 長壽命
Profile Monitor (Multi Faraday)
電極/絶縁物 壽命
Beam Monitor
大部分消耗品 短壽命
Dose Cup Profiler Cup Dose Cup及Profiler Cup的補正是必要
中束流离子注入机

M/C离子注入机§1. 概述在半导体行业中,离子注入的机台主要分为高能量(H/E),大束流(H/C),中束流(M/C)三种。
这里主要介绍的是中束流的离子注入机台。
中束流机台(Medium Current)一般是单个晶片进行注入,注入的剂量一般在1E11到1E14之间,而能量则在5kev到200kev 之间。
我们经常用到的4种离子为:1.B 12Kev 1.6E12 30μA2.B 185Kev 2.254E13 156μA3.P 20Kev 6E13 850μA4.As 200Kev 2.7E12 50μA§2. M/C机台介绍2.1型号我们常见的M/C型机台是Nissin公司生产的Exceed2000AH型,另外还有Axcelis公司生产的NV-8250型和Varian 公司的EHPi 500型。
下面给出的是Nissin的Exceed2000AH的外观图机台的基本情况为: 3200W * 6385L * 2600H重量为17,500Kg, 地板承受的压力为1000Kg/m2其中,控制面板如图所示。
2.2工作原理离子植入的基本原理就是把气体或固体源的原子离子化,然后对离子进行选择,把所需的离子进行加速,达到所需的能量,注入到硅片中的过程。
下面就是整个机台的俯视图,主要分为End Station, Beam Line, Ion Source 三个大的部分。
2.3主要部件2.3.1 离子源(Ion Source)。
因为我们要注入的杂质是有一定的能量的,所以必须对杂质进行加减速,而只有带电微粒才能在电场的作用下加减速,因此要使杂质离子化。
离子源就是用电子撞击气体分子,得到我们所需要的离子的部件。
离子源包括Arc chamber 和Extraction electrode 系统。
1.Arc chamber.Arc chamber 是利用灯丝加热,放出电子,然后电子撞击通入的气体分子,得到离子。
离子注入技术(Implant)

离⼦注⼊技术(Implant)离⼦注⼊技术摘要离⼦注⼊技术是当今半导体⾏业对半导体进⾏掺杂的最主要⽅法。
本⽂从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及⼀些具体⼯艺等⾓度做了较为详细的介绍,同时介绍了该技术的⼀些新的应⽤领域。
关键字离⼦注⼊技术半导体掺杂1 绪论离⼦注⼊技术提出于上世纪五⼗年代,刚提出时是应⽤在原⼦物理和核物理究领域。
后来,随着⼯艺的成熟,在1970年左右,这种技术被引进半导体制造⾏业。
离⼦注⼊技术有很多传统⼯艺所不具备的优点,⽐如:是加⼯温度低,易做浅结,⼤⾯积注⼊杂质仍能保证均匀,掺杂种类⼴泛,并且易于⾃动化。
离⼦注⼊技术的应⽤,⼤⼤地推动了半导体器件和集成电路⼯业的发展,从⽽使集成电路的⽣产进⼊了⼤规模及超⼤规模时代(ULSI )。
由此看来,这种技术的重要性不⾔⽽喻。
因此,了解这种技术进⾏在半导体制造⾏业以及其他新兴领域的应⽤是⼗分必要的。
2 基本原理和基本结构2.1 基本原理离⼦注⼊是对半导体进⾏掺杂的⼀种⽅法。
它是将杂质电离成离⼦并聚焦成离⼦束,在电场中加速⽽获得极⾼的动能后,注⼊到硅中⽽实现掺杂。
离⼦具体的注⼊过程是:⼊射离⼦与半导体(靶)的原⼦核和电⼦不断发⽣碰撞,其⽅向改变,能量减少,经过⼀段曲折路径的运动后,因动能耗尽⽽停⽌在某处。
在这⼀过程中,涉及到“离⼦射程”、“”等⼏个问题,下⾯来具体分析。
2.1.1 离⼦射程xpy pz图2.1.1(a )离⼦射程模型图图2.1.1(a )是离⼦射⼊硅中路线的模型图。
其中,把离⼦从⼊射点到静⽌点所通过的总路程称为射程;射程的平均值,记为R ,简称平均射程;射程在⼊射⽅向上的投影长度,记为p x ,简称投影射程;投影射程的平均值,记为p R ,简称平均投影射程。
⼊射离⼦能量损失是由于离⼦受到核阻挡与电⼦阻挡。
定义在位移x 处这两种能量损失率分别为n S 和e S :n n xdE S d =(1)ee dE S k dx== (2)则在dx 内总的能量损失为:()n e n e dE dE dE S S dx =+=+(3)P0000P 0n ed d d d d R E E E ER x E x S S ===+?(4)n S 的计算⽐较复杂,⽽且⽆法得到解析形式的结果。
离子注入机 剂量计算公式

离子注入机剂量计算公式离子注入机剂量计算公式。
离子注入技术是一种常用的微电子加工技术,通过将离子注入到半导体材料中,可以改变其导电性能和其他物理特性,从而实现微电子器件的制备。
在离子注入过程中,剂量的计算是非常重要的,它直接影响到加工后材料的性能和器件的性能。
剂量的计算是根据离子注入机的参数和加工条件来确定的,一般来说,剂量的计算公式如下:D = N A。
其中,D表示剂量,单位为离子数/cm²;N表示注入的离子浓度,单位为离子数/cm³;A表示注入的面积,单位为cm²。
在实际的离子注入过程中,通常需要根据具体的加工要求和材料特性来确定离子浓度和注入面积。
下面将详细介绍离子注入机剂量计算公式的具体应用。
首先,需要确定离子浓度N。
离子浓度是指单位体积内的离子数,通常可以通过离子源的参数和加工条件来确定。
例如,如果离子源的输出为I个离子/s,加工时间为t秒,注入的体积为V cm³,那么离子浓度可以用下面的公式来计算:N = I t / V。
其中,N表示离子浓度,单位为离子数/cm³;I表示离子源的输出,单位为离子数/s;t表示加工时间,单位为秒;V表示注入的体积,单位为cm³。
其次,需要确定注入的面积A。
注入的面积是指离子注入到材料表面的面积,通常可以通过控制离子束的大小和形状来确定。
例如,如果离子束的直径为 d cm,注入的面积为圆形,那么注入的面积可以用下面的公式来计算:A = π (d/2)²。
其中,A表示注入的面积,单位为cm²;d表示离子束的直径,单位为cm。
最后,根据上面的公式,可以计算得到剂量D。
例如,如果离子浓度N为1×10¹⁶个/cm³,注入的面积A为10 cm²,那么剂量D可以用下面的公式来计算:D = 1×10¹⁶ 10 = 1×10¹⁷个/cm²。
中束流离子注入机

M/C离子注入机§1. 概述在半导体行业中,离子注入的机台主要分为高能量(H/E),大束流(H/C),中束流(M/C)三种。
这里主要介绍的是中束流的离子注入机台。
中束流机台(Medium Current)一般是单个晶片进行注入,注入的剂量一般在1E11到1E14之间,而能量则在5kev到200kev 之间。
我们经常用到的4种离子为:1.B 12Kev 1.6E12 30μA2.B 185Kev 2.254E13 156μA3.P 20Kev 6E13 850μA4.As 200Kev 2.7E12 50μA§2. M/C机台介绍2.1型号我们常见的M/C型机台是Nissin公司生产的Exceed2000AH型,另外还有Axcelis公司生产的NV-8250型和Varian 公司的EHPi 500型。
下面给出的是Nissin 的Exceed2000AH的外观图机台的基本情况为: 3200W * 6385L * 2600H重量为17,500Kg, 地板承受的压力为1000Kg/m2其中,控制面板如图所示。
2.2工作原理离子植入的基本原理就是把气体或固体源的原子离子化,然后对离子进行选择,把所需的离子进行加速,达到所需的能量,注入到硅片中的过程。
下面就是整个机台的俯视图,主要分为End Station, Beam Line, Ion Source三个大的部分。
2.3主要部件2.3.1 离子源(Ion Source)。
因为我们要注入的杂质是有一定的能量的,所以必须对杂质进行加减速,而只有带电微粒才能在电场的作用下加减速,因此要使杂质离子化。
离子源就是用电子撞击气体分子,得到我们所需要的离子的部件。
离子源包括Arc chamber 和Extraction electrode 系统。
1.Arc chamber.Arc chamber 是利用灯丝加热,放出电子,然后电子撞击通入的气体分子,得到离子。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
Varian 离子注入机 EHP220设备规格
1.概要
本E220中束流离子注入机使用离子源,通过磁分析器、平行束透镜、加速系统等系统来完成注入。
B+束流达0.9mA,P+束流达1.6mA,As+束流达1.2mA。
2. 系统组成
E220中束流离子注入机主要由以下几个主要系统组成:
2-1)、束线系统;
2-2)、靶室系统;
2-3)、电源系统;
2-4)、辅助系统;
2-5)、控制系统;
3. 性能指标
3-1)、离子能量:10-200keV (+)
3-2)、束流
最小束流:10μA,且能稳定
最大束流:
3-3)、工作效率
机械传送效率≥160片/小时(10scans)。
3-4)、注入均匀性及重复性
注入剂量均匀性:1σ≤0.5%
注入剂量重复性:1σ≤0.5%
3-5)、质量分析能力
M/△M≥85(≥100KV)
3-6)、颗粒污染测试
颗粒污染控制<0.1/cm2@0.2μm。
3-7)、圆片注入倾斜角度
圆片注入倾斜角度:0~60°
3-8)、靶注片方式
靶注片方式:单圆片注入
圆片直径:200mm
3-9)、系统真空度
静态离子源真空度: 3.00E-6 Torr
静态束线真空度: 4.00E-6 Torr
静态靶室真空度: 5.00E-6 Torr
3-10)、辐射剂量
辐射剂量:≤2usv/h
4. 场务安装
4-1)、安装条件
电源:45KVA , 208V,3相,5线,50/60Hz
冷却水:入口 2.8Kg/cm2(mix) -10.5 Kg/cm2(max), 0.63L/S 21℃(max)干氮:1.4Kg/cm2(mix) -10.5 Kg/cm2(max)
0.47L/S(normal) - 4.7L/S(max)
压缩空气:7Kg/cm2(mix) -10.5 Kg/cm2(max)
2.35L/S(mix)
通风:70.5L/S 、压力-500Pa(气箱排气)
2.58L/S(终端排气)
2.58L/S(靶室排气)
散热:10 kwh(空气)
32.5 kwh(水)
尺寸:498cm×310cm×244cm
重量: 11000Kg
4-2)、废气排放
设备废气排放图详见附件图1
4-3)、重心分布
设备重心分布图详见附件图2
5. 附属品
5-1)、工具
维护保养设备所需工具:1套/台
5-2)、离子源离子源:1套/台
6. 性能指标验收
整机指标测试
测试:日期:
验收:日期:
6-1)、离子能量与能量精度测量
离子能量是引出电压与加速电压之和,测量时以测量仪器上显示的能量读数为准。
测量方法:
通过引出单电荷,离子能量为: 10keV~200keV(单电荷)
采用高压计检测设备实际离子能量,实际离子能量与设备显示离子能量进行对比,得出其误差,计算后获得能量精度。
1)最高能量检测:
能量为200KeV,引出的P+束流大小应在60 μA下进行试验,稳定工作0.2小时,束流变化≤10%,试验过程中出现的打火故障以不中断引束流为准。
实际测量:
验收结果:离子最高能量满足指标≥KeV要求。
测试:日期:
验收:日期:
2)最低能量检测:
能量为10keV,引出的P+束流大小应在200μA下进行试验,稳定0.2小时,束流变化≤10%。
实际测量:
验收结果:离子最低能量满足指标≤ KeV要求。
测试:日期:
验收:日期:
3)能量精度检测:
a. 引出元素为P+时检测数据如下:(单位KeV)
计算方法:能量精度=(高压计测量值﹣设备显示值)/高压计测量值×100%
稳定运行时间:0.5小时
测量结果:在引出元素为P+时,能量最大可达到 KeV,能量精度为,优于±0.5%的指标要求。
测试:日期:
验收:日期:
6-2)、注入元素测量
测量条件:要求有BF3、PH3、AsH3、Ar四路气体源的配置,能够注入B+11、P+31、As+75这三种元素。
测量方法:通过自动引束,分别引出三种元素离子,确定某种粒子的质量数。
测量结果:
束流为 mA,质量数:
P+
31
B+
束流为 mA,质量数:
11
As+
束流为 mA,质量数:
75
测试:日期:
验收:日期:
6-3)、注入剂量均匀性测量
1) 测量条件:
a. 硅片:8”(200mm)圆片、P(100)晶向;
硅片电阻率:P-型1~100Ω/cm;
b.注入元素为P+ 31,能量为160KeV,剂量5E14ions/cm2,注入角度为0°,扭转角度为0°。
2) 测量方法:
利用快速退火炉(RTP)退火后用四探针测试仪测方块电阻,按照相对标准方差的统计规律,计算出均匀性参数,仪器相对偏差≤±0.2%,每片测量81个点。
3) 计算方法:
参考GB/T15862-1995标准的计算方法,最后计算出均匀性参数。
指标要求注入剂量均匀性为1δ≤0.50%。
实际测量注入剂量均匀性为1δ≤%。
测试:日期:
验收:日期:
6-4)、注入剂量重复性测量
1) 测量条件:
a、硅片:10片8”(200mm)圆片;P(100)晶向;
硅片电阻率:P-型1~100Ω/cm;
b.注入元素为P+ 31,能量为160KeV,剂量5E14ions/cm2,注入角度为0°,扭转角度为0°。
2) 测量方法:
将10片8”晶片分不同时间不同匹次注入完成,利用快速退火炉(RTP)退火后用四探针测试仪测方块电阻,按照相对标准方差的统计规律,计算出重复性参数,仪器相对偏差≤±0.2%,每片测量81个点。
3)计算方法:
参考GB/T15862-1995标准的计算方法,最后计算出重复性参数。
指标要求剂量重复性为1δ≤0.50%。
检测数据如下:
实际测量注入剂量重复性为1δ≤%。
测试:日期:
验收:日期:
6-5)、生产效率测量
指标:160片/h
1)条件:
a. 样品晶片数为50片,分装2盒。
b. 以控制实际单片注入时间不大于10秒为准。
2)测试方法:
设备正常运行,注入参数不变,机械手从片库取片送到注入靶台上,靶片转某一角度后,Y方向机械扫描上下各一次后回位,机械手卸片到片库,片库上升一位到下一晶片,这一过程为一次送片;计算一小时内的送片数量(通过左右两边同时进行)1小时装卸片数为生产效率数据。
测量结果:实际注入片数量为片,生产效率为片/小时。
测试:日期:
验收:日期:
6-6)、辐射剂量测量
测试方法:用X射线测量仪,在能量为200keV,P+ 31束流为1600μA的情况下在机器的相应部位(图3),距离机器外壳10cm左右测量。
要求辐射剂量≤2usv/h。
测试仪器:美国产射线探测仪Fluke Biomedical 451P
测试数据:
测试结果:实际测量机器辐射剂量最大处为 usv/h,折算为毫仑/小时,符合机器指标要求。
6-7)、其它测试
1)离子源寿命测试
离子源寿命≥80小时(离子束线系统指标)
离子源灯丝工作寿命统计(具体见调机记录)
测试结论:离子源寿命小时,≥100小时
测试:日期:验
收:日期:
2)束流测试
束流由靶室系统内的聚焦法拉第杯接收,测量值以移动法拉第水平移动一次所接收的束流积分值为准。
(a)最大束流测试
分别引出B+11、P+31、As+175三种离子,在不同能量(见数据表)下,以注入扫描6次为要求进行束流调整,束流引出到达靶后能够稳定工作1小时并且束流变化≤10%。
测量数据表:
测试:日期:
验收:日期:
(b)最小束流考核:
分别引出B+11、P+31、As+175三种离子,在不同能量(见数据表)下,以注入扫描6次为要求进行束流调整,束流引出到达靶后能够稳定工作1小时并且束流变化≤10%。
测量数据表:
测试:日期:
验收:日期:
7. 安全性
设备出厂经过严格的安全、保护测试。
7-1)、人生安全
1)设备X射线的辐射总剂量≤2usv/h;
2)设备的气体离子源使用有充分的安全措施。
7-2)、智能连锁装置
1)本设备所有高电压部分都有充分的连锁装置,并设计有保护盖,且有明显图示警示。
7-3)、环境安全
1)本设备设计时遵循SEMI环境安全要求,使用和报废后都不会对环境安全产生重大影响。
8.保修本设备保修期为六个月,我方负责无偿快速的维修故障,但消耗品不在保修部件之内(消耗品清单会在设备交货时提供)。
9.培训
10.文件资料(收到订金后5个工作日发给甲方)
1)维护手册 1套/台
2)操作手册 1套/台
3)部件清单
4)消耗品清单。