半导体工艺生产
半导体生产工艺流程
半导体生产工艺流程1.原材料准备：半导体生产的原材料主要包括硅、氮化镓、砷化镓、硒化镉等。
首先需要对原材料进行加工和准备，以确保其质量和纯度。
2.原料制备：原材料通过熔炼、混合等工艺制备成为用于生产半导体的原料。
3.单晶生长：利用单晶生长技术，在高温下将原料转化为单晶硅或其他单晶半导体材料。
这一步骤是半导体生产的核心步骤，决定了半导体器件的质量和性能。
4.切割：将生长的单晶材料切割成片，通常为几毫米到几十毫米的薄片。
这些切割片将用于制造半导体器件。
5.清洗：将切割后的半导体片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
6.晶圆制备：将清洗后的半导体片进行研磨和打磨，使其表面光滑均匀，并进行化学处理，以增强半导体片的表面特性。
7.掺杂和扩散：将半导体片通过高温处理，将掺杂剂引入其表面，使其在特定区域具有特定的电子特性。
8.晶圆涂覆：在半导体片表面涂覆保护层，以防止金属和氧气等杂质的侵入。
9.制造半导体器件：在半导体片上通过光刻、蒸发等工艺制造半导体器件的结构和元件。
这些器件可能包括晶体管、二极管、集成电路等。
10.清洗和测试：对制造完成的半导体器件进行清洗和测试，以验证其质量和性能。
11.封装和封装测试：将半导体器件封装在塑料或陶瓷封装中，并进行封装测试，以确保器件的可靠性和稳定性。
12.探针测试：将封装好的器件进行探针测试，以验证其电性能和功耗等指标。
13.成品测试和筛选：对探针测试合格的器件进行成品测试和筛选，以确保其质量符合要求。
14.包装和成品测试：将成品封装好，并进行最终的成品测试和筛选，以确保其质量和性能。
15.成品存储和交付：将符合要求的成品进行分类、存储和交付，以供后续使用或销售。
以上是半导体生产工艺流程的主要步骤，其中涉及多种专业技术和设备的应用。
这些步骤的顺序和细节可能会因不同的半导体产品而有所不同，但总体流程是大致相似的。
半导体生产工艺的不断改进和创新，是推动半导体产业发展和技术进步的重要驱动力量。
半导体的生产工艺流程
半导体的生产工艺流程1.晶圆制备：晶圆制备是半导体生产的第一步，通常从硅片开始。
首先，取一块纯度高达99.9999%的单晶硅，然后经过脱氧、精炼、单晶生长和棒状晶圆切割等步骤，制备出硅片。
这些步骤的目的是获得高纯度、无杂质的单晶硅片。
2.晶圆加工：晶圆加工是将硅片加工成具有特定电子器件的过程。
首先，通过化学机械抛光（CMP）去除硅片上的表面缺陷。
然后，利用光刻技术将特定图案投射到硅片上，并使用光刻胶保护未被刻蚀的区域。
接下来，使用等离子刻蚀技术去除未被保护的硅片区域。
这些步骤的目的是在硅片上形成特定的电子器件结构。
3.器件制造：器件制造是将晶圆上的电子器件形成完整的制造流程。
首先，通过高温扩散或离子注入方法向硅片中掺杂特定的杂质，以形成PN结。
然后，使用化学气相沉积技术在硅片表面沉积氧化层，形成绝缘层。
接下来，使用物理气相沉积技术沉积金属薄膜，形成电压、电流等电子元件。
这些步骤的目的是在硅片上形成具有特定功能的电子器件。
4.封装测试：封装测试是将器件封装成实际可使用的电子产品。
首先，将器件倒装到封装盒中，并连接到封装基板上。
然后，通过线缆或焊接技术将封装基板连接到主板或其他电路板上。
接下来，进行电极焊接、塑料封装封装，形成具有特定外形尺寸和保护功能的半导体芯片。
最后，对封装好的半导体芯片进行功能性测试和质量检查，以确保其性能和可靠性。
总结起来，半导体的生产工艺流程包括晶圆制备、晶圆加工、器件制造和封装测试几个主要步骤。
这些步骤的有机组合使得我们能够生产出高性能、高效能的半导体器件，广泛应用于电子产品和信息技术领域。
半导体八大工艺顺序
半导体八大工艺顺序半导体八大工艺顺序，是指半导体制造过程中的八个主要工艺步骤。
这些工艺步骤包括晶圆清洗、光刻、沉积、刻蚀、扩散、离子注入、退火和包封。
下面将逐一介绍这些工艺步骤的顺序及其作用。
1. 晶圆清洗晶圆清洗是半导体制造过程中的第一步。
在这一步骤中，晶圆将被放入化学溶液中进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这样可以确保后续工艺步骤的顺利进行，同时也可以提高器件的质量和性能。
2. 光刻光刻是半导体制造中的关键工艺步骤之一。
在这一步骤中，将使用光刻胶覆盖在晶圆表面上，并通过光刻机将图形投射到光刻胶上。
然后，利用化学溶液将未曝光的光刻胶去除，从而形成所需的图形。
3. 沉积沉积是指在晶圆表面上沉积一层薄膜的工艺步骤。
这一层薄膜可以用于改变晶圆表面的性质，增加其导电性或绝缘性。
常用的沉积方法包括化学气相沉积和物理气相沉积。
4. 刻蚀刻蚀是将多余的材料从晶圆表面去除的工艺步骤。
在这一步骤中，利用化学溶液或等离子刻蚀机将不需要的材料去除，从而形成所需的图形和结构。
5. 扩散扩散是将杂质或掺杂物diffused 到晶圆中的工艺步骤。
这一步骤可以改变晶圆的电学性质，并形成PN 结等器件结构。
常用的扩散方法包括固体扩散和液相扩散。
6. 离子注入离子注入是将离子注入到晶圆中的工艺步骤。
这可以改变晶圆的导电性和掺杂浓度，从而形成电子器件的结构。
离子注入通常在扩散之前进行。
7. 退火退火是将晶圆加热至一定温度并保持一段时间的工艺步骤。
这可以帮助晶圆中的杂质扩散和掺杂物活化，从而提高器件的性能和稳定性。
8. 包封包封是将晶圆封装在外部保护材料中的工艺步骤。
这可以保护晶圆不受外部环境的影响，同时也可以方便晶圆的安装和使用。
半导体制造过程中的八大工艺顺序是一个复杂而精密的过程。
每个工艺步骤都起着至关重要的作用，只有严格按照顺序进行，才能生产出高质量的半导体器件。
希望通过本文的介绍，读者对半导体制造过程有了更深入的了解。
半导体生产工艺流程
半导体生产工艺流程
《半导体生产工艺流程》
半导体生产是一项极其精密和复杂的工艺流程，通常包括数十个步骤。
在半导体生产工艺中，最常见的材料是硅，因为硅具有优良的半导体特性，可以被用来制造微型电子器件。
下面是一个简单的半导体生产工艺流程的概要：
1. 清洗和去除杂质：首先，硅片需要经过严格的清洗和去除杂质的步骤，以确保表面的纯净度和平整度。
2. 氧化：接下来，硅片需要进行氧化处理，将表面形成一层氧化膜，以提高硅片的电气性能和机械强度。
3. 光刻：在光刻过程中，通过光刻胶和紫外光的照射，将所需的图案形成在硅片表面上，从而准确地定义出电子器件的结构。
4. 蚀刻：使用化学液体或等离子体等方法，将光刻所定义的图案蚀刻到硅片表面上，形成所需的微型结构。
5. 沉积：在沉积过程中，通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法，将金属或其他材料沉积到硅片表面上，形成导线、电极等部分。
6. 腐蚀：在腐蚀步骤中，通过化学或物理方法，将不需要的材料层去除，从而形成日后需要的电子器件结构。
7. 打孔和导线铺设：最后，通过打孔和导线铺设的步骤，连接各个电子器件，形成完整的电路。
整个工艺流程中，每一个步骤都需要极其严格的控制和精密的操作，以确保最终的产品质量。
同时，半导体生产工艺也需要不断的创新和改进，以应对日益复杂和高性能的电子器件需求。
随着技术的不断进步，半导体生产工艺也在不断演进，将为人类带来更多的科技进步和便利。
半导体生产工艺
半导体生产工艺
1 半导体产业的简介
半导体技术是经过许多复杂工序所构成的一种微电子产品，被广
泛应用于电子，家用电器和工业设备等领域。
半导体技术主要利用不
导电材料制成集成电路，以存储和处理电子信号，在计算机，手机，
社交媒体，通信和医疗设备中有着重要的用途。
2 半导体生产工艺
半导体制造需要经过复杂的工艺流程，主要包括晶体制备，晶片
加工，晶片装载，晶片测试，晶片封装和外壳装配等几个阶段。
1) 晶体制备：在晶体制备阶段，一块原始晶体（一般是硅或硅锗）会被精细加工成细微的电子器件，然后被切割成各种形状和大小。
2) 晶片加工：在这一阶段，晶片会被暴露到高温高压下，并带有
金属材料，激光和化学成分，以形成晶片要求的参数，例如尺寸，导
通率和面积，以及用以连接其他元件的电路走线图。
3) 晶片装载：晶片装载是把晶片放置到电容器中的过程，电容器
由金属材料和绝缘材料构成，可以确保晶片的完整性和安全性。
4) 晶片测试：在这一步，晶片会收到一系列的压力测试，检查其
功能性和寿命。
5) 晶片封装：晶片封装是将晶片封装在一个塑料或陶瓷外壳中以防止环境因素对其施加影响的过程。
6）外壳装配：这一阶段是将所有部件组织在一起，然后使用热熔胶固定住以制造一个完整的半导体元件。
3 结论
半导体是一种复杂的微电子技术，它被广泛应用于现代计算机，手机，医疗设备等等。
制造一个完整的半导体元件需要通过多个复杂的生产工艺过程，从晶体制备到晶片测试，晶片封装，外壳装配等。
半导体产业技术的发展一定会给我们的生活带来意想不到的惊喜。
半导体生产工艺流程
半导体生产工艺流程半导体生产工艺是一项复杂而精密的过程，它涉及到许多工艺步骤和技术要求。
在半导体生产工艺流程中，主要包括晶圆加工、光刻、薄膜沉积、离子注入、退火、化学机械抛光等环节。
下面将逐一介绍这些工艺步骤及其在半导体生产中的作用。
首先是晶圆加工。
晶圆加工是半导体生产的第一步，它主要包括晶圆切割、清洗、去除氧化层等工艺。
晶圆切割是将单晶硅锭切割成薄片，然后对其进行清洗和去除氧化层处理，以便后续工艺的进行。
接下来是光刻工艺。
光刻工艺是通过光刻胶和掩模板，将图形影像转移到晶圆表面的工艺。
它的主要作用是定义芯片上的电路图形和结构，为后续的薄膜沉积和离子注入提供图形依据。
然后是薄膜沉积。
薄膜沉积是将各种材料的薄膜沉积到晶圆表面，以实现半导体器件的功能。
常见的薄膜沉积工艺包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等，它们可以实现对材料的精确控制和沉积。
离子注入是半导体工艺中的重要步骤。
离子注入是通过加速器将掺杂原子注入到晶体中，改变其导电性能和器件特性。
离子注入工艺可以实现对晶体材料中杂质原子的控制，从而实现对半导体器件性能的调控。
退火是半导体生产中的一个重要环节。
退火工艺是将晶圆在高温条件下进行热处理，以消除材料内部的应力和缺陷，提高晶体的结晶质量和电学性能。
最后是化学机械抛光。
化学机械抛光是将晶圆表面的氧化层和残留杂质去除，使晶圆表面变得光滑平整，以便后续的工艺步骤和器件制作。
总的来说，半导体生产工艺流程是一个复杂而精密的过程，它涉及到多个工艺步骤和技术要求。
每一个工艺步骤都对半导体器件的性能和质量有着重要的影响，需要严格控制和优化。
只有在严格遵循工艺流程和技术要求的前提下，才能生产出高性能、高可靠性的半导体器件。
半导体制造流程及生产工艺流程
半导体制造流程及生产工艺流程1.原料准备：半导体制造的原料主要是硅（Si），通过提取和纯化的方式获得高纯度的硅单晶。
2. 晶圆制备：将高纯度的硅原料通过Czochralski或者Float Zone方法，使其形成大型硅单晶圆（晶圆直径一般为200mm或300mm）。
3.表面处理：进行化学机械抛光（CMP）和去杂质处理，以去除晶圆表面的污染物和粗糙度。
4.晶圆清洗：使用化学溶液进行清洗，以去除晶圆表面的有机和无机污染物。
5.硅片扩散：通过高温反应，将所需的杂质（如磷或硼）掺杂到硅片中，以改变其电子性质。
6.光刻：在硅片上涂覆光刻胶，并使用掩模板上的图案进行曝光。
然后将光刻胶显影，形成图案。
7.蚀刻：使用化学溶液进行蚀刻，以去除未被光刻胶所保护的区域，暴露出下面的硅片。
8.金属蒸镀：在硅片表面沉积金属层，用于连接电路的不同部分。
9.氧化和陶瓷：在硅片表面形成氧化层，用于隔离不同的电路元件。
10.电极制备：在硅片上形成金属电极，用于与其他电路元件连接。
11.测试和封装：将晶圆切割成单个芯片，然后对其进行测试和封装，以确保其性能符合要求。
以上是半导体制造的主要步骤，不同的半导体产品可能还涉及到其他特定的工艺流程。
此外，半导体制造过程还需要严格的质量控制和环境控制，以确保产品的可靠性和性能。
不同的半导体生产流程会有所不同，但大致上都包含以下几个关键的工艺流程：1. 前端制程（Front-end Process）：包括晶圆清洗、来料检测、扩散、光刻、蚀刻、沉积等步骤。
这些步骤主要用于在硅片上形成电子元件的结构。
2. 中端制程（Middle-end Process）：包括溅射、化学机械抛光、化学物理蚀刻、金属蒸镀等步骤。
这些步骤主要用于在晶圆上形成连接电子元件的金属线路。
3. 后端制程（Back-end Process）：包括划片、电极制备、测试、封装等步骤。
这些步骤主要用于将芯片进行切割、封装，以及测试芯片的性能。
半导体 生产工艺
半导体生产工艺一、引言半导体生产工艺是制造半导体器件和集成电路的关键过程。
这些工艺涉及到多个复杂的技术和操作，以确保最终产品的性能和可靠性。
本文将详细介绍半导体生产工艺的各个环节，包括晶圆制备、薄膜沉积、刻蚀与去胶、离子注入、退火与回流、金属化与互连、测试与封装以及可靠性验证等方面。
二、晶圆制备晶圆是半导体制造的基础，其质量直接影响到后续工艺的进行和最终产品的性能。
晶圆制备通常包括以下几个步骤：1.原材料准备：选用高纯度的硅、锗等材料作为晶圆的原材料。
2.切割：将大块材料切割成适当大小的小片，即晶圆。
3.研磨和抛光：对晶圆表面进行研磨和抛光，以去除表面缺陷和杂质。
4.清洗：用化学试剂清洗晶圆表面，去除残留杂质和污染物。
三、薄膜沉积薄膜沉积是半导体制造中的重要环节，用于在晶圆表面形成各种功能薄膜。
常见的薄膜沉积方法包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和分子束外延（MBE）等。
这些方法根据需要形成不同类型的薄膜，如金属薄膜、介质薄膜和半导体薄膜等。
四、刻蚀与去胶刻蚀是通过化学或物理方法将不需要的材料去除，以形成电路图案和结构。
去胶则是去除在制造过程中形成的有机残留物和其他不需要的材料。
刻蚀和去胶的精度和一致性对最终产品的性能至关重要。
五、离子注入离子注入是将特定元素离子注入到半导体材料中，以改变材料的导电性质和结构。
这一过程对于制造具有特定性能的半导体器件至关重要。
六、退火与回流退火是将材料加热到一定温度并保持一段时间，以消除内应力、稳定结构和优化性能的过程。
回流则是将熔融的焊料回流到连接处，以实现金属间的连接。
退火和回流对于提高器件可靠性和稳定性具有重要作用。
七、金属化与互连金属化是形成导电电路的过程，通常采用各种金属材料（如铜、铝等）在半导体表面形成导线、焊点和连接等。
互连则是通过金属化实现的各个组件之间的连接。
金属化与互连对于确保半导体器件的功能和性能至关重要。
八、测试与封装测试是对制造过程中的各个阶段进行检测和评估，以确保产品质量和可靠性。
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半导体制造环境要求
• 主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有 机物残留物和钠离子等轻金属例子。
• 超净间：洁净等级主要由 微尘颗粒数/m3
0.1um I级 35 10 级 350 100级 NA 1000级 NA
第四次光刻—N+发射区扩散孔
• 集电极和N型电阻的接触孔,以及外延层的反偏孔。 • Al—N-Si 欧姆接触：ND≥1019cm-3，
P P+
N+-BL
N+
P+ NP-epi
P+
N+-BL
P-SUB
SiO2
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—扩散
第一次光刻—N+埋层扩散孔
• 1。减小集电极串联电阻 • 2。减小寄生PNP管的影响
要求： 1。 杂质固浓度大
SiO2
2。高温时在Si中的扩散系数小，
以减小上推
N+-BL
3。 与衬底晶格匹配好，以减小应力
P-SUB
涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗 —去膜--清洗—N+扩散(P)
第五次光刻—引线接触孔
•
SiO2
P P+
N+-BL
P N-epi P+ N-epi
N+ P+
N+-BL
P-SUB
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗
第六次光刻—金属化内连线：反刻铝
•
AL
P
P
P+
N-epiP+N-epi
N+ P+SiO2
N+-BL
• 2。阱区注入及推进，形成阱区
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 3。去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 4。光II---有源区光刻
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
现在主要应用技术:等离子体刻蚀
常见湿法蚀 刻 技 术
腐蚀液
被腐蚀物
H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O: Al NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01
N+-BL
P-SUB
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—蒸铝
CMOS工艺集成电路
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 1。光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔
SiO2
N-Si
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
HCl:H2O2:H2O
=1:1:5
溶液槽
除去表面颗粒
除去重金属粒 子
DI清洗
去离子水
溶液槽
除去清洗溶剂
光学显影
光学显影是在感光胶上经过曝光和显影的程序， 把光罩上的图形转换到感光胶下面的薄膜层 或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、 烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。
关键技术参数:最小可分辨图形尺寸Lmin(nm) 聚焦深度DOF
B+
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 10。光Ⅶ---N管场区光刻，N管场区注入， 形成NMOS的源、漏区及N+保护环。
As 光刻胶
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 11。长PSG（磷硅玻璃）。
N+ N+ P-
P+
N-Si
PSG P+
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
曝光方式:紫外线、X射线、电子束、极紫外
蝕刻技術（Etching Technology）
蝕刻技術（Etching Technology）是將材料使用化學 反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為:
濕蝕刻（wet etching）:濕蝕刻所使用的是化學溶液， 在經過化學反應之後達到蝕刻的目的.
乾蝕刻（dry etching）:乾蝕刻則是利用一种電漿蝕 刻（plasma etching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可 能是電漿中离子撞擊晶片表面所產生的物理作用， 或者是電漿中活性自由基（Radical）与晶片表面原 子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的复合作 用。
衬底制备 一次氧化 隐埋层光刻 隐埋层扩散
外延淀积
基区光刻
再氧化
隔离扩散
隔离光刻
基区扩散 再分布及氧化 发射区光刻 背面掺金
热氧化 发射区扩散
铝合金
反刻铝
铝淀积
接触孔光刻 再分布及氧化
淀积钝化层 压焊块光刻
中测
横向晶体管刨面图
B
C E
P+
P N
P
P+
P
PNP
纵向晶体管刨面图
CBE P
N
N+ C
B
VCC AL
N+
P+
P-SUB
集成电路中电阻2
发射区散电阻
SiO2
R
P+ N+
N-epi N+-BL
P-SUB
R P+
集成电路中电阻3
基区沟道电阻
SiO2 P+
R
N+
P N-epi
N+-BL
P-SUB
R P+
集成电路中电阻4
外延层电阻
SiO2
R
N+
R
P+
P
P+
N-epi
P-SUB
集成电路中电阻5
半导体制造工艺流程
半导体相关知识
• 本征材料：纯硅 9-10个9
250000Ω.cm
• N型硅： 掺入V族元素--磷P、砷As、锑 Sb
• P型硅： 掺入 III族元素—镓Ga、硼B
• PN结：
P
-
-
++ + ++
N
半 导体元件制造过程可分为
• 前段（Front End）制程 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）、 晶圆针测制程（Wafer Probe）；
E p+
N P
NPN
PNP
NPN晶体管刨面图
SiO2
B
N+ E
AL C
P
P+
P+
N-epi
N+-BL
P-SUB
1.衬底选择
P型Si ρ 10Ω.cm 111晶向,偏离2O~5O
晶圆（晶片） 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始， 经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由 盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透 过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶 硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再 利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分 长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半 时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导 体之原料 晶圆片
MOS中多晶硅电阻
多晶硅
SiO2
氧化层
Si
其它：MOS管电阻
集成电路中电容1
SiO2 P+
A-
N+E P+-I
N+-BL P-SUB
B+
A-
B+
N P+ Cjs
发射区扩散层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容
集成电路中电容2
N+
MOS电容
SiO2 P+
AL
N+ N-epi
P-SUB
Al P+
主要制程介绍
• A 铝栅工艺 • B 硅 栅工艺 • 其他分类 1 、（根据沟道） PMOS、NMOS、CMOS 2 、（根据负载元件）E/R、E/E、E/D
半导体制造工艺分类
• 三 Bi-CMOS工艺： A 以CMOS工艺为基础 P阱 N阱
B 以双极型工艺为基础
双极型集成电路和MOS集成电 路优缺点
双极型集成电路 中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比 较大 CMOS集成电路
0.2um 0.3um 7.5 3 75 30 750 300
NA NA
0.5um 1 10 100
1000
5.0um NA NA NA 7
半 导体元件制造过程
前段（Front End）制程---前工序
晶圆处理制程（Wafer Fabrication； 简称 Wafer Fab）
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程
• 5。光III---N管场区光刻，N管场区注入， 以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱 的接触。
B+
光刻胶
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 6。光III---N管场区光刻，刻出N管场区 注入孔； N管场区注入。
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
外延层淀积
1。VPE（Vaporous phase epitaxy) SiCl4+H2→Si+HCl 2。氧化