IBIS模型详解中文版
IBIS 模型：信号完整性分析的一种渠道,第1 部分
IBIS 模型：信号完整性分析的一种渠道，第 1 部分作者：Bonnie Baker，德州仪器(TI) 高级应用工程师TI 正在开发一套新的数字输入/输出缓冲器信息规范(IBIS) 仿真模型，旨在满足各种客户需求。
这种模型（请参见图1）可用于仿真环境中，帮助解决诸如板级过冲、欠冲或者串扰等问题。
在更基础层面，IBIS 模型提供了一些有用的产品信息，例如：引脚电容及寄生效应或者数字输出缓冲器的升/降时间。
图 1 数字I/O 缓冲器IBIS 模型的结构图本文即系列文章之第 1 部分（共 3 部分）介绍了IBIS 模型的一些基本组成及其在SPICE 环境中生成的过程。
第 2 部分将研究IBIS-模型验证。
第 3 部分将介绍IBIS 用户如何研究信号完整性问题，以及印刷电路板(PCB) 开发阶段期间出现的一些问题。
如图 1 所示，IBIS 模型包含所有引脚的封装寄生效应和硅输入电容(C_comp)。
IBIS 模型还包括产品工作范围内和电源以外（电源钳位、接地钳位、上拉和下拉盒）产品DC 运行的一些数据表格。
另外，图 1 所示输出模型结构还有一些表明产品工作范围内AC 或瞬态响应（升降斜线）的表格。
IBIS 模型包括一些反映产品运行的AC 和DC 表格。
这种模型具有许多实现PCB 连接接口的引脚及封装寄生组件。
仿真模型产生数字缓冲器与PCB 之间相互作用的性能，但忽略了与芯片中节点的相互作用。
IBIS 模型对系统级PCB 行为进行仿真，特别是对外部世界到产品数字输入/输出(I/O) 缓冲器的连接进行建模。
IBIS 模型基础IBIS 模型包含了与IC 芯片数字缓冲器相关的一些信息。
IBIS 模型的核心以电流-电压(I-V) 表的形式提供了产品缓冲器的DC 信息，并以电压-时间(V-t) 表的形式列出了其AC 信息。
如果这些表均通过产品的SPICE 平台产生，则其可能包括额定、强和弱角，以及工艺、电源电压和温度的变化。
IBIS学习心得及使用
IBIS 学习心得及使用
IBIS(Input/Output Buffer InformaTIon SpecificaTIon)模型是基于V/I 曲线
的对I/O Buffer 快速准确建模的方法，其目的是提供一种集成电路制造商与仿真软件供应商以及设计工程师之间相互交换电子元件仿真数据的标准方法。
IBIS 是一种行为模型，它不是从要仿真的元件的结构出发定义的，而是从元件的行为出发定义的。
IBIS 本身是一种标准的文本格式，它记录驱动器和接收器的不同参数，如驱动源输出阻抗、上升/下降时间以及输入负载等参数，但它不说明这些记录参数是如何使用的。
IBIS 模型分为驱动器模型和接收器模型，如下图示：
Pull up/pull down：标准输出缓冲器的上拉和下拉晶体管，用直流I/V 数据
表来描述它们的行为。
Power clamp/gnd clamp：静电放电和钳位二极管，用直流I/V 数据表来描述
它们的行为。
Ramp：表示输出从一个逻辑状态转换到另一个逻辑状态，用dV/dt 来描
述。
C_comp：硅晶圆电容，它是不包括封装参数的总输出电容。
R_pkg/L_pkg/C_pkg：封装带来的寄生电阻、电感和电容。
无论是驱动器模型还是接收器模型都是由两部分组成的：缓冲器结构模型（[model] secTIon）和封装因子（[component]&[pin] secTIon）。
IBIS 文件结构
IBIS 文件包括了从行为上模拟一个器件的输入、输出和I/O 缓冲器所需要。
走进IBIS模型
AN-715应用笔记One Technology Way • P.O. Box 9106 • Norwood, MA 02062-9106 • Tel: 781/329-4700 • Fax: 781/326-8703 • 走近IBIS 模型：什么是IBIS 模型？它们是如何生成的？作者：Mercedes Casamayor简介在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。
在原型制作之前，系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。
在高速系统设计中正是如此，进行信号完整性仿真来分析不同条件下传输线中的电路行为，在设计初期就能预防并检测出典型的问题，例如过冲、欠冲、阻抗不匹配等。
然而，可用的数字IC 模型非常少。
当半导体厂商被索要SPICE 模型时，他们并不愿意提供，因为这些模型会包含有专有工艺和电路信息。
这个问题已经通过采用IBIS 模型来 (输入/输出缓冲器信息规范)解决，IBIS 也被称为ANSI/EIA-656，这是一个建模的新标准，在系统设计人员中越来越流行。
什么是IBIS ？IBIS 是一个行为模型，通过V/I 和V/T 数据描述器件数字输入和输出的电气特性，不会透露任何专有信息。
IBIS 模型与系统设计人员对传统模型的理解不同，例如其它模型中的原理图符号或多项式表达式。
IBIS 模型包括由输出和输入引脚中的电流和电压值以及输出引脚在上升或下降的转换条件下电压与时间的关系形成的表格数据。
这些汇总的数据代表了器件的行为。
IBIS 模型用于系统板上的信号完整性分析。
这些模型使系统设计人员能够仿真并预见到连接不同器件的传输线路中基本的信号完整性问题。
潜在的问题可以通过仿真进行分析，潜在的问题包括由传输线上阻抗不匹配导致的到达接收器的波形反射到驱动器的能量；串扰；接地和电源反弹；过冲；欠冲；以及传输线路端接分析等等。
Rev. 0 | Page 1 of 8IBIS 是一种精确的模型，因为它考虑了I/O 结构的非线性，ESD 结构和封装寄生效应。
IBIS模型解说
IBIS模型解说IBIS模型解说1.IBIS模型的一些基本概念IBIS这个词是Input/Output buffer information specification 的缩写。
在业界经常会把spice 模型描述为transistor model，是因为spice描述了电路内部的细节问题。
而把IBIS模型描述为behavioral model，是因为IBIS 只是描述了电路的外在表现，它像个黑匣子一样，根据输入得到输出结果，而不需要了解电路的内部细节。
IBIS模型的仿真精度依赖于模型的准确度以及考虑的worse case。
2.IBIS模型的构成从上图可以看出，IBIS模型包括如下的一些信息（部分model有一些信息会省略掉）：VI 曲线: Pullup，Pulldown，POWER clamp，GND clampVT曲线: Rise waveform, Fall waveform还有一些其它比较重要的信息比如Die capacitance（C_comp）以及package parameter（RLC）。
3.IBIS的应用场合任何电路都可以用下面的模型来描述：Driver ---interconnect---ReceiverIBIS模型描述的是Driver/Receiver的行为特性，而不是它们的电路特性，因此模型内部的逻辑延时是没有考虑的（这正是区分Tco的原因），通过使用IBIS模型，可以得出interconnect对于电路的影响。
由于IBIS支持的buffer type很多，每个类型都会有对应的格式以及需要包含的信息，常用有output, input以及IO 模型。
4.IBIS模型的VI/VT曲线Pull down曲线由来（此曲线需要考虑与clamp 曲线重复的部分）：Ground clamp 曲线由来：Pull up 曲线由来（此曲线需要考虑与clamp 曲线重复的部分）：Power clamp 曲线由来：注意：IBIS里面定义电流流入方向为正；在此图中pull up 以及power clamp 曲线都没经过转化。
ibis模型建立测试法提取参数的标准
IBIS（Input/Output Buffer Information Specification）模型建立测试法是一种用于提取参数的标准方法。
在电子设计自动化（EDA）领域，IBIS模型被用于描述芯片之间的电气相互作用。
这些模型包含了关于输入/输出缓冲的信息，以便仿真工具能够准确地模拟芯片之间的信号传输。
本文将探讨IBIS模型建立测试法提取参数的标准，并深入分析其应用与挑战。
一、IBIS模型建立测试法概述IBIS模型建立测试法主要用于从实际硬件中提取参数，以便生成IBIS模型。
这些参数包括输入缓冲和输出缓冲的特性，比如电压电流关系、信号延迟、上升/下降时间等。
通过测试芯片的实际性能，并将结果与标准进行比对，可以得到准确的参数值，从而建立高质量的IBIS模型。
二、IBIS模型建立测试法流程1. 确定测试方案针对特定芯片或模块，确定测试的输入条件、测试设备和测试方法。
充分了解芯片的工作原理和特性，为测试方案的制定提供依据。
2. 进行实际测试使用合适的测试设备对芯片进行实际测试，记录测试结果并进行数据采集。
这些数据将用于后续的参数提取和模型建立。
3. 参数提取与模型构建根据测试数据，利用相应的软件工具进行参数提取和模型构建。
这一步需要准确地分析数据，并结合IBIS模型的标准进行验证和修正。
三、IBIS模型建立测试法的应用与挑战1. 应用IBIS模型建立测试法广泛应用于芯片和模块的电气特性分析，以及高速数字信号传输的仿真和验证。
它为电子设计工程师提供了准确描述芯片电气特性的标准，避免了实际硬件的大量试错和调试。
2. 挑战然而，IBIS模型建立测试法也面临一些挑战。
测试设备和方法的选择对测试结果具有重要影响，需要充分考虑并进行合理的校准。
对于高频高速芯片的参数提取会更加困难，需要更精密的测试设备和更复杂的算法。
四、个人观点和理解作为一个电子工程师，我深刻理解IBIS模型建立测试法的重要性。
它不仅可以为芯片设计和开发提供准确的电气特性描述，还可以为系统集成和信号完整性分析提供有力支持。
ibis资料简介完成
《Accuracy of IBIS models with reactive loads》--Arpad Muranyi简介：主要讲解了在抗性负载条件下的IBIS动态模型求解。
内容：（1）在IBIS模型中I-V数据主要用来表征I/O缓冲的完全打开或关闭的直流特性（稳态）；而V-T数据用来表征缓冲的动态开关特性（动态）。
所以，也就是说V-T数据是用来补全表征缓冲在完全打开/关闭之间的状态。
（2）需要注意的是2EQ/2UK算法只在模型进行状态过渡时起作用，当模型处于稳态时，模型数据中起作用的只有I-V和C_comp。
（3）总结：如果在状态转移期间，抗性负载对输出电流的影响越大，那么用2EQ/2UK 算法得到的IBIS动态模型的准确性将会越低。
考虑到在一个模型中存在多个影响因素（如：抗性负载的大小、缓冲强度、V-t曲线数据的长度以及C_comp）对输出产生很大的影响，所以说想要建立一个准确IBIS行为模型是很困难的。
因此需要更加精确的算法，或者在*-AMS提供一种解决思路。
《Future directions for IBIS》简介：主要讲解了IBIS未来的发展方向。
（IBIS Summit Meeting at DesignCon 2000）《Introduction to the IBIS Macro Model Library》--2006简介：主要讲解了IBIS宏观模型库。
内容：《Study of Solving IBIS Single VT》—Asian IBIS Summit Meeting 2008简介：讲解了处理单个VT波形数据获得动态缩放系数的两种方法。
内容：（1）我们熟悉的2EQ/2UK算法只适用于two VT waveforms.理论上讲，对于单个VT，不存在解决方法——一个方程，两个未知数（Ku,Kd）。
（2）两种方法方法一：Experiential Way（经验主义）方法二：Impose Constraint（添加约束）（3）总结：比较两种方法：法一：如果PWL调整的好，会有良好的准确性；很难找到一个所有IBIS模型都适用的PWL。
IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型
IBIS 模型介绍及如何产生IBIS 模型何为IBIS？IBIS 是一种可以利用V/I 和V/T 数据（不包含任何版权信息）描述一个器件的数字输入和输出端口电气特征的行为级模型。
IBIS 模型不同于传统系统设计师使用的原理图符号的常规理想化模型。
一个IBIS 模型是由输入和输出引脚上的电流和电压值，也可以是输出引脚上电平上升或下降转换过程中相关电压和时间组成的列表数据。
该表数据反映了器件行为。
IBIS 模型通常被用于系统板的SI 分析。
潜在的问题可以通过仿真分析得出由于传输线的阻抗失调而引发的能量反射大小；串扰、地或电源反弹、过冲及线端分析等。
IBIS 是一种精确的模型，因此可以用在非线性的I/O 特征、ESD 特征和封装寄生效应的描述。
在一些方面已经超越了传统模型的性能，如SPICE。
例如，在分析速度上要至少比SPICE模型仿真快25 倍，同时IBIS 还不像SPICE 模型那样存在版权问题。
IBIS 的发展历史：IBIS 最先由Intel 公司在1990 年提出。
在1993 年发布了IBIS 1.0 版本并且设立了IBIS 开放性论坛。
IBIS 开放性论坛由EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商、高校和终端用户组成，负责更新、修改和校对标准和组织研讨。
并在1995年与EIA（电子工业联盟）建立合作关系。
最新的IBIS 版本为4.0，在2002 年7月发布，但是目前仍然还不是ANSI/EIA 标准。
最早的IBIS 版本可以描述CMOS电路和TTL I/O 缓冲器，其后每个版本均添加新的功能，并且实现完全向下兼容。
如何创建一个IBIS 模型？通常可以利用采集仿真数据和仪器测量获取建立IBIS 模型所需的数据，另外，也可以将SPICE 模型直接翻译成IBIS 模型（可以从IBIS 官方网站/eig/ibis/ibis.htm 免费获得）。
模型可以从三个不同角度条件下创建：典型、最小化和最大化。
- 典型：在常温、常压和常规处理参数条件下；- 最小化：在高温、最低电压和小参数条件下；- 最大化：在低温、最高电压和大参数条件下；刨析IBIS 模型中的数据：在IBIS 规范中支持包括三态、开漏（open drain）、开集（open collector）、I/O 和ECL 等形式的多种类型输入输出端口。
IBIS 理解说明
IBIS 理解說明--謹以此文獻給初學SI 的艱苦歲月IBIS 模型在做類似板級SI 仿真得到廣泛應用。
在做仿真的初級階段，經常對於ibis 模型的描述有些疑問，只知道把模型拿來轉換為軟體所支援的格式或者直接使用，而對於IBIS 模型裏面的資料描述什麼都不算很明白，因此下面的一些描述是整理出來的一點對於ibis 的基本理解。
在此引用很多presention來描述ibis 內容（有的照抄過來，阿彌陀佛，不要說抄襲，只不過習慣信手拈來說明一些問題），僅此向如muranyi 等ibis 先驅者致敬。
本文難免有些錯誤或者考慮不周，隨時歡迎進行討論並對其進行修改！IBIS 模型的一些基本概念IBIS 這個詞是Input/Output buffer information specification 的縮寫。
本文是基於IBIS ver3.2 所撰寫出來（/IBIS/可下載到各種版本spec）,ver4.2增加很多新特性，由於在目前設計中沒用到不予以討論。
在業界經常會把spice 模型描述為transistor model 是因為它描述很多電路細節問題。
而把ibis 模型描述為behavioral model 是因為它並不象spice 模型那樣描述電路的構成，IBIS 模型描述的只不過是電路的一種外在表現，象個黑匣子一樣，輸入什麼然後就得到輸出結果，而不需要瞭解裏面驅動或者接收的電路構成。
因此有所謂的garbage in, garbage out，ibis 模型的仿真精度依賴於模型的準確度以及考慮的worse case，因此無論你的模型如何精確而考慮的worse case 不周全或者你考慮的worse case 如何周全而模型不精確，都是得不到較好的仿真精度。
IBIS 模型的構成經典示意圖如下：從上圖可以看出，基本的IBIS模型包括如下的一些資訊（對於不同類型的model有一些資訊會省略掉）VI 曲線: Pullup & Pulldown &POWER clamp& GND clampVT曲線: Rise waveform, Fall waveform還有一些其他比較重要的資訊比如Die capacitance: C_comp（最近好像那個muranyi對這個很感興趣，一直發佈presentation討論怎麼把這個做的更精確）以及RLC package parameter。
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§ 绪论 (1)1.1 IBIS模型的介绍 (1)1.2 IBIS的创建 (3)§ IBIS模型的创建 (3)2.1 准备工作 (3)2.1.1 基本的概念 (3)2.1.2 数据列表的信息 (4)2.2数据的提取 (4)2.2.1 利用Spice模型 (4)2.2.2 确定I/V数据 (4)2.2.3边缘速率或者是V/T波形的数据的测量 (7)2.2.4试验测量获取I/V和转换信息的数据 (7)2.3数据的写入 (8)2.3.1 IBS文件的头I信息 (8)2.3.2器件和管脚的信息 (8)2.3.3 关键词Model的使用 (9)§3 用IBIS 模型数据验证模型 (10)3.1 常见的错误 (10)3.2 IBIS模型的数据验证 (12)3.2.1 Pullup、Pulldown 特性 (12)3.2.2 上升和下降的速度(Ramp rate) (12)3.2.3 上下拉特性和Ramp rate的关系 (12)3.3用IBIS模型数据验证模型参数的实例 (12)§ 绪论1.1 IBIS模型的介绍IBIS （Input/Output Buffer Informational Specifation ）是用来描述IC 器件的输入、输出和l/OBuffer 行为特性的文件，并且用来模拟Buffer和板上电路系统的相互作用。
在IBIS模型里核心的容就是Buffer的模型，因为这些Buffer产生一些模拟的波形，从而仿真器利用这些波形，仿真传输线的影响和一些高速现象（如串扰，EMI等。
）。
具体而言IBIS描述了一个Buffer的输入和输出阻抗（通过I/V曲线的形式）、上升和下降时间以及对于不同情况下的上拉和下拉，那么工程人员可以利用这个模型对PCB板上的电路系统进行SI、串扰、EMC以及时序的分析。
IBIS模型中包含的是一些可读的ASCII格式的列表数据。
IBIS有特定的语法和书写格式。
IBIS模型中还包括一些电气说明如V、V、V以及管脚的寄生参数（如管脚的引线R、L、C）等。
有一点需要注意的是IBIS模型并不提供IC器件：功能信息、逻辑信息、输入到输岀的时间延迟等。
也就是说，IBIS模型只是提供了器件的输入、输出以及I/O Buffer的行为特性，而不是在IC器件给定不同的输入，测量对应不同的输出波形；而是在描述器件有一个输入时，我们看不同情况下输出的特性（具体的说我们可以在输出端接一个电压源，这样我们在确保器件输岀高电平或者是低电平时，调整电压源的数值，可以测岀不同的电流，这样我们就可以在确保输岀管脚输岀某一个状态时得岀一些I/V的数值，至于电压源具体的变化围后面的容会涉及到）。
所以对于器件商家而言IBIS模型不会泄漏器件的部逻辑电路的结构。
要实现上面提到的对系统的SI和时序的仿真，那么需要的基本的信息就是Buffer的I/V曲线和转换特性。
IBIS模型中Buffer的数据信息可以通过测量器件得出也可以通过器件的SPICE模型转换得到。
IBIS是一个简单的模型，当做简单的带负载仿真时，比相应的全Spice三极管级模型仿真要节省10〜15倍的计算量。
IBIS模型是基于器件的。
也就是说一个IBIS模型是对于整个器件的管脚而言的，而不是几个特殊的输入、输出或者是I/O管脚的Buffer。
因此，IBIS模型中除了一些器件Buffer的电气特性，还包括pin-buffer的映射关系（除了电源、地和没有连接的管脚外，每个管脚都有一个特定的Buffer），以及器件的封装参数。
IBIS提供两条完整的V —I曲线分别代表驱动器为高电平和低电平状态，以及在确定的转换速度下状态转换的曲线。
V —I曲线的作用在于为IBIS提供保护二极管、TTL推拉驱动源和射极跟随输出等非线性效应的建模能力。
一般而言，IC器件的输入、输出和I/O管脚的Buffer的行为特性是通过一定的形式描述的。
下面分别对于输入、输出和I/O管脚Buffer的表述形式作一个介绍。
对于一个输出或者是I/O管脚的Buffer需要下列的相关数据：在输岀为逻辑低时，输岀管脚Buffer的I/V特性在输出为逻辑高时，输出管脚Buffer的I/V特性在输出的电平强制在V以上和GND以下时，输出管脚Buffer的I/V特性Buffer由一个状态转换为另一个状态的转换时间Buffer的输出电容一般情况，IBIS模型包含以下一些信息，IBIS模型的结构如下图1.1所示。
1. 关于文件本身和器件名字的信息。
这些信息用以下的关键词描述：[IBIS Ver] IBIS的版本号，[File Name]文件的名称,[File Rev] 文件的版本号,[Component]器件的名称和[Manufacturer]. 器件的制造商。
2. 关于器件的封装电气特性和管脚与Buffer模型的映射关系。
可以使用关键词[Package]和[Pin]描述。
3. 为了表述器件管脚的Buffer所需要的相关的数据信息。
关键词［Model］是用来表示每个Buffer 的数据，具体的容有：Model_type（Buffer 的类型）、Vinh、Vinl 以及C_comp （IC 芯片的电容）。
在前面的容中提到了Buffer的特性描述，在IBIS模型中需要下面的一些关键词描述：［Pull-up］、［Pull-down］、［GND clamp］、［Power clamp］和［Ramp］。
当然对于不同的Buffer 可能不需要上面的全部的关键词来描述。
如0C和漏极开路电路就不需要［Pull-up］关键词的数据信息。
图1.1 IBIS模型的结构图下面就图1.1的容作一个说明。
在图的右半部分的容有［…］的是IBIS模型中的关键词；没有方括号的条目则代表的是子参数的标题。
同时对于红颜色的字符“Y”标明在IBIS模型中是必选项；而“ N”则是标明该容在IBIS模型中为任选项。
1.2 IBIS的创建创建一个标准的IBIS模型需要5个步骤。
具体的容如下所示。
1创建模型前的准备工作。
这包括：确定模型的复杂度、确定器件的工作电压以及环境温度，获取器件本身的相关信息（如封装形式，封装参数等）。
2通过直接测量或者是仿真的方法得岀输岀或者是I/O管脚的I/V曲线的数据。
3将数据写入IBIS模型的列表中。
4数据的验证。
以上是对于创建一个IBI S模型需要步骤的简要说明，所以下面就每一个步骤的具体操作做一个详细的介绍。
§2 IBIS模型的创建2.1 准备工作2.1.1 基本的概念在创建IBIS模型之前首先是搜集信息。
这些信息包括：确定IC器件的Buffer有几种类型、器件的封装形式以及工作电压、器件工作的温度、I/O Buffer是否工作在多电源情况以及钳位二极管（静电保护）的参考电源是否和Buffer相同等。
器件的封装信息有器件管脚的引线参数（引线电阻R、引线电感L、引线电容C ）以及管脚和信号名的对应关系。
这里涉及到一个器件电容 C （Die Capacitance）的概念，器件的电容和引线电容是不同的两个概念，但是两者是有关系的。
众所周知，一个IC器件的Buffer类型至少有两种：基本的输出或者I/O的Buffer和输入Buffer。
一些复杂的器件也许有多种类型的Buffer。
例如时钟输出端的Buffer的驱动能力比较强，相对而言地址和数据线的输岀端的Buffer的驱动能力就差一些，同样对于一些不太重要的信号的输岀端的驱动能力就更低了。
现在的趋势是在IC器件部使用尽可能少或者是单一类型的Buffer。
器件的Buffer的作用是提高器件的驱动能力，同时还起到一个隔离的作用。
如果器件的Buffer是单一的，这样所有的输出和I/O信号的I/V曲线都相同了，这也意味着IBIS模型的简化。
但是在实际的操作中，一般不是单一类型的，即使是单一类型的Buffer，也不是IC所有的输出和I/O管脚的I/V曲线也是不尽相同的。
因为每个管脚的输出电容、封装参数以及信号的功能都存在差异。
然而我们可以将一些信号分到一些适当的Buffer类型里。
具体的操作如下所述。
首先是按管脚的类型将输入管脚和输岀或者I/O管脚分开。
输入管脚只需要I/V曲线，不需要上升或下降时间的信息。
在这基础上根据输入管脚的输入电容和封装参数加以区分，将具有相同的输入电容和封装参数的管脚分为一个集合。
对于输岀和I/O管脚。
一般情况下首先是根据这些信号的功能分类。
然后再根据管脚的输岀电容和封装参数分组。
例如，对于一个微处理芯片的地址信号线，数据信号线和控制信号线要分为3类，接着将以上的3类根据不同的输出电容和封装参数再分为不同的组。
在创建IBIS模型之前，根据I/O Buffer的特性和结构确定要创建的IBIS模型的版本号。
因为不同的版本号所支持的容是有所区别的。
同时一个模型可以代表一个具体存在的器件，也可以代表一个典型封装的器件系列。
实际上IBIS模型提供了3中模式。
慢模式（驱动能力最弱，边缘变换最慢）、典型的模式和快模式（驱动能力最强，边缘变换最快）。
这些工作的模式一般是以下几种情况所决定：硅片的工作环境。
如器件的功率和周围环境的温度。
硅片的操作的限制。
同步输出开关的数量。
2.1.2 数据列表的信息当我们一旦完成了以上工作后，就开始需要一些具体的信息来创建器件的一个IBIS模型。
有些具体的信息对于器件而言是整体性质的，直接填到IBIS文件的列表中；而有些条目则是用来做仿真的数据。
一般而言创建者需要以下的信息：IBIS Specification : IBIS的说明信息（如IBIS的版本号）。
Buffer Schematics :器件的Buffer的类型（如标准的CMOS推拉电路、漏极开路等）。
Clamp Diode and Pullup references :钳位二极管和上拉参考电平。
对于一些器件而言钳位二极管和上拉参考电平可能是不同的（一般是钳位二极管连接的电平要比上拉参考电平小一些），尤其是多电源供电的器件。
Packaging Information :封装信息。
IBIS模型需要的管脚名和信号名以及管脚名和Buffer类型的对应关系列表。
Packaging Electrical :封装的电气信息。
主要包括器件管脚的封装信息。
如R_pin、L_pin以及C_pin。
Signal Information :决定某些信号在创建IBIS模型可以忽略。
如一些测试盘垫或者一些静态的控制信号等可以忽略。
Die Capacitance :器件的电容。
这是由盘垫看进去的电容（C_comp参数）。
VinL and VinH Parameters :一个完整的IBIS模型的输入和I/O Buffer的信息应该包括VinL 和VinH参数。