现代半导体器件物理与工艺(全套课件) 上共204页
半导体器件物理与工艺资料PPT课件
数载流子浓度为零。
20
因此，
sinh ( W -x )
sinh x
pn ( x)
pn0[exp(
qVEB kT
)-1][
Lp sinh W
]
pn 0 [1-
sinh
Lp W
]
Lp
Lp
当∆<<1时，sinh(∆)→∆. 当W/Lp<<1时，上述方程式为：
p（n x）
pno
exp (
qVEB kT
)(1 x W
34
5.2.4 共基与共射组态下的电流-电压特性
在电路的应用中，共射组态晶体管是最常被用到的（发射极为输入和输出 所共用）。
一.共基组态
B
E
C
共基极组态晶体管
输出电流-电压特性
35
p-n-p晶体管基极中的少数载流子分布
从VBC>0变为VBC=0后，x=W处的空穴浓度梯度改变量很少，使得集电极电 流在整个放大模式范围内几乎相同。
晶体管的类型pnp晶体管10npn双极型晶体管的电路符号npn晶体管511工作在放大模式热平衡状态下理想pnp双极型晶体管所有端点接地的pnp晶体管杂质浓度分布电场分布和能带图工作在放大模式下pnp双极型晶体管共基极组态放大器pnp晶体管工作在放大模式的杂质浓度分布电场分布和能带图共基极组态
第5章 双极型晶体管及相关器件
33
分析：
0
I Cp I EP ICp
0.995
当W/Lp<<1，发射效率由各电流成分表示为
D p pn 0
I Ep
I EP I En
W DE nE 0 D p pn 0
1
1 DE nE 0W
半导体器件与工艺PPT课件
.
5
晶胞
在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是晶胞。 晶胞在三维结构中是最简单的由原子组成的重复单元，它给出了晶体 的结构。在一个晶体结构中，晶胞紧密地排列，因此存在共有原子。 共有原子非常重要，因为晶胞是通过它们来组成一个紧密连接在一起 的晶格结构的。在金刚石面心立方晶胞中每个角上的原子被8个晶胞 所共有，每个面上的原子被2个晶胞所共有。因此每个面心立方晶胞 包含4个完整原子。
.
18
硅中的晶体缺陷
位错 在单晶中，晶胞形成重复性结构。如果晶胞错位，这种情
况就叫做位错。位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意 阶段产生。然而，发生在晶体生长之后的位错通常由作用在硅 片上的机械应力所造成，例如不均匀的受冷或受热以及超过硅 片承受范围的应力。
.
19
硅中的晶体缺陷
层错 层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长过程中。滑移
.
11
单晶硅生长—CZ法
坩埚里的硅被拉单晶炉加热，使用 电阻加热或射频（RF）加热线圈。电阻 加热用于制备大直径的硅锭。当硅被加 热时，它变成液体，叫做熔体。籽晶放 在熔体表面并在旋转过程中缓慢地拉起， 它的旋转方向与坩埚的旋转方向相反。 随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体 上的液体会因表面张力而提高。籽晶上 的界面散发热量并向下朝着熔体的方向 凝固。随着籽晶旋转着从熔体里拉出，
.
22
硅片制备
整型处理 ■硅片定位边或定位槽 半导体业界传统上在硅单晶锭上
做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明 了晶体结构的晶向。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导 电类型。
.
23
硅片制备
整型处理
■硅片定位边或定位槽 硅片定位边在200 mm及以上的硅片已被定位槽所取代。
半导体物理及器件工艺PPT ch1_p-n结
kT q
ln N AN D ni2
与使用各自静电势推导结果一样
26
(3) 其它耗尽区特性 a)突变结电场强度与电势分布
I. 电场强度 • 假设突变耗尽近似：空间电荷区中无自由载流子，电场完全由正、
负空间电荷的分离产生。
根据电中性原理，空间 电荷区有：
qNAxp＝qNDxn
问题：空间电荷区或耗尽区 在两边的厚度与什么有关？ 规律如何？
或qVbi。 • 远离结区的n型和p型半
导体仍是均匀的，因此 Vbi可由p区和n区内部费 米能级的差值(或功函数) 来确定。
qVbi p n E Fn E Fp
问题：此时n区电子若逸出到真空能 级，需克服多少能量？势垒+亲和能
• 由于本征费米能级EFi不随外界变化而变化，因此也可以此为参 考标准进行内建势垒的计算；
第一章pn结二极管第二章异质结二极管量子阱超晶格第三章金属半导体肖特基二极管包括欧姆接触和肖特基接触第一章pn结二极管11二极管的基本特性12同质pn结特性13同质pn结的电流电压iv特性14pn结小信号模型15pn结二极管瞬态特性16非突变同质结11二极管的基本特性二极管
第一部分 半导体器件
第一章 pn结二极管 第二章 异质结二极管（量子阱、超晶格） 第三章 金属-半导体肖特基二极管（包括欧姆接 触和肖特基接触）
肖特基二极管
……
3
(1)开关特性
问题：二极管导通时的电压有什么特点？电压源 同质结二极管的近似 等效电路，(a)开路， (b)端电压近似恒定
4
Diode logic (AND gate) was used in early digital computers Diodes can switch analog signals (Parallel resonator network)
半导体物理与器件-课件-教学PPT-作者-裴素华-第1章-半导体材料的基本性质
简化为
J = pqv p
1.6.4 半导体的电阻率ρ
电阻率是半导体材料的一个重要参数，其值为电导率
的倒数。 1
1
ρ= =
σ nqμn + pqμ p
对于强P型和强N型半导体业有相应的简化。
从上面的公式可以看出，半导体电阻率的大小决定于 n, p, μn ,μp的具体数值，而这些参数又与温度有关， 所以电阻率灵敏的依赖于温度，这是半导体的重要 特点之一。
b) P型硅中电子和空穴 的迁移率
载流子的迁移率还要随温度而变化。
硅中载流子迁移率随温度变化的曲线 a) μn b) μp
1.6.3 半导体样品中的漂移电流密度
设一个晶体样品如图所示， 以单位面积为底，以平 均漂移速度v为长度的矩 形体积。先求出电子电 流密度，设电场E为x方 向，在电场的作用下， 电子应沿着-x方向运动。
不论半导体中的杂质激发还是本征激发，都是依靠吸收 晶格热振动能量而发生的。由于晶格的热振动能量是随 温度变化的，因而载流子的激发也要随温度而变化。
载流子激发随温度的变化 a）温度很低 b）室温临近 c）温度较高 d）温度很高
伴随着温度的升高，半导体的费米能级也相应地发 生变化
杂质半导体费米能级随温度的变化 a）N型半导体 b）P型半导体
a)随机热运动 b) 随机热运动和外加电场作用下的运动合成
随机热运动的结果是没有电荷迁移，不能形成电流。
引入两个概念：
1. 大量载流子碰撞间存在一个路程的平均值，称为平 均自由程，用λ表示，其典型值为10-5cm；
2. 两次碰撞间的平均时间称为平均自由时间，用τ表示, 约为1ps；
建立了上述随机热运动的图像后，就可以比较实际地去 分析载流子在外加电场作用下的运动了。
半导体器件物理教案课件
半导体器件物理教案课件PPT第一章：半导体物理基础知识1.1 半导体的基本概念介绍半导体的定义、特点和分类解释n型和p型半导体的概念1.2 能带理论介绍能带的概念和能带结构解释导带和价带的概念讲解半导体的导电机制第二章：半导体材料与制备2.1 半导体材料介绍常见的半导体材料，如硅、锗、砷化镓等解释半导体材料的制备方法，如拉晶、外延等2.2 半导体器件的制备工艺介绍半导体器件的制备工艺，如掺杂、氧化、光刻等解释各种制备工艺的作用和重要性第三章：半导体器件的基本原理3.1 晶体管的基本原理介绍晶体管的结构和工作原理解释n型和p型晶体管的概念讲解晶体管的导电特性3.2 半导体二极管的基本原理介绍半导体二极管的结构和工作原理解释PN结的概念和特性讲解二极管的导电特性第四章：半导体器件的特性与测量4.1 晶体管的特性介绍晶体管的主要参数，如电流放大倍数、截止电流等解释晶体管的转移特性、输出特性和开关特性4.2 半导体二极管的特性介绍半导体二极管的主要参数，如正向压降、反向漏电流等解释二极管的伏安特性、温度特性和频率特性第五章：半导体器件的应用5.1 晶体管的应用介绍晶体管在放大电路、开关电路和模拟电路中的应用解释晶体管在不同应用电路中的作用和性能要求5.2 半导体二极管的应用介绍半导体二极管在整流电路、滤波电路和稳压电路中的应用解释二极管在不同应用电路中的作用和性能要求第六章：场效应晶体管（FET）6.1 FET的基本结构和工作原理介绍FET的结构类型，包括MOSFET、JFET等解释FET的工作原理和导电机制讲解FET的输入阻抗和输出阻抗6.2 FET的特性介绍FET的主要参数，如饱和电流、跨导、漏极电流等解释FET的转移特性、输出特性和开关特性分析FET的静态和动态特性第七章：双极型晶体管（BJT）7.1 BJT的基本结构和工作原理介绍BJT的结构类型，包括NPN型和PNP型解释BJT的工作原理和导电机制讲解BJT的输入阻抗和输出阻抗7.2 BJT的特性介绍BJT的主要参数，如放大倍数、截止电流、饱和电流等解释BJT的转移特性、输出特性和开关特性分析BJT的静态和动态特性第八章：半导体存储器8.1 动态随机存储器（DRAM）介绍DRAM的基本结构和工作原理解释DRAM的存储原理和读写过程分析DRAM的性能特点和应用领域8.2 静态随机存储器（SRAM）介绍SRAM的基本结构和工作原理解释SRAM的存储原理和读写过程分析SRAM的性能特点和应用领域第九章：半导体集成电路9.1 集成电路的基本概念介绍集成电路的定义、分类和特点解释集成电路的制造工艺和封装方式9.2 集成电路的设计与应用介绍集成电路的设计方法和流程分析集成电路在电子设备中的应用和性能要求第十章：半导体器件的测试与故障诊断10.1 半导体器件的测试方法介绍半导体器件测试的基本原理和方法解释半导体器件测试仪器和测试电路10.2 半导体器件的故障诊断介绍半导体器件故障的类型和原因讲解半导体器件故障诊断的方法和步骤第十一章：功率半导体器件11.1 功率二极管和晶闸管介绍功率二极管和晶闸管的结构、原理和特性分析功率二极管和晶闸管在电力电子设备中的应用11.2 功率MOSFET和IGBT介绍功率MOSFET和IGBT的结构、原理和特性分析功率MOSFET和IGBT在电力电子设备中的应用第十二章：光电器件12.1 光电二极管和太阳能电池介绍光电二极管和太阳能电池的结构、原理和特性分析光电二极管和太阳能电池在光电子设备中的应用12.2 光电晶体管和光开关介绍光电晶体管和光开关的结构、原理和特性分析光电晶体管和光开关在光电子设备中的应用第十三章：半导体传感器13.1 温度传感器和压力传感器介绍温度传感器和压力传感器的结构、原理和特性分析温度传感器和压力传感器在电子测量中的应用13.2 光传感器和磁传感器介绍光传感器和磁传感器的结构、原理和特性分析光传感器和磁传感器在电子测量中的应用第十四章：半导体器件的可靠性14.1 半导体器件的可靠性基本概念介绍半导体器件可靠性的定义、指标和分类解释半导体器件可靠性的重要性14.2 半导体器件可靠性的影响因素分析半导体器件可靠性受材料、工艺、封装等因素的影响14.3 提高半导体器件可靠性的方法介绍提高半导体器件可靠性的设计和工艺措施第十五章：半导体器件的发展趋势15.1 纳米晶体管和新型存储器介绍纳米晶体管和新型存储器的研究进展和应用前景15.2 新型半导体材料和器件介绍石墨烯、碳纳米管等新型半导体材料和器件的研究进展和应用前景15.3 半导体器件技术的未来发展趋势分析半导体器件技术的未来发展趋势和挑战重点和难点解析重点：1. 半导体的基本概念、分类和特点。
《半导体器件》PPT课件
b
+
D1
RL uO
D2
_
输出 波形
1.3.3 限幅电路
+ –
R
D1
D2
++
A Ri
––
工作原理
a. 当ui较小使二极管D1 、D1截止时
电路正常放大
b. 当ui 较大使二极管D1 或D1导通时
+ –
输入电压波形
ui
R
D1
D2
++
A Ri
––
0 t
R
+
D1
D2
++
A Ri
–
––
输出端电压波形
ui
因此，理想二极管正偏时，可视为短路线；反偏 时，可视为开路。
在分析整流，限幅和电平选择时，都可以把二极 管理想化。
1.3 半导体二极管的应用
1.3.1 在整流电路中的应用
整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电
路。
整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不 是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压，习惯上 称单向脉动性直流电压。
1.2 半导体二极管
二
1.2.1 半导体二极管的结构和类
极
型
外壳
引线 阳极引线
管
铝合金小球
就
是
PN结
一
N型锗片
触丝
个
N型硅
金锑合金
封
底座
装
的
阴极引线
PN
结
点接触型
平面型
半导体二极管的外型和符号
正极
《半导体物理学》课件
半导体物理学是现代电子科技和信息 科技的基础，对微电子、光电子、电 力电子等领域的发展具有至关重要的 作用。
半导体物理学的发展历程
19世纪末期
半导体概念的形成，科学家开始认识到 某些物质具有导电性介于金属和绝缘体
之间。
20世纪中叶
晶体管的商业化应用，集成电路的发 明，推动了电子科技和信息科技的发
半导体中的热电效应
总结词
解释热电效应的原理及其在半导体中的应用。
详细描述
当半导体受到温度梯度作用时，会在两端产生电压差 ，这一现象被称为热电效应。热电效应的原理在于不 同温度下，半导体内部载流子的分布不同，导致出现 电势差。热电效应在温差发电等领域有应用价值，可 以通过优化半导体的材料和结构来提高热电转换效率 。
分析器件在长时间使用或恶劣环 境下的性能退化，以提高其可靠 性。
THANKS
THANK YOU FOR YOUR WATCHING
06
半导体材料与工艺
半导体材料的分类和特性
元素半导体
如硅、锗等，具有稳定的化学性质和良好的半导 体特性。
化合物半导体
如砷化镓、磷化铟等，具有较高的电子迁移率和 光学性能。
宽禁带半导体
如金刚石、氮化镓等，具有高热导率和禁带宽度 大等特点。
半导体材料的制备和加工
气相沉积
通过化学气相沉积或物理气相沉积方法制备 薄膜。
05
半导体器件的工作原理
二极管的工作原理
总结词
二极管是半导体器件中最简单的一种 ，其工作原理基于PN结的单向导电性 。
详细描述
二极管由一个P型半导体和一个N型半 导体结合而成，在交界处形成PN结。 当正向电压施加时，电子从N区流向P 区，空穴从P区流向N区，形成电流； 当反向电压施加时，电流极小或无电流 。
半导体器件物理ppt 共62页
N
A
WE
显示三段掺杂区域的杂质浓度，发射
区的掺杂浓度远比集电区大，基区的
浓度比发射区低，但高于集电区浓度
。图4.3(c)表示耗尽区的电场强度分
E
布情况。图(d)是晶体管的能带图，
它只是将热平衡状态下的p-n结能带
直接延伸，应用到两个相邻的耦合p
＋-n结与n-p结。各区域中EF保持水平 。
EC EF
如 图 为 一 p-n-p 双 极 型 晶 体 管 的透视图，其制造过程是以p型半 导体为衬底，利用热扩散的原理 在p型衬底上形成一n型区域，再 在此n型区域上以热扩散形成一高 浓度的p＋型区域，接着以金属覆 盖p＋、n以及下方的p型区域形成 欧姆接触。
天津工业大学
现代半导体器件物理
双极型晶体管及相关器件 3
双极型晶体管工作在放大模式
IE
发射区
P
V EB
基区
n
IB
集电区
P V BC
IC
输出
图 (a) 为 工 作 在 放 大 模 式 下 的 共 基组态p-n-p型晶体管，即基极被输 入与输出电路所共用，图(b)与图(c) 表示偏压状态下空间电荷密度与电场
强度分布的情形，与热平衡状态下比
较，射基结的耗尽区宽度变窄，而集 基结耗尽区变宽。图(d)是晶体管工 作在放大模式下的能带图，射基结为 正向偏压，因此空穴由p＋发射区注 入基区，而电子由基区注入发射区。
流往基区的电子电流。
发射区 (P)
}I EP
I En
基区 (n) I BB
}
IB
空穴电流 和空穴流
图 4.5
集电区 (P)
}I CP
IC
ICn