自旋电子学
自旋电子学和自旋注入
自旋电子学和自旋注入自旋电子学和自旋注入自旋电子学是一种物理学范畴，主要研究电子在隔离层结构中所受的自旋耦合效应，其目的是控制自旋状态的变化(截止)，以便利用这些基本效应来开发新的电子器件。
自旋注入是其中一种应用，即将自旋状态注入到隔离层中去，并利用自旋耦合以及该自旋状态在隔离层结构中的变化来改变电子器件中的信号电平。
2. 自旋电子学的应用自旋电子学已经成为半导体器件，尤其是存储器和处理器中非常重要的一种基础应用。
例如，自旋电子学技术可以用来制备超级电容器，实现超快的数据传输速度和更高的存储密度; 可以用来制造非常精确的控制器，以控制复杂的信号，并且可以应用于光学存储以及三维微结构存储，实现极其高效的存储和快速数据传输能力。
3. 自旋注入的原理自旋注入的原理就是利用一层自旋输入，加上一层隔离层，把自旋电子学技术上的信号分为两部分，一部分能够体现自旋的改变，另外一部分则体现电子的变化。
在自旋电子学技术中，由于自旋状态的变换，就会导致电势的变化，这就使得隔离层的晶体结构的改变，随后电子器件中的信号层次会发生变化，从而改变信号电平。
4. 自旋注入的应用自旋注入技术可以应用于大量电子器件中，包括：密码通信器件，超级计算机，医疗设备(如扫描探测器)，控制电路，激光器，移动电话等。
它还可以用来制备“全新的智能器件”，达到节能降耗，实现快速传输，提高电子器件的性能效率，从而拓展人类交流方式。
5. 研究现状自旋电子学和自旋注入技术正在得到越来越多的关注，已经有大量的研究展示了它们在电子器件领域中具有不可替代的重要性和价值。
国内外有很多科研机构和大学正在研究，以开发新型的自旋电子器件，实现更精细的控制，更高的密度和更快的数据传输速度。
未来，自旋电子学和自旋注入技术将成为电子器件中不可或缺的一部分，为人类赋予新的能力。
物理学中的自旋电子学及其应用
物理学中的自旋电子学及其应用自旋电子学是指研究自旋（spin）对电子（electron）行为的影响以及利用自旋实现信息存储和操作的一门学科。
自旋电子学在物理、材料科学以及电子工业等领域都具有广泛的应用。
一、自旋概念与自旋电子学的起源自旋是电子固有的一种内禀角动量，它不同于电子的轨道角动量。
自旋可以看作是电子自转产生的。
自旋有两种取向，即“向上”和“向下”，分别用“↑”和“↓”表示。
这种取向有时称为“自旋态”。
自旋电子学的起源可以追溯到20世纪50年代，在那个时期，人们发现在某些半导体材料中，自旋可以激发出一个电子自旋极化效应(polarization effect)。
这就意味着当一个电子掺入半导体中时，它的自旋朝向可以控制半导体材料的电子流动。
这一观察结果开启了自旋电子学的大门。
二、磁性材料及其应用在自旋电子学中，磁性材料是研究的重点之一。
磁性材料是那些可以在磁场中产生磁性的物质。
在一个磁场中，一个自由电子所受到的力可以分为轨道运动力和自旋力两部分。
轨道运动力与电子的轨道角动量大小和方向有关；自旋力与电子的自旋有关。
在某些磁性材料中，自旋力是电子的轨道运动力的几倍，因此自旋力对磁性材料的行为有着至关重要的影响。
利用磁性材料的自旋极化特性，人们已经发展出了许多自旋电子学应用，例如磁阻现象、磁电阻现象、自旋转移等等。
三、磁阻及其应用磁阻是指当一个磁性材料处于磁场中时，从这个材料中通过的电流大小和这个材料的磁场大小之间的关系。
在一个磁性材料中，沿着材料的电子将会在受到运动轨道力和自旋力的影响下偏转它们的自旋，从而引起电流的变化。
利用这种效应，人们可以设计出各种各样的磁阻元件，例如磁头、磁盘、磁性传感器等等。
在磁阻元件中，通过测量电阻的变化来感知磁场的大小和方向，这被广泛地应用于磁存储和磁传感器中。
四、磁电阻及其应用磁电阻是指当一个电流通过一个磁性材料时，这个材料的电阻率会随着自旋的方向而改变。
这个效应是在20世纪80年代被发现的。
自旋电子学与自旋器件
自旋电子学与自旋器件自旋电子学是一门研究自旋电子在材料中运动和相互作用的学科，自旋器件则是通过利用自旋电子在材料中的特性设计和制造的电子器件。
本文将探讨自旋电子学的基本概念、自旋器件的分类以及其在现代科技领域的应用。
一、自旋电子学的基本概念自旋是电子的一种属性，类似于地球上物体的旋转。
电子的自旋可以看作是围绕其自身轴心旋转产生的磁矩。
自旋电子学研究的重点在于如何控制和利用电子的自旋，以实现信息的存储和传输。
在自旋电子学中，自旋电子可以被视为一种具有两个自旋态的粒子，即自旋“上”和自旋“下”。
通过施加磁场或利用特殊材料的相互作用，可以使电子在两种自旋态之间进行转换，这就是自旋翻转。
二、自旋器件的分类根据自旋器件的功能和工作原理，可以将其分为自旋阀、自旋场效应器件和自旋传感器。
1. 自旋阀自旋阀是利用自旋选择性的非磁性材料与磁性材料之间的界面耦合效应，实现电子自旋的注入和控制。
自旋阀可以用于构建自旋电子学器件中的自旋输运和调控单元。
2. 自旋场效应器件自旋场效应器件是一种利用电场调控电子自旋输运的器件。
它通过在材料中引入外加电场，调节自旋电子在材料中的能级分布，从而控制电子的自旋转变和输运。
3. 自旋传感器自旋传感器是一种利用自旋电子特性感测外部物理量或环境变化的器件。
通过监测自旋电子在材料中的状态变化，可以实现对温度、磁场、电压等物理量的测量和监测。
三、自旋电子学在现代科技领域的应用1. 自旋磁电子学自旋磁电子学是自旋电子学的一个重要研究方向。
它利用自旋自旋转变和磁性材料的相互作用，实现磁性存储器件和磁性传感器的控制与调节。
自旋磁电子学在信息存储、计算和通信等领域具有广泛的应用前景。
2. 自旋输运与量子计算自旋输运是自旋电子学的核心内容之一，其目标是实现自旋信息的传输与控制。
自旋电子学中的自旋传输和调控单元可以用于构建量子比特和量子电路，用于实现量子计算和量子通信。
3. 自旋电子学与磁效应材料自旋电子学与磁效应材料的研究相互关联，相互促进。
自旋电子学
众所周知，电子具有两个重要的内禀属性，即电荷和自旋。现代微电子技术只利用了电子的电荷属性而没有考虑电子的自旋特性。实际上，人们早在20世纪20年代就发现了电子的自旋特性，但直到发现材料的电阻率随着材料磁化状态的变化而呈现显著改变的巨磁电阻效应并用自旋相关散射和双电流模型来解释之后，人们开始认识到电子自旋的应用价值。对电子自旋的研究成为当今研究的一个热点课题，并逐渐形成了一个新的研ห้องสมุดไป่ตู้领域即自旋电子学（spintronics）。自旋电子学中电子的自旋取代电子电荷作为信息储存和传输的载体。电子的自旋态具有较长的驰豫时间，更不容易被杂质或缺陷的散射破坏，而且自旋态也容易通过调节外部的磁场来进行控制。人们正期待着利用电子自旋自由度来设计运行速度更高、能量消耗更低、功能多、高集成的下一代微电子器件。这种器件抛弃了电子的经典特性，转而利用了电子的量子特性，因而原则上将允许电子器件的尺寸进一步大大的减小，从而进入纳米尺度的范围即量级，成为介观物理的重要组成部分之一。
通过对电子电荷和电子自旋性质的研究，最近在电子学和信息技术领域出现了明显的进展。这个进展的重要标志之一就是诞生了自旋电子学。在传统的电子学中，数据处理集成电路所用的是半导体中电子的电荷，但并不是说电子的自旋自由度以前从没有用过，例如传统的数据存储介质，如磁盘，用的就是磁性材料中电子的自旋。 ~2UmX'
尽管对自旋电子学的基本原理和概念的研究非常令人感兴趣，但在人们能够制造出自旋电子学应用器件之前，还有许多障碍需要克服。例如，自旋电子学的一个基本要求是在电子材料中产生和保持大的自旋极化电流到很长的时间。要实现这一点尚需继续努力才能完成。事实上，把足够大的自旋极化电流引入半导体材料也是一个问题。以此类似，对于量子计算，人们要求精密的控制自旋纠缠及利用局域磁场操纵单一自旋。对此，虽然已经提出许多设计方案，但至今尚没有特别好的想法。很清楚的是，对于一个崭新的领域，总是机会与挑战并存。在自旋电子学的应用变成现实之前，确实有大量的基本物理问题需要研究。有关自旋电子学的物理学基础和应用问题的研究现状，有兴趣的读者可以参看最近刚刚发表的一篇极好的评述文章：Zutic′, Fabian, and Das Sarma: Spintronics: Fundamen- tals and applications，Rev. Mod. Phys., 76, 323-410，April 2004。 ;nb>IL
第三讲自旋电子学课件
近似：电子与（热激发）自旋波散射可以忽略， （低于居里点） 只考虑电子与磁性离子自旋间的散射。 （s－d散射）
约定：与磁矩同方向的电子处于主要子带（majority）
相反方向自旋电子处于次要子带（minority）
两流体模型（2）
自旋相关散射(磁电阻效应)
FM(Ni-Fe)
S1
S2
(Al-O)
NM(Cu(001))
FM(Co(001))
上下自旋平行时电子容易通过--低电阻态 上下自旋反平行时电子被散射—高电阻态
Capping layer
Free layer
Tunnel barrier Reference layer Spacer layer Pinned layer Pinning layer
当然 D d 2 0 不等式成立
Julliere公式（3）
TMR 比率（放大的）
定义 TMR I I I
分子 ＝ D1 D1 D2 D2
分母 ＝ D1 D2 D1 D2
Julliere公式（4）
TMR的公式（用自旋极化率 表示）
第一个电极 p1 D1 D1 D1 D1 第二个电极 p2 D2 D2 D2 D2
TMR实验结果
韩秀峰等 （2000）
隧道磁电阻
隧道磁电阻效应的物理机制
Julliere公式（1）
隧穿电流 （近似!）I ∝ 指数衰减部分×状态密度部分
上左图 FM电极的磁矩彼此“平行”
I exp A U0 D1 D2 D1 D2
（注意：数值大小是 D D d d ）
上右图 FM电极的磁矩彼此“反平行”
自旋电子学的发展及其应用
自旋电子学的发展及其应用自旋电子学是一种新兴的研究领域，它涉及到自旋在电子学中的应用。
自旋电子学的发展可以追溯到20世纪60年代，当时科学家发现自旋可以在半导体中传递电信号。
然而，这个领域的真正飞跃是在21世纪初，随着新型材料和技术的发展，自旋电子学开始迎来了蓬勃的发展。
本文将从自旋电子学的基础原理、材料和技术发展、以及自旋电子学在实际应用中的优势等方面，详细介绍自旋电子学的发展及其应用。
一、自旋电子学的基础原理自旋电子学是基于自旋的量子属性，研究自旋在材料中的行为和特性，包括自旋的产生、传输、控制和检测。
自旋是电子的一种固有属性，可以看作是电子围绕自身旋转的一种特殊运动状态。
自旋有两种可能的取向，即上自旋和下自旋。
在外磁场的作用下，上自旋和下自旋的能量不同，因此可以通过磁场来控制自旋的取向。
二、自旋电子学的材料和技术发展随着自旋电子学的不断发展，研究人员已经发现了一些材料，这些材料具有优异的自旋特性，例如：铁磁性材料、半导体材料、自旋霍尔效应材料等。
在技术方面，研究人员已经发明了一些新的技术，例如：磁隧道结构技术、磁电阻技术、磁性记忆技术等，这些技术为自旋电子学的发展提供了有力的支持。
三、自旋电子学的应用自旋电子学已经被广泛应用于电子学和信息技术领域，具有广泛的应用前景。
下面列举了一些自旋电子学的应用：磁性存储器：磁性存储器是自旋电子学应用的一种重要形式，它可以实现高速读写、高密度存储和低功耗等优点。
自旋电子器件：自旋电子器件是利用自旋电子学的原理设计的器件，它具有高速、低功耗、稳定性好等特点，可以应用于处理器、存储器和通信设备等领域。
自旋电子输运：自旋电子输运是指利用自旋电子学的原理，设计实现一些新型的电子器件和传感器，用于探测、测量和传输电信号，例如自旋电荷泵、自旋输运晶体管等。
自旋电子学在量子计算中的应用：量子计算是一种全新的计算方式，自旋电子学中的自旋量子位可以用来存储量子信息，实现量子计算。
自旋电子学概述
自旋电子学概述自旋电子学是一门研究电子自旋运动和相关现象的学科领域。
自旋电子学在物理学、材料科学和电子工程等领域具有重要的理论和实际应用价值。
本文将简要介绍自旋电子学的起源、基本概念以及应用前景。
一、起源自旋电子学最早可以追溯到20世纪初。
美国物理学家斯特恩在1922年的实验中首次观测到电子的自旋。
自旋被认为是电子的基本属性之一，其类似于物体的自旋，但又有所不同。
自旋除了带有磁矩，还具有量子性质，如量子态叠加和纠缠等。
二、基本概念1. 自旋电子学中的自旋：自旋是描述电子旋转角动量的量子性质。
常见的自旋取值有“上自旋”和“下自旋”，分别对应自旋向上和向下。
2. 自旋电子学中的磁性：自旋和磁性密切相关，自旋带有磁矩。
通过利用电子自旋来操控和感知材料的磁性，可以实现磁存储、磁传输和磁传感等应用。
3. 自旋电子学中的自旋轨道耦合：自旋轨道耦合是指自旋和电子轨道运动之间的耦合效应。
它可以通过磁场、电场和材料的对称性等因素来调控。
自旋轨道耦合是实现自旋电子学功能的重要基础。
三、应用前景自旋电子学具有广阔的应用前景，以下列举几个重要的研究方向和应用领域：1. 自旋电子学器件：利用自旋来实现信息的存储、传输和处理是自旋电子学的重要应用之一。
例如，自旋晶体管、自旋场效应晶体管等器件可以用于高效的信息存储和处理。
2. 磁存储技术：自旋电子学在磁存储领域具有广泛的应用。
通过调控电子自旋来实现高密度、高速度的磁性存储，可以有效解决传统磁存储技术面临的挑战。
3. 自旋电子学材料：自旋电子学的发展离不开新型的自旋电子学材料。
例如，具有自旋劈裂特性的材料可以用于自旋传输和自旋滤波器件。
4. 量子自旋系统：自旋电子学与量子信息领域的交叉也是一个研究热点。
利用电子自旋来实现量子比特的存储和操作，有望实现量子计算和量子通信的突破。
四、总结自旋电子学作为一门新兴的学科领域，对于未来信息技术的发展具有重要意义。
随着研究的深入和技术的不断突破，自旋电子学有望在信息存储、传输和处理等领域发挥重要作用。
电子工程中的自旋电子学理论
电子工程中的自旋电子学理论自旋电子学理论是电子工程中的一个重要研究领域，其研究对象是电子的自旋，而不是电子的电荷。
随着磁性存储技术的快速发展，自旋电子学理论已被广泛应用于电子器件和计算机技术等领域。
本文将重点探讨自旋电子学理论的定义、原理及其在电子工程中的应用。
一、自旋电子学理论的定义自旋电子学理论是描述自旋与磁性相互作用的一种物理理论，主要应用于磁性材料的研究与应用，以及磁性存储设备的制造与优化。
在自旋电子学理论中，电子不仅具有电荷，而且具有自旋。
自旋指的是电子固有的自旋磁矩，是电子运动方向的磁场。
通过控制电子自旋，可以控制材料的磁性。
二、自旋电子学理论的原理首先要了解自旋的基础概念：自旋是电子的内禀属性，类似于固定轨道运动和角动量。
自旋有两个可能的方向，即“上”和“下”，可以用“+1/2”和“-1/2”表示。
在一个磁场中，电子会受到与自己自旋方向相反的力，这个力被称为磁场作用力。
因此，在一个磁场中，自旋方向相同的电子会向磁场区域集中，而相反的电子会分散在区域中。
自旋电子学理论还包括两个重要的概念：自旋极化和自旋电流。
自旋极化是指电子自旋朝向相同的概率比自旋朝向相反的概率更高。
自旋电流是指在一个导体中存在自旋向一侧的电子流。
自旋电子学理论在这两个概念的基础上，发现了一些有用的现象。
三、自旋电子学在电子工程中的应用1. 磁性存储器自旋电子学在磁性存储器中应用非常广泛。
在传统的硬盘驱动器中，数据是存储在一个矩形磁区中，每个磁区代表一个比特。
在新型的自旋电子学硬盘中，数据被存储在一个小型磁区中，即自旋填充层(Spintronic layer)。
自旋填充层包括两个分离的层，可以分别控制电子的自旋方向和运动方向。
这种技术比传统磁性存储器更加紧密和容量更大。
2. 自旋电流器件自旋电流器件是自旋电子学的一种应用，其原理是利用自旋电流控制磁性材料的自旋方向。
一个自旋电流器件由两个磁层隔着一个绝缘层组成，自旋电流会从一个层流入另一个层。
《自旋电子学》课件
探索自旋电子学在信息科学、纳米电子学和量子计算等领域的广泛应用。
自旋电子学的优势
详细阐述自旋电子学相较于传统电子学的优势和潜在价值。
自旋传输
1
自旋运输和操控
2
探索自旋如何在材料和器件中进行传输
和操控，为自旋电子学的应用提供支持。
3
自旋注入和探测
研究自旋如何被注入和探测，为后续自 旋运输和操控奠定基础。
自旋电场效应晶体管
介绍自旋电场效应晶体管的原理与设计， 展示其在信息处理中的潜力。
自旋器件
自旋触发器
介绍自旋触发器的原理与应用，探讨其在信息存储 和处理中的潜力。
自旋滤波器
详细阐述自旋滤波器的工作原理和应用场景，探讨 其在信息筛选中的优势。
自旋管
探索自旋管的原理与构建方法，展示其在自旋电子 学中的应用前景。
自旋电子学的未来
1 自旋电子学的发展趋 2 自旋电子学与量子计 3 自旋电子学在信息处
势
算的结合
理领域的应用
分析自旋电子学发展的趋 势和前景，展望未来的发 展方向。
探讨自旋电子学与量子计 算的结合，展示其在信息 处理领域的潜力。
详细介绍自旋电子学在信 息处理领域的具体应用， 展示其在实际应用中的优 势和挑战。
总结
自旋电子学的意义
总结自旋电子学的意义和重要性，强调其在信息科学领域的研究和应用价值。
自旋电子学的挑战
概述自旋电子学面临的挑战和难题，讨论未来的发展方向。
未来的方向
展望自旋电子学未来的发展方向，并提出进一步研究的建议。
自旋量子点
介绍自旋量子点的结构与特性，探讨其在量子计算 与信息处理中的潜力。
自旋电路与系统
自旋电子学
后来,人们设计出一种三明治结构,使相邻铁磁层的磁矩 不存在(或只存在很小的)交换耦合,则在较低的外磁场 下相邻铁磁层的磁矩能够在平行与反平行排列之间变 换,从而引起磁电阻的变化,这就是所谓的自旋阀结构 (spin valve).自旋阀结构的出现,使得巨磁电阻效应的应 用很快变为现实.
12-318出品
自旋电子学涉及的典型课题 a)如何有效地极化一个自旋系统，即如何获得自 旋极化相干态（包括自旋注入） b)系统的自旋极化相干态在输运过程中能保持多 长时间 c)如何有效地探测和操纵自旋状态以及自旋状态 的改变
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理论部分 非对易量子力学
[xi , x j ]
i ijk
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如果有磁通Φ穿过介观环 ,电子流过环时将发生干涉效应。 控制透射电子的自旋极化方向有两种方法 ,一科种方法是施加一定 大小的切向磁场 B,改变附加磁通的大小;另一种方法是选定附加磁 通的大小 ,调节切向磁场 B的大小。
既可以通过调节磁通也可以通过调节切向磁场来控制透射电子 的自旋极化方向 ,适当的调节可以使电子的自旋发生翻转。对于不 同的入射自旋态 ,这种装置可以用来控制极化自旋流或者充当自旋 开关
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1995年,人们以绝缘层Al2O3代替导体Cr,在 Fe/Al2O3/Fe三明治结构中观察到很大的隧道磁 电阻(Tunneling Magnetoresis-tance,TMR)现象, 从而开辟了自旋电子学研究的又一个新方向.
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•电子拥有自旋和电荷 •电子的逻辑装置采用电子的 带电性质 •电荷相互作用的能量在eV 级，而自旋相互作用在meV 级别 •基于电子的自旋性质的逻辑 运算的功率损耗要远小于基 于电荷性质的
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目前进入应用的器件(如GMR自旋阀)还只处 于第一层次.而且,对于自旋控制和自旋极化输运 的了解还处于一个非常肤浅的阶段,对出现的各种 新现象、新效应的理解基本上还只能是一种“拼 凑式”的半经典的唯象解释.因此,自旋电子学的 发展还面临着很多更大的挑战.利用电子的荷电性, 人类在半导体芯片上创造了今天辉煌的信息时代; 我们相信,对电子自旋特性的理解和操纵,将给人 类带来更为灿烂的明天
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采用量子隧穿效应 注入一种自旋，抽出另外一种
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P. Sharma, Science 307, 531 (2005).
（2）自旋传输 自旋电流从FM电极注入半导体， 会在界面和半导体内产生“累积” 自旋弛豫机制 会使得自旋的非平衡转向平衡。 这个特征时间大约是几十纳秒，足够长！
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自旋流与电流的比较
电流在时间反演下是奇的
自旋流在时间反演下是偶的
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自旋是电子的纯量子力学效应，是产生磁性物 质的重要物理起源。自旋和外界的相互作用远 比电荷的作用弱，因此具有更长的相干时间， 而且电子自旋取向构成一个双态量子系统，改 变电子自旋取向要比改变电子运动状态要容易 得多，快得多，因此可以利用电子的自旋自由 度作为信息的载体或量子位，从而可应用于量 子信息和量子计算方面
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自旋电子学涉及的典型课题 a)如何有效地极化一个自旋系统，即如何获得自 旋极化相干态（包括自旋注入） b)系统的自旋极化相干态在输运过程中能保持多 长时间 c)如何有效地探测和操纵自旋状态以及自旋状态 的改变
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理论部分 非对易量子力学
kk kk x k i ijk j k3 k3 xk xk i ijk x j 3 p 3 x x
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自旋流的衰减和转向
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综上所述,自旋电子学是以研究电子的自旋极化输运 特性以及基于这些特性而设计、开发新的电子器件 为主要内容的一门交叉学科,其研究对象包括电子的 自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关 的性质及其应用等. 目前,自旋电子学无论是在基础研究,还是在应用开发 方面都为物理学、材料科学和电子工程学等领域的 专家提供了一个能够大显身手的新领域.按照美国加 州大学Awschalom教授的观点,自旋电子学器件分为 三个层次: 其一是基于铁磁性金属的器件; 其二是将自旋注入半导体; 其三则是单电子自旋器件.
[ xi , x j ] i ijk
[ pi , p j ] i ijk
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当电子波包处于高速或瞬变状态、或处于强外场 中、或在空间中高度局域时，电子的负能分量不能忽 略，电子波函数得还原成本来的四分量形式。此时不 但电子自旋张量的三维空间分量（即通常所说的电子 自旋）在起作用，而且自旋张量的时空分量（称为 “类自旋”）也要发挥作用。前者与电子的内禀磁矩 有关，后者与电子的内禀电矩有关。 相应地，此时的自旋电子学要推广成“相对论自 旋电子学”，此时不但要研究磁场对自旋极化电子输 运特性的影响和控制，还要研究电场对类自旋极化电 子输运特性的影响和控制，同时利用电场和磁场来操 纵电子的自旋张量自由度
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后来,人们设计出一种三明治结构,使相邻铁磁层的磁矩 不存在(或只存在很小的)交换耦合,则在较低的外磁场 下相邻铁磁层的磁矩能够在平行与反平行排列之间变 换,从而引起磁电阻的变化,这就是所谓的自旋阀结构 (spin valve).自旋阀结构的出现,使得巨磁电阻效应的应 用很快变为现实.
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实验部分
一、自旋注入
二、自旋分离
三、自旋流
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（1）自旋注入
“使传导电子自旋极化” 即产生非平衡的自旋电子（占 有数） n↑ ≠ n↓
方法之一，光学技术。光取向或光抽运。
方法之二，电学自旋注入。（便于器件的 应用）
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偏振光极化
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自旋注入 欧姆接触
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1995年,人们以绝缘层Al2O3代替导体Cr,在 Fe/Al2O3/Fe三明治结构中观察到很大的隧道磁 电阻(Tunneling Magnetoresis-tance,TMR)现象, 从而开辟了自旋电子学研究的又一个新方向.
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•电子拥有自旋和电荷 •电子的逻辑装置采用电子的 带电性质 •电荷相互作用的能量在eV 级，而自旋相互作用在meV 级别 •基于电子的自旋性质的逻辑 运算的功率损耗要远小于基 于电荷性质的
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对于给定的环和一定能量的入射电子 ,荷电电流 和自旋流由外电场来控制 ,适当调节电场大小还可使 得自旋向上的入射电子经过环后极化方向变为向下
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如果有磁通Φ穿过介观环 ,电子流过环时将发生干涉效应。 控制透射电子的自旋极化方向有两种方法 ,一科种方法是施加一定 大小的切向磁场 B,改变附加磁通的大小;另一种方法是选定附加磁 通的大小 ,调节切向磁场 B的大小。 既可以通过调节磁通也可以通过调节切向磁场来控制透射电子 的自旋极化方向 ,适当的调节可以使电子的自旋发生翻转。对于不 同的入射自旋态 ,这种装置可以用来控制极化自旋流或者充当自旋 开关
spintronics
自旋电子学
张家祥 0410338 光信
王顺冲 0410292 物理学
康海洋 0410294 材料物理
自旋电子学(Spintronics or spin electronics),亦称磁电 子学(Magneto-electronics),是一门结合磁学与微电子 学的交叉学科。 巨磁电阻的发现是自旋电子学发展的里程碑.1988年, 法国科学家Fert小组在[Fe/Cr]周期性多层膜中观察到, 当施加外磁场时,其电阻变化率高达50%,因此称之为 巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance,GMR).而对 反铁磁耦合的多层膜,需要很高的外磁场才能观察到 GMR效应,故并不适合于器件应用.