模拟电子技术基础02-08-05 微变等效电路法_42
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础 自测题及答案
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
〔 〕2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
〔 〕1．半导体中的少数载流子产生的原因是〔 〕。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度升高时将〔 〕。
A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，假设工作温度升高，二极管的正向导通电流将〔 〕。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映〔 〕能力的参数。
A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，那么对应该管的管脚排列依次是〔 〕。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的〔 〕。
A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 性能。
6．三极管最重要的特性是 。
8．场效应晶体管属于 控制器件。
自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单项选择题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻be r 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
〔 〕2．放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作。
〔 〕5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。
〔 〕二、单项选择题1．在根本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将〔 〕。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电路基础第二章微变等效电路
U CE rce I C
IB
uce ic
另外，输出特性曲线不与横 轴完全平行，当IB=常数时， UCE与I C之比
IB
iC
称为晶体管的输出电 阻。约为104~105， 可视情况忽略。
Q
IC
IC
IB
UCE
0
UCE
uCE
ic
B
ib
C
B
ib
C
ic
ube
E
uce u be r be
Ube
hreUce
hfeIb
1 h oe Uce
Ib
Ic
Ube
hie
hfeIb
1 h oe Uce
h ie rbb rbe rbe h fe g m rbe h oe 1 rce
e
b
Ib
c
Ic
Ub
rbe
Ib
rce Uce
e
Ib
c
b
Ic
Ube
rbe
I
b
rce
2-3 微变等效电路
所谓微变等效电路，就是把非线性元件晶体 管线性化，将放大电路等效成一个线性电路。 2-3-1 BJT的小信号模型 物理模型 小信号模型 网络参数模型 混合 参数
H参数
Y参数
一、共发混合
参数模型
U be u BE rbe |Q ib iB VT VT (1 ) I BQ I EQ VT re I EQ
rce
C
I o
RB
Ib
RE
Ic
Rc
U o
E
Ro
B Rs RB
Ib
模拟电路基础知识教程
n01单元半导体器件基础半导体的导电特性导体、绝缘体和半导体本征半导体的导电特性杂质半导体的导电特性PN结晶体二极管二极管的结构与伏安特性半导体二极管的主要参数半导体二极管的等效电路与开关特性稳压二极管晶体三极管三极管的结构与分类三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用三极管的特性曲线三极管的主要参数三极管的开关特性场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管特殊半导体器件发光二极管光敏二极管和光敏三极管02单元基本放大电路基本放大电路的工作原理基本放大电路的组成直流通路与静态工作点交流通路与放大原理放大电路的性能指标放大电路的图解分析法放大电路的静态图解分析放大电路的动态图解分析输出电压的最大幅度与非线性失真分析微变等效电路分析法晶体管的h参数晶体管的微变等效电路用微变等效电路法分析放大电路静态工作点的稳定温度变化对静态工作点的影响工作点稳定的电路场效应管放大电路场效应管放大电路的静态分析多级放大电路多级放大电路的级间耦合方式多级放大电路的分析方法放大电路的频率特性单级阻容耦合放大电路的频率特性多级阻容耦合放大电路的频率特性03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类反馈的基本概念和一般表达式反馈放大电路的类型与判断负反馈放大电路基本类型举例电压串联负反馈放大电路电流并联负反馈放大电路电流串联负反馈放大电路电压并联负反馈放大电路负反馈对放大电路性能的影响降低放大倍数提高放大倍数的稳定性展宽通频带减小非线性失真改变输入电阻和输出电阻负反馈放大电路的分析方法深度负反馈放大电路的近似计算*方框图法分析负反馈放大电路04单元功率放大器功率放大电路的基本知识概述甲类单管功率放大电路互补对称功率放大电路OCL类互补放大电路OTL甲乙类互补对称电路复合互补对称电路变压器耦合推挽功率放大电路05单元直接耦合放大电路概述直接耦合放大电路中的零点漂移基本差动放大电路的分析基本差动放大电路基本差动放大电路抑制零点漂移的原理基本差动放大电路的静态分析基本差动放大电路的动态分析差动放大电路的改进06单元集成运算放大器集成电路基础知识集成电路的特点集成电路恒流源有源负载的基本概念集成运放的典型电路及参数典型集成运放F007电路简介集成运放的主要技术参数集成运放的应用概述运放的基本连接方式集成运放在信号运算方面的应用集成运放在使用中应注意的问题07单元直流电源整流电路半波整流电路全波整流电路桥式整流电路倍压整流电路滤波电路电容滤波电路电感滤波电路复式滤波电路有源滤波电路稳压电路并联型硅稳压管稳压电路串联型稳压电路的稳压原理带有放大环节的串联型稳压电路稳压电源的质量指标提高稳压电源性能的措施08单元正弦波振荡电路自激振荡原理自激振荡的条件自激振荡的建立和振幅的稳定正弦波振荡电路的组成LC正弦波振荡电路变压器反馈式振荡电路三点式LC振荡电路三点式LC振荡电路的构成原则电感三点式振荡电路电容三点式振荡电路克拉泼与席勒振荡电路（改进型电容三点式振荡电路）石英晶体振荡器石英晶体的基本特性和等效电路石英晶振：并联型晶体振荡电路石英晶振：串联型晶体振荡电路RC振荡电路RC相移振荡电路文氏电桥振荡电路09单元调制、解调和变频调制方式调幅调幅原理调幅波的频谱调幅波的功率调幅电路检波小信号平方律检波大信号直线性检波调频调频的特点调频波的表达式调频电路：变容二极管调频电路调频与调幅的比较鉴频对称式比例鉴频电路不对称式比例鉴频电路变频变频原理变频电路10单元无线广播与接受无线电广播与接收无线电波的传播超外差收音机超外差收音机方框图超外差收音机性能指标LC谐振回路LC串联谐振回路LC并联谐振回路输入回路统调中频放大电路自动增益电路整机电路分析向运动形成较大的电流。
模拟电路基础第二章微变等效电路
rb’c
b’
rce
是输出交流 短路下的输 入电阻
Cb’
rb’e
e
gmuiB CE|QV IC T
rbe
e
2. Uce对ic和ib的控制作用: 电阻rce与 rb’c
由基区宽度调制效应造成，阻值很大，一般，
电阻rb’c达数百千欧至十兆欧，可视为开路。 rcec 在数十千欧，可视情况确定是否为断路。
Ri
R’
E
R’
Ro uo
A u u u io i Ib (rcIb /e rb R /C e /R /L ) (rc/e orR b /C e /R /L )
Ai
Ic Ib
Ii
B Ib
B
Rs R
’
rb’b
Ib
rb’e
B
Ri
R’
E
Ri
iU i Ii
R B // R i
R i
Ui Ib
rbe
rce
e
二、晶体管共发H参数模型
iC
B iB
uBE
将晶体管视为一二端
口网络，根据两个端
C
口的 电压和电流之间 的相互关系导出的模
型是网络模型，对H
uCE
参数模型，选择的自 变量为iB, 和uCE,因变量
为uBE和iC。
E
uBE f1(iB,uCE)
iC f2(iB,uCE)
duBE
uBE iB
diB
Rc
uo
R
RL
E
Ii
B
Rs
R
B
Ib
B
’ rb’b
Ic C Io
rce R c
模拟电子技术基础课程标准
《模拟电子技术基础》课程标准一、前言1、课程性质“模拟电子”是理工科计算机、电子信息、自动化、通信等专业必修的专业核心课，该课程具有以下性质:知识理论系统性较强——是指学习本课程需要有一定的基础理论、知识做铺垫,且又是学习有关后续专业课程的基础;基础理论比较成熟——虽然电子技术发展很快，新的器件、电路日新月异,但其基本理论已经形成了相对稳定的体系。
有限的学校教学不可能包罗万象、面面具到，要把学习重点放在学习、掌握基本概念、基本分析、设计方法上；实践应用综合性较强——本课程是一门实践性很强的技术基础课，讨论的许多电子电路都是实用电路,均可做成实际的装置。
该课程的这些性质,决定了加强实践环节和动手能力的培养在本课程的重要地位。
其主要任务是解决学生电子技术入门的问题,使学生深入掌握模拟电子电路的基本工作原理、分析方法和基本技能，为深入学习后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下坚实基础。
2、设计思路关键词：课程设置依据、课程目标定位、课程内容选择标准、项目设计思路、学习程度用语说明、课程学时和学分。
《模拟电路》是研究放大电路的组成、各元件的作用放大的基本原理的课程。
它是研究和发展本专业的重要工具,同时注重培养学生解决实际问题的能力。
为了学好本课程，首先要具有正确的学习目的和态度，应为我国社会主义现代化事业而学习。
在学习中要刻苦钻研、踏踏实实、虚心求教、持之以恒。
在学习时要抓住概念、工作原理和分析方法；要理解问题是如何提出和引申的，又是怎样解决和应用的;要注意各部分内容之间的联系，前后是如何呼应的;要重在理解，能提出问题,积极思考，不要死记；通过习题可以巩固和加深对所学理论的理解，并培养分析能力和运算能力,所以应按要求完成布置的作业题。
除学习规定教材外，应参阅相关的参考书。
如有条件，可通过实验验证和巩固所学理论，训练实验技能,培养严谨的科学作风。
通过各个学习环节,培养分析和解决问题的能力和创新精神。
《模拟电子技术》习题答案2
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压UAB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，UAB=-6V。
（b）VD截止，UAB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，UAB=0 V。
（d）VD1截止， VD2导通，UAB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，ui =6sin t (V)，试画出uO的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知ui=5sin t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出ui与的波形。
解：ui>3.7V时，VD1导通，VD2截止，uo=3.7V；3.7V >ui>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，uo= ui ；ui<-4.4V时，VD1截止，VD导通，uo= -4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
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微变等效电路法 （1）画出微变等效电路
用晶体管h参数等效模型替换交流通路中 的晶体管。 RB C1 + + ui iB RC iC C2 + RS +UCC ii +
B
ib
+
ic
+
C
ube
-
rbe
E
ib
uce
-
B
ib
ic
C + RC RL uo
RS es – +
–
+ + T uCE uBE RL uo – – iE
ib
ic
C
io
+ + RL
o uu o
根据输出电阻的定义：
ib
RB rbe E RC
+ eS -
ui
-
Uo Ro = Io
RL ,Us 0
Ro Rc
-
-
求Ro的步骤： ①断开负载RL ②令 ui 0 或 eS 0 ③外加电压 uo ，产生电流 io，求电阻
Ro
带负载能力不强
微变等效电路法
+UCC RB C1 + + ui – i Au β rbe
放大能力强
RS es – +
+ + T uCE uBE RL uo – – iE
Ri RB / / rbe
信号拾取 能力弱
Ro RC
带负载 能力弱
ib
RB rbe E
+ eS -
ui
-
-
微变等效电路法
（2）计算电压放大倍数
ii + RS
B
ib
ic
C
io +
ui ib rbe
uo ib RL
ib
RB rbe E RC RL
+ eS -
ui
-
uo -
Uo RL Au Ui rbe Io Ic Ai Ii Ib
微变等效电路法 （3）输入电阻
ii + RS B
ib
ic
C + RC RL
根据输入电阻的定义：
ib
RB rbe E
Ri
Ui Ii
+ eS -
ui
-
uo
-
RB //rbe
（当Rb>>rbe时） 辩证法 系统观
Ri rbe
Ri
信号拾取能力不强
微变等效电路法 （3）输出电阻
ii + RS B
与静态工作点 有关
RC // RL RL
与负载有关
放大能力强
反相放大
微变等效电路法 （2）计算电压放大倍数 当信号源有内阻时： 前级电压放大倍数
Uo Aus＝ Us Ri 由图可知： U i R R U S i s
Uo Au＝ Ui
Us
+ Ui -
放大 电路
所以：
Ri Uo Uo Ui Aus＝ ＝ Au Ri Rs Us Ui Us
微变等效电路法
SMALL-SIGNAL ANALYSIS BASED ON H-MODEL
微变等效电路法
动态：放大电路有信号输入（ui 0）时的工作状态。
动态分析: 计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。
所用电路：放大电路的交流通路。 目的：找出Au、 ri、 ro与电路参数的关系，为设计打基础。 先静态 后动态