现代半导体器件及先进制造智慧树知到答案章节测试2023年浙江大学
现代电力电子技术智慧树知到答案章节测试2023年浙江大学
绪论单元测试1.电力电子存在于下面哪些设备中：（）A:手机、电脑B:LED灯C:电梯D:机器人、机床答案:ABCD第一章测试1.负载调整率指：输入电压扰动引起的电源输出的变化。
（）A:错B:对答案:A2.通过开关周期平均运算等价于对信号进行低通滤波，对开关纹波有强的抑制作用。
（）A:错B:对答案:B3.开关周期平均的低通滤波具有以下特点：（）A:直流与低频可以通过B:低通滤波器的带宽小于开关频率C:带宽由系统的稳态工作点直接决定D:对开关纹波具有很强的抑制作用答案:ABD4.开关周期平均的滤波效果，以下正确的是：（）A:滤除开关纹波与低频分量，保留直流分量B:滤除开关纹波，保留低频与直流分量C:滤除开关纹波与直流分量，保留低频分量D:滤除低频与直流分量，保留开关纹波答案:B5.关于通常期望的相位与增益裕量，以下说法正确的是：（）A:相位裕量6-10dB，增益裕量45-60度B:相位裕量45-60度，增益裕量6-10dBC:相位裕量45-60度，增益裕量2-3dBD:相位裕量15-20度，增益裕量6-10dB答案:B第二章测试1.损耗最小的两种软开关是（）A:零电流关断B:零电压开通C:零电压关断D:零电流开通答案:AB2.下面的表述哪些是正确的（）。
A:零电流关断的开关管一般在电流反向流过反并联二极管时撤去开关信号B:零电压开通的开关管一般先由反并联二极管导通来提供零电压条件C:零电压关断的开关管一般在电流反向流过反并联二极管时撤去开关信号D:零电流开通的开关管一般先由反并联二极管导通来提供零电流条件答案:AB3.在零电压开关的变换器中，增加开关管的并联电容可能带来下面哪些结果（）A:增加开通损耗B:减小开通损耗C:减小关断损耗D:增加关断损耗答案:AC4.若串联谐振DC-DC变换器的输入电压不变，则输出变压随频率升高而降低。
（）A:对B:错答案:B5.零电压开关准谐振变换器会增加开关管的电压应力。
半导体物理与器件智慧树知到答案2024年上海电子信息职业技术学院
半导体物理与器件上海电子信息职业技术学院智慧树知到答案2024年第一章测试1.半导体材料的导电性能介于金属材料和绝缘材料之间。
（）A:对 B:错答案:A2.电中性原子失去电子后带正电。
（）A:错 B:对答案:B3.半导体硫化银的电阻具有负的温度系数是因为？（）A:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动 B:当硫化银受热时产生了更少的电子参与定向运动答案:A4.常温下，半导体材料的电阻率在什么范围？（）A:＞1010Ω·cm B:10-3Ω·cm ~ 109Ω·cm C:＞109Ω·cm D:＜10-3Ω·cm答案:B5.是谁首先提出：将电、磁、光统归为电磁场现象的麦克斯韦方程组？（）A:奥斯特 B:安培 C:麦克斯韦 D:赫兹答案:C第二章测试1.中子是带正电的。
（）A:错 B:对答案:A2.中子是带负电的。
（）A:错 B:对答案:A3.核外的电子是分布在能量的轨道上的（）A:连续 B:不连续答案:B4.核外电子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ确定，h是，υ表示。
（）A:普朗克常量，波的频率 B:波的频率，普朗克常量答案:A5.一个主量子数是不能精确确定电子的轨道的，每个轨道里面还可以再细分，即还有分壳层，它用表示的。
（）A:字母，例如s，p，d，… B:数字，例如1，2，3，…答案:A第三章测试1.N型半导体主要靠自由电子运动导电，也称为电子半导体。
（）A:对 B:错答案:A2.P型半导体主要靠空穴运动导电，也称为空穴半导体。
（）A:对 B:错答案:A3.PN结中载流子的运动是这样的：P型半导体中的多子空穴向N区扩散，留下不可移动的负离子；N型半导体的多子电子向P区扩散，留下不可移动的正离子。
（）A:错 B:对答案:B4.在硅或锗的晶体中掺入少量的5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，可以构成。
（）A:P型半导体 B:N型半导体答案:B5.在硅或锗的晶体中掺入少量的3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，可以构成。
模拟电子电路知到章节答案智慧树2023年吉林大学
模拟电子电路知到章节测试答案智慧树2023年最新吉林大学第一章测试1.P型半导体带正电，N型半导体带负电。
参考答案:错2.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
参考答案:对3.由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
参考答案:错4.PN结外加反向电压，当电压绝对值增大时，空间电荷区变窄。
参考答案:错5.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。
参考答案:对第二章测试1.二极管的伏安特性曲线既描述了二极管正向特性和反向特性，又描述了二极管的反向击穿特性。
参考答案:对2.稳压二级管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态参考答案:对3.稳压二极管不允许工作在正向导通状态参考答案:错4.二极管的在交流等效为一个小电阻。
参考答案:对5.所有的二极管正向导通后压降都为0.7V。
参考答案:错第三章测试1.三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。
参考答案:对2.测出某三极管的共基电流放大系数参考答案:错3.a小于1，表明该管子没有放大能力。
参考答案:错4.由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
参考答案:对5.只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压vBE都为0.7V左右。
参考答案:错第四章测试1.三小信号模型是交流下用线性电路代替非线性伏安特性的过程参考答案:对2.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关参考答案:错3.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降参考答案:对4.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，输出电阻也减小参考答案:错5.共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大参考答案:错6.共集放大电路的电压放大倍数接近于1，与负载RL是否接通关系不大参考答案:对7.常用的稳定静态工作点的方法有直流负反馈法和温度补偿法参考答案:对8.共基极放大电路不具备电流放大能力参考答案:对第五章测试1.场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区参考答案:对2.N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正参考答案:对3.场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大参考答案:对4.场效应管是电压控制器件，iD=gmvGS这是个线性方程，所以它是线性器件参考答案:错5.结型场效应管和增强型绝缘栅型场效应管的转移特性中都有饱和漏极电流IDSS参考答案:错第六章测试1.场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大参考答案:对2.共漏放大电路电压放大倍数总是小于1参考答案:对3.场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ参考答案:错4.增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路参考答案:错5.共源放大电路不具备电压放大能力参考答案:错第七章测试1.如果要求各级静态工作点互不影响，可选用阻容耦合方式参考答案:对2.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式参考答案:错3.在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB，则三级放大电路总增益为80dB，折合为104倍参考答案:对4.单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半参考答案:对5.差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。
先进制造技术智慧树知到课后章节答案2023年下临沂大学
先进制造技术智慧树知到课后章节答案2023年下临沂大学临沂大学第一章测试1.先进制造技术特征是具有哪些特征？（）。
A:实用性 B:技术集成性 C:应用广泛性 D:系统性答案:实用性;技术集成性;应用广泛性;系统性2.为了重振霸主雄风，美国政府推出了一系列先进制造业发展计划，具体包括哪些？（）。
A:先进制造技术计划 B:下一代制造行动框架 C:先进技术计划 D:推进创造性科学技术规划答案:先进制造技术计划;下一代制造行动框架;先进技术计划3.按照系统的观点，可将生产定义为使生产（）转变为生产财富并创造效益的输入输出系统。
A:要素 B:信息 C:对象 D:资料答案:要素4.先进制造与自动化技术是实现各种高新技术的保障技术。
（）A:对 B:错答案:对5.国际竞争和对抗的焦点由军备竞赛转向全球范围内的以科技为先导，经济为基础、军事为后盾的综合国力的较量。
（）A:错 B:对答案:对第二章测试1.现代设计技术是指对传统设计技术的继承和发展，多专业和多学科交叉的综合性技术。
（）A:对 B:错答案:对2.计算机辅助设计关键技术主要包括（）。
A:NURBS曲面造型技术 B:产品的造型建模技术 C:多数数据库与相关性设计D:单一数据库与相关性设计答案:NURBS曲面造型技术;产品的造型建模技术;单一数据库与相关性设计3.优化设计的两个前提条件以（）为理论基础，以（）为基础。
（）A:数学模型 B:设计变量 C:数学规划 D:计算机答案:数学规划;计算机4.常用优化计算方法主要（）。
A:有约束非线性规划算法 B:黄金分割法 C:多项式逼近法 D:无约束非线性规划算法答案:有约束非线性规划算法;无约束非线性规划算法5.正向工程：已有产品→实物测量→重构模型→创新改进→加工制造→新产品。
（）A:对 B:错答案:错第三章测试1.材料去除成形是指通过机械能切削加工工艺将材料从基体中分离去除的过程。
（）A:对 B:错答案:对2.进入21世纪，达到10（）的精度水平，当前机床精度每8年提高一倍（）。
半导体器件智慧树知到答案2024年西安邮电大学
半导体器件西安邮电大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.不属于化合物半导体的有（）。
A:砷化铝 B:磷化镓 C:锗 D:磷化铝答案:C2.硅单晶晶体结构为（）。
A:正四面体结构 B:面心结构 C:立方体结构 D:体心结构答案:D3.属于化合物半导体有（）。
A:氧化镓 B:砷化镓 C:氮化镓 D:硅答案:ABC4.Si是一种IV族元素半导体（四主族）。
（）A:对 B:错答案:A5.半导体材料一般分为三种类型：无定型、多晶和单晶。
（）A:对 B:错答案:A第二章测试1.以下关于半导体中电子有效质量的描述，不对的选项是（）。
A:有效质量反映了晶格周期性势场对电子的作用 B:通过回旋共振实验可以测出电子有效质量 C:有效质量具有质量的量纲 D:有效质量是一个常数答案:D2.杂质半导体中电子占据施主能级的几率可以直接套用费米分布函数来进行计算。
（）A:对 B:错答案:B3.在单晶硅中掺入少量（）杂质元素会形成N型半导体？A:硼 B:磷 C:锗 D:镓答案:B4.单晶硅表面态密度的实验值要比理论值高几个数量级。
（）A:对 B:错答案:B5.关于半导体表面态的描述，下列（）是错误的？A:慢态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层 B:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态 C:快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层 D:空态时带正电而电子占据后呈中性的为施主型表面态答案:BC第三章测试1.以下关于PN结的描述，正确的的选项是（）。
A:平衡PN结，P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级 B:PN结具有单向导电性 C:PN结加正向偏压时，外加电场的方向与自建电场方向相同D:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率答案:BD2.对于金属和N型半导体紧密接触，当Wm>Ws时，在界面处形成阻挡层（）A:对 B:错答案:A3.对于单边突变结，正确的的选项是（）A:耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧 B:内建电势主要降落在轻掺杂一侧 C:耗尽层宽度主要在重掺杂一侧 D:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别答案:ABD4.正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加（）A:错 B:对答案:A5.对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有（）A:选用禁带宽度更大的半导体材料 B:选用禁带宽度较窄的半导体材料 C:增加轻掺杂一侧掺杂浓度 D:降低轻掺杂一侧掺杂浓度答案:AD6.以PN+结为例，下列哪项可以提高PN结开关速度（）A:增大P区少子的扩散长度 B:减小P区少子的寿命 C:提高串联电阻R D:降低正向电流答案:BD第四章测试1.双极晶体管的基区特点（）。
半导体制造技术智慧树知到答案2024年上海工程技术大学
半导体制造技术上海工程技术大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.“摩尔定律”是（）提出的？A:1960 B:1958年 C:1965年 D:1970年答案:C2.第一个晶体管是（）材料晶体管？A:硅 B:锗 C:碳答案:B3.戈登摩尔是（）科学家。
A:德国 B:法国 C:美国 D:英国答案:C4.第一个集成电路在（）被研制。
A:1958 B:1955 C:1965 D:1960答案:A5.（）被称为中国“芯片之父”。
1、A:邓中翰 B:吴德馨 C:许居衍 D:沈绪榜答案:A第二章测试1.硅在地壳中的储量为（）。
A:第一 B:第四 C:第二 D:第三答案:C2.脱氧后的沙子主要以（）的形式。
A:二氧化硅 B:碳化硅 C:硅答案:A3.半导体级硅的纯度（）。
A:99.9999999％ B:99.999999％ C:99.999％ D:99.99999％答案:A4.西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。
（）A:错 B:对答案:A5.一片硅片只有一个定位边。
（）A:对 B:错答案:B6.晶面指数（m1 m2 m3）： m1 、m2 、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。
（）A:对 B:错答案:A第三章测试1.通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。
（）A:对 B:错答案:A2.热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。
（）A:对 B:错答案:A3.二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。
（）A:对 B:错答案:A4.薄膜的密度越大，表明致密性越低。
（）A:错 B:对答案:A5.电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。
（）A:错 B:对答案:A第四章测试1.光刻本质上是光刻胶的光化学反应。
（）A:错 B:对答案:B2.一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。
（）A:错 B:对答案:A3.使用正胶进行光刻时，晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。
（）A:对 B:错答案:A4.使用负胶进行光刻时，晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。
浙商简史与典型案例知到章节答案智慧树2023年台州学院
浙商简史与典型案例知到章节测试答案智慧树2023年最新台州学院第一章测试1.（）是全国首个也是目前唯一一个共同富裕示范区。
参考答案:浙江2.下列与范蠡有关的故事是哪一个（）。
参考答案:卧薪尝胆3.以其杰出的商业才能，被后世商家视为祖师爷，尊称陶朱公的人物是（）。
参考答案:范蠡4.（）记载，越人当时已能“以船为车，以楫（ji）为马，往若顺风，去则难从”。
说明战国时期，浙江地区的造船业和航海业已经有了领先于时代的水平。
参考答案:《越绝书》5.唐朝时期浙江涌现了很多从事海上贸易的大商人，他们是（）。
参考答案:李延孝、张支信、李处人6.每年秋季，沈家一年收获无数粮食，周庄内都会出现许多巨大粮仓星罗棋布排列，这样胜景被称为（）。
参考答案:“东庄积雪”7.清末民初，以上海为基地的新式银行业崛起，这一时期的中国银行业以经营公债和（）为主要业务。
参考答案:房地产8.“身自耕作，夫人自织”指的是（）。
参考答案:勾践9.“旱则资舟，水则资车”蕴含了那些道理？（）。
参考答案:要懂得未雨绸缪;注意事物的动态变化;要懂得经济发展的规律，;眼光要放得长远10.范蠡在越为官，制定了（）的基本国策，既保护了农民利益，也保护了商人利益。
参考答案:货物官市;农末俱利第二章测试1.龙游商帮中的（）自幼家贫失学，跟随父亲贩书各地，他一生淡泊处世，不求仕途，以嗜书、校书、刻书、贩书为好。
参考答案:童珮2.近代时期，宁波人商人善于保持传统的商业特色，在上海开办的银楼业曾达到（）家。
参考答案:353.台州海门除了传统的钱庄、典当业获得发展外，（）也开始出现并发展。
截至1934年，境内有银行2家、钱庄12家、典当7家、大小银楼(铺)20余家。
参考答案:现代金融机构银行4.明朝倭寇侵扰我国沿海地区，（）下令“寸板不许下海”，并实行严厉的海禁政策。
参考答案:洪武帝5.公元1547年，（）围攻双屿岛，剿走私商船。
参考答案:朱纨6.浙江兴业银行、（）和上海商业储蓄银行，在民营银行中居于领袖地位，被称为“南三行”。
2022年02月浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院招聘笔试参考题库含答案解析
2022年02月浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院招聘笔试参考题库含答案解析(图片可自由调整大小)全文为Word可编辑，若为PDF皆为盗版，请谨慎购买！卷I一.高等教育法规(共15题)1.教师把不遵守纪律的学生关黑屋，侵犯了学生的（）。
A.人身自由权B.表达自由权C.人格尊严权D.受教育权答案：A本题解析：题干所述侵犯了学生的人身自由权。
2.在教育行政诉讼中，（）负有举证责任。
A.教育行政管理相对人B.教育行政机关C.教育行政机关或教育法律、法规授权的组织D.起诉人答案：C本题解析：暂无解析3.国家公派留学人员未按时向我国驻外使领馆报到、从事协议规定以外的工作、擅自变更留学单位或留学计划、擅自变更留学国别和留学身份、未按规定留学期限回国都会（可能会）被视作违约。
此外，出现哪种情况也有可能被取消公派留学资格并承担违约责任（）A.未与国家留学基金委签定《资助出国留学协议书》B.未与我国驻外使领馆经常联系C.学习/研修成绩没有达到要求D.未向驻外使领馆递交学习/研修情况报告表答案：D本题解析：暂无解析4.根据我国《民办教育促进法》的规定，民办教育的法律地位是（）。
A.与公办教育相比属于从属地位B.与公办教育具有平等法律地位C.公办教育属于行政部门，民办教育属于企业单位D.目前还不能确定答案：B本题解析：我国《民办教育促进法》第5条规定：“民办学校与公办学校具有同等的法律地位，国家保障民办学校的办学自主权。
”5.下列属于教育法规表现形式的是（）。
A.决议B.决定C.通知D.实施细则答案：D本题解析：暂无解析6.职业学校、职业培训机构实施职业教育应当（），为本地区经济建设服务，与企业密切联系，培养实用人才和熟练劳动者。
A.理论联系实际B.实行产教结合C.加强实践环节D.适应社会需要答案：B本题解析：我国《职业教育法》第23条规定：“职业学校、职业培训机构实施职业教育应当实行产教结合，为本地区经济建设服务。
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第一章测试
1.本征硅的费米能级位于：（）
A:
B:
C:略偏向
D:略偏向
答案:C
2.硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）
A:空穴浓度大于电子浓度
B:硅的晶体结构将发生改变
C:与磷掺杂硅的导电类型一致
D:电子浓度大于空穴浓度
答案:A
3.抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。
A:降低离子注入能量
B:衬底表面沉积非晶薄膜
C:倾斜衬底
D:升高衬底温度
答案:BCD
4.制造单晶硅衬底的方法包括（）。
A:直拉法
B:氧化还原法
C:区域熔融法
D:外延生长法
答案:AC
5.当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。
（）
A:对
B:错
答案:A
第二章测试
1.对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。
A:Vg≥Vd+Vth
B:沟道中漏极一侧的电位为0
C:Vg继续增加，Id不会继续增大
D:
答案:ABC
2.沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。
A:阈值电压增大
B:器件的漏极电流增大
C:器件的集成度增加
D:器件的可靠性劣化
答案:BCD
3.有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）
A:亚阈值摆幅的单位是mV
B:
C:
D:温度升高，亚阈值摆幅增大
答案:A
4.有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）
A:仅与器件的结构参数有关
B:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
C:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
D:与器件的沟道长度呈正比
答案:C
5.MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。
（）
A:错
B:对
答案:B
第三章测试
1.下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（）
A:能够减小光的波长
B:在目镜和衬底间填充水
C:能够增大物镜的数值孔径
D:由台积电的工程师林本坚发明
答案:ACD
2.相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（）
A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器
B:减小未沉积铬区域的石英板厚度
C:改变石英掩膜板的倾斜角
D:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度
答案:ABD
3.根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（）
A:
B:
C:
D:
答案:C
4.正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（）
A:交联催化剂，交联催化剂
B:交联催化剂，提供自由基
C:提供自由基，提供自由基
D:提供自由基，交联催化剂
答案:D
5.光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。
（）
A:对
B:错
答案:A
第四章测试
1.有关半导体中载流子有效质量的说法正确的是（）
A:受到半导体晶格周期性势场的影响
B:电子和空穴可能具有不同的有效质量
C:与载流子的惯性质量在数值上相等
D:具有一定的概率分布
答案:AB
2.张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（）
A:减小载流子有效质量
B:增加能级分裂，抑制能谷散射
C:抑制界面态的库伦散射作用
D:减小MOS界面粗糙度
答案:AB
3.在硅沟道场效应晶体管器件中，埋入式源漏技术能够产生何种应变（）
A:仅能产生张应变
B:既有可能产生张应变，又有可能产生压应变
C:仅能产生压应变
D:其余选项说法都不对
答案:B
4.对于高集成密度的n型沟道的Si FinFET器件，合适的产生应变的技术是（）
A:应力记忆技术
B:SiGe埋入式源漏技术
C:接触式刻蚀中止层技术
D:SiGe虚拟衬底技术
答案:D
5.应变硅技术从90纳米技术节点开始进入量产。
（）
A:错
B:对
答案:B
第五章测试
1.有关High-k/metal gate技术的说法正确的是（）
A:能够减小栅氧化层中的电场强度
B:从45纳米技术节点开始进入量产
C:栅氧化层k值越大越好
D:能够提升沟道中的载流子迁移率
答案:AB
2.作为High-k栅氧化层的材料，需要具备下面哪些特点（）
A:需要具有较好的稳定性
B:需要具有合适的能带结构
C:需要具有较高的k值
D:需要是常见材料
答案:ABC
3.下面哪种方法能够减小Si栅极堆垛的EOT（）
A:利用high-k材料替代二氧化硅栅绝缘层
B:利用金属栅替代多晶硅栅
C:应用Scavenging技术
D:减薄栅绝缘层的厚度
答案:ABCD
4.几种薄膜沉积方法中，三维表面包覆能力由强到弱依次为：ALD、PECVD、
电子束蒸镀。
（）
A:错
B:对
答案:B
5.Scavenging技术实质上是氧化还原反应。
（）
A:对
B:错
答案:A
第六章测试
1.根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（）
A:与金属的功函数无关
B:源漏接触电极越大，接触电阻一定越小
C:源漏接触金属下方的电流密度不均匀
D:分为长接触极限和短接触极限两种特例
答案:CD
2.当互联的最小特征尺寸减小时，下面说法错误的是（）
A:互联延时增大
B:互联延时减小
C:互联寄生电容不变
D:互联寄生电阻增大
答案:AD
3.Al互联中不包含下面那个结构（）
A:W通孔
B:Al配线
C:Cu通孔
D:Liner
答案:C
4.下面哪种方法不能抑制场效应晶体管器件中的寄生电容（）
A:空气侧墙
B:引入沟道应变
C:后栅工艺
D:high-k栅绝缘层
答案:B
5.特征尺寸越小，栅极延迟和互联延时都越小。
（）
A:错
B:对
答案:A。