走进IBIS模型

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IBIS模型学习笔记

在Version 3.2版本中，不包含Vinh_ac等定义，在仿真中会提示不支持这些语句。

现在使用的是V4.1.2. [File Name]IBIS模型的名字，例如:ic.ibs3. [File Rev]文件版本，例如：[File Rev] 1.04. [Date]编写时间：[Date] 1/22/20135. [Source]，[Disclaimer]，[Copyright]，[Component]来源，免责声明，版权，组成的一些说明[Source] Sigrity SpeedPKG Suite XtractIM 4.0.4.09231[Disclaimer] The model given below represents a 73-pin package.[Copyright][Component] ddr_ctrl6. [Package]包含在封装厂提取的IBIS文件中。

[Package]| variable typ min maxR_pkg 0.76859 0.48527 0.95543L_pkg 3.608e-9 2.259e-9 4.39e-9C_pkg 1.088e-12 9.004e-13 1.741e-127. [Pin]定义各个Pin的RLC，模型类型。

ibis模型建立测试法提取参数的标准

IBIS（Input/Output Buffer Information Specification）模型建立测试法是一种用于提取参数的标准方法。

在电子设计自动化（EDA）领域，IBIS模型被用于描述芯片之间的电气相互作用。

这些模型包含了关于输入/输出缓冲的信息，以便仿真工具能够准确地模拟芯片之间的信号传输。

本文将探讨IBIS模型建立测试法提取参数的标准，并深入分析其应用与挑战。

一、IBIS模型建立测试法概述IBIS模型建立测试法主要用于从实际硬件中提取参数，以便生成IBIS模型。

这些参数包括输入缓冲和输出缓冲的特性，比如电压电流关系、信号延迟、上升/下降时间等。

通过测试芯片的实际性能，并将结果与标准进行比对，可以得到准确的参数值，从而建立高质量的IBIS模型。

二、IBIS模型建立测试法流程1. 确定测试方案针对特定芯片或模块，确定测试的输入条件、测试设备和测试方法。

充分了解芯片的工作原理和特性，为测试方案的制定提供依据。

2. 进行实际测试使用合适的测试设备对芯片进行实际测试，记录测试结果并进行数据采集。

这些数据将用于后续的参数提取和模型建立。

3. 参数提取与模型构建根据测试数据，利用相应的软件工具进行参数提取和模型构建。

这一步需要准确地分析数据，并结合IBIS模型的标准进行验证和修正。

三、IBIS模型建立测试法的应用与挑战1. 应用IBIS模型建立测试法广泛应用于芯片和模块的电气特性分析，以及高速数字信号传输的仿真和验证。

它为电子设计工程师提供了准确描述芯片电气特性的标准，避免了实际硬件的大量试错和调试。

2. 挑战然而，IBIS模型建立测试法也面临一些挑战。

测试设备和方法的选择对测试结果具有重要影响，需要充分考虑并进行合理的校准。

对于高频高速芯片的参数提取会更加困难，需要更精密的测试设备和更复杂的算法。

四、个人观点和理解作为一个电子工程师，我深刻理解IBIS模型建立测试法的重要性。

它不仅可以为芯片设计和开发提供准确的电气特性描述，还可以为系统集成和信号完整性分析提供有力支持。

IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型

IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型何为IBIS？IBIS 是一种可以利用V/I 和V/T 数据（不包含任何版权信息）描述一个器件的数字输入和输出端口电气特征的行为级模型。

IBIS 模型不同于传统系统设计师使用的原理图符号的常规理想化模型。

一个IBIS 模型是由输入和输出引脚上的电流和电压值，也可以是输出引脚上电平上升或下降转换过程中相关电压和时间组成的列表数据。

该表数据反映了器件行为。

IBIS 模型通常被用于系统板的SI 分析。

潜在的问题可以通过仿真分析得出由于传输线的阻抗失调而引发的能量反射大小；串扰、地或电源反弹、过冲及线端分析等。

IBIS 是一种精确的模型，因此可以用在非线性的I/O 特征、ESD 特征和封装寄生效应的描述。

在一些方面已经超越了传统模型的性能，如SPICE。

例如，在分析速度上要至少比SPICE模型仿真快25 倍，同时IBIS 还不像SPICE 模型那样存在版权问题。

IBIS 的发展历史：IBIS 最先由Intel 公司在1990 年提出。

在1993 年发布了IBIS 1.0 版本并且设立了IBIS 开放性论坛。

IBIS 开放性论坛由EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商、高校和终端用户组成，负责更新、修改和校对标准和组织研讨。

并在1995年与EIA（电子工业联盟）建立合作关系。

最新的IBIS 版本为4.0，在2002 年7月发布，但是目前仍然还不是ANSI/EIA 标准。

最早的IBIS 版本可以描述CMOS电路和TTL I/O 缓冲器，其后每个版本均添加新的功能，并且实现完全向下兼容。

如何创建一个IBIS 模型？通常可以利用采集仿真数据和仪器测量获取建立IBIS 模型所需的数据，另外，也可以将SPICE 模型直接翻译成IBIS 模型（可以从IBIS 官方网站/eig/ibis/ibis.htm 免费获得）。

模型可以从三个不同角度条件下创建：典型、最小化和最大化。

- 典型：在常温、常压和常规处理参数条件下；- 最小化：在高温、最低电压和小参数条件下；- 最大化：在低温、最高电压和大参数条件下；刨析IBIS 模型中的数据：在IBIS 规范中支持包括三态、开漏（open drain）、开集（open collector）、I/O 和ECL 等形式的多种类型输入输出端口。

IBIS 理解说明

IBIS 理解說明--謹以此文獻給初學SI 的艱苦歲月IBIS 模型在做類似板級SI 仿真得到廣泛應用。

在做仿真的初級階段，經常對於ibis 模型的描述有些疑問，只知道把模型拿來轉換為軟體所支援的格式或者直接使用，而對於IBIS 模型裏面的資料描述什麼都不算很明白，因此下面的一些描述是整理出來的一點對於ibis 的基本理解。

在此引用很多presention來描述ibis 內容（有的照抄過來，阿彌陀佛，不要說抄襲，只不過習慣信手拈來說明一些問題），僅此向如muranyi 等ibis 先驅者致敬。

本文難免有些錯誤或者考慮不周，隨時歡迎進行討論並對其進行修改！IBIS 模型的一些基本概念IBIS 這個詞是Input/Output buffer information specification 的縮寫。

本文是基於IBIS ver3.2 所撰寫出來（/IBIS/可下載到各種版本spec）,ver4.2增加很多新特性，由於在目前設計中沒用到不予以討論。

在業界經常會把spice 模型描述為transistor model 是因為它描述很多電路細節問題。

而把ibis 模型描述為behavioral model 是因為它並不象spice 模型那樣描述電路的構成，IBIS 模型描述的只不過是電路的一種外在表現，象個黑匣子一樣，輸入什麼然後就得到輸出結果，而不需要瞭解裏面驅動或者接收的電路構成。

因此有所謂的garbage in, garbage out，ibis 模型的仿真精度依賴於模型的準確度以及考慮的worse case，因此無論你的模型如何精確而考慮的worse case 不周全或者你考慮的worse case 如何周全而模型不精確，都是得不到較好的仿真精度。

IBIS 模型的構成經典示意圖如下：從上圖可以看出，基本的IBIS模型包括如下的一些資訊（對於不同類型的model有一些資訊會省略掉）VI 曲線: Pullup & Pulldown &POWER clamp& GND clampVT曲線: Rise waveform, Fall waveform還有一些其他比較重要的資訊比如Die capacitance: C_comp（最近好像那個muranyi對這個很感興趣，一直發佈presentation討論怎麼把這個做的更精確）以及RLC package parameter。

IBIS模型及其应用讲解

IBIS模型及其应用CDMA事业部眭诗菊摘要：本文介绍了用于高速系统信号完整性分析的IBIS模型的历史背景、IBIS模型的结构、IBIS模型的建模过程、IBIS模型的参数、语法格式，以及在使用IBIS模型时常遇到的问题和解决方法。

关键词：IBIS模型、EDA、信号完整性、缓冲器、单调性、收敛高时钟频率下运行的并行处理系统或其它功能更加复杂的高性能系统，对电路板的设计提出了极其严格的要求。

按集总系统的方法来设计这些系统的线路板已不可想象。

许多EDA （电子设计自动化）供应商都提供能进行信号完整性分析和EMC分析的PCB设计工具。

这些工具需要描述线路板上元器件的电气模型。

IBIS（I/O Buffer Information Specification）模型是EDA供应商、半导体器件供应商和系统设计师广泛接受的器件仿真模型。

一、IBIS的背景及其发展在IBIS出现之前，人们用晶体管级的SPICE模型进行系统的仿真，这种方法有以下三个方面的问题：第一，结构化的SPICE模型只适用于器件和网络较少的小规模系统仿真，借助这种方法设定系统的设计规则或对一条实际的网络进行最坏情况分析。

第二，得到器件结构化的SPICE模型较困难，器件生产厂不愿意提供包含其电路设计、制造工艺等信息的SPICE模型。

第三，各个商业版的SPICE软件彼此不兼容，一个供应商提供的SPICE模型可能在其它的SPICE仿真器上不能运行。

因此，人们需要一种被业界普遍接受的、不涉及器件设计制造专有技术的、并能准确描述器件电气特性的行为化的、“黑盒”式的仿真模型。

1990年初，INTEL公司为了满足PCI总线驱动的严格要求，在内部草拟了一种列表式的模型，数据的准备和模型的可行性是主要问题，因此邀请了一些EDA供应商参与通用模型格式的确定。

这样，IBIS 1.0 在1993年6月诞生。

1993年8月更新为IBIS 1.1版本，并被广泛接受。

此时，旨在与技术发展要求同步和改善IBIS模型可行性的IBIS论坛成立，更多的EDA供应商、半导体商和用户加入IBIS论坛。

IBIS模型

IBIS：Input/Output Buffer Information Specification的简写，是进行数字电路的传输线路分析即信号完整性分析，描述高速器件输入输出特性的行为模型。

简单的说就是【高速PCB板仿真使用的模型】。

IBIS的规格是IBIS开放论坛制定的，但是其只规定了信息的格式，关于仿真处理和模型的使用方法并没有特别规定。

1IBIS模型的构成：IBIS模型里记录器件Pin脚的排列信息和输入输出的特性，基本的构成如下：1、驱动模型（输出模型）Though rate: 上升、下降的特性Pull down I-V curb: 在输出为逻辑低电平时，半导体的I/V特性曲线Pull up I-V curb: 在输出为逻辑高电平时，半导体的I/V特性曲线I/V curb: 【power clamp】clamp和【GND clamp】clamp二极管特性半导体芯片的电容C_comp封装的LCR特性2、接收器模型（1）：I-V curb：【power clamp】clamp和【GND clamp】clamp 二极管特性（2）：半导体芯片的电容C_comp（3）：封装的LRC特性等效电路图IBIS模型的创建及优化随着半导体器件的高速化和高度集成，要求我们从电路设计阶段到PCB板设计阶段就需要进行传输线路的仿真分析，来合理布局布线。

作为分析中必要的器件模型，IBIS模型和SPICE模型得到了广泛的利用，但是IBIS模型凭借其易于获得，简易，仿真速度的优势，更加适用于PCB高速仿真。

含有高速半导体器件的PCB板设计中，为了减少改版的次数，运用EDA工具进行信号完整性分析是必不可少的。

但是，如果我们获取的高速器件的IBIS模型有问题，在仿真的时候就会产生错误，这样又需要研究错误原因，修改IBIS模型，从而导致仿真时间的增加。

另外，实用有问题的IBIS模型即使能顺利仿真，但样机的实际测量值于仿真结果不一致，就无法确认设计是否符合要求，这样的话，仿真起不到其作用。

ibis模型在高速电路设计中的应用

ibis模型在高速电路设计中的应用导言：高速电路设计是现代电子产品设计中的重要部分，涉及到信号传输速率、电流与电压波形的稳定性、信号完整性等多个关键参数。

为了准确评估高速电路的性能，工程师需要使用模型来进行仿真和分析。

其中，Ibis模型是一种常用的工具，被广泛应用于高速电路设计中。

本文将介绍Ibis模型的基本原理以及其在高速电路设计中的应用。

一、Ibis模型的基本原理1. Ibis模型的概念Ibis（Input/Output Buffer Information Specification）模型是一种用来描述输入输出缓冲器行为的数学模型。

它包含了关于信号传输和响应延时的信息，能够准确地预测芯片之间的信号完整性和电路性能。

2. Ibis模型的组成Ibis模型由四个主要部分组成：输入特性、输出特性、仿真模型和电路模型。

输入特性定义了输入电信号的波形、电压和电流。

输出特性则描述了输出电信号的波形、电压和电流。

仿真模型和电路模型用于将输入和输出特性转化为电路仿真所需的数学模型。

二、Ibis模型在高速电路设计中的应用1. 信号完整性评估Ibis模型能够准确地描述信号传输的特性，从而帮助工程师评估信号完整性。

通过分析Ibis模型中的波形和传输特性，工程师可以确定信号的稳定性、上升/下降时间等关键参数，以便优化电路设计，提高信号质量。

2. 电压和电流仿真在高速电路设计中，为了保证电路的工作稳定性，需要对电压和电流进行仿真。

Ibis模型提供了输入和输出的电压、电流信息，并且能够通过仿真模型和电路模型准确地进行电压和电流仿真，从而帮助工程师评估电路性能和优化设计。

3. 时序分析Ibis模型还能够用于时序分析，即分析信号的传输延迟和时序关系。

通过分析Ibis模型中的传输延迟和时序特性，工程师可以确定信号传输的先后顺序，并且确保信号到达目标设备的正确时刻，从而提高系统的稳定性和可靠性。

4. 模型验证与产品测试在高速电路设计的过程中，工程师需要验证Ibis模型的准确性，并对设计的产品进行测试。

什么是IBIS模型

什么是IBIS模型什么是IBIS模型IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是⼀种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模⽅法，是反映芯⽚驱动和接收电⽓特性⼀种国际标准，它提供⼀种标准⽂件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输⼊负载等参数，⾮常适合做振荡和串扰等⾼频效应计算与仿真。

IBIS规范最初由⼀个被称为IBIS开放论坛⼯业组织编写，这个组织是由⼀些EDA⼚商、计算机制造商、半导体⼚商和⼤学组成。

IBIS版本发布情况为：1993年4⽉第⼀次推出Version1.0版，同年6⽉经修改后发布了Version1.1版，1994年6⽉在San Diego 通过了Version2.0 版，同年12 ⽉升级为Version2.1 版，1995 年12 ⽉其Version2.1 版成为ANSI/EIA-656 标准，1997年6⽉发布了Version3.0 版，同年9⽉被接纳为IEC 62012-1标准，1998 年升级为Version3.1版，1999年1⽉推出了当前最新版本Version3.2版。

IBIS本⾝只是⼀种⽂件格式，它说明在⼀标准IBIS⽂件中如何记录⼀个芯⽚驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使⽤，这些参数需要由使⽤IBIS模型仿真⼯具来读取。

欲使⽤IBIS进⾏实际仿真，需要先完成以下四件⼯作：(1)获取有关芯⽚驱动器和接收器原始信息源；(2)获取⼀种将原始数据转换为IBIS格式⽅法；(3)提供⽤于仿真可被计算机识别布局布线信息；(4)提供⼀种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进⾏分析计算软件⼯具。

IBIS是⼀种简单直观⽂件格式，很适合⽤于类似于Spice(但不是Spice，因为IBIS⽂件格式不能直接被Spice⼯具读取)电路仿真⼯具。

它提供驱动器和接收器⾏为描述，但不泄漏电路内部构造知识产权细节。

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AN-715应用笔记One Technology Way • P.O. Box 9106 • Norwood, MA 02062-9106 • Tel: 781/329-4700 • Fax: 781/326-8703 • 走近IBIS 模型：什么是IBIS 模型？它们是如何生成的？作者：Mercedes Casamayor简介在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。

在原型制作之前，系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。

在高速系统设计中正是如此，进行信号完整性仿真来分析不同条件下传输线中的电路行为，在设计初期就能预防并检测出典型的问题，例如过冲、欠冲、阻抗不匹配等。

然而，可用的数字IC 模型非常少。

当半导体厂商被索要SPICE 模型时，他们并不愿意提供，因为这些模型会包含有专有工艺和电路信息。

这个问题已经通过采用IBIS 模型来 (输入/输出缓冲器信息规范)解决，IBIS 也被称为ANSI/EIA-656，这是一个建模的新标准，在系统设计人员中越来越流行。

什么是IBIS ？IBIS 是一个行为模型，通过V/I 和V/T 数据描述器件数字输入和输出的电气特性，不会透露任何专有信息。

IBIS 模型与系统设计人员对传统模型的理解不同，例如其它模型中的原理图符号或多项式表达式。

IBIS 模型包括由输出和输入引脚中的电流和电压值以及输出引脚在上升或下降的转换条件下电压与时间的关系形成的表格数据。

这些汇总的数据代表了器件的行为。

IBIS 模型用于系统板上的信号完整性分析。

这些模型使系统设计人员能够仿真并预见到连接不同器件的传输线路中基本的信号完整性问题。

潜在的问题可以通过仿真进行分析，潜在的问题包括由传输线上阻抗不匹配导致的到达接收器的波形反射到驱动器的能量；串扰；接地和电源反弹；过冲；欠冲；以及传输线路端接分析等等。

Rev. 0 | Page 1 of 8IBIS 是一种精确的模型，因为它考虑了I/O 结构的非线性，ESD 结构和封装寄生效应。

它相对于其它传统模型(例如SPICE )有几项优势。

例如，仿真时间最多可缩短25倍，IBIS 没有SPICE 的不收敛的问题。

此外，IBIS 可以在任何行业平台运行，因为大多数电子设计自动化(EDA)供应商都支持IBIS 规范。

IBIS 的历史IBIS 由Intel®公司在90年代初开发。

IBIS 1.0版本于1993年6月发布，IBIS 开放式论坛也在那时成立。

IBIS 开放式论坛包括EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商、大学和终端用户。

它负责提议进行更新和评审、修订标准，组织会议。

它促进IBIS 模型的发展，在IBIS 网站上提供有用的文档和工具。

1995年，IBIS 开放式论坛与电子工业联盟(EIA)合作。

已经发布了几个IBIS 版本。

第一个版本描述了CMOS 电路和TTL I/O 缓冲器。

每个版本都增加并支持新的功能、技术和器件种类。

所有版本都互相兼容。

IBIS 4.0版本由IBIS 开放式论坛在2002年7月批准，但它还不是ANSI/EIA 标准。

如何生成IBIS 模型可以通过仿真过程中或基准测量中收集的数据来获得IBIS 模型。

如果选择前一种方法，可以使用SPICE 进行仿真，收集每个输出/输出缓冲器的V/I 和V/T 数据。

这样可以在模型中包含过程转折数据。

然后，使用IBIS 网站上的SPICE 至IBIS 转换程序可以由SPICE 生成IBIS 模型。

measurements.AN-715图1. IBIS 模型的生成流程模型可以在三种不同条件下生成：典型、最小和最大。

在典型模型中，使用标称电源电压、温度和工艺参数获取数据；在最小模型中，使用最低电源电压、较高温度和较弱工艺参数获取数据；对于最大模型，条件是最高电源电压、较低温度和较强的工艺参数。

每种条件会产生相应的典型、慢速和快速模型。

快速模型是在具有快速转换时间和最小封装特性的最高电流值条件下生成的。

另一方面，具有较慢转换时间和最大封装值的最低电流值条件将生成慢速模型。

如果数据是在实验室测量中获得的，那么模型取决于器件的特性。

如果是标称器件，将获得典型模型。

数据收集好后，以可读的ASCII 文本格式存入文件中。

Golden Parser ，也称为ibischk3，用于根据标准检查IBIS 文件的句法和结构。

最后一步，设计人员应通过将仿真结果与实际芯片测量关联起来验证模型。

所需数据IBIS 规范支持几种输入和输出，例如可建模为三态、集电极开路、开漏、I/O 和ECL 的输入/输出。

第一步是识别器件上不同类型的输入和输出，确定设计中存在多少缓冲器。

值得注意的是在IBIS 文件中一个模型可用于表示多个输入或输出。

然而，如果C_Comp 和封装参数不同，就需要不同的模型。

三态输出图2所示为三态输出的结构；模型可视为一个驱动器。

它包含一个PMOS 晶体管和一个NMOS 晶体管，两个ESD 保护二极管，芯片电容和封装寄生电容。

输出模型通过以下直流电气数据、交流或转换数据以及参数进行表征：1. 上拉和下拉曲线2. 电源和GND 箝位曲线3. 斜坡速率4. 上升和下降波形5. C_Comp6. 封装参数上拉和下拉曲线上拉和下拉数据决定器件的驱动强度。

这些曲线通过特征化输出中的两个晶体管来获得。

上拉数据描述当输出为逻辑高电平状态(PMOS 晶体管导通)时的I/V 行为。

反之，下拉数据表示当输出为逻辑低电平状态(NMOS 晶体管导通)时的直流电气特性。

Rev. 0 | Page 2 of 8图2. 三态输出缓冲器AN-715表I . 扫描电压范围I/V 特性范围下拉 –V DD 至2 × V DD上拉–V DD 至2 × V DD GND 箝位 –V DD 至V DD电源箝位+V DD 至2 × V DDRev. 0 | Page 3 of 8数据需要在–V DD 至2 × V DD 的范围内获取。

虽然这个电压范围超过了半导体厂商在器件规格中指出的绝对最大额定值，但是这个范围覆盖了传输线中可能发生的欠冲、过冲和反射的情况。

因此，驱动器和接收器需要使用这个电压范围建模。

值得注意的是下拉数据是相对于GND 的，而上拉数据是相对于V DD 的，这是因为输出电流取决于输出端和V DD 引脚之间的电压，而不是输出端和接地引脚之间的电压。

因此，IBIS 文件中的上拉数据应按照下面的表达式输入 V TABLE = V DD – V OUT电源和GND 箝位曲线这些曲线是在输出为高阻态时生成的。

GND 和电源箝位数据表示输出端在GND 箝位和电源箝位二极管分别导通时的电气性能。

当输出低于接地电平时GND 箝位有效，当输出高于V DD 时电源箝位有效。

对于GND 箝位曲线，数据在–V DD 至V DD 范围内获取，对于电源箝位曲线，数据在V DD 至2 × V DD 范围内获取。

由于是上拉数据，电源箝位数据需要相对于V DD ，因此输入文件的值使用与上面相同的表达式(V TABLE = V DD – V OUT )获得。

GND 和电源箝位数据需要从上拉和下拉数据中减去。

否则，仿真器要计算两次。

斜坡速率和切换波形斜坡速率(dV/dt)描述输出端从当前逻辑状态切换到其它逻辑状态的转换时间。

它是在默认50 Ω阻性负载条件下在20%和80%点测得的。

下降和上升波形显示出器件在驱动连接到地和V DD 的阻性负载从高电平到低电平和从低电平到高电平所需的时间。

对于标准推挽CMOS ，可产生四种不同波形。

两个上升波形，两个下降波形。

在每种情况下，一个是负载与V DD 连接，另一个是负载与GND 连接。

然而，在模型中经常只能看到其中两个波形。

斜坡速率与下降和上升波形包含了芯片电容的影响。

因此，如果仿真器使用C_Comp 值作为输出端的额外负载，就会产生错误的结果。

这是C_Comp 影响的重复计算。

由于有I/V 曲线，封装的影响没有包括在内。

C_Comp这是硅芯片电容，不包括封装电容。

它是焊盘与驱动器之间的电容。

C_Comp 是关键参数，特别是对于接收器的输入。

C_Comp 对于每个不同转折点(最小、典型和最大)都有一个对应值。

C_Comp 最大的值应在最大转折点之下，最小值应在最小转折点之下。

封装参数R_Pin 、L_Pin 和C_Pin 是每个引脚到缓冲器连接的电阻、电感和电容的电气特性。

R_Pkg 、L_Pkg 和C_Pkg 是整个封装的集总值。

与C_Comp 参数一样，最大的值以最大值列出，最小的值以最小值列出。

图3. 输出中的PMOS 和NMOS 晶体管图4. GND 和电源箝位二极管AN-715Rev. 0 | Page 4 of 8图5. 输入缓冲器输入模型图5所示为输入结构；其模型可视为接收器。

它包括两个ESD 保护二极管、芯片电容和封装寄生电容。

这些元件形成表征输入特性的V/I 曲线。

在这种情况下，除了封装寄生和C_Comp 参数外，输入端模型包括从ESD 二极管获得的电源和GND 箝位数据。

这些曲线遵照用于输出端的相同的程序生成。

扫描电压范围对于GND 箝位是–V DD 至V DD ，对于电源箝位曲线是V DD 至2 × V DD 。

此外，由于电源箝位数据是相对于V DD 的，它需要以V TABLE =V DD – V IN 的方式输入文件中。

其它参数对于输出模型，有一些参数应包含在文件中，对时序要求进行后仿真。

这些时序测试负载和测量点是测试负载电容值(C REF )、测试负载电阻值(R REF )、测试负载上拉或下拉参考电压(V REF )和输出电压测量点(V MEAS )。

当指定传播延迟和/或器件输出切换时间时，他们与半导体厂商使用的测试负载相同。

对于输入，应包括V INL 和V INH 参数。

这些是输入端的输入电压阈值，可从数据手册中获得。

IBIS 文件看上去是什么样的？IBIS 文件不是可执行文件；它是收集所有描述器件电器性能数据的文件，能在仿真器中使用。

IBIS 文件包括三个主要部分。

1. 头文件或关于文件、器件和公司的一般信息2. 器件名称、引脚排列和引脚到缓冲器映射3. 每个模型的I/V 和V/T 数据IBIS 模型可包含多个器件的特征。

在这种情况下，第2和第3点随包含的器件而重复多次。

以下部分显示了IBIS 文件的主要部分。

括号内的文字被称为关键字；它们中的一些是可选的，其它的必须被包括。

图6. C REF 、R REF 和 V REF 的连接AN-715文件头和一般信息关键字器件及引脚信息指定的引脚模型Rev. 0 | Page 5 of 8封装参数AN-715模型数据时序测试负载和芯片电容I/V下拉数据切换波形Array Rev. 0 | Page 6 of 8AN-715表II. IBIS质量检查清单中的质量级别质量级别描述0级通过ibischk, Golden Parser1级与检查清单文件中一样完整及正确的。