电介质中的电荷转移

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电化学反应中的物质转移过程

电化学反应中的物质转移过程

电化学反应中的物质转移过程电化学反应是指在电解质溶液中,通过外加电势差引发的化学反应。

在这个过程中,物质的转移是不可避免的。

本文将探讨电化学反应中的物质转移过程,并分析其原理。

1. 溶质的扩散在电化学反应中,溶质的扩散是物质转移的一种重要方式。

当电解质溶液中存在浓度梯度时,溶质会沿着浓度梯度的方向进行扩散。

这是因为溶质分子之间存在着热运动,而热运动会使溶质分子向浓度较低的区域扩散。

在电化学反应中,外加电势差会改变电解质溶液中的离子浓度分布,从而改变溶质的扩散速率。

2. 电迁移除了溶质的扩散,电迁移也是电化学反应中物质转移的重要方式。

电迁移是指电荷载体(如离子)在电场作用下的运动。

当外加电势差施加在电解质溶液中时,溶液中的离子会受到电场力的作用,从而发生电迁移。

正离子会向阴极方向迁移,而负离子则会向阳极方向迁移。

这种电迁移的过程也会导致物质的转移。

3. 电化学反应中的物质转移在电化学反应中,物质的转移往往伴随着电荷的转移。

当外加电势差施加在电解质溶液中时,电荷会通过电解质溶液中的离子迁移而转移。

这种电荷转移的过程称为电流,是电化学反应中的基本现象之一。

同时,电流的存在也会引发物质的转移。

例如,在电解槽中进行的电解反应中,正离子会向阴极迁移,而负离子则会向阳极迁移。

这种离子的转移过程会导致溶液中物质的转移。

4. 电化学反应中的电化学平衡在电化学反应中,物质转移的过程往往会导致电解质溶液中的离子浓度发生变化,从而影响电化学反应的进行。

为了维持电化学反应的进行,需要达到一种动态平衡的状态,即电化学平衡。

在电化学平衡状态下,电解质溶液中的离子浓度分布保持稳定,电化学反应的进行达到一个动态平衡。

在这个过程中,物质的转移和反转移同时进行,使得电化学反应能够持续进行下去。

总结:电化学反应中的物质转移过程是一个复杂的过程,涉及溶质的扩散、电迁移和电荷转移等多种机制。

这些机制相互作用,共同促进电化学反应的进行。

在电化学反应中,物质的转移过程不仅影响反应速率和反应产物的选择,还与电化学平衡的建立息息相关。

雷清泉院士_电介质中的空间电荷效应

雷清泉院士_电介质中的空间电荷效应

Jd (T )
dP dt


dP dT


Nd
3k
2
T2
E
TSC峰反转。
影响充电、放电、TSC、TSP的特性有人为因素、平衡时间、电极、环 境、试样条件(处理)、温度梯度、电化学效应、电磁干扰等。
哈尔滨理工大学
电介质中的空间电荷效
6.击穿特性 1)固体电介质 理论模型 (1) 电子击穿过程
n( x, t ) t

(T
)n( x, t ) E ( x, t )
x

Dn (T
) 2n(x,t)
x2

r(T )
p( x, t )n( x, t )


(T
)nt
(
x,
t
)

1
f
1 n(x,t)
t
nt (x, t)
E(x,t) x en(x,t)0
(1)迁移项、(2)扩散项、(3)复合项、(4)杂质电离项、(5)再俘获 (6)退陷项。
1)低能(非电离)电磁辐射,光(红外、可见、紫外)0-40eV。 2)高能(电离)辐射、原子或原子核过程产生的辐射,包括X射线、γ射线、
电子、重带电粒子(α粒子、质子)、重离子、中子、电子束、离子束等。
3)辐射的作用:电子、离子→电导,俘获,受激分子、激子、激子电离→电 导,发光→老化,自由基→化学反应、老化。
哈尔滨理工大学
电介质中的空间电荷效
7、 非线性光析变材料(-OEO材料) 通过光生载流子,在偏压电场或SC自身电场作用下,形成 (x) 空间调制
周期分布。 条件:光生载流子,光电导;电荷在外场或自建场中分离运动,形成周期

电荷输运机制及介质中扩散模型探索

电荷输运机制及介质中扩散模型探索

电荷输运机制及介质中扩散模型探索电荷输运机制是电子学和材料科学中的一个重要研究领域。

了解电荷在介质中的输运机制对于设计和优化电子器件,以及理解材料的电学性质具有重要意义。

本文将探索电荷输运机制及介质中扩散模型,并提供相关领域的最新研究进展。

首先,我们需要了解什么是电荷输运机制。

简单来说,电荷输运机制指的是电荷在材料或介质中传输的方式。

根据电子或空穴的传输方式,可以将电荷输运机制分为两大类:迁移和扩散。

迁移是指电子或空穴在外电场或浓度梯度作用下的定向传输,而扩散则是指电子或空穴在材料中自由运动的随机传输。

对于迁移机制,最常见的是简单迁移和复合迁移。

简单迁移是指电子或空穴在晶体中移动的过程中不发生再复合的现象。

在简单迁移过程中,电子或空穴的传输主要受到晶格缺陷、杂质和表面效应的影响。

复合迁移是指电子和空穴在移动过程中发生再复合的现象。

复合迁移会影响电子和空穴的流动速度和浓度分布。

而对于扩散机制,我们可以通过扩散方程来描述电荷的传输。

在扩散过程中,电子或空穴的运动被看作是随机过程,其传输速度和方向受到热运动的影响。

扩散机制主要受到浓度梯度、电荷密度和电势变化的影响。

除了了解电荷输运机制,研究者们还在努力探索介质中的扩散模型。

扩散模型是用来描述电荷在介质中扩散的数学模型。

常见的扩散模型有经典扩散模型和非经典扩散模型。

经典扩散模型是基于弥散理论的,可以用弗里德里希斯扩散方程来描述。

该方程描述了扩散物质在空间和时间上的分布,并用扩散系数来表示扩散速率。

经典扩散模型适用于低温下的晶体和玻璃材料,以及较小浓度梯度的情况。

相比之下,非经典扩散模型考虑了介质中的扰动、杂质和缺陷等因素对扩散过程的影响。

非经典扩散模型可以用来研究高温下的材料和扩散界面的动力学行为。

常见的非经典扩散模型有表面扩散模型、体内扩散模型和界面扩散模型等。

最新的研究进展表明,扩散模型的改进和精确描述对于理解电荷输运机制至关重要。

研究人员通过引入复杂的数学方法和模型,以及借鉴计算机模拟和实验数据,提高了扩散模型的准确性和预测能力。

电学:电荷和电流的产生与传输

电学:电荷和电流的产生与传输

电学:电荷和电流的产生与传输电荷是物质所具有的一种基本属性,它是物质中的基本粒子所带有的一种性质。

通过电荷的产生和传输,电流得以形成。

电荷和电流在现代科学技术中起着非常重要的作用。

首先,让我们来了解电荷的产生。

电荷的产生有两种方式,一种是静电产生的电荷,另一种是电流产生的电荷。

静电产生的电荷是指物体在摩擦、接触和分离的过程中,电子从一个物体转移到另一个物体导致物体带电。

常见的例子有摩擦橡胶棒后吸引小纸片、电晕现象等。

这种电荷产生的机制是通过物体间的电子转移来实现的。

而电流产生的电荷是由电池、电源或其他电动力驱动产生的。

电池内部通过化学反应将正负电荷分离,产生电势差。

当连接电池两端的导线上存在闭合回路时,电荷就会顺着导线流动,形成电流。

有了电荷的产生,接下来就是电荷的传输过程。

电荷的传输主要分为导体中的自由电子传输和绝缘体中的极化传输。

导体中的自由电子传输是指在金属等导体中,自由电子在外加电场的作用下,由负极向正极流动。

这种电子流动的速度非常快,通常可以达到光速。

导体中的自由电子传输是电流形成的基础。

而绝缘体中的极化传输是指在绝缘体内部,当外加电场作用于绝缘体时,原子或分子内的电荷发生重新排列,导致电荷在绝缘体内部传输。

这种电荷传输的速度较慢,通常远远低于光速。

电荷的传输还受到材料本身的电导率和电介质常数等因素的影响。

导体的电导率越高,自由电子传输的速度越快,而绝缘体的电介质常数越大,极化传输的速度越快。

在实际应用中,电荷和电流的产生和传输广泛应用于各种电子设备中。

例如,电动力车辆中的电池和电动机通过电荷的传输来提供能量;电子计算机中的集成电路通过电荷的传输来实现信息的处理和存储;电力系统中的输电线路通过电荷的传输来将电能从发电厂输送到用户。

综上所述,电荷和电流的产生与传输是电学领域中的重要内容。

电荷的产生通过静电和电流两种方式,电流产生的电荷主要通过电池、电源和电动力驱动产生。

电荷的传输主要包括导体中的自由电子传输和绝缘体中的极化传输。

偶极和电荷转移

偶极和电荷转移

偶极和电荷转移
偶极和电荷转移是两个不同的概念,但它们之间存在一定的联系。

偶极是指电介质在外电场作用下,其内部正负电荷中心发生相对位移,形成电偶极子。

在电学上,偶极子的定义为两个相距很近、带相反电荷的点电荷。

电荷转移是指电子或空穴从一个分子或原子转移到另一个分子或原子。

这种转移可以通过多种方式实现,如光催化反应、电子转移反应等。

在光催化反应中,光能激发电子从供体分子传递到受体分子,从而实现电荷转移。

偶极和电荷转移之间存在一定的联系,因为它们都涉及到电子和空穴的转移。

在某些光催化反应中,如偶极基团间的光催化反应和光诱导的电子转移反应,偶极转移和电荷转移是同时发生的。

在这些反应中,偶极转移是指电子和空穴同时从受体和供体分子之间传递的过程,而电荷转移则是指只有电子或空穴从供体分子传递到受体分子的过程。

总之,偶极和电荷转移是两个不同的概念,但它们之间存在一定的联系。

在某些光催化反应中,它们可以同时发生并相互促进。

第五章电荷转移步骤动力学与电化学极化

第五章电荷转移步骤动力学与电化学极化

第五章电荷转移步骤动力学与电化学极化电荷转移步骤动力学与电化学极化是物理学中重要的研究领域之一,在材料科学、化学和电子工程等领域都有广泛的应用。

本文将从电荷转移步骤动力学和电化学极化两个方面进行介绍和讨论。

第五章:电荷转移步骤动力学电荷转移步骤动力学研究的是在化学反应、光电子器件和电池等过程中,电子和离子的传输过程。

这个过程通常包括以下几个步骤:电子从一个分子或物质转移到另一个分子或物质上,并伴随着电荷的重分布,使得系统的总能量发生变化。

这个过程的速率决定了反应动力学和物质传输的效率。

在电子转移步骤中,电荷输运的主要方式有两种:自由扩散和有界扩散。

自由扩散是指电荷无需受到限制地运动,而有界扩散是指电荷移动受到限制,比如在电极表面或界面处。

这两种方式的动力学行为有很大的差异,需要针对不同的应用场景进行研究和优化。

在电化学反应中,电荷转移步骤动力学对于理解反应速率和机制至关重要。

电荷转移反应通常包括电子转移和离子转移两个方面,比如在电化学电池中,电子可以从阴极转移到阳极,离子则在电解质中进行扩散。

这个过程经常涉及电极表面的催化作用和界面扩散效应,需要深入研究以提高电化学反应效率和电池性能。

另外,在光电子器件中,电荷转移步骤动力学也是一个重要的研究方向。

比如在太阳能电池中,光子的能量可以激发电子从价带跃迁到导带,形成电荷分离和传输。

了解光电子转移的动力学过程有助于设计和制备更高效的太阳能电池材料和结构。

电化学极化是指电化学系统中,由于电荷转移和离子扩散引起的极化现象。

在电化学过程中,电子和离子的传输会导致电位和电流的分布不均,进而引发电化学极化。

电化学极化可以分为电势极化、浓度极化和阻抗极化等几种不同类型。

电势极化是指由于电流通过电解质中导致的电位差,在电解质中产生的电场会改变电荷传输的速率。

浓度极化是指由于电极表面处离子浓度不均匀引起的电位差,从而影响电荷转移速率。

阻抗极化是指由于电池内部电阻的存在而影响电流的分布和传输速率。

电介质中电荷运动和电磁场分析

电介质中电荷运动和电磁场分析

电介质中电荷运动和电磁场分析电介质是指一类可以在外电场的刺激下发生电化学反应的物质,通常具有很高的电阻率和电容率。

在电介质中,电荷的运动和电磁场变化是相互关联的。

本文将简要介绍电介质中电荷运动和电磁场的相关理论。

1. 电介质中的电荷运动电介质中的电荷运动可以分为自由电荷和束缚电荷两种。

自由电荷是指在电场下自由移动的电子或正离子,它们在电场的作用下会产生电流。

束缚电荷则是指被电介质分子所束缚的电荷,在电场作用下只能发生微小的位移。

电介质中的电荷运动可以通过麦克斯韦方程组来描述。

其中,电介质中的电位移矢量D和电场强度矢量E之间的关系为:$D=\epsilon E$其中,ε是电介质的介电常数。

该式描述了电场对电介质中电荷的极化作用,从而影响了电介质的导电性和电容性。

2. 电磁场的分析电介质中的电荷运动和电磁场变化紧密相关。

在外电场作用下,电荷在电介质中的运动会引起电磁波的产生和传播。

电磁波是由振荡的电场和磁场构成的,它们在电介质中的传播速度取决于电介质的介电常数。

对于一个波长为λ的电磁波,其表达式为:$E=E_0sin(kx-\omega t+\phi)$其中,E0是电场的最大振幅,k和ω分别是波数和角频率,x是波的传播距离,t是时间,φ是初始相位差。

在电介质中,电磁波的传播速度为:$c=\frac{1}{\sqrt{\mu\epsilon}}$其中,c是光速,μ是磁导率,ε是介电常数。

该式说明了电磁波的传播速度取决于电介质的物理性质。

除了电磁波之外,电介质中也存在其他类型的电磁场。

例如静电场和恒定电场,它们都可以通过麦克斯韦方程组来描述。

总之,电介质中的电荷运动和电磁场变化是相互影响的。

通过对电介质的物理性质和电场的作用进行分析,我们可以更好地理解电介质中的电荷运动和电磁场变化。

第3章-电介质中的电荷转移

第3章-电介质中的电荷转移

nf (NNi )1/2 exp(Wf / 2kT).
(3.41)
液体或非晶固体中分子的离解
设中性分子浓度为N0,其按AB→A++B-离解时,单位体积离子数ni增加速度为
dni dt
N0
kT exp(Ea
/ kT) K0N0,
(3.43)
其中K0为反应速度常数.另一方面,离子A+和B-复合时使离子浓度减少速度为
(3.45)
离子迁移率
在气态物质中,离子的热运动平均速度,平均自由程及平均自由时间之关系为
v .
(3.46)
在外电场中,离子沿电场E方向的加速度为 a qE / m
(3.47)
其中,q-离子电荷, m-离子质量.当离子沿E方向平均迁移速度远小于平均热运动
速度时, 故迁移率
vd 1 a qE / 2m,
T0 3 / kn(E f ) .
小极化子的迁移
m pol
ea2 kT
Ph
ea 2 kT
Whk
T
J 2
exp(Wh
/ kT).
(3.70) (3.78)
(3.84) (3.85) (3.93)
交流电导
关于材料导电的机理可以从交流电导率得到.通过s(w)特性的不同可以预示载流 子在扩展态内运动,亦或在定域态内跳跃.
变化DS将由两部分组成: nf个空位出现于N个格点上的排列方式数为Pf, nf个离子 出现于Ni个空隙位置的排列数Pi. 故DS=klnPf+klnPi.即
DS k ln
N!
k ln Ni! .
(N n f )!n f !
(Ni nf )
(3.40)
若设nf«N,nf«Ni, 则由自由能极小条件可得
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当电子离开金属表面至距离x时,若0<x<x0≈10-7cm,则电子主要受短程力FA作用.当x>x0 时,电子主要受长裎力Fi的作用.
Fi是一种静电力.一个电子位于真空中x处,电导率很大的金属表面上将感应产生一个 正电荷.它对电子的作用力与在电子的镜像点(-x)处的真正的正电荷的作用相同.镜像 静电力为
T0 3 / kn(E f ) .
小极化子的迁移
m pol
ea2 kT
Ph
ea 2 kT
Whk
T
J 2
exp(Wh
/ kT).
(3.70) (3.78)
(3.84) (3.85) (3.93)
交流电导
关于材料导电的机理可以从交流电导率得到.通过s(w)特性的不同可以预示载流 子在扩展态内运动,亦或在定域态内跳跃.
(3.62)
对于n型材料,Ef靠近Ec;这时n增大而p减小.对于p型材料Ef靠近Ev;这时p>n.但任何情况下 np=ni2的关系不变.
缺陷能产生局域态-陷阱能级,被束缚的电子或空穴不能参与导电.设单位体积势能间隔的
电子陷阱数为Nt,空穴陷阱数为Pt;则被束缚的电子数nt和空穴数pt分别为
nt
nf (NNi )1/2 exp(Wf / 2kT).
(3.41)
液体或非晶固体中分子的离解
设中性分子浓度为N0,其按AB→A++B-离解时,单位体积离子数ni增加速度为
dni dt
N0
kT exp(Ea
/ kT) K0N0,
(3.43)
其中K0为反应速度常数.另一方面,离子A+和B-复合时使离子浓度减少速度为
dni / dt ni2.
因为复合速度比例于A+和B-的浓度,故上式右边出现ni的平方.当反应达到平衡时,
ni (N0K0 / )1/2 (N0kT / )1/2 exp( E a/ 2kT). (3.44)
由此的分子的离解度 K n / N0 (kT / N0)1/2 exp( Ea / 2kT).
m
q kT
0d 2
exp(Ed
/
kT)
(3.54)
与E无关,但随T近似指数地增大.
电介质中的传导电子
电介质中载流子的产生,可以是由于本征或杂质的热激发,从而出现传导电子与空穴.但 外电场、辐照、碰撞电离等也会产生体内载流子。
热平衡态下,非金属材料中本征载流子浓度可由Fermi分布函数得到。
1 f (E)
电介质物理 -第3章电介质中的电荷转移
3.1 电传导和电荷转移
电介质中的载流子及其迁移
电介质中总存在少量载流子(如本征激发或杂质激发的传导电子或空 穴、离子、荷电胶粒、离子团、空间电荷等),从而产生电导效应。
设第i种载流子的电荷绝对值、浓度、迁移率分别为ei,ni,mi,则每种载流
子贡献的电导率为
E0应等于两个积分之和
E0
x0 0
FAdx
x0 Fidx.
镜像力对E0和功函数均有贡献. 若存在(-x)方向的电场E,则(3.108)变为
V(x)=E0-eEx-e2/16e0x. 由此得到V(x)取极大值之位置
xm=(e/16e0E)1/2, 其值一般约为纳米量级.相应的V(xm)值为
Aexp(E / kT),
常称这种分布为Fermi分布的尾区(参看图3.13(b))。
在导带的能量区间dE中,若单位体积内的状态数目为D(E)dE, 则在dE间的电子浓度为 dn=f(E)D(E)dE.导带中的传导电子浓度为
n Em f (E)D(E)dE, E0
(3.57)
其中E0为导带底部边缘的能量,Em为电子可能占据的最高能级.
( A B) 0 exp[ (Ed m qEd / 2)kT].
(3.51)
沿E方向的迁移速度
vd ( A B)d ( A B)d ,
vd 20d exp(Ed / kT) sinh(Eqd / 2kT). 弱电场中Eqd «2kT,故上式近似为
(3.52)
vd mE, 其中迁移率
(3.53)
Ec Ev
f
( E ) Nt dE,
(3.63)
pt
Ec[1
Ev
f
( E )]Pt dE,
(3.64)
其中Nt和Pt均与E有关,这时材料电中性的条件为: n+nt=p+pt. 图3.13定性给出绝缘体或本征半导体的能带,分布函数f(E),电子态密度De,和空穴态密度Dh.
电子电导率
根据电子能带结构,可将电导划分为如下几种类型:
(3.45)
离子迁移率
在气态物质中,离子的热运动平均速度,平均自由程及平均自由时间之关系为
v .
(3.46)
在外电场中,离子沿电场E方向的加速度为 a qE / m
(3.47)
其中,q-离子电荷, m-离子质量.当离子沿E方向平均迁移速度远小于平均热运动
速度时, 故迁移率
vd 1 a qE / 2m,
Vm=E0-(e/16e0E)1/2, 从图3.25看出,外场等效地将功函数降低了
Df= (e3E/4e0)1/2.
(3.109)
(3.110) (3.111) (3.112) (3.113)
电极效应-场助热电子发射
定义有外电场时之功函数为
f(E)=fDf,
(3.114)
这时只要金属中电子沿x方向的动能
变化DS将由两部分组成: nf个空位出现于N个格点上的排列方式数为Pf, nf个离子 出现于Ni个空隙位置的排列数Pi. 故DS=klnPf+klnPi.即
DS k ln
N!
k ln Ni! .
(N n f )!n f !
(Ni nf )
(3.40)
若设nf«N,nf«Ni, 则由自由能极小条件可得
. ns )!ns!
(3.33)
体系的熵因而增加
DS=klnPs.
(3.34)
导电离子 -Schottky & Frenkel缺陷
因此,出现ns个空位时自由能增量为
DF=DU-TDS=nsEs-kTlnPs. 以式(3.33)与(3.35)代入(3.31)式,得
利用SterlingE近s 似k公T 式ns,当(lnxP很s )大时0. 有
(3.61)
其中Eg=Ec-Ev即禁带宽度.此时Fermi能级近似在禁带中部,即Ef=(Ec+Ev)/2.
电介质中的传导电子
对于搀杂和有缺陷的材料,电子可以由施主能级提供,
而空穴也可由受主能级提供;此时,n≠p. 但由热平衡
条件可以求出关系式
np ni2 NcNv exp(Eg / kT).
1 2
mvx2
EF
f(E).
(3.115)
它就可以穿越图3.25的势垒离开金属形成场助热发射电流.以f(E)代替f,方程(3.105)可改写为
2
(3.48)
m vd / E q / 2m.
(3.49)
在凝聚态物质中,离子迁移通常要跳跃势垒.单位时间跳跃次数可写为
n=n0exp(-Ed/kT), 其中, Ed-, n0-离子在平衡位置的振动频率.
(3.50)
离子迁移率
如图3.12所示,外电场E使正离子A和B的势能变化了±qEd/2, 其中d为AB之间 的距离.于是有电场时,式(3.50)变为
3.4 弱电场中的电流
直流离子电导 直流电子电导 交流电导
导电离子 -Schottky & Frenkel缺陷
晶体在绝对零度之上存在本征点缺陷:Schottky缺陷(空位式点缺陷)&Frenkel缺 陷(填隙式点缺陷: 空位-填隙离子).
设晶体中含有N个相同离子,晶体体积与温度关系可忽略.产生一个空位所需能
电极效应 -场助热电子发射
强电场下绝缘体中的载流子可以来自金属电极.在高温下金属中的自由电子可以离开 电极形成电子热发射,Rechardson方程描述了次过程.极强的电场也可以将电子从金属 中拉出来形成场致发射(用Fowler-Nordheim方程描述).
在中等温度和中等强度电场作用下,可以出现由Schottky方程描述的场助发射.
电介质中的传导电子
导带底部的态密度可近似地表示为
D(E)
1
2
2
(2me*
/
)3/2 (E
Ec )1/2 ,
因此,(3.57)式的积分给出
(3.58)
n
Nc
exp
E f Ec kT
, Nc
2(me2kT
/
22
)3/2 ,
(3.59)
其中, Nc可理解为导带底部的等效态密度,me*为传导电子的等效质量.用类似方法可得价带
量Es定义为将晶体内部格点上的一个离子移至晶体表面所做的功,设Es与温度 无关.体系自由能F=U-TS与空位浓度ns有关.在热平衡态下F应为极小,即
(F / ns )T 0
(3.31)
形成ns个空位,使内能增加 DU ns Es.
(3.32)
在N个格点中出现ns个空位的可能排列数为
N!
Ps
(N
随w的增加稍微下降.
3.5 强电场中的电流
电极效应
热电子发射 场助电子热发射 电子隧道发射
体效应
电极效应-热电子发射
金属的自由电子模型可以满意地描述电子从金属至真空中的热电子发射.首
先假设,金属中的自由电子必须克服金属表面的势垒才能进入真空中(图3.24).
其必要条件是电子沿x方向的速度分量必须达到下式定义的临界速度.
Fi=-e2/4e0(2x)2, x>x0.
电子在镜像电荷场中的势能
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