SDRAM工作原理
SDRAM工作原理
SDRAM工作原理SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 是一种同步动态随机存取存储器，常用于个人电脑、服务器和其他计算机系统中作为主存储器。
相比于旧的DRAM，SDRAM具有更高的速度和更好的性能。
1. 存储单元：SDRAM由大量的存储单元组成，每个存储单元由一个容量为一个bit的电容和一个访问/刷新电路组成。
这些存储单元按行和列排列成矩阵状结构。
2.时钟信号同步：SDRAM通过外部时钟信号进行同步操作。
时钟信号的频率决定了SDRAM的运行速度，通常以MHz来衡量。
3.存储地址：SDRAM通过行地址和列地址来访问各个存储单元。
行地址用于选择行，列地址用于选择列。
通过选择行和列可以定位到具体的存储单元。
4.行选择（预充电）：在访问其中一行之前，该行的数据会被提前读取到一个内部的行缓冲区，称为“预充电”。
这个过程可以提高SDRAM的速度，因为行缓冲区中的数据可以更快地被读取。
5.数据读取和写入：在SDRAM访问其中一行时，可以读取该行的数据或向该行写入数据。
读取数据时，数据会被传输到SDRAM外部；写入数据时，数据会被写入到SDRAM内部。
6.刷新：与传统的DRAM类似，SDRAM也需要周期性地进行刷新操作以保持数据的存储。
刷新是通过在其中一行上的预充电操作中同时进行的。
7.控制信号：SDRAM通过外部控制信号来控制读写操作。
这些信号包括写使能信号、读使能信号和时钟信号等。
8.延迟和预充电周期：SDRAM的读写操作具有一定的延迟和预充电周期。
延迟是指从发出读写命令到读写数据可用的时间，预充电周期是指刷新之间的时间间隔。
总的来说，SDRAM工作的基本原理是通过时钟信号同步访问存储单元，通过行选择实现预充电和数据的读写，并周期性地进行刷新操作以保持数据的存储。
通过这些操作，SDRAM实现了高速的读写功能，成为现代计算机系统中最重要的存储器之一。
SDRAM原理和时序
SDRAM原理和时序SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机访问存储器，主要用于计算机系统中，以存储数据和指令。
本文将从原理和时序两个方面对SDRAM进行详细的解析和教程。
一、原理1.寻址：SDRAM采用地址总线将存储单元进行编号，通过地址总线可以访问存储器中特定的单元。
SDRAM的地址空间通常是2的幂次方大小，即N=2^k，其中k为地址总线的位数。
2.读写操作：SDRAM的读写操作是通过数据总线进行的。
写操作可以将数据写入特定的存储单元，而读操作可以将存储单元中的数据读取到CPU或其他外部设备。
3.预充电：SDRAM中的每个存储单元都是由一个电容和一个开关组成。
在进行读写操作之前，需要对存储单元进行预充电操作，以确保电荷的准确读取和写入。
4.刷新：SDRAM是一种动态存储器，存储单元中的电荷会逐渐漏失。
为了保持数据的有效性，SDRAM需要进行定期的刷新操作，即将所有存储单元的数据重新写入并恢复电荷。
二、时序1.读时序：SDRAM的读操作包括行选通、列选通和数据输出三个过程。
首先，通过地址总线选通特定的行（行选通），然后选通特定的列（列选通），最后将存储单元中的数据通过数据总线输出。
读操作的时序需要考虑地址选通和数据输出之间的延迟。
2.写时序：SDRAM的写操作包括行选通、列选通和数据输入三个过程。
首先，通过地址总线选通特定的行（行选通），然后选通特定的列（列选通），最后将数据通过数据总线输入到特定的存储单元中。
写操作的时序需要考虑地址选通和数据输入之间的延迟。
时序的设计和调整对于SDRAM的稳定性和性能非常重要。
不同的SDRAM芯片可能有不同的时序参数需要设置和优化。
三、教程以下是使用SDRAM的一般步骤：1.确认SDRAM的规格和时序参数，包括容量、位宽、频率等，并根据需要准备好相应的电路板和接口。
2.将SDRAM芯片焊接到电路板上，确保正确连接电源和信号线。
SDRAM原理介绍
SDRAM原理介绍SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器，广泛应用于计算机和其他电子设备中。
它是一种存储芯片，能够在时钟信号的同步下进行读取和写入操作。
SDRAM相对于传统的DRAM（动态随机存取存储器），具有更高的性能和速度。
SDRAM的工作原理是基于两个重要的概念：同步和预充电。
首先，SDRAM与系统时钟同步工作，使得存储和处理能发生在相同的时间单位内，从而充分利用系统的速度。
这种同步性质使得SDRAM能够在每个时钟周期内完成读取或写入操作。
其次，SDRAM采用了预充电的策略来提高读取速度。
在一个字节被读取之前，SDRAM将已经被访问的内部存储位预充电成高电平。
这样在读取数据时，预充电电压将缩短读出时间，提高存取的速度。
同时，预充电还可以提高写入速度，因为预充电后的内存位在写入数据时可以更快地接收并存储数据。
SDRAM有多种类型，最常见的是DDR（Double Data Rate）SDRAM和DDR2 SDRAM。
DDR SDRAM在每个时钟周期内完成两个传输操作，每个操作仅需一次时钟脉冲，从而提高了传输速度。
而DDR2 SDRAM在DDR的基础上进行了改进，提高了传输速度和带宽。
SDRAM的内部结构包括一个存储单元阵列和控制逻辑。
存储单元阵列由一个个存储位组成，每个存储位可以存储一个数据位。
通过行选择器和列选择器，控制逻辑可以选择并读取或写入特定的存储位。
控制逻辑还有其他功能，如提供时钟信号，实现读取和写入操作的同步等。
在SDRAM的读取过程中，首先需要通过地址线送入目标内存位的地址。
然后通过控制逻辑选择行选择器和列选择器，将内存位的数据输出到读取缓冲区。
最后，将数据输出到CPU或其他外部设备。
写入过程与读取过程相似，但是需要将数据输入到写入缓冲区，并将数据写入到目标内存位。
总结起来，SDRAM是一种同步动态随机存取存储器，具有同步和预充电的工作原理。
SDRAM原理及应用
SDRAM原理及应用SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 是一种同步动态随机存取存储器，是当今计算机系统中最常用的存储器之一、它不同于传统的DRAM (Dynamic Random Access Memory)，在访问数据时使用外部的时钟信号来协调存储器和控制器的运行。
1.存储单元：SDRAM由一系列的存储单元组成，每个存储单元都可以存储一个位(0或1)。
每个存储单元由一个电容和一个开关组成，电容负责存储位的值，而开关则负责读取和写入操作。
2.存储组织：SDRAM存储单元按矩阵的形式组织起来，其中每个存储单元都由一个行和一个列地址来标识。
每一行称为一个行地址空间，每一列称为一个列地址空间。
3.数据访问：在进行数据读取或写入操作时，控制器会发送相应的地址信号来选择存储单元。
这个信号包含行地址和列地址，控制器将存储单元的行地址发送给存储器，然后存储单元将该行中的所有存储单元都读取到内部缓冲区。
之后，控制器将列地址发送给存储器，并从内部缓冲区中选择相应的存储单元来读取或写入数据。
4.数据传输：在数据传输过程中，存储单元的电容会充电或放电，以表示数据的值。
读取操作会将电容的电压转换为数字信号，并传送给控制器。
写入操作则将数字信号转换为相应的电压，并充电或放电储存单元的电容。
5.时序控制：SDRAM使用外部时钟信号来控制存储器和控制器的操作，这样可以确保数据的传输和处理都在一个统一的时钟周期内完成。
1.个人计算机：SDRAM是个人计算机中最常用的内存类型。
它具有较高的数据传输速率和容量，可以满足计算机对大量数据的处理需求。
它还具有低功耗和高稳定性的特点，可以有效地提高计算机的性能和响应速度。
2.服务器和工作站：在服务器和工作站中，SDRAM通常用于存储大量的数据和处理复杂的任务。
SDRAM的高速数据传输和高容量存储能力可以帮助服务器和工作站快速处理大量的数据请求，并提供稳定的性能。
sdram工作原理
sdram工作原理SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器，是计算机中最为常见的内存类型之一、它的工作原理是基于电子存储单元中存储信息的方式。
首先，SDRAM内存被划分为一系列的存储单元，每个存储单元都由一个电容和一个开关（MOSFET）组成。
电容用来存储电荷，而MOSFET则是负责控制电荷的读取和写入。
SDRAM的工作原理主要包括刷新、读取和写入三个过程。
首先，我们来看看刷新过程。
刷新是SDRAM内存的一项重要功能，它能够解决电容充放电过程中的电荷衰减问题。
SDRAM内存中每个存储单元都是由一对电容和MOSFET组成，电容用来存储电荷，而MOSFET用于控制电荷的读取和写入。
由于电容会逐渐失去电荷，所以为了保持存储的数据稳定，需要定期对电容进行刷新。
刷新过程是由SDRAM控制器来完成的，它会向内存发送一个刷新周期信号，使得所有的存储单元都被刷新一遍。
接下来是读取过程。
当CPU需要读取SDRAM中的数据时，它首先会向SDRAM发送一个读取请求信号，该信号包含要读取的数据的地址。
当SDRAM接收到读取请求信号后，它会将请求的数据从存储单元中读取出来，并将数据通过数据线发送给CPU。
在读取过程中，SDRAM会使用一个内部时钟信号来同步数据的传输。
CPU在读取数据之后，可以对数据进行处理或者保存到其他存储器中，以供以后使用。
最后是写入过程。
当CPU需要将数据写入SDRAM时，它会向SDRAM发送一个写入请求信号，该信号中包含要写入的数据和地址。
当SDRAM接收到写入请求信号后，它会将要写入的数据存储到特定的存储单元中。
在写入过程中，SDRAM也会使用一个内部时钟信号来同步数据的传输。
CPU在写入数据后，可以通过读取操作来验证数据是否写入成功。
总而言之，SDRAM的工作原理是通过控制电容的充放电来存储和读取数据。
刷新过程能够解决电容衰减问题，保持数据的稳定性。
sdram工作原理
sdram工作原理
SDRAM，即同步动态随机存取存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种高速存储器。
它的工作原理基于许多相互关联
的电子电路组件，例如纠错代码、行/列地址选择逻辑、内部预取逻辑等。
SDRAM的主要特点是它同步工作。
这意味着SDRAM能够在内存总线时
钟信号的约束下进行工作。
SDRAM存在内部时钟，并在总线时钟的相应边
沿进行数据传输。
这种同步特性使得SDRAM能够以非常高的速度进行数据
传输。
SDRAM还具有被动刷新功能。
因为存储器中的数据不断地流失，因此SDRAM需要定期刷新它的内容以保持数据的正确性。
这个刷新过程可以通
过内部预取逻辑来完成。
即SDRAM会按照预定的规则自动预取一些数据，
以便在它们被访问时能够保持内部各种状态的正确性。
最后，SDRAM支持多通道技术，它能够同时处理多个数据包。
具体而言，SDRAM可以分为若干通道，每个通道可以同时进行一部分数据的读写
操作，从而提高存储器的带宽和吞吐量。
总之，SDRAM是一种高速存储器，它通过同步工作、被动刷新和多通
道技术来实现高效的数据传输和存储。
sdram原理(一)
sdram原理(一)SDRAM原理什么是SDRAM？SDRAM是随机存取存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory）的缩写，是一种常见的计算机内存。
它是一种同步存储器，具有高速读写的特性，广泛用于个人电脑、服务器、网络设备等计算机系统中。
SDRAM的工作原理SDRAM的原理相对复杂，下面将从浅入深地解释SDRAM的工作原理。
时钟信号和同步SDRAM的工作是通过时钟信号进行同步的。
在SDRAM中，时钟信号控制数据的读写和传输。
读写操作必须与时钟信号的上升沿或下降沿对齐，以确保数据传输的正确性。
存储单元和存储电容SDRAM的存储单元是由一对MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和一个电容器组成。
MOSFET用于控制数据的读写操作，而电容器则用于存储数据。
存储电荷和刷新SDRAM中的电容器存储的是电荷，而不是电压。
电荷会随时间逐渐泄漏，因此需要定期刷新以保持数据的有效性。
刷新操作通过向每个存储单元施加一个恒定电压来完成。
行地址和列地址SDRAM的存储区域被划分为多个行和多个列。
行地址用于选择行，列地址用于选择列。
通过控制行地址和列地址，可以实现对特定数据的读写操作。
预充电和读取在进行读取操作之前，需要对存储单元进行预充电操作。
预充电操作将电容器的电压调整到正确的工作电压，以便进行下一次的读写操作。
CAS（列地址选择）延迟CAS延迟是SDRAM中的一个重要概念。
它表示在进行读取操作时，需要等待的时间，以确保数据的正确传输。
CAS延迟的数值决定了SDRAM的读取速度和性能。
总结SDRAM作为一种常见的计算机内存，具有高速读写和大容量的优势。
它的工作原理涉及时钟信号、存储单元、存储电容、刷新、行地址和列地址、预充电、CAS延迟等多个方面。
了解SDRAM的工作原理有助于我们更好地理解计算机系统中内存的工作方式和性能表现。
sdram原理范文
sdram原理范文SDRAM（同步动态随机存取存储器）是一种常见的计算机内存存储技术，主要用于存储和读取数据。
它是一种同步设备，其内部操作与系统时钟同步。
SDRAM的原理可以分为以下方面：1.存储单元组织：SDRAM以存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个寄存器组成。
电容用来存储位信息，寄存器用来控制和存储电容的电压。
2.数据读取：在数据读取过程中，SDRAM通过行列地址选择要读取的数据。
首先，内存控制器将行地址发送给SDRAM，SDRAM根据行地址选择其中一行进行读取。
然后，内存控制器发送列地址，并从选择的行中读取数据。
最后，数据传送到内存控制器，由CPU进一步处理。
3.数据写入：在数据写入过程中，与数据读取过程类似，内存控制器首先发送行地址，选择要写入的行。
然后，内存控制器发送列地址，并将要写入的数据传输到SDRAM的寄存器中。
最后，SDRAM根据内存控制器的命令，将数据存储到对应的存储单元中。
4.刷新操作：SDRAM属于动态随机存取存储器，电容中的电荷会逐渐消失，因此需要进行刷新操作，以保持数据的有效性。
SDRAM通过刷新控制线接收内存控制器的刷新命令，并定期刷新存储单元中的数据。
5.性能优化：为了提高SDRAM的性能，一些高级操作被引入。
例如，预取技术可以预先加载数据，提高数据读取速度。
再如，双端口SDRAM允许同时进行读取和写入操作，提高数据吞吐量。
6.控制信号：SDRAM通过控制信号与内存控制器进行通信。
控制信号包括时钟信号、地址信号、数据信号和命令信号，用于同步存储器的操作。
总的来说，SDRAM的工作原理是通过行列地址选择进行数据读取和写入操作，同时支持存储单元的刷新操作，以保证数据的有效性。
通过优化技术和控制信号的交互，提高了SDRAM的性能和数据吞吐量，使得它成为计算机内存存储技术中的主流。
SDRAM原理
SDRAM原理SDRAM是同步动态随机存取存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory）的简称。
它是一种非易失性存储器，广泛应用于个人电脑、服务器和其他计算设备中。
SDRAM具有高速存取和较大容量的特点，是现代计算机系统中重要的存储组件。
首先，我们来了解SDRAM的基本结构。
SDRAM由存储单元、地址寄存器、数据寄存器、控制电路和读/写线组成。
存储单元由一个由电容和晶体管构成的数字存储单元阵列组成，每个存储单元存储一个二进制位。
1.同步时钟：SDRAM通过外部时钟控制存取速度。
当时钟的上升沿触发时，存储单元的数据被读出或写入。
这种同步时钟模式使得SDRAM能够以更高的工作速度运行。
2.行地址和列地址：SDRAM的存储单元通过行地址和列地址进行寻址。
行地址指定要访问的行，而列地址指定要访问的列。
通过将行地址和列地址传输给SDRAM，可以选择要访问的特定存储单元。
3.预充电和激活：在进行读取或写入操作之前，SDRAM需要进行预充电和激活操作。
预充电将数据线和位线设置为预定的状态，以便为后续操作做好准备。
激活操作通过将所选行的电容充电到指定电平来选择要访问的行。
4.读取操作：在进行读取操作时，首先需要选择要读取的行。
然后在指定的行中，选择要读取的列。
SDRAM将所选存储单元的数据发送到数据线上，供其他电路读取。
5.写入操作：在进行写入操作时，首先需要选择要写入的行和列。
然后将要写入的数据发送到数据线上。
SDRAM将数据写入所选存储单元，并在写入完成后进行刷新以保持数据的稳定性。
6.刷新操作：为了保持数据的稳定性，SDRAM需要周期性地进行刷新操作。
在刷新操作中，SDRAM将所有存储单元的数据读取出来，然后再写回存储单元。
这样可以防止数据在存储单元中的电容中逐渐丢失。
总结起来，SDRAM的工作原理是通过同步时钟进行存取控制，通过地址寄存器选择要访问的行和列，通过读/写线进行数据的读取和写入。
SDRAM工作原理
SDRAM工作原理1.读取操作：首先，外部设备通过总线将读取命令和地址发送给SDRAM控制器。
控制器接收到这些信号后，将地址传递给内部地址线路。
然后，内部地址线路通过行地址译码器将地址转换为行号，并将其发送到行地址线路。
行地址线路选择对应行的电容，并将其值放大。
接下来，列地址译码器将列地址转换为列号，并将其发送到列地址线路。
列地址线路选择对应列的电容，并将其值放大。
最后，放大器将电容值转换为数字信号并输出到总线，供外部设备读取。
2.写入操作：与读取操作类似，外部设备通过总线将写入命令、地址和数据发送给SDRAM控制器。
控制器接收到这些信号后，将地址传递给内部地址线路。
内部地址线路通过行地址译码器将地址转换为行号，并将其发送到行地址线路。
行地址线路选择对应行的电容，并将电容的值设置为输入的数据值。
接下来，列地址译码器将列地址转换为列号，并将其发送到列地址线路。
列地址线路选择对应列的电容，并将电容的值设置为输入的数据值。
3.刷新操作：动态随机存储器的特点是电容存储信息，但电容会慢慢放电，导致数据丢失。
因此，需要定期进行刷新操作来维持数据的准确性。
刷新操作主要是将所有的电容电压重新充放电一次。
刷新操作的频率取决于SDRAM的制造商和规格。
此外，SDRAM的速度取决于时钟信号的频率。
SDRAM使用一个外部时钟来同步控制器和存储器之间的通信。
时钟信号通过时钟线路传输，并控制着SDRAM数据的传输速度。
总结起来，SDRAM通过行地址译码器、列地址译码器和放大器实现读取和写入操作。
读取时，通过地址线路选择对应行和列的电容，并将其值放大后输出到总线。
写入时，通过地址线路选择对应行和列的电容，并将其值设置为输入的数据值。
另外，SDRAM还需要定期进行刷新操作来维持数据的准确性。
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图1：DRAM存储原理示意图
2.SDRAM结构： a: SDRAM为随机存储，可以自由指 定地址进行读写；
b: 芯片一般以4个L-bank (Logic bank） 组成，可用（BA0,BA1寻址）；
c: L-bank为相应个行R和列C的矩阵；
3. SDRAM芯片容量
=MxW (M:存储单元总数；W:每个存储单元的容量，即芯片位宽)
存储单元总数M=行数（R）x 列数（C）x L-bank 的数量
不同厂家的行数和列 数设定并不一样
3.SDRAM芯片结构：
三.SRAM基本操作与内部工作时序
1.芯片初始化 SDRAM逻辑控制单元中有模式寄存器（MR），开机需Biblioteka 其进行初始化操作。谢谢大家
2.行有效 在CS#, L-bank定址的同时 RAS#处于有效状态，An地 址线发送具体的行地址。
3.列读写 a: 行地址确定后，对列地址寻址；
b: A0-A11作为行列地址分时复用，配合CAS#输出列地址；
c: 由WE#来控制读写（0时为写，1时为读） d: RAS to CAS Delay (tRCD) ：发送读写命令时必须与行有效命令有一个间隔。 单位为时钟周期。
4.数据输出/读 a: CL(CAS Latency) CAS潜伏期：从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这 段时间。单位：时钟周期。 b: CAS响应时间快于RAS：一个位宽为n bit 的芯片，行地址要选通n x c（列数为 c）个存储体，而列地址只需选通n个存储体。 c: CL的产生原因： 1）存储体中晶体管的反应时间使数据和CAS在同一上升沿触发，至少延后一个 时钟周期； 2）tAC (Access time from clock)时钟触发后的访问时间：（由于存储电容小，故 信号需经S-AMP放大来保证被识别（事前还要进行电压比较来进行逻辑电平判断） 从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始，数据已传向S-AMP,数 据已经被触发，经过一定的驱动时间最终向数据I/O总线传输（小于一个时钟周 期）。
图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2 。自动预充电时的开始时间与此图一 样，只是没有了单独的预充电命 令，并在发出读取命令时，A10 地址线 要设为高电平（允许 自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要， 它可以在读取操作结束后立刻进入新行 的寻址，保证运行效率。
7.数据读入（写）： 1）写入的操作是在tRCD 之后进行，没有了CL； 2）数据信号由控制端发出，只需直接传到数据输入寄存器中，然后再由写入驱 动器进行对存储电容的充电操作； 3） tWR，Write Recovery Time写入/校正时间：写入存储电容，因为选通三极 管 与电容的充电必须要有一段时间，所以数据的真正写入需要一定的周期。
操作命令表：
（H 代表高电平，L 代表低电 平，X 表示高低电平均没有影响）。此表中，除 了自刷新命令外，所有命令都是默认 CKE 有 效。
5. 信息重写： 1）原本逻辑状态为 1 的电容在读取操作后，会因放电而变 为逻辑0。所以 DRAM 为了在关 闭当前行时保证数据的可靠性，要对存储体中原有的信息 进行重写。 2）由刷新放大器（注：后来刷新放大器被取消，其功能由S-AMP来完成，因 为在读取时它会保持数据的逻辑状态，起到了一个Cache 的作用，再次读取 时由它直接发送 即可，不用再进行新的寻址输出，此时数据重写操作则可 在预充电？阶段完成。） 6. 预充电（Pre-charge）： 1) L-Bank 关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Pre-charge ）。 实际上，预充电是一种对工作行中所有 存储体进行数据重写，并对行地址进 行复位，同时释放 S-AMP （重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2 )。 2）预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之 后自动进行预充电。
CL(CAS Latency) CAS潜伏期：从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这 段时间。单位：时钟周期。 tAC (Access time from clock)时钟触发后的访问时间：从数据I/O总线上有数据 输出之前的一个时钟上升沿开始，数据已传向S-AMP,数据已经被触发，经过 一定的驱动时间最终向数据I/O总线传输（小于一个时钟周期）。
SDRAM详解
SDRAM: Synchronous Dynamic RAM: 同步动态随机存储器
一.管脚定义和封装
1.管脚定义：
A10/AP:Autoprecharge：预充电控制引脚。 2. 封装：一般为 54Pin-TSOP( thin small out-line package)
二. SDRAM芯片的内部结构原理即容量
Auto Refresh ，简称AR ：SDRAM 内部有一个行地址生成器（刷新计数器）来自动 的依次生成行地址。 Self Refresh，简称SR:则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名 的应用就是 STR （Suspend to RAM ，休眠挂起于内存）。在发出AR 命令时，将 CKE 置于无效状态，就进入了 SR 模式此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内 部 的时钟进行刷新操作。在 SR 期间除了 CKE 之外 的所有外部信号都是无效的（无需 外部提供刷新指令），只有重新使CKE 有效才能 退出自刷 新模式并进入正常操作状 态。
9.数据掩码
在讲述读/写操作时，谈到了突发长度。如果 BL=4 ，那么也就是说一次就传送 4×64bit 的 数据。如果其中的第二笔 数据是不需要的，怎么办？为了屏蔽不需 要数据。采用了数据掩码（Data I/O Mask ，简称DQM ）技术。通过DQM ，内 存可以控制 I/O 端口取消哪些输出或输入的数据。 （1）为了精确屏蔽一个位宽中的每个字节，每个 DQM 信号线，针对一个字节。 （2）4bit 位宽芯片，两个芯片共用一个 DQM 信号线，对于 8bit 位宽芯片，一 个芯片占用一个 DQM 信号，而对于 16bit 位宽芯片，则需要两个 DQM 引脚。 （3）在读取时，被屏 蔽的数据仍然会从 存储体传出，只是在“掩码逻辑单元” 处被屏蔽。 （4）在读取时 DQM 发出两个时钟周期后生效，而在写入时，DQM 与写入命 令 一样是立即成效。
8.突发长度 突发（Burst ）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续 传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度（ Burst Lengths，简称BL ）。
1）BL设置： 目前可 用的选项是 1、2、4、8、全页（Full Page ），常见 的设定是4 和 8。 Full Page （全页）突发传输是指L-Bank 里的一行中所有存储 单元从头到尾进行连续传输。 2）突发传输技术，只要指定起始列地址与突 发长度，内存就会依 次地自动对后 面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。 3）优点：提高传输效率（第一笔数据须 tRCD+CL,其后每个数据只需一个周期）
8.刷新（Refresh=dynamic）
以固定的周期，依次对所有行（所有L-bank中地址相同的行）进行操作，保 留那些久久没有经历重写的数据体。刷新是针对一行中的有存储体进行无 需 列寻址。
1）与 pre-charge 区别： a:预充电只针对一个或所有 L-Bank中当前工作的行。 b:不定期的 相同：都是用S-AMP先读后写 2）存储体中电容数据有效保存上限为64ms。（每一行刷新循环周期为64ms）。 3）刷新涉及到所有L-Bank ，因此在刷新过程中，所有 L-Bank都停止工作。 而每次刷新 所占用的时间为 9 个时钟周期（PC133 标准），之后就 可进入正 常的工作状态，也就是说在这 9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无 法执行。
3） A10的作用：地址线A10 控制着是否进行在读写之后当前L-Bank自 动进行预充电。 A10 low, BAn 决定需要被预充电的bank; A10 high 所有的bank进行预充电（允许自动预充电）。 4) tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）在发出预充电 命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS 行有效命令打开新的工作 行，这 个间隔被称为tRP 。