VCSEL工艺简介
vcsel芯片
vcsel芯片VCSEL芯片（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）又称垂直腔面射出激光器芯片，是一种具有独特结构和性能的半导体激光器。
与传统的边射激光器相比，VCSEL芯片具有许多优势，例如低功耗、高效能、远场模式、高速调制等，因此在许多应用领域得到广泛应用。
VCSEL芯片的基本结构是由多个半导体材料构成的层状结构。
在VCSEL芯片的正面和背面各有一对高反射膜，形成垂直腔结构。
激光光子在垂直方向上被反射回芯片内，而在水平方向上透过高反射膜射出。
这种结构使得VCSEL的发光相对较为均匀，且光束质量较高。
一、VCSEL芯片的特点1. 高效能：VCSEL芯片的光电转换效率高，发光效率可以超过50%，相较于传统的边射激光器更为高效。
2. 低功耗：VCSEL芯片的工作电流较低，传输功率较小，可以在过程中降低能源消耗。
3. 高速调制：VCSEL芯片具有快速的调制速度和高速的响应时间，适合用于高速通信和数据传输。
4. 调制带宽宽广：VCSEL芯片能够在多个纳秒的时间范围内实现高速调制，适用于各种光纤通信和数据传输。
5. 易于集成：VCSEL芯片可以与其他传感器、光学元件等集成在一起，形成多功能的光电子器件。
6. 高温稳定性：相较于传统边射激光器，VCSEL芯片具有更好的热稳定性，可以在更宽的温度范围内工作。
二、VCSEL芯片的应用领域1. 光纤通信：VCSEL芯片在光纤通信领域得到广泛应用，特别是在光纤通信模块中用作光源。
其高效能、低功耗和高速调制的特点使其成为光纤通信模块的首选光源。
2. 数据中心：VCSEL芯片在数据中心的高速网络和光纤通信系统中用作数据传输的光源，可以实现大容量、高速率的数据传输。
3. 手机前置摄像头：VCSEL芯片被广泛应用于手机前置摄像头的ToF（Time of Flight）深度感应模块中，用于实现人脸识别、AR（增强现实）和其他3D传感功能。
VCSEL工艺简介
VCSEL基本简介-基本构成
1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够 实现芯片表面的激光发射。典型的 VCSEL 为顶发射结构。结 构示意图如下图 所示
VCSEL的结构示意图 （顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）
沉积SiO2
P-ring contact
P-DBR active n-DBR
GaAs substrate 侧向选择氧化制备工艺流程图
第十二页，共14页。
外延材料制备
光刻、刻蚀、开窗
P-ring contact
P-DBR
active n-DBR
GaAs substrate 侧向选择氧化制备工艺流程图
结构示意图如下图所示vcsel的结构示意图顶部布拉格反射器pdbr谐振腔和底部ndbrvcsel的制作总工艺过程工艺过程总流程图侧向选择氧化制备工艺流程图vcsel的制作总工艺过程工艺制备图侧向选择氧化制备工艺流程图外延材料制备mocvd侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontactvcsel的制作芯片工艺与关键设备芯片流片芯片流片过程外延材料制备沉积sio侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstratepringcontact沉积sio外延材料制备光刻腐蚀做sio侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstratepdbrpringcontact外延材料制备台面腐蚀侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontact外延材料制备侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontact外延材料制备局部氧化侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontact外延材料制备沉积sio侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontact外延材料制备光刻刻蚀开窗侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontact外延材料制备光刻电极出光孔侧向选择氧化制备工艺流程图ndbrgaassubstrateactivpdbrpringcontact电极
新型半导体激光器——VCSEL详解
新型半导体激光器——VCSEL详解VCSEL(Vertical-cavity surface-emitting laser)，即垂直腔面发射激光器，是集高输出功率和高转换效率和高质量光束等优点于一身，相比于LED 和边发射激光器EEL，在精确度、小型化、低功耗、可靠性等角度全方面占优。
随着VCSEL 芯片技术的成熟，以其作为核心元件的3D Sensing 走入应用，在活体检测，虹膜识别， AR/VR 技术以及机器人识别和机器人避险、自动驾驶辅助等领域得到发展。
近期，3D Sensing 的主要应用以手机为主，iPhone X 首次搭载3D 结构光模组，引领3D Sensing 消费市场。
目前，全球3D Sensing 供应链趋于完善，VCSEL 设计厂商Lumentum、II-VI 、Finisar、AMS，VCSEL 外延片供应商IQE、全新光电以及台湾晶圆代工厂稳懋、晶电等均纷纷布局3D Sensing 领域。
据预测，未来几年3D Sensing 市场规模将呈几何式增长，到2020 年3D Sensing 市场规模可达到108.49 亿美元2023 年3D 传感的市场空间达到180 亿美元，2018 年-2023 年复合增速达到44%。
其中，3D Sensing 在智能手机市场上的渗透率不断提高，3D Sensing 渗透率有望从2017 年的2.1%提高至2020 年的28.6%。
一、VCSEL 基本结构与工作原理VCSEL 器件有两种基本结构，一种是顶发射结构：采用MOCVD 技术在n 型GaAs 衬底上生长而成，以DBR 作为激光腔镜，量子阱有源区夹在n-DBR 和p-DBR 之间。
由于量子阱厚度小，单程增益小，因此反射镜的反射率较高，一般全返腔镜反射率>99.9%，输出腔镜反射率通过理论计算设定最佳的耦合输出率（一般也大于99%），然后在衬底和p-DBR 外表面制作金属接触层。
vcsel工艺技术
vcsel工艺技术垂直共振腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，简称VCSEL），是一种垂直射出的面发射激光器器件。
VCSEL具有体现出良好的光束质量、高功率效率、低阈值电流、低制冷、易制造等优势，因此在通信、激光雷达、生物医学、光电子计算等领域得到了广泛的应用。
VCSEL的制造工艺技术是VCSEL技术的重要组成部分。
VCSEL的制造工艺技术主要包括光学分离工艺、电子分离工艺和封装工艺等。
其中，光学分离工艺主要是通过应用半导体加工技术将激光腔和光输出引导层等元件制备在同一材料上，以实现光的垂直输出。
电子分离工艺则是通过应用半导体器件加工技术，将激光腔和电流注入部分分离开来，以实现电流的注入和激光的产生。
封装工艺则是将制备好的VCSEL芯片封装到适当的封装器件中，以方便使用和保护器件。
在VCSEL的制造工艺技术中，光学分离工艺是一项关键技术。
该工艺主要包括金属化、光刻、腔激光电子分离等过程。
金属化是在芯片表面附上金属电极的过程，用于实现电流的注入。
光刻是利用光刻胶和掩模制作出光的输出孔和电流注入的区域。
而腔激光电子分离是通过化学腐蚀和离子刻蚀等技术，将光腔与电流注入区域分离开来，以避免电流泄露影响光的输出。
电子分离工艺是VCSEL制造过程中的另一个重要环节。
该工艺主要包括外延生长、扩散障、沉积金属等过程。
外延生长是将具有特殊杂质分布的半导体薄膜在晶片表面沉积生长的过程，以构成VCSEL的激光腔和电流注入区域。
扩散障是通过控制杂质浓度和控制生长温度等方式，在外延层中形成P型和N型离子扩散层，以形成电流注入区域。
沉积金属是将金属层蒸镀到电流注入区域上作为电流注入电极，用于实现电流的注入。
封装工艺是VCSEL制造的最后一道工序，封装工艺主要包括胶水封装、芯片倒装、焊接器件等过程。
胶水封装是将VCSEL芯片和驱动电路芯片粘结在一起，并用胶水填充芯片周围的空隙，以保护芯片。
vcsel的封装工艺
vcsel的封装工艺VCSEL是垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）的简称，是一种新型的激光器封装工艺。
VCSEL的封装工艺在光通信、光传感、3D感测等领域得到广泛应用。
本文将从VCSEL的封装工艺的定义、封装过程、封装工艺的发展等方面进行探讨。
一、VCSEL封装工艺的定义VCSEL的封装工艺是将VCSEL芯片封装到封装基座中，以保护芯片并便于连接和使用。
封装工艺的好坏直接影响到VCSEL的性能和可靠性。
目前常见的VCSEL封装工艺有TO封装、CAN封装、C-Mount封装等。
二、VCSEL封装过程VCSEL封装的一般过程包括芯片选取、背面处理、金属化、球栅键合、焊接、环氧封装等步骤。
首先，从生产中选取优质的VCSEL芯片，然后对芯片进行背面处理，以提高散热效果。
接下来，在芯片的金属化过程中，通过蒸镀金属来形成电极，以便与外部电路连接。
然后，通过球栅键合技术将芯片与基座连接起来。
最后，利用焊接技术将电极与外部引线连接，并使用环氧树脂进行封装，以保护芯片。
三、VCSEL封装工艺的发展随着VCSEL技术的不断发展，其封装工艺也在不断改进和创新。
早期的VCSEL封装工艺主要采用TO封装，这种封装方式简单易行，但散热效果较差。
随着技术的进步，CAN封装和C-Mount封装逐渐兴起。
CAN封装在VCSEL芯片的背面加入散热底座，提高了散热效果，适用于高功率VCSEL的封装。
C-Mount封装则采用薄膜底座和焊接技术，具有更好的热导性能和可靠性，适用于高速通信领域。
四、VCSEL封装工艺的优势VCSEL封装工艺具有以下优势：首先，VCSEL芯片尺寸小，可以进行高密度封装，提高集成度。
其次，VCSEL封装工艺成本低，生产效率高。
此外，VCSEL封装工艺还具有良好的热导性能和可靠性，能够适应高功率、高速等特殊工作环境。
总结：本文对VCSEL的封装工艺进行了介绍，从定义、封装过程、发展趋势等方面进行了探讨。
vcsel工艺制程
vcsel工艺制程在今天的微电子行业，光通信系统已经成为数据传输的重要组成部分。
在光通信领域中，有一种名为VCSEL（垂直腔面发射激光器）的半导体激光器被广泛应用于光通信、光互连、光存储和光计算等领域。
下面，我将为您介绍VCSEL工艺制程的关键步骤。
1. 衬底制备：VCSEL的制造需要高质量的衬底，通常采用GaAs（砷化镓）或InP（磷化铟）作为衬底材料。
首先需要将衬底进行化学清洗和预处理，以确保其表面干净、平整、无污染。
2. 外延生长：接下来，在衬底表面生长所需的外延层，如GaAs EPI（电介质外延）或InP EPI（电介质外延）。
外延层的质量对VCSEL的性能至关重要。
外延生长过程需要精确控制温度、气氛、pH值等参数，以获得理想的半导体材料特性。
3. 光刻工艺：在外延层生长完成后，需要进行光刻工艺以形成所需的图形结构。
光刻技术有许多种，包括干法刻蚀、湿法刻蚀和光致抗蚀剂光刻等。
根据不同的应用需求，可以选择不同的光刻技术以实现高精度的结构制作。
4. 离子注入：在光刻过程中形成的图形结构中，需要注入所需的掺杂元素以改变半导体材料的导电性能。
常用的掺杂元素有铝（Al）、镓（Ga）和砷（As）等。
离子注入过程需要严格控制注入深度、能量和速度等参数，以确保半导体材料的电学性能稳定。
5. 氧化/减薄：在离子注入完成后，需要进行氧化和减薄处理，以暴露出外延层下方的基底材料。
这一过程有助于提高器件的可靠性和降低寄生电容。
6. 金属淀积：为了实现VCSEL器件中的电学连接，需要在外延层上淀积一层金属电极。
常用的金属材料包括铝（Al）、金（Au）和银（Ag）等。
金属淀积过程需要控制淀积速率、淀积温度和淀积厚度等参数，以获得理想的金属结构和表面形貌。
7. 后端工艺：在VCSEL器件制造的后端工艺中，还需要进行切割、检验、清洗、封装和测试等步骤。
这些步骤有助于确保VCSEL器件的性能可靠、稳定和一致。
通过以上关键步骤，我们可以制造出具有高光功率、高亮度和低功耗等优点的VCSEL器件。
什么是VCSELVCSEL的结构与原理介绍
什么是VCSELVCSEL的结构与原理介绍VCSEL即垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），是一种半导体激光器的种类。
与传统的激光二极管（LD）相比，VCSEL有许多优点，包括较高的功率效率、较小的发热量、较低的工作电流和较简单的制造工艺等。
VCSEL的独特结构和工作原理赋予了它广泛的应用前景，特别是在光通信领域。
VCSEL的结构主要由五个组成部分构成：上反射镜（top mirror）、激活区（active region）、下反射镜（bottom mirror）、透明载流子注入区（transparent carrier injection region）和透明载流子反射层（transparent carrier reflector）。
在这些部分中，最为重要的是激活区和反射镜。
激活区是VCSEL的工作部分，它由多个半导体量子阱（quantum well）构成。
激活区的厚度通常控制在几个纳米到十几个纳米之间。
当电流通过激活区时，电子和空穴会发生复合释放出光子，产生激光。
激活区的电流密度和注入载流子的浓度决定了VCSEL的输出功率和效率。
两个反射镜使得VCSEL能够实现垂直发射，这是与传统激光二极管的重要区别。
上反射镜和下反射镜由多个和λ/4厚度交替的介质层组成，其中λ是激光的波长。
通过选择合适的介质和层次结构，可以实现高反射率，将大部分光束反射回激活区，产生干涉增强效应，从而增强激光放大。
VCSEL的工作原理基于费曼轻子波束的合成相干超远场发射原理。
当电流通过激活区时，激光由激光腔垂直发射并形成两束相干光束。
由于VCSEL的量子阱和介质层具有光增益，激光会在腔内进行多次反射和放大，从而形成模态。
这些模态在垂直方向上是相干的，在水平方向上呈现高斑度。
由于VCSEL的垂直发射结构，VCSEL能够实现单模发射，产生高斑度、方向性好的激光束，射程远，耦合效率高。
vcsel芯片氧化工艺
vcsel芯片氧化工艺VCSEL是一种垂直腔面发射激光器，能够以高速发射光线，非常适合用于光通讯和激光雷达。
而VCSEL芯片氧化工艺是VCSEL生产的重要工艺之一，能够提高芯片的性能和稳定性。
VCSEL芯片氧化工艺主要包括以下步骤：第一步，清洗。
在制造VCSEL芯片之前，需要清洗硅基片。
这是为了去除硅基片表面的油脂、灰尘等杂质，确保VCSEL芯片的精度和品质。
清洗常常采用浸泡在所谓的“立清水”中，即热水中加入一定浓度的氢氧化钾，以去除硅基片表面的氧化层和杂质。
第二步，氧化。
在VCSEL芯片制造过程中，氧化是一步不可缺少的工艺。
在氧化的过程中，通过向芯片表面喷洒氧化氢气体，使得芯片表面的硅形成二氧化硅氧化层。
二氧化硅氧化层除了可以防止光零散并增强反射，而且还能隔离VCSEL芯片与载流子电极。
面式涂覆以及小孔蚀刻等方式可以制备出典型像常显微镜相中的Oxide-Confimed-VCSEL,而使用掩模裂解法可以制备出典型的Top-Emitting-VCSEL。
第三步，光刻。
光刻是VCSEL芯片中至关重要的一步，主要用于芯片的制作。
光刻是一种光学方法，可以用于刻划薄膜光刻胶。
在光刻之前，需要先在光刻胶表面涂上硅氧化层。
然后，使用掩模将图形转移到VCSEL芯片上，最后通过紫外线曝光进行光刻。
光刻能够将芯片表面的硅氧化层部分去除，形成腔和反射镜等微细结构。
第四步，腔制备。
VCSEL芯片的腔要求非常精密，需要采用一系列复杂的技术进行制备。
在制备VCSEL芯片的腔部分时，可以选择金属有机化学气相沉积、分子束外延等方法，为腔部分和外延区分别增长特定厚度和折射率。
另外，腔中的抛晶也是非常重要的一步。
通过控制抛晶过程中微晶尺寸和分布，可以使腔中光子的自发辐射减弱，从而更好保证激光的功率和质量。
随着VCSEL技术的不断发展，VCSEL芯片氧化工艺也不断被改进和优化。
通过提高氧化层的质量和稳定性，加强光刻的精度和可重复性，优化腔部分的结构和性能，能够制造出更加高效、耐用的VCSEL 芯片，推动VCSEL技术在光通讯、激光雷达等领域的应用。
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VCSEL的结构示意图
（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）
VCSEL的制作总工艺过程
工艺过程总流程图
侧向选择氧化制备工艺流程图
VCSEL的制作总工艺过程
工艺制备图
侧向选择氧化制备工艺流程图
边发射激光器（a）
面发射激光器(b)Biblioteka VCSEL基本简介-基本构成
1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯 片表面的激光发射。典型的 VCSEL 为顶发射结构。结构示意图 如下图 所示
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
去掩膜
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
局部氧化
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
沉积SiO2
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
光刻、刻蚀、开窗
P-ring contact P-DBR active n-DBR
n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
光刻+腐蚀 做SiO2掩膜
P-ring contact P-DBR
n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
台面腐蚀
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
光刻、电极、出光孔
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
MOCVD
P-ring contact
P-DBR active
n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
VCSEL的制作芯片工艺与关键设备
芯片流片
芯片流片过程
外延材料制备
沉积SiO2
沉积SiO2 P-ring contact
垂直腔面发射激光器（VCSEL ） 制作工艺简介
Beijing Asia Science&Technology
VCSEL基本简介
垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即 VCSEL) 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面 的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面， 如下图：