晶体管和场效应管
复合管 晶体管+场效应管
复合管晶体管+场效应管
晶体管与场效应管的复合管
晶体管和场效应管是两种常见的半导体器件，它们在电子设备中广泛应用。
晶体管是一种三端器件，通过控制一个输入信号来控制另一个输出信号。
而场效应管是一种四端器件，通过改变栅极电场来控制电流流动。
为了将它们的优点结合起来，人们发展了一种新型器件，即晶体管与场效应管的复合管。
复合管兼具了晶体管和场效应管的特点。
它能够在低电平控制下工作，具有低功耗和高开关速度的特性。
同时，它还继承了晶体管的电流放大和场效应管的高输入电阻的优势。
因此，在一些特定的应用场景中，复合管比单独使用晶体管或场效应管更具优势。
复合管的结构和工作原理可以根据具体的设计而有所差异，但一般来说，它的结构包括了基底、栅极、源极和漏极。
基底用来提供电流传导的路径，栅极用来控制电流的流动，源极和漏极则用来连接外部电路。
通过调节栅极电压来控制电流的大小，从而实现对复合管的控制。
在实际应用中，复合管可以用于控制电池管理系统、电源管理系统、电机驱动系统等。
它的高效率和可靠性使得电子设备可以在更低功耗的情况下实现更高的性能。
此外，由于复合管结构相对简单，制造成本相对较低，也可以降低电子设备的制造成本。
总之，晶体管与场效应管的复合管是一种具有晶体管和场效应管特性的新型器件。
它的出现在一定程度上克服了晶体管和场效应管的局限性，提高了电子设备的性能和可靠性。
随着科技的发展，复合管有望在更多领域中得到应用，为电子技术的进步贡献力量。
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中广泛使用的两种主要的电子器件。
他们在放大、开关和电路控制等方面起着重要作用。
下面将详细介绍常用场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管（FET）的参数1. 空载传导（Idss）：空载传导是指当栅极-源电压为零时的最大漏极-源极电流。
这个参数表示了当栅极完全封闭时，通过FET的最大电流。
2. 门源截止电压（VGS(off)）：当栅极-源电压为零时，FET将完全关闭，不传导漏极电流。
这个参数可以用来确定FET的静态工作点。
3. 饱和电压（VDS(sat)）：饱和电压是指，在给定的栅极-源极电压和栅极电压下，漏极-源极电流达到饱和状态时的漏极-源极电压。
在这个电压下，FET可以传导最大电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指当栅极电压变化时，所需的输入电荷的数量，单位为法拉。
这个参数表示了栅极电压对FET的效果。
5. 输出电导（Drain-to-Source On-Resistance，RDS(on)）：输出电导是指当FET完全开启时，漏极-源极电阻的值。
值越小，FET的效果越好。
二、晶体管（BJT）的参数1. 最大集电极电流（Ic(max)）：最大集电极电流是指晶体管能够承受的最大电流值。
超过这个电流值会导致晶体管损坏。
2. 饱和电流（Ic(sat)）：饱和电流是指当基极电流大到一定程度时，集电极-发射极电流稳定在最大值的状态。
此时，晶体管工作在饱和区，可以作为开关使用。
3. 直流增益（DC Current Gain，hFE）：直流增益是指当基极电流增大时，集电极电流相对于基极电流的放大倍数。
该参数用来描述晶体管的放大能力。
4. 射极漏电流（Iceo）：射极漏电流是指当基极电流为零时，集电极-发射极间的非控制电流。
此时，晶体管处于关闭状态。
5. 输入电容（Cbe）：输入电容是指当基极电压变化时，所需的输入电荷的数量。
这个参数表示了基极电压对晶体管的效果。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
场效应管与晶体管的比较
3.3 场效应管的参数和小信号模型
3.3.1 场效应管的主要电参数 3.3.2 场效应管的小信号模型 3.3.3 场效应管与晶体管的比较
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路 结型（JFET）符号
N沟道
P沟道
d
d
g
g
s
s
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
绝缘栅型(MOSFET)符号
g
s
(2) 管子工作在放大区有
iD
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
IDSS [1
uGS ]2 U G S(of f )
不同点：
耗尽型
耗尽型：UGS 可正可负可为零 结型： UGS 0， 只能小于或等于零 0
d
g
s
结型
0
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术
耗尽型
N沟道
D
G
S
增强型
D
G
S
P沟道
D G
S D
G S
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
3.3.3 场效应管与晶体管的比较
d
c
g
b
（1） 导电机理
T
场效应管是利用一种极性载流子导电的。 s
e
在双极型晶体管中两种极性的载流子（电子和空穴）
同时参与了导电。
（2）结构对称性
场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用。
增强型： 当
时，
iD K[uGS - UGS(th) ]2 gm 2 KIDQ
0
耗尽型： 当
时，
iD
I DSS
(1
uGS )2 U G S(of f )
场效应管和晶体管的区别
场效应管和晶体管的区别2009年03月26日星期四 16:041. 场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源极（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极（b）、集电极（c）、发射极（e）。
场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。
绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。
它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功放输入级（前级），绝缘栅型场效应管则用在功放末级（输出级）。
2. 双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。
场效应管是电压控制器件，栅极（G）基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。
而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的电压放大倍数。
3. 场效应管是利用多子导电（多子：电子为多数载流子，简称多子），而晶体管是既利用多子，又利用少子（空穴为少数载流子，简称少子），由于少子的浓度易受温度，辐射等外界条件的影响，因此在环境变化比较剧烈的条件下，采用场效应管比较合适。
4. 功率放大电路是一种弱电系统，具有很高的灵敏度，很容易接受外界和内部一些无规则信号的影响，也就是在放大器的输入端短路时，输出端仍有一些无规则的电压或电流变化输出，利用示波器或扬声器就可觉察到。
这就是功率放大器的噪声或干扰电压。
噪声所产生的影响常用噪声系数Nf 表示，单位为分贝（dB），Nf越小越好，Nf=输入信号噪声比/输出信号噪声比，晶体管的噪声来源有三种：⑴热噪声：由于载流子不规则的热运动，通过半导体管内的体电阻时而产生；⑵散粒噪声：通常所说的三极管中的电流只是一个平均值，实际上通过发射结注入基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而引起发射极电流或集电极电流有一无规则的流动，产生散粒噪声；⑶颤动噪声：晶体管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚，但被设想为载流子在晶体表面的产生和复合所引起，因此与半导体材料本身及工艺水平有关。
晶体管,场效应晶体管工作原理
晶体管，场效应晶体管工作原理 晶体管工作原理
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看下。
下图中的S是指源极（Source），D是指漏极（Drain），G是栅极（Gate）。
晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。
晶体管工作原理
源极和漏极之间是沟道，当没有对栅极（G）施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极（S）和漏极（S）之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。
可以把这种关闭的状态解释为“0”。
当对栅极（G）施加电压
的时候，沟道中会聚集有效的电荷，形成一条从源极（S）到漏极（D）导通的通道，晶体管处于开启状态，可以把这种状态解释为“1”。
这样二进制的两个状态就由晶体管的开启和关闭状态表示出来了。
晶体管工作原理
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。
可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。
晶体管工作原理
对应于三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。
在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以保证场效应管可以正常工作。
所加负向电压越大，在PN结处所形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小；反之，所加负向电压越小，在PN结处所形成的
耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。
由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。
常用场效应管及晶体管参数66681
常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。
它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。
本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。
1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。
1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。
1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。
1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。
1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。
1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。
2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。
2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。
2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。
2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。
3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。
场效应管和晶体管的异同
晶体管的结构和特性
晶体管由三个半导体层（发射极、基极和集电极）组成，通过电流控制其开关状态。
晶体管具有放大信号的作用，可用于信号放大、振荡和开关电路等。
根据结构不同，晶体管可分为NPN和PNP两种类型，其工作原理和特性略有不同。
晶体管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线，反映了晶体管在不同工作条件下的性能表 现。
在模拟电路和数字电路中均 有广泛应用
晶体管定义
晶体管是由半导体材料制成的电子器件 晶体管具有放大、开关、振荡等功能 晶体管由三个电极（基极、集电极和发射极）组成 晶体管可分为NPN和PNP两种类型
异同点概述
同处：都是半导体器件，具 有放大作用。
异处：场效应管是电压控制器 件，晶体管是电流控制器件。
晶体管工作原理
晶体管由三个半 导体组成，包括 两个N型和一个P 型半导体，中间 是P型半导体，两 侧是两个N型半导 体。
当基极（B）电压 变化时，基极-发 射极（B-E）之间 的电压发生变化， 进而控制集电极 （C）和发射极 （E）之间的电流。
晶体管的工作原 理是通过控制基 极电流来控制集 电极电流，从而 实现信号放大或 开关作用。
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场效应管输入阻抗高，适用于低噪 声放大器；晶体管输出阻抗低，适 用于功率放大器。
场效应管在开关状态下的效率较高； 晶体管在放大状态下的效率较高。
结构和特性的异 同
场效应管的结构和特性
结构：由源极、栅极、漏极三个电极组成，源极和漏极之间是导电沟道 特性：电压控制型器件，输入阻抗高，噪声低，热稳定性好 工作原理：通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流 应用：放大器、振荡器、开关电路等
晶体管的放大系 数取决于基极和 发射极之间的电 压差，以及集电 极和基极之间的 电压。
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晶体管和场效应管
晶体管和场效应管是现代电子技术中使用广泛的两种重要元件。
它
们在电路中发挥着非常重要的作用，促进了电子设备的不断发展和进步。
本文将对晶体管和场效应管进行详细介绍，包括它们的结构、工
作原理以及应用领域。
一、晶体管
晶体管是一种半导体器件，由三个不同掺杂的层级组成，分别是基底、发射区和集电区。
晶体管的结构决定了它具有放大和开关两种基
本功能。
1. 结构
晶体管由两种材料构成，一种是N型半导体，另一种是P型半导体。
晶体管的三个层级——发射区、集电区和基底分别对应着NPN和PNP
的结构。
发射区和集电区之间夹着一个非掺杂的绝缘材料，称为垫片。
2. 工作原理
当在发射区施加一个正向电压时，由于PN结的压降，使得PN接
触的区域形成开路。
而一旦发射区施加的电压大于某一阈值，PN接触
区域就会呈现导电状态，电子可以从发射区跨过PN结，流入集电区。
这样一来，晶体管就可以实现电流放大的功能。
晶体管的工作过程可以分为三个阶段：放大阶段、切换阶段和截断
阶段。
在放大阶段，晶体管的发射区电流和集电区电流的比值决定了
信号的放大倍数；在切换阶段，发射区电流不足以跨过PN结的电压并形成导电状态，导致晶体管切换到关断状态；在截断阶段，晶体管实
际上是一个开关，完全截断了电流的流动。
3. 应用领域
晶体管的广泛应用领域包括电子通讯、计算机、音频和视频设备等。
晶体管的小体积、低功耗以及可靠性等优点使得它成为现代电子产品
中的关键元件。
二、场效应管
场效应管是另一种重要的半导体器件，通过电场控制电载流子的通道，从而实现对电流的控制。
与晶体管相比，场效应管具有更高的输
入阻抗和更低的功耗。
1. 结构
场效应管由多层不同掺杂的半导体材料构成。
通常包括掺杂浓度较
高的汇集区、控制区和栅极。
2. 工作原理
场效应管的工作原理是基于阻挡层控制电流的流动。
通过施加栅极
电压，可以改变阻挡层的电场，从而调节通道中的载流子数量。
当栅
极电压为0时，阻挡层完全堵塞了载流子的通道，电流无法通过；而
当栅极电压发生变化时，阻挡层会减弱或消失，允许电流通过。
3. 应用领域
场效应管在集成电路和微电子领域得到广泛应用。
由于其高输入阻抗、低噪声以及快速响应的特点，使得场效应管在放大器、开关电路、电压控制振荡器等电子设备中具有重要地位。
总结：
晶体管和场效应管作为现代电子技术中的两种重要元件，各自具有
独特的结构和工作原理。
晶体管通过电流放大来实现信号增强和开关
功能，而场效应管则是通过改变电场控制电流的流动。
它们在电子通讯、计算机和音频等领域发挥着重要作用，推动了电子设备的不断发
展和进步。
随着技术的不断创新，晶体管和场效应管仍有着广阔的应
用前景。