氧化物功能薄膜沉积系统操作规程
原子层沉积设备操作方法
原子层沉积设备操作方法
原子层沉积（ALD）是一种薄膜沉积技术，通过控制反应物的层层反应来沉积均匀、控制精密的薄膜。
以下是原子层沉积设备的一般操作方法：
1. 真空系统: 打开真空系统，排出空气，建立所需的低压（通常是10^-6到10^-9 Torr）。
2. 基板加载: 打开加载仓门，将待沉积的基板放入装载台中。
关闭加载仓门。
3. 提供反应物: 根据所需的沉积材料，加载相应的化学气体或前体分子到反应室的提供系统中。
确保反应室和提供系统都是密封的。
4. 触发反应: 根据预定的沉积步骤，逐一将反应气体输入到反应室中。
例如，先将氧气反应气体注入以氧化表面，然后将金属前体分子注入以沉积金属薄膜。
5. 反应持续时间: 反应持续的时间取决于所需的薄膜厚度和沉积速率。
通过控制反应时间来控制沉积层数。
6. 冲洗: 在每个反应层之间，进行气体冲洗以清洗反应室中的未反应气体和副产物。
7. 重复步骤: 重复4-6步骤，直到达到所需的膜厚。
8. 薄膜退火: 在沉积完成后，可以进行退火步骤以提高薄膜的结晶度和性能。
9. 基板卸载: 打开卸载仓门，将沉积好的基板从装载台取出。
关闭卸载仓门。
10. 关闭系统: 关闭真空系统，排气。
以上是一般的操作步骤，不同的ALD设备可能会有一些差异，具体的操作步骤和设备操作手册中的说明相符。
在操作ALD设备时，要遵循相关的安全操作规
程，并严格控制操作参数以确保薄膜的沉积质量和一致性。
薄膜沉积方案1500字
薄膜沉积方案简介薄膜沉积是一种常用的工艺，用于在材料表面形成一层薄膜。
薄膜沉积方案涉及多个步骤和参数的控制，以确保薄膜的质量和性能。
在本文档中，我们将介绍一种基于物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的薄膜沉积方案。
步骤步骤一：底层准备在开始薄膜沉积之前，需要对底层进行准备。
首先，清洁底层表面，确保其干净无尘。
然后，使用化学方法将其表面氧化，以增强薄膜与底层的结合力。
最后，在底层上保持一定的温度，以提高薄膜的结晶性。
步骤二：靶材制备薄膜沉积过程中需要使用靶材，靶材的选择和制备对薄膜质量有重要影响。
选择的靶材应与被沉积材料具有良好的相容性，并能提供足够的蒸发率。
制备过程中需要注意保持靶材的纯净性和形状的一致性。
步骤三：真空抽取薄膜沉积需要在真空环境中进行，以避免氧气和水分对薄膜质量的影响。
在开始薄膜沉积之前，需要使用真空泵将反应室抽取至所需的真空度。
这一步骤的时间长短取决于所需的真空水平和设备性能。
步骤四：靶材蒸发在薄膜沉积过程中，需要将靶材蒸发，生成蒸发材料的蒸汽，并沉积在底层表面形成薄膜。
通过加热靶材，使其达到蒸发温度，从而实现蒸发过程。
蒸发材料的选择和温度的控制对薄膜沉积的质量和性能至关重要。
步骤五：薄膜沉积在完成靶材蒸发后，蒸发材料的蒸汽会沉积在底层表面形成薄膜。
薄膜沉积的速率和均匀性取决于多个参数，如蒸发材料的蒸发率、沉积时间和沉积温度等。
应根据具体要求进行调整和控制。
步骤六：薄膜后处理完成薄膜沉积后，常需要进行后处理以提高薄膜的性能和质量。
后处理的具体方法依赖于薄膜材料的特性和应用需求。
常见的后处理方法包括热退火、离子注入和化学处理等。
参数控制气氛压力薄膜沉积过程中气氛压力的控制对薄膜质量有重要影响。
过高的气氛压力可能导致杂质的污染，而过低的气氛压力可能影响薄膜的沉积速率和均匀性。
应根据具体需求选择适当的气氛压力范围。
蒸发温度蒸发温度是控制靶材蒸发的重要参数。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光电子、光学、显示器件等领域。
本文将详细介绍PECVD的工作原理，包括工艺流程、设备结构和原理、反应机理以及应用领域等方面。
一、工艺流程PECVD工艺流程一般包括预处理、沉积和后处理三个步骤。
1. 预处理：将待沉积基底进行清洗和处理，以去除表面的杂质和氧化物，提高沉积质量。
2. 沉积：将预处理后的基底放置在PECVD反应室中，通过控制反应气体的流量和能量激活，使其产生等离子体。
等离子体中的激发态粒子与反应气体中的前体分子发生反应，生成沉积薄膜。
3. 后处理：对沉积的薄膜进行退火、氧化或其他处理，以改善薄膜的性能和稳定性。
二、设备结构和原理PECVD设备主要由反应室、真空系统、气体供给系统、高频电源和控制系统等部分组成。
1. 反应室：用于容纳基底和反应气体，通常采用石英或金属材料制成，具有良好的耐高温和耐腐蚀性能。
2. 真空系统：用于将反应室抽成高真空状态，以保证反应的稳定性和纯净度。
3. 气体供给系统：用于控制反应气体的流量和比例，通常包括气体进口、流量计、阀门等组件。
4. 高频电源：用于产生高频电场，激活反应气体形成等离子体。
5. 控制系统：用于控制和监测反应参数，包括温度、压力、功率等，以确保沉积过程的稳定和可控性。
PECVD的工作原理主要涉及等离子体激活、前体分子解离和表面反应等过程。
1. 等离子体激活：高频电源产生的电场作用下，反应室内的反应气体被激活成等离子体。
等离子体中的电子和离子具有较高的能量，能够激发前体分子的振动、转动和电子能级等状态。
2. 前体分子解离：等离子体中的高能粒子与反应气体中的前体分子碰撞，使前体分子发生解离，生成活性物种。
这些活性物种包括离子、自由基和激发态分子等，它们能够参与后续的表面反应。
3. 表面反应：解离后的活性物种在基底表面发生吸附和反应，生成沉积薄膜。
集成电路薄膜沉积
集成电路薄膜沉积一、引言集成电路是现代电子技术的核心，而薄膜沉积则是制造集成电路的重要工艺之一。
本文将围绕集成电路薄膜沉积展开，从基本概念、工艺流程、设备原理等方面进行详细阐述。
二、基本概念1. 集成电路集成电路是指在一个芯片上集成了多个功能模块，如逻辑门、存储器、模拟电路等。
它具有体积小、功耗低、可靠性高等优点，广泛应用于计算机、通信、汽车等领域。
2. 薄膜沉积薄膜沉积是指在基片表面沉积一层非常薄的材料，常用的材料包括金属、半导体和绝缘体等。
它是制造集成电路中最重要的工艺之一。
三、工艺流程1. 清洗基片在进行薄膜沉积之前，需要对基片进行清洗处理，以去除表面的污染物和氧化物。
清洗过程包括机械清洗、化学清洗和离子束清洗等。
2. 沉积薄膜在清洗完基片后，需要将薄膜沉积到基片表面。
常用的沉积方法包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和溅射沉积等。
其中，PVD是通过将材料加热至高温，使其升华成气体，然后让气体在基片表面凝结成薄膜；CVD是通过让一种或多种气体在基片表面反应生成所需的材料，然后形成薄膜；溅射沉积是通过将材料置于真空室中，在加上高能离子束或电子束的作用下，使其从靶材表面剥离出原子或分子，并在基片表面凝结成薄膜。
3. 后处理在完成沉积之后，还需要进行后处理。
常见的后处理方法包括退火、离子注入和电镀等。
其中，退火是指将已经沉积好的薄膜加热至一定温度，以改善其结晶度和电学性能；离子注入是指通过向已经沉积好的薄膜中注入离子来改变其性能；电镀是指在薄膜表面电化学沉积一层金属，以提高其导电性能。
四、设备原理1. 物理气相沉积设备物理气相沉积设备主要包括真空室、加热系统、靶材和基片架等。
其中，真空室是用于将材料置于真空环境中，以避免与空气中的杂质反应；加热系统是用于将靶材加热至高温，使其升华成气体；靶材是用于产生所需的材料；基片架则是用于支撑基片并控制其位置。
2. 化学气相沉积设备化学气相沉积设备主要包括反应室、进样系统和排放系统等。
功能薄膜及其沉积制备技术
功能薄膜及其沉积制备技术好啦，今天咱们聊聊“功能薄膜”这个话题。
你知道，薄膜技术已经不是啥新鲜玩意了，可是它真的太神奇了，就像我们平时用的手机屏幕、电视显示器、太阳能电池板，都离不开它的身影。
简单来说，功能薄膜就是在某个物体表面，特别是一些电子设备上，镀上一层薄薄的材料，这层材料可以是导电的、光敏的、甚至是抗菌的，啥都有，简直是五花八门，什么功能都能给你搞出来。
问题来了，咱们到底是怎么把这些薄膜做上去的呢？这就涉及到一个非常专业的词，叫做“沉积”。
乍一听，大家可能会觉得有点儿难懂，啥意思啊？其实也就是把一层材料“铺”到另一个物体表面，简单得很。
你想想，把涂料刷到墙上，不就相当于是涂覆嘛。
可是这个过程，在薄膜制作中，真得要讲究些技巧和技术，不能随便刷刷就完了。
就拿常见的“物理气相沉积”这种方法来说吧，它其实就像是把材料蒸发成气体，然后通过真空环境将气体“吸”到目标表面，最后它就会凝结成一层薄薄的膜。
是不是听起来有点儿像科幻电影里的操作？不过这就是现实，科技就是这么酷。
当然了，除了这种“物理”方式，还有化学气相沉积什么的。
化学气相沉积呢，就有点像厨房里的烹饪，你得在锅里加各种原料，配比要精准。
然后通过化学反应，把这些原料转化成所需的薄膜。
是的，做薄膜和做饭有点儿像，不信你看，掌握了火候，才能做出好吃的，掌握了沉积的技巧，才能做出优秀的薄膜！这个火候得非常精准，稍微不对就可能大功告终。
反正，你要是随便来，最后的薄膜可能会不均匀，质量差，甚至根本没法用。
别看这过程挺复杂，但好处也是显而易见的。
功能薄膜的应用可以说是非常广泛，不仅仅局限于电子领域，连医疗、环保、能源领域都能看到它的身影。
比如说，咱们现在常见的太阳能电池板，其实就是利用薄膜技术把光能转化为电能的。
如果没有这层薄膜，太阳能电池就像一颗没发芽的种子，啥用也没有。
它能把光照变成电流，简直是大自然的神奇法宝。
再比如说，某些薄膜还具备抗菌功能，想象一下，医院的设备、手机屏幕、甚至厨房的台面都可以变得更干净，减少细菌滋生，这不就是咱们现代生活中最需要的嘛。
3 薄膜沉积工艺
3 薄膜沉积工艺3薄膜沉积工艺薄膜沉积工艺是一种将材料以薄膜的形式沉积在基底表面的技术。
这种工艺广泛应用于电子、光电子、光学、纳米技术等领域，具有重要的科学研究和应用价值。
本文将介绍薄膜沉积工艺的基本原理、主要方法和应用领域。
一、薄膜沉积工艺的原理薄膜沉积工艺是通过物理或化学方法将材料以原子或分子的形式沉积在基底表面，形成一层均匀的薄膜。
其原理可以简单概括为两个方面：一是在基底表面形成薄膜的核心过程，包括原子或分子的吸附、扩散和聚集等；二是在基底表面形成薄膜的外部过程，包括气相传输、表面反应和薄膜成核等。
二、薄膜沉积工艺的方法1. 物理气相沉积（PVD）：物理气相沉积是利用物理方法将材料以原子或分子的形式沉积在基底表面的方法。
常用的物理气相沉积方法有蒸发、溅射、激光熔融等。
这些方法具有成本低、沉积速度快、薄膜质量好等优点，广泛应用于半导体、电子器件等领域。
2. 化学气相沉积（CVD）：化学气相沉积是利用化学反应将材料以原子或分子的形式沉积在基底表面的方法。
常用的化学气相沉积方法有热CVD、等离子体CVD、激光化学气相沉积等。
这些方法具有沉积速度快、薄膜质量好、沉积温度低等优点，广泛应用于光电子、光学器件等领域。
3. 溶液法沉积：溶液法沉积是将溶解了材料的溶液涂覆在基底表面，通过溶剂的挥发或化学反应形成薄膜的方法。
常用的溶液法沉积方法有旋涂法、浸渍法、喷涂法等。
这些方法具有简单易行、成本低等优点，广泛应用于柔性电子、生物医学等领域。
三、薄膜沉积工艺的应用1. 电子器件领域：薄膜沉积工艺在电子器件领域的应用非常广泛，如硅薄膜太阳能电池、有机发光二极管（OLED）、薄膜晶体管（TFT）等。
2. 光学器件领域：薄膜沉积工艺在光学器件领域的应用也非常重要，如反射镜、透镜、滤光片等。
3. 纳米技术领域：薄膜沉积工艺在纳米技术领域的应用也十分广泛，如纳米粒子薄膜、纳米线薄膜等。
总结：薄膜沉积工艺是一种将材料以薄膜的形式沉积在基底表面的技术。
lpcvd镀膜工艺流程
lpcvd镀膜工艺流程LPCVD镀膜工艺流程引言：LPCVD（低压化学气相沉积）镀膜工艺是一种常用于半导体制造中的薄膜沉积技术。
本文将介绍LPCVD镀膜工艺的流程及其主要步骤。
一、前处理：在进行LPCVD镀膜之前，需要对基片进行一系列的前处理工作。
首先，基片需要经过超声清洗，以去除表面的杂质和污染物。
然后，通过热处理将基片表面氧化，以增加薄膜的附着力。
接下来，进行表面的化学处理，例如使用酸性溶液进行清洗，以进一步去除可能存在的杂质和污染。
二、装载基片：经过前处理的基片将被装载到LPCVD设备中。
装载基片的过程需要在无尘室环境下完成，以确保薄膜的质量和均匀性。
装载时需要注意避免基片的污染和损伤。
三、预热：在进行LPCVD镀膜之前，需要对基片进行预热处理。
预热的目的是使基片达到适合沉积的温度，以提高薄膜的均匀性和质量。
通常，预热温度为400-600摄氏度，预热时间根据不同的薄膜材料和厚度而定。
四、薄膜沉积：LPCVD镀膜的核心步骤是薄膜的沉积。
在LPCVD设备中，通过将气体混合物引入反应室并加热，使其分解并在基片表面沉积。
不同的气体混合物可以实现不同的薄膜材料和性质。
例如，用于沉积二氧化硅的气体混合物通常包含二氯甲烷和氨气。
五、冷却和退火：完成薄膜沉积后，基片需要经过冷却和退火的步骤。
冷却是将基片从高温环境中迅速冷却，以稳定薄膜的结构和性质。
退火是将基片在较低的温度下加热一段时间，以进一步改善薄膜的晶体结构和降低残余应力。
六、薄膜测试：完成冷却和退火后，需要对薄膜进行测试以确保其质量和性能。
常用的测试方法包括薄膜厚度测量、表面粗糙度测量、折射率测量等。
这些测试可以帮助评估薄膜的均匀性、质量和一致性。
七、卸载基片：经过测试合格的薄膜将被卸载出LPCVD设备。
卸载过程需要小心操作，以避免薄膜的损伤和污染。
八、后处理：卸载后的薄膜可能需要进一步的后处理工作。
例如，可以使用化学机械抛光（CMP）来改善薄膜的平整度和光洁度。
集成电路薄膜沉积
集成电路薄膜沉积介绍集成电路薄膜沉积是现代集成电路制造过程中的关键步骤之一。
它是指将薄膜材料沉积在集成电路芯片的表面，以实现电路功能和保护芯片。
本文将详细介绍集成电路薄膜沉积的过程、方法和应用。
薄膜沉积的原理薄膜沉积是将薄膜材料以原子、离子或分子形式沉积在基底表面的过程。
常用的薄膜沉积方法包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
物理气相沉积（PVD）物理气相沉积是利用真空蒸发、离子束溅射或磁控溅射等方法将薄膜材料从固体源蒸发或溅射，并沉积在基底表面。
这种方法适用于沉积金属膜、氧化物膜和氮化物膜等薄膜材料。
化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是利用化学反应使气相中的薄膜前驱体分解生成固态薄膜，并沉积在基底表面。
常见的CVD方法有热CVD、低压CVD和气相淀积等。
该方法可用于沉积非金属薄膜材料，如多晶硅、氮化硅等。
薄膜沉积的步骤薄膜沉积的过程通常包括前处理、沉积、后处理和质量检测等步骤。
前处理前处理是为了准备好基底表面，以使薄膜能够良好地附着在其上。
通常包括清洗、蚀刻和表面修饰等步骤。
1.清洗基底表面，去除尘埃、有机物和氧化物等杂质。
2.蚀刻基底表面，去除表面氧化层，提高接触性和附着性。
3.表面修饰，如引入功能分子以改善特定性能。
沉积沉积是将薄膜材料沉积在基底表面的步骤。
根据材料和方法的不同，可以采用PVD或CVD等沉积方法。
1.物理气相沉积：–真空蒸发：将固态薄膜材料加热至其气化温度，使其蒸发成气体，然后通过凝结在基底表面。
–离子束溅射：利用高能离子束轰击固态薄膜材料，将其溅射到基底表面形成薄膜。
–磁控溅射：在磁场作用下，将固态薄膜材料离子化并溅射到基底表面。
2.化学气相沉积：–热CVD：通过热分解化学前驱体，使其生成固态薄膜并沉积在基底表面。
–低压CVD：在较低压力下进行CVD，可控制沉积速率和薄膜性质。
–气相淀积：通过气相反应，生成固态薄膜颗粒同时沉积在基底表面。
后处理后处理是为了改善薄膜性质，如晶格结构、表面光洁度和薄膜应力等。
薄膜操作规程
薄膜操作规程薄膜操作规程旨在确保在薄膜制备过程中，操作人员按照标准化的要求进行操作，以提高工作效率、确保产品质量，并且保障操作人员的安全。
本规程适用于所有从事薄膜制备工作的操作人员。
1. 前期准备1.1 工作区域清洁在开始操作之前，操作人员应保证工作区域整洁，清除任何杂物和污垢，以减少外部污染对薄膜制备过程的干扰。
1.2 设备检查操作人员必须检查所使用的薄膜制备设备的状态和功能，确保设备无损坏，以免影响操作的正常进行。
如发现任何异常，请及时汇报给主管。
2. 个人防护措施2.1 穿戴适当工作服在操作过程中，操作人员应穿戴符合相关安全标准的工作服，以保护个人安全。
2.2 戴手套和口罩为了防止操作人员的手部皮肤直接接触到化学药品和污染物，应佩戴合适的手套。
在某些工作环境下，操作人员还应佩戴口罩，以降低吸入有害气体和颗粒物的风险。
3. 薄膜制备操作3.1 样品准备在进行薄膜制备之前，操作人员应准备好所需的样品，并保证样品干燥、清洁，以保证薄膜制备的准确性和稳定性。
3.2 薄膜制备步骤按照操作手册的规定，操作人员应依次进行薄膜制备步骤，确保每个步骤的准确性和精度。
在操作过程中，应遵循以下原则：- 严格按照配方比例和操作要求配制溶液。
- 仔细选择和处理所使用的材料，以确保薄膜的质量和稳定性。
- 在操作过程中，保持操作区域干净，避免污染影响薄膜质量。
- 正确使用设备和工具，确保安全操作。
- 操作过程中，严禁吃东西、喝水或者进行其他无关操作。
4. 后期清洁与维护4.1 清洁工作薄膜制备结束后，操作人员应及时清洁工作区域和设备，清除残留物和废弃物，并妥善处置。
4.2 设备维护为了确保薄膜制备设备的正常运行和延长使用寿命，操作人员应根据设备维护手册的要求，进行定期的设备检修和维护工作。
如发现设备异常，应及时上报给主管，并按照规定进行处理。
5. 安全事故处理5.1 急救措施在发生事故或者操作人员受伤时，应立即启动相应的急救措施，保证操作人员的生命安全。
氧化物功能薄膜沉积系统操作规程
氧化物功能薄膜沉积系统操作规程一、准备工作打开总电源→打开复合真空计观看气压→打开放气阀，待没有放气声（或是真空计电阻单元到1 x 10 ^ 5Pa）,关闭放气阀→打开腔门→检查腔内是否有样品→放置好靶材、基片（带一次性手套操作）→调整并关闭样品挡板、靶挡板→关闭腔门。
二、抽真空1、抽低真空：打开机械泵→打开旁抽阀→抽到复合真空计电阻单元示数小于10Pa（1.0 E 1）;2、抽高真空：待复合真空计电阻单元示数小于10（1.0 E 1）→关闭旁抽阀→打开前级阀→打开分子泵电源→开分子泵→待分子泵频率于100以上时，开插板阀→抽真空到复合真空计电离单元小于5 x 10 ^-4Pa（5.0 E -4）；3、注意事项：（1）、必须先抽低真空，再抽高真空；（2）、开关各阀的顺序不能乱，分子泵要先开电源，再启动开关；（3）、正常情况下2h左右可以抽到高真空（小于5 x 10 ^-4Pa）。
三、加热打开加热电源，观看腔内实际温度→按“▲”“▼”按钮设定温度→单击ENT确定（SV 那行数字末的绿点消失）→长按“RUN/RST”运行（OUT1和RUN亮）→调节旋钮，使电流到2左右（视预设温度可适当增大，但不可超过5A）→加热，等待温度上升到预设温度，且达到高真空。
注意事项：（1）、“PV”实际温度；“SV”预设温度；加热时，真空度会降低，所以，加热时也要不断抽真空到高真空；（2）、从室温到500℃，且抽到高真空约要3h。
四、射频电源溅射1、预溅射：关闭复合真空计电离单元→打开射频电源预热→打开氩气瓶（顶上旋钮拧松，蓝色旋钮拧紧，左边氧压力表指针不超过第一格）→打开流量计电源→MFCⅠ调到阀控，调节旋钮到所需的氩气流量→开进气阀1（抽混气室真空）→截止阀1→关插板阀→打开腔下旋钮，调气压到预设工作气压→调射频功率（Ps）到50左右，点击“ON”，观察是否起辉，没起辉可将腔体气压调大并打开靶挡板，先“OFF”再“ON”，直到起辉为止→起辉后调射频功率到150左右，将腔体气压调回工作气压→氩气预溅射10min到15min→打开氧气瓶→设定氧气流量→打开进气阀2→反应预溅射5min左右→调加热电流在4A左右→调射频功率到预设功率→调节工作气压到预设气压。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
氧化物功能薄膜沉积系统操作规程
一、准备工作
打开总电源→打开复合真空计观看气压→打开放气阀，待没有放气声（或是真空计电阻单元到1 x 10 ^ 5Pa）,关闭放气阀→打开腔门→检查腔内是否有样品→放置好靶材、基片（带一次性手套操作）→调整并关闭样品挡板、靶挡板→关闭腔门。
二、抽真空
1、抽低真空：打开机械泵→打开旁抽阀→抽到复合真空计电阻单元示数小于10Pa（1.0 E 1）;
2、抽高真空：待复合真空计电阻单元示数小于10（1.0 E 1）→关闭旁抽阀→打开前级阀→打开分子泵电源→开分子泵→待分子泵频率于100以上时，开插板阀→抽真空到复合真空计电离单元小于5 x 10 ^-4Pa（5.0 E -4）；
3、注意事项：（1）、必须先抽低真空，再抽高真空；
（2）、开关各阀的顺序不能乱，分子泵要先开电源，再启动开关；
（3）、正常情况下2h左右可以抽到高真空（小于5 x 10 ^-4Pa）。
三、加热
打开加热电源，观看腔内实际温度→按“▲”“▼”按钮设定温度→单击ENT确定（SV 那行数字末的绿点消失）→长按“RUN/RST”运行（OUT1和RUN亮）→调节旋钮，使电流到2左右（视预设温度可适当增大，但不可超过5A）→加热，等待温度上升到预设温度，且达到高真空。
注意事项：（1）、“PV”实际温度；“SV”预设温度；加热时，真空度会降低，所以，加热时也要不断抽真空到高真空；（2）、从室温到500℃，且抽到高真空约要3h。
四、射频电源溅射
1、预溅射：关闭复合真空计电离单元→打开射频电源预热→打开氩气瓶（顶上旋钮拧松，蓝色旋钮拧紧，左边氧压力表指针不超过第一格）→打开流量计电源→MFCⅠ调到阀控，调节旋钮到所需的氩气流量→开进气阀1（抽混气室真空）→截止阀1→关插板阀→打开腔下旋钮，调气压到预设工作气压→调射频功率（Ps）到50左右，点击“ON”，观察是否起辉，没起辉可将腔体气压调大并打开靶挡板，先“OFF”再“ON”，直到起辉为止→起辉后调射频功率到150左右，将腔体气压调回工作气压→氩气预溅射10min到15min→打开氧气瓶→设定氧气流量→打开进气阀2→反应预溅射5min左右→调加热电流在4A左右→调射频功率到预设功率→调节工作气压到预设气压。
2、正式溅射：预溅射结束→开挡板电源→开靶挡板（此时气压及电源电压会跳动）→稳定后开样品挡板→溅射，计时。
3、注意事项：
（1）、溅射过程中实验者不能离开设备；
（2）、实验过程中要注意变化的参数有射频电源的功率，气体流量，加热的电流及温度，工作气压，气瓶气压等；
（3）、开阀时，应该遵循“先抽气，再进气”的原则；
（4）、以上的步骤只针对不进行混气的射频反应溅射，该法是利用腔下的旋钮控制工作气压，若混气则需用节流阀和插板阀来控制工作气压。
五、射频电源关机
关闭样品挡板和靶挡板及其电源→调射频功率到0→按“OFF”→关射频电源→关闭氧气瓶→氧气流量计示数调到0→关进气阀2→关加热电源（先将电流调到0，先长按“RUN/RST”，电源不用关）→关氩气瓶，氩气流量计示数调到0→关闭复合真空计→关截止阀1→关进气阀1→待温度降到100℃以下→关加热总电源→关腔下旋钮→关分子泵→待分子泵频率降低到0→关分子泵电源→关前级阀→关机械泵→关总电源。
注意事项：（1）、严格遵循后开先关的原则；（2）、从500℃降到100℃以下需3-4h。
六、直流电源操作简介
1、直流电源和射频电源操作一样（开机先设定功率再点“ON”，关机先将功率调到0再“OFF”）只不过开机时不需要预热，而且增减功率速度都要慢一点。
2、加偏压：（1）开：POWER→START→ADJUST调电压→RATIO调占空比→开溅射电源；（2）关：关闭溅射电源→将电压和占空比调到零→POWER关闭偏压电源。
3、注意事项：（1）、打火从腔体玻璃可以看到，打火明显，应停止溅射。
七、高功率脉冲电源操作简介
高功率脉冲电源操作界面（红色框里的是可以调的地方）
1、设定参数：打开总电源。
设定峰值电压，调节电流（间接调节功率）到预设值，设定占空比（“开通时间”和“设定频率”）；
2、启动：点击“启动”，等几秒，听到“咔”的一声，点击“运行”；
3、复位：当打火严重时电源会报警自己停止，此时需要“复位”之前的状态，在点击“启动”“运行”；
4、预溅射：通Ar气→调工作气压→开脉冲电源，将电流调到0.25A，溅射10~15min，待屏幕上打火次数少且稳定时即可停止溅射；
5、正式溅射：通O2→调工作气压→调电流、脉冲宽度、频率等→待示数稳定→打开挡板溅
射；
6、关机：先点“暂停运行”，听到“咔”的一声，点“停止”，待所有参数实际示数都<10时（或示数降到0），关闭总电源；
7、注意事项：1）需要预热；2）预溅射需要的电流为0.25A左右；3）据经验，一般实际功率在250w左右。
八、压缩机清理
压缩机是用于产生打开各阀门所需气压的设备，需要一个月左右清理一次。
具体清理流程如下：
1、拔掉插头断电（大框）。
2、将中框里红色按钮提起来，再将旁边（靠墙那边）开关逆时针旋转90°。
3、拧开小框里旋钮，下面用污水槽接污水，倾斜压缩机直到污水流完。
关闭旋钮向压缩机里充气，充满后再按照之前步骤再排一遍污水。
4、逆向关闭各旋钮，插上电给压缩机充气。
九、偏压电源
1、开: POWER→START→ADJUST调电压→RATIO调占空比→开溅射电源;
2、关:将溅射电源关闭→将电压和占空比调到零→STOP→POWER。