6-7_2有磁介质时的安培环路定理磁场强度
《大学物理》课程标准

《普通物理》课程标准1. 课程基本信息课程代码:课程归口:电子信息工程技术专业适用专业:电子信息工程技术学时数:64学分:4先修课程:高等数学2. 课程性质与地位大学物理是高等院校非物理类理工科各专业学生一门重要的通识性必修基础课。
物理学是研究物质的基本结构、基本运动形式、相互作用的自然科学。
它的基本理论渗透在自然科学的各个领域,应用于生产技术的许多部门,是其他自然科学和工程技术的基础。
课程所教授的基本概念、基本理论和基本方法是构成学生科学素养的重要组成部分,是一个科学工作者和工程技术人员所必备的。
该课程在培养学生的探索精神和创新意识等方面,具有其他课程不能替代的重要作用。
3.课程的内容与要求第一部分力学.第1章质点运动学1.1质点运动的描述1.2加速度为恒矢量时的质点运动1.3圆周运动1.4相对运动基本要求:1.深入地理解质点、位移、速度和加速度等重要概念,深入理解质点的运动。
2.分析加速度为恒矢量时的质点运动方程。
3.明确圆周运动中角位移、角速度、切向加速度、法向加速度的关系。
重点与难点:1.加速度为恒矢量时质点运动方程的描写。
2.质点圆周运动的分析。
第2章动力学基本定律2.1牛顿定律2.2物理量的单位和量纲2.3几种常见的力2.4惯性参考系力学相对性原理2.5质点和质点系的动量定理2.6动量守恒定律2.7动能定理2.8保守力与非保守力势能2.9功能原理机械能守恒定律2.10完全弹性碰撞完全非弹性碰撞2.11能量守恒定律基本要求:1.清晰的理解牛顿第一定律、牛顿第二定律和牛顿第三定律。
2.熟练掌握几种常见力。
3.掌握物理量的单位和量纲。
4.理解惯性参考系和力学相对性原理,能列举出牛顿定律应用的例子。
5.掌握质点和质点系的动量定理。
6.熟练掌握动量守恒定律和动能定理。
7.掌握功能原理和机械能守恒定律。
8.清晰分辩出完全弹性碰撞和完全非弹性碰撞重点与难点:1.牛顿三定律的应用。
2.参考系的选择。
安培环路定理

安培环路定理安培环路定理的严格证明(缩略图)在稳恒磁场中,磁场强度H沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。
这个结论称为安培环路定理(Ampere circuital theorem)。
安培环路定理可以由毕奥-萨伐尔定律导出。
它反映了稳恒磁场的磁感应线和载流导线相互套连的性质。
目录按照安培环路定理,环路所包围电流之正负应服从右手螺旋法则。
安培环路定理应用如果闭合路径l包围着两个流向相反的电流I1和I2(如左图所示),这在下式中,按图中选定的闭合路径l 的绕行方向,B矢量沿此闭合路径的环流为如果闭合路径l包围的电流等值反向(如右图所示),或者环路中并没有包围电流,则:安培环路定理的证明(严格证明,大图见参考资料的链接)编辑本段安培环路定理的证明(不完全证明)以长直载流导线产生的磁场为例,证明安培环路定理的正确性。
安培环路定理应用在长直载流导线的周围作三个不同位置,且不同形状的环路,可以证明对磁场中这三个环路,安培环路定理均成立。
取对称环路包围电流在垂直于长直载流导线的平面内,以载流导线为圆心作一条半径为r 的圆形环路l,则在这圆周上任一点的磁感强度H的大小为其方向与圆周相切.取环路的绕行方向为逆时针方向,取线元矢量dl,则H与dl间的夹角,H沿这一环路 l 的环流为式中积分是环路的周长。
于是上式可写成为从上式看到,H沿此圆形环路的环流只与闭合环路所包围的电流I 有关,而与环路的大小、形状无关。
取任意环路包围电流在垂直于长直载流导线的平面内,环绕载流直导线作一条如下图所示的任意环路l,取环路的绕行方向为逆时针方向。
在环路上任取一段线元dl,载流直导线在线元dl处的磁感强度B大小为H与dl的夹角为,则H对dl的线积分为直导线中心向线元的张角为,则有,所以有可见,H对dl的线积分与到直导线的距离无关。
那么B对整个环路的环流值为上述计算再次说明H的环流值与环路的大小、形状无关。
取任意环路不包围电流在垂直于长直载流导线的平面内,在载流直导线的外侧作一条如下图所示的任安培环路定理应用意环路l,取环路的绕行方向为逆时针方向。
求介质中磁场强度和磁感应强度ppt课件

定义玻印廷能流矢量, S E H
可见,电磁场的运动必须有相互垂直的E和H,它们的相互作用形 成了电磁波,能流的方向垂直于相互作用的E和H 。
电磁场的运动是有条件的。如果空间中只有电场或磁场,或者E和 H平行,则S=0,即电磁场是静止的,相应的电磁能是储存于空间 的能量。任何一个电磁场,只要有相互垂直的电场和磁场分量, 就一定有能流传输,并不限定是高频交变电磁场。
v 1 1 c
r0r 0 r r
17
Where c 1 3.0108 M S 1
0 0
Is the speed of light !
同样可以推出H、D和B的类似的波动方程
由麦克斯韦方程组可以导出电磁场的波动方程,即麦克斯韦预言 了电磁波的存在。这一预言,以后不断地得到实验证实。当今的 时代,电磁波已经是人们生活中不可缺少的东西。
§7.1 电磁场的基本方程 §7.1.1 电磁场 在我们研究非稳恒的电场和磁场时,有两个重要的规律把电和磁联系到 一起了。
变化的电场产生位移电流,而位移电流和传导电流一样有磁场伴随。
变化的磁场感生出涡旋电场—这是法拉第电磁感应定律
变化的电场------变化的磁场--------变化的电场…
12
电场和磁场既互相联系,又在一定条件下相互激发、相互转化形 成一个统一体-电磁场
设介质1是铁磁材料 r1 1 介质2是真空或一般磁性材料, r 2 1
tan1 r1 tan2 r2
因而有 tan1 r1tan2
如果 2 不等于零,右边就必是一 个大数, 1 就接近90o。
2 1
介质2 介质1
即,如果磁介质外磁力线不垂直于界面, 则磁介质内磁力线接近平行于界面。
5
反过来看
介质中的安培环路定理14.3铁磁质

例1:一无限长螺线管,通以电流I,管内充有相对磁 导率为 r的各向同性的均匀介质,若单位长度线圈 B H ,及面磁化电流密度。 匝数为n,求介质中的 和
解:由于螺线管无限长, 故管外磁场为零,管内 磁场均匀,B 和 H 与管轴线平行
j M (r 1) H (r 1)nI
j ' 0 即磁化电流和传导电流方向相同 顺磁质 r 1 故
r 1 故 j ' 0 即磁化电流和传导电流方向相反 抗磁质
例2:长直单芯电缆的芯是一根 半径为R 的金属导体,它与外壁 之间充满均匀磁介质,电流从芯 流过再沿外壁流回。求介质中磁 场强度及磁感应强度。
(2)铁磁质在没有传导电流存在时也可以有磁性
这种磁性叫做剩磁 (3)一次磁化过程损耗的能量与磁滞回线包围的面 积成正比
三、铁磁质的分类
1 按矫顽力HC分 软磁材料:磁滞回线窄而长,Br , Hc都小;
硬磁材料:磁滞回线较宽,Br , Hc较大;
B
Hc
Hc
B
Hc
H
Hc
H
作变压器的软磁材料
作永久磁铁的硬磁材料
弱磁质的磁化特点:
B
tg
H
(1) 0为一常数, B-H曲线为一直线, 斜率 tg 0
H (2) B-H曲线具有可逆性, B ; H B ; H 0 B 0
2. 铁磁质的磁化曲线 将螺绕环中充满铁磁质: 开始时I=0, H=0, B=0; 然 后增大电流 I H 测B
2 按磁滞回线形状分
B
Br
B
Bs
H
-H c
Br
o
Hc
第六章 第二讲 磁场的高斯定理和安培环路定理

Bdl
L
0 I i 证明略.
说明:1)式中各量的含义 B~环路上各点的磁感强度, 由环路内、外所有电流产生. Ii ~穿过环路的电流的代数和.
I1
I2 I 3
I1
L
I1
0 I1 I 2) B d l (
L
注意: I 的正负的确定方法:先任选L 的绕向,
D
0 Ib ra [( a r ) ln a] 2a r
5
§6.4 安培环路定理 一、安培环路定理 静电场的环路定理
B
的环流 B d l =? L
环路
等于 0 乘以该闭合路径所包围的各电流的代数和. 说明:静电场是保守场
在真空的稳恒磁场中,磁感强度 沿任一闭合路径的积分值, B E d l 0 的环流 E L
真空中的安培环路定理 L B0 d l 0 I i 介质中: B r B0 0 r B d l r
二、 磁介质中的安培环路定理
传导电流
包括真空 定义:磁场强度矢量 H H d l I 0 ------磁介质中的安培环路定理.
H=0
B= H=0
H d l =H2r
L
(2) R1< r < R2 过场点 P2 作图示环路.
I 2 2 ( r R 1 ) 2 2 ( R2 R1 )
俯视图 P2
(r 2 R12 ) H 2 2( R2 R12 ) r I
r
B= H=
L
L
B=0 (2) R1< r < R2 ,
R2
§7.6.2 磁介质中的安培环路定理

Chapter 7.6. 磁场中的磁介质
L
(
B
0
M ) dl
I0i
( L内 )
令: H
B
0
M
称作磁场强度 ( A·m-1 )
H dl L
I0i
( L内 )
即
H
的安培环路定理。
§7.6 磁介质中的安培环路定理
即沿任一闭合路径磁场
强度的环路积分等于该 闭合路径所包围的自由 电流代数和。
M ?
js M eˆ n
js ?
·9 ·
Chapter 7.6. 磁场中的磁介质
§7.6 磁介质中的安培环路定理
1. H 的安培环路定理:
H L
dl
I0i
( L内 )
2. H、B、M 间的关系:
Mp
m r 0
B,
B
H,
Mp
mH
( The end ) · 10 ·
H dl H 2 r I I
L
H 0
0 I 2 R12
r
( r R1 )
I
I 2 r
(R1 r R2 )
BH
R32 r 2 R32 R22
0 2
I r
(R2 r R3)
0
(r R3)
I
磁介质内:
H
I
2
r
M
p
m H
·4 ·
Chapter 7.6. 磁场中的磁介质
磁介质中的高斯定理和安培环路定理.

B 0(H M ) 0(H mH) 0(1 m)H
在各B向0H同r0H性r H介质r中H10B.rH为m磁相关导对系 率磁:B导 率。0D r电H介0质rHE中
E
在真空 中 r 1, B0 0H
3.明确几点:
①. H 是 一辅助物理量,描述磁场的基本物理量仍然
是 B。H是 为消除磁化电流的影响而引入的,
B 和H 的名字张冠李戴了。
4
②. H 既与磁感应强度B 有关,又与磁化强度M 有
关,所以H 又是混合物理量。
③.磁场强度 的单 位与磁化强度相同,安培/米,A/m
④.若 H dl 0不一定环路内无电流。
或由 I s (r 1)I c
求 Is;
9
例1:长直螺线管半径为 R ,通有电流 I,线圈密度 为 n , 管内插有半径为 r ,相对磁导率为 r 磁介质, 求介质内和管内真空部分的磁感应强度 B 。
解: 由螺线管的磁场分布 可知,管内的场各处均匀
R
r
a Bb
一致,管外的场为0;
H
1.介质内
10
H dl H dl 0
bc
da
因为 cd 段处在真空中,真
a
B ab H b
空中的 M = 0;B = 0 ,
有 H dl 0
d
c d
Ic
cd H dl
H dl
Hdl cos H dl H ab I c
§12.2 磁介质中的高斯定理和安培环路定理
1
一、磁介质中的高斯定理
磁介质放在磁场中,磁介质受到磁场的作用要产
10.2磁介质中的安培环路定理

S
B
B
s
B dS ( Bo B ) dS 0
s s
磁介质中的高斯定理
通过磁场中任一闭合曲面的总磁通量为零
3、磁场强度、磁介质中的安培环路定理
L
B dl 0 ( I 0 I s )
L
M dl I s B dl 0 I 0 0 M dl L L L L L B L ( 0 M ) dl I 0 L
求:环内的磁场强度和磁感应强度
解: H dl H 2r NI L
NI H nI 2r
r
O
B H 0 r H
例2 一无限长载流圆柱体,通有电流I ,设电流 I 均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为μ,柱 外为真空。 求:柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。
pm B0 M M pm B0
分子磁矩产生的磁场方向和外磁场方向一致, 顺磁质磁化结果,使介质内部磁场增强。
B
B B0
B0
抗磁质及其磁化
分子的固有磁矩为零 pm 0
在外磁场中,抗磁质分子会产生附加磁矩
电子绕核的轨道运动 电子本身自旋
外磁场场作用下产生 附加磁矩
R
B, r
铁磁质的 r不一定是个常数, 它是 H 的函数
B~H r ~ H
H
B
饱和磁感应强度
剩
磁
BS . Br . b
f . HC
a
初始磁 化曲线
矫顽力
HS
.
HC . c O
.
HS
磁滞回线
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解: 利用上题计算结果 ( 1)
H nI 2.0 10 A/m
3
( 2)
( 3)
B H nI 1 Wb/m2
M
B 0 H
0
7.9 10 A/m
5
例8-13 如图所示,一半径为R1的无限长圆柱体( 导体 ≈ 0 )中均匀地通有电流 I,在它外面有半径为 R2的无限长同轴圆柱面,两者之间充满着磁导率为 的 均匀磁介质,在圆柱面上通有相反方向的电流 I。试求 ( 1 )圆柱体外圆柱面内一点的磁场;( 2 )圆柱体内 一点磁场;(3)圆柱面外一点的磁场。
M m H
m 0
顺磁质
m 0
抗磁质
B 0 H 0 M M m H
B 0 (1 m ) H
磁导率
令r 1 m
相对磁 导率
B 0 r H H
M 0
真空: r 1 m 0 值得注意:H 为研究介质中的磁场提供方便而不 是反映磁场性质的基本物理量,B才是反映磁场性质 的基本物理量。
例8-11 在均匀密绕的螺绕环内充满均匀的顺磁介 质,已知螺绕环中的传导电流为 I ,单位长度内匝数 n ,环的横截面半径比环的平均半径小得多,磁介质的 相对磁导率和磁导率分别为 和 求环内的磁场 r 。 强度和磁感应强度。
解:在环内任取一点, 过该点作一和环同心、 半径为 r的圆形回路。
r
H dl I
H
B
0
M
此式说明介质中任一点磁场强度 、磁感应强度、磁化强度之间的普 遍关系 ,不论介质是否均匀。
实验证明:对于各向同性的介质,在磁介质 中任意一点磁化强度和磁场强度成正比。
定义介质磁化率 式中 m 只与磁介质的性质有关,称为磁介质
的磁化率,是一个纯数。如果磁介质是均匀的, 它是一个常量;如果磁介质是不均匀的,它是空 间位置的函数。
解:( 1 )当两个无限长的同轴圆 柱体和圆柱面中有电流通过时,它 们所激发的磁场是轴对称分布的, 而磁介质亦呈轴对称分布,因而不 会改变场的这种对称分布。设圆柱 体外圆柱面内一点到轴的垂直距离 是r1,以r1为半径作一圆,取此圆为 积分回路,根据安培环路定理有
R1 r3
I I
R2
r2 r1
I
2r1 H d l H 0 d l I I H 2r1 I B=H 2r1
§6-7_2有磁介质时的安培环路定理磁场强度 一、磁化强度
反映磁介质磁化程度(大小与方向)的物理量。 磁化强度:单位体积内所有分子固有磁矩的 矢量和 m分子加上附加磁矩的矢量和 m分子 ,称 为磁化强度,用 M 表示。 m分子 m分子 M 均匀磁化 V m分子 m分子 非均匀磁化 M lim V 0 V 磁化强度的单位: A/m
式中 N 为螺绕环上线圈 的总匝数。由对称性可知,在所取圆形回路上各 点的磁感应强度的大小相等,方向都沿切线。
H d l NI
H 2r NI NI H nI 2r
当环内充满均匀介质时
r
r 1
B H 0 r H
B0 0 H
I s sl
M
A D
Is
I
l
B C
取一长方形闭合回路ABCD,AB边在磁介质 内部,平行与柱体轴线,长度为 l,而BC、AD M 两边则垂直于柱面。柱外各点 等于零,内部 则平行于ABM 边, 对整个回路积分
B M AB Ml M d l M d l A M d l sl I s M
1
(3)在圆柱面外取一点, 它到轴的垂直距离是r3,以r3为 半径作一圆,根据安培环路定 理,考虑到环路中所包围的电流 的代数和为零,所以得
R1 r3
I I
R2
2r3 H d l H 0 d l 0
H 0
或r2 r1I即 NhomakorabeaB0
( 2 )设在圆柱体内一点 到轴的垂直距离是 r 2 ,则 以 r 2 为半径作一圆,根据 安培环路定理有
R1
磁导率
R2
r3
2 2
I I
r2 r1
I
r2 r2 2r2 H d l H 0 d l H 2r2=I 2 =I 2 R1 R1
Ir2 由B= H,得 H= 2 2R1 0 Ir2 B= 2 R 2
s
磁化强度对闭合回路的线积分等于通过回路 所包围的面积内的总磁化电流。
二、 有磁介质时的安培环路定理
磁场强度 无磁介质时安培环路定理
L
B0 dl 0
有磁介质时 B dl 0 ( I I s ) I s M dl
(L内)
I
B dl 0 ( I M d l )
磁化电流
B
磁化电流
B
磁化面电流
M
A D
Is
I
l
B C
设介质表面沿轴线方向单位长度上的磁化电 流为 s (面磁化电流密度),则长为l 的一段介 质上的磁化电流强度IS为
总磁矩 m分子 I s S s Sl m分子 s Sl s M Sl V
或
(
B
0
M ) dl I
定义磁场强度:
H
B
(
B
0
M ) dl I
有磁介质时的安培环 路定理
0
M
则
磁介质中的安培环路定理: 磁场强度沿任
意闭合路径的线积分等于穿过该路径的所有传导电 流的代数和,而与磁化电流无关。 表明:磁场强度矢量的环流和传导电流I有关,而 在形式上与磁介质的磁性无关。其单位在国际单位 制中是A/m.
当环内是真空时,由于
B r B0
可见,当环内充满某种均匀磁介质,环内磁感应强 度变为环内是真空时的 r 倍。
例8-12 上例中若磁介质的磁导率 5.0 10 Wb / A m ,单位长度内的匝数 n 1000匝/m ,绕组中通有电 流 I 2.0A 。 再计算环内的(1)磁场强度(2) 磁感应强度(3)磁介质的磁化强度
注意:对顺磁质, m分子 可以忽略; 对抗磁质 m分子 0 ,对于真空, M 0 。
外磁场为零,磁化强度为零。 外磁场不为零: 顺磁质 抗磁质
M、B0同向 M、B0反向
磁化电流 对于各向同性的均匀介质,在匀强磁场中被磁 化后,各分子电流平面转到与磁场的方向垂直。 介质内部任一点总有两个方向相反的分子电流通过 ,各分子电流相互抵消,而在介质表面,各分子电 流相互叠加,在磁化圆柱的表面出现一层电流,好 象一个载流螺线管,称为磁化面电流(或安培表面 电流)。