半导体器件物理知识
半导体物理与器件基础知识
9金属半导体与半导体异质结一、肖特基势垒二极管欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。
接触电阻很低。
金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。
之间形成势垒为肖特基势垒。
在金属与半导体接触处，场强达到最大值，由于金属中场强为零，所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。
影响肖特基势垒高度的非理想因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。
金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。
附图：电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流，而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。
附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线：反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。
肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较：1.反向饱和电流密度（同上），有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。
2.开关特性肖特基二极管更好。
应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生扩散电容。
从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。
二、金属-半导体的欧姆接触附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图三、异质结：两种不同的半导体形成一个结小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。
2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，因此达到相同电流时，肖特基二极管所需的反偏电压要低。
10双极型晶体管双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结，两个结很近所以之间可以互相作用。
之所以成为双极型晶体管，是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。
一、工作原理附npn型和pnp型的结构图发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低附常规npn截面图造成实际结构复杂的原因是：1.各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电阻，必须要有重掺杂的N+型掩埋层。
半导体物理的基础知识
半导体物理的基础知识半导体物理是研究半导体材料及其电子行为的一门学科。
半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电子特性。
本文将介绍半导体物理的基础知识，包括半导体材料的结构、能带理论、杂质掺杂以及PN结等内容。
一、半导体材料的结构半导体材料是由单晶、多晶或非晶三种形态构成。
单晶是指晶体结构完整、无缺陷的材料，拥有良好的导电性能。
多晶是由多个晶粒组成，晶界存在缺陷，导电性能较差。
非晶的特点是结构无序，导电性能较差。
半导体材料的基本结构由共价键和离散缺陷构成。
共价键是指半导体材料中相邻原子之间的化学键，它保持了材料的稳定性。
离散缺陷是指晶体中出现的缺陷，如杂质、空穴等。
这些离散缺陷的存在对半导体材料的导电性能有重要影响。
二、能带理论能带理论是解释物质的导电性能的基础理论。
根据这一理论，半导体材料的电子行为与能带结构有密切关系。
能带是电子能量的分布区域，分为价带和导带两部分。
价带中的电子具有固定位置，不能自由移动；而导带中的电子能够自由移动。
在纯净的半导体中，价带带满，导带没有电子。
半导体的导电性能是通过在半导体中掺入适量的杂质来改变的。
杂质的掺入会导致新的能带形成，同时增加或减少可自由移动的电子数量。
掺杂过程中形成的能带被称为禁带，其能量介于价带和导带之间。
三、杂质掺杂杂质掺杂是一种通过引入少量外来原子来改变半导体材料导电性能的方法。
根据杂质掺入的原子种类不同，可以分为n型和p型两种半导体。
n型半导体是通过掺入五价元素，如磷（P）或砷（As），在半导体中形成额外的自由电子，增加导电性能。
这些自由电子会填满主导带，并进入导带，从而形成导电能力。
n型半导体表现为电子富余。
p型半导体是通过掺入三价元素，如硼（B）或铋（Bi），在半导体中形成额外的空穴，增强导电性能。
空穴是一种电子缺失的状态，它通过与晶格中的自由电子结合来传导电荷。
p型半导体表现为电子贫缺。
四、PN结PN结是将p型半导体和n型半导体通过一定方法连接而成的结构。
半导体器件基础
自由电子 带负电荷 电子流
载流子
空穴 带正电荷 空穴流 ＋总电流
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N型半导体和P型半导体
多余电子
N型半导体
硅原子
【Negative电子】
+4
+4 +4
在锗或硅晶体内
掺入少量五价元素
杂质，如磷；这样
+4
在晶体中就有了多 磷原子 余的自由电子。
+4
+5 +4 +4 +4
多数载流子——自由电子
少数载流子——空穴
不失真——就是一个微 弱的电信号通过放大器 后，输出电压或电流的 幅度得到了放大，但它 随时间变化的规律不能 变。
放大电路是模拟电路中最主要的电路,三极管是 组成放大电路的核心元件。
具有放大特性的电子设备：收音机、电视机、
手机、扩音器等等。
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利用三极管组成的放大电路，最常用的接法是：基 极作为信号的输入端，集电极作为输出端，发射极 作为输入回路、输出回路的共同端（共发射极接法）
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饱和工作状态
调节偏流电阻RP的阻值， 使基极电流充分大时，集电 极电流也随之变得非常大， 三极管的两个PN结则都处于 正向偏置。集电极与发射极 之间的电压很小，小到一定 程度会削弱集电极收集电子 的能力，这时Ｉb再增大， Ｉc也不能相应地增大了， 三极管处于饱和状态，集电 极和发射极之间电阻很小， 相当开关接通。
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▪ 几种常见三极管的实物外形
大功率三极管
功率三极管
普通塑封三极管
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▪ 三极管的分类
① 按频率分
高频管 低频管
硅管 ③ 按半导
体材料分 锗管
② 按功率分
半导体物理考研知识点归纳
半导体物理考研知识点归纳半导体物理是研究半导体材料的物理性质及其在电子器件中的应用的学科。
在考研中，半导体物理的知识点主要包括以下几个方面：1. 半导体的基本性质- 半导体材料的分类，包括元素半导体和化合物半导体。
- 半导体的能带结构，包括导带、价带以及禁带的概念。
- 半导体的载流子类型，即电子和空穴。
2. 半导体的掺杂- 掺杂原理，包括n型和p型掺杂。
- 掺杂对半导体电导率的影响。
- 杂质能级和费米能级的移动。
3. 半导体的载流子运动- 载流子的漂移和扩散运动。
- 载流子的迁移率和扩散常数。
- 霍尔效应及其在半导体中的应用。
4. pn结和半导体器件- pn结的形成原理和特性。
- 正向和反向偏置下的pn结特性。
- 金属-半导体接触和肖特基势垒。
5. 半导体的光电效应- 本征吸收和杂质吸收。
- 光生载流子的产生和复合。
- 光电二极管和光电晶体管的工作原理。
6. 半导体的热电效应- 塞贝克效应和皮尔逊效应。
- 热电材料的热电性能。
7. 半导体的量子效应- 量子阱、量子线和量子点的概念。
- 量子效应对半导体器件性能的影响。
8. 半导体的物理量测量技术- 电阻率、载流子浓度和迁移率的测量方法。
- 光致发光和电致发光技术。
9. 半导体器件的制造工艺- 晶体生长技术，如Czochralski法和布里奇曼法。
- 光刻、蚀刻和掺杂工艺。
结束语半导体物理是一门综合性很强的学科，它不仅涉及到材料科学、固体物理，还与电子工程和微电子技术紧密相关。
掌握这些基础知识点对于深入理解半导体器件的工作原理和优化设计至关重要。
希望以上的归纳能够帮助考研学子们更好地复习和掌握半导体物理的相关知识。
半导体器件物理(课堂)
未来发展趋势与挑战
随着新材料、新工艺的发展，半导体器件的性能将不断提升，未来将有更多创新型半导体器件涌现。 技术创新 随着物联网、人工智能等技术的发展，半导体器件将更加集成化、智能化，以满足不断增长的计算和通信需求。 集成化与智能化 随着对可持续发展的重视，半导体器件的生产和使用需要更加环保和节能，以减少对环境的影响。 可持续性与环保
比热容(cp)
衡量材料温度升高或降低时吸收或释放热能的能力的参数，单位为J/(kg·K)。
热扩散率(D)
衡量材料内部温度变化传播速度的参数，单位为m^2/s。
热导率(k)
衡量材料导热能力的参数，单位为W/(m·K)。
半导体器件制造工艺
第五章
外延生长技术
外延生长技术是指在单晶衬底上通过化学气相沉积方法生长一层单晶层的过程。 外延生长技术可以控制单晶层的厚度、掺杂类型和浓度，从而控制半导体器件的性能。 外延生长技术需要精确控制温度、气体流量和压力等参数，以确保单晶层的质量和均匀性。 外延生长技术广泛应用于制造高效率太阳能电池、高电子迁移率晶体管等高性能半导体器件。
薄膜制备技术
薄膜制备技术是指通过物理或化学方法在衬底上制备一层薄晶体膜的过程。 薄膜制备技术有多种方法，如化学气相沉积、物理气相沉积、溶胶-凝胶法等。 薄膜制备技术可以控制膜层的厚度、结构、掺杂类型和浓度，从而控制半导体器件的性能。 薄膜制备技术广泛应用于制造薄膜晶体管、光电器件、传感器等高性能半导体器件。
半导体器件的历史与发展
历史 自20世纪初发现半导体材料以来，半导体器件经历了从晶体管到集成电路、超大规模集成电路的发展历程。 发展 随着新材料、新工艺、新结构的不断涌现，半导体器件的性能不断提高，应用领域不断拓展。 未来趋势 未来半导体器件将朝着更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向发展，同时还将探索新型半导体材料和器件。
物理学中的半导体元器件原理
物理学中的半导体元器件原理半导体元器件是现代电子产业的重要组成部分，其中最具代表性的是晶体管、二极管和集成电路等。
这些元器件在现代电子技术中发挥着重要的作用，被广泛应用于计算机、通信、音视频等领域。
那么，它们的基本原理是什么呢？这篇文章将从物理学的角度探讨半导体元器件的原理。
第一部分：半导体基础知识半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的物质，具有一些特殊的电学性质。
半导体材料中，某些元素的原子晶格存在空位或缺陷，或者在其晶格中掺入一些杂质原子，从而形成半导体材料。
半导体的导电性与其电子能级结构有关。
在半导体材料中，电子可能会占据不同的能级，其中最低的能级称为价带，最高的能级称为导带。
通常情况下，价带中的电子处于芯层原子的电场束缚之下，而不自由运动；而导带中则没有束缚，电子可以自由运动。
当半导体材料受到一定的能量激发，如光子或热能，导带内的电子就可以跃迁至价带内，将其电导率提高。
这种情况下，半导体称为“n型半导体”。
如果掺杂进杂质原子使材料生成微键，并增加占据导带的电子，则称为“p型半导体”。
第二部分：二极管的原理二极管是一种简单的半导体元器件，由p型半导体和n型半导体组成，能够实现单向电流的导通。
二极管的特点是：在正向偏置下，p区域中和n区域中的电子就会发生大规模的扩散，进而形成一个漂移电流；而在反向偏置下，无法形成漂移电流，因此电流极小，由此实现了单向导通。
简单来说，二极管的工作原理是靠材料特性，即p和n型半导体接触时，会在界面处产生电势垒。
在正向偏置下，这些电子穿越电势垒，进入p区域中，并与p区的空穴复合产生光子和热能；在反向偏置下，由于电子无法穿越电势垒，因此电流极小，达到了单向导通的效果。
第三部分：晶体管的原理晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体器件，由三个区域组成，即发射区、基区和集电区，分别对应p-n-p型或n-p-n型半导体管。
晶体管的原理是利用反向偏置形成的p-n陡斜电势垒来操纵涉及三区域电势平衡的电流传导。
半导体物理知识点汇总总结
半导体物理知识点汇总总结一、半导体物理基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些导体和绝缘体的特性。
半导体是由单一、多层、回交或互相稀释的混合晶形的二元、三元或多元化合物所组成。
它的特点是它的电导率介于导体和绝缘体之间，是导体的电导率∗101~1015倍，是绝缘体的电导率÷102~103倍。
半导体材料具有晶体结构，对它取决于结晶度的大小，织排效应特别大。
由于它的电导率数值在半导体晶体内并不等同，所以它是隔离的，具有相当大的飞行束度，并且不容易受到外界的干扰。
二、半导体晶体结构半导体是晶体材料中最均匀最典型的材料之一，半导体的基本结构是一个由原子排成的一种规则有序的晶体结构。
半导体原子是立方体的晶体，具有600个原子的立方体晶体结构，又称之为立方的晶体结构。
半导体晶体结构的代表性六面体晶体结构，是一种由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。
半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶体包围构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。
半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成。
三、半导体的能带结构半导体的能带“带”是指其电子是在“带”中运动的，是光电子带，又称作价带，当其中的自由电子都填满时另一种平面，又称导电带，当其中的自由电子并不填满时其另一种平面在有一些能够使电子轻易穿越的东西。
半导体的能带是由两个非常临近的能带组成的，其中价带的最上一层电子不足，而导电带的下一层电子却相当到往动能，这一些动能可能直到加到电子摆脱它自己体原子，变成自由电子，并且在整体晶体里自由活动。
四、半导体的导电机理半导体的导电机理是在外加电压加大时一部分自由电子均可以在各自能带中加速骚扰，从而增加在给导电子处所需要的电压增大并最终触碰到另一种平面上产生电流就可以。
五、半导体的掺杂掺杂是指在纯净半导体中加入某些以外杂质元素的行为。
半导体物理知识点梳理
半导体物理知识点梳理简介半导体物理学是研究半导体材料的电子结构、载流子动力学和半导体器件工作原理的学科。
它是现代微电子工业的基础和前提，包含了多种复杂的物理过程和电子器件设计原理。
在集成电路中，半导体物理学的研究对于我们理解电子器件的工作原理和提高器件性能至关重要。
一、半导体材料的电子结构1. 能带能带是指材料中的能量电子集合，可以被电子占据或空出来。
常见的能带包括价带和导带。
价带中的电子与原子核共享一个价电子对，导带则含有未占据的电子。
导带和价带之间的区域称为禁带，其中没有可用的能级，这使得该区域没有自由电子。
禁带宽度决定了材料的导电性质。
2. 牛顿力学与量子力学经典物理学，如牛顿力学，不能完全描述电子在原子中的行为，因此计算价带和导带的能量需要借助量子力学。
量子力学通过考虑波粒二象性和不确定性原理，说明电子存在于这两个能带中，以及它们的位置和能量。
3. 材料的类型半导体凭借其调谐电子运动的能力而成为电子器件的主要材料之一。
半导体材料通常可以划分为晶体（单晶或多晶）和非晶体，前者由规则排列的原子构成，后者则表现为无序空间结构。
二、载流子动力学1. 载流子类型在材料中，载流子是指负电荷（电子）或正电荷（空穴），它们的运动是电流传导的主要过程。
半导体中的载流子种类包括电子和空穴。
这些载流子的输运以及它们的沟通将直接影响材料的电学行为。
2. 拉曼散射与荷质比拉曼散射是一种通过材料中的声子色散特性筛选其材料类型和结构的方法。
这可以帮助确定载流子的荷质比，荷质比是电荷与带负荷的质量之比。
荷质比是半导体的一个关键参数，它决定了载流子的涵盖区域和速度。
3. 面掺杂多数半导体材料中的电子和空穴浓度是非常低的，这导致了它们的电导率较低。
通过面掺杂，半导体的电导率可以得到提高。
面掺杂涉及向材料表面引入杂质原子，这些原子具有带电性质以及能影响材料电荷载流子浓度的能力。
三、半导体器件工作原理1. 篱截型场效应晶体管篱截型场效应晶体管（MESFET）是一种单极型晶体管器件，它是通过在材料中形成门结构，控制源引线到漏引线通道上电子流的芯片。
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半导体器件物理知识关于半导体器件物理知识三篇半导体器件物理篇一：半导体器件物理习题答案1、简要的回答并说明理由：①p+-n结的势垒宽度主要决定于n 型一边、还是p型一边的掺杂浓度？②p+-n结的势垒宽度与温度的关系？③p+-n结的势垒宽度与外加电压的关系怎样？④Schottky势垒的宽度与半导体掺杂浓度和温度分别有关吗？【解答】①p+-n结是单边突变结，其势垒厚度主要是在n型半导体一边，所以p+-n结的势垒宽度主要决定于n型一边的掺杂浓度；而与p型一边的掺杂浓度关系不大。
因为势垒区中的空间电荷主要是电离杂质中心所提供的电荷（耗尽层近似），则掺杂浓度越大，空间电荷的密度就越大，所以势垒厚度就越薄。
②因为在掺杂浓度一定时，势垒宽度与势垒高度成正比，而势垒高度随着温度的升高是降低的，所以p+-n结的势垒宽度将随着温度的升高而减薄；当温度升高到本征激发起作用时，p-n结即不复存在，则势垒高度和势垒宽度就都将变为0。
③外加正向电压时，势垒区中的电场减弱，则势垒高度降低，相应地势垒宽度也减薄；外加反向电压时，势垒区中的电场增强，则势垒高度升高，相应地势垒宽度也增大。
④Schottky势垒区主要是在半导体一边，所以其势垒宽度与半导体掺杂浓度和温度都有关（掺杂浓度越大，势垒宽度越小；温度越高，势垒宽度也越小）。
2、简要的回答并说明理由：①p-n结的势垒高度与掺杂浓度的关系怎样？②p-n结的势垒高度与温度的关系怎样？③p-n结的势垒高度与外加电压的关系怎样？【解答】①因为平衡时p-n结势垒（内建电场区）是起着阻挡多数载流子往对方扩散的作用，势垒高度就反映了这种阻挡作用的强弱，即势垒高度表征着内建电场的大小；当掺杂浓度提高时，多数载流子浓度增大，则往对方扩散的作用增强，从而为了达到平衡，就需要更强的内建电场、即需要更高的势垒，所以势垒高度随着掺杂浓度的提高而升高（从Fermi能级的概念出发也可说明这种关系：因为平衡时p-n结的势垒高度等于两边半导体的Fermi能级的差，当掺杂浓度提高时，则Fermi能级更加靠近能带极值[n型半导体的更靠近导带底，p型半导体的更靠近价带顶]，使得两边Fermi能级的差变得更大，所以势垒高度增大）。
②因为温度升高时，半导体的Fermi能级将远离能带极值，所以p-n结两边半导体的Fermi能级的差变小，所以势垒高度将随着温度的升高而降低。
③当p-n结上加有正向电压时，即使势垒区中的总电场减弱，则势垒高度降低；当加有反向电压时，即使势垒区中的总电场增强，则势垒高度增大。
3、简要的回答并说明理由：①p-n结的势垒电容与电压和频率分别有何关系？②p-n结的扩散电容与电压和频率分别有何关系？【解答】①p-n结的势垒电容是势垒区中空间电荷随电压而变化所引起的一种效应（微分电容），相当于平板电容。
反向偏压越大，势垒厚度就越大，则势垒电容越小。
加有正向偏压时，则势垒厚度减薄，势垒电容增大，但由于这时正偏p-n结存在有导电现象，不便确定势垒电容，不过一般可认为正偏时p-n结的势垒电容等于0偏时势垒电容的4倍。
p-n结的势垒电容与频率无关：因为势垒电容在本质上是多数载流子数量的变化所引起的，而多数载流子数量的变化是非常快速的过程，所以即使在高频信号下势垒电容也存在，因此不管是高频还是低频工作时，势垒电容都将起着重要的作用。
②p-n结的扩散电容是两边扩散区中少数载流子电荷随电压而变化所引起的一种微分电容效应，因此扩散电容是伴随着少数载流子数量变化的一种特性。
正向电压越高，注入到扩散区中的少数载流子越多，则扩散电容越大，因此扩散电容与正向电压有指数函数关系。
又，由于少数载流子数量的变化需要一定的时间t（产生寿命或者复合寿命的时间），当电压信号频率f较高（ω≡2πf > 1/t）时，少数载流子数量的增、减就跟不上，则就呈现不出电容效应，所以扩散电容只有在低频下才起作用。
4、对于实际的Si/p-n结：①正向电流和反向电流分别主要包含哪些不同性质的电流分量？②正向电流与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？③反向电流与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？④正向电压与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？【解答】①对于实际的Si/p-n结，正向电流主要包括有少数载流子在两边扩散区中的扩散电流和势垒区中复合中心的复合电流，在小电流时复合中心的复合电流将起重要作用；反向电流主要包括有少数载流子在两边扩散区中的反向扩散电流和势垒区中复合中心的产生电流，但在大小上，p-n结的反向电流往往是复合中心的产生电流为主。
②影响Si/p-n结正向电流温度关系的主要是扩散电流分量（复合电流的温度关系较小）。
当温度升高时，势垒高度降低，则注入的少数载流子浓度增加，并使得少数载流子的浓度梯度增大，所以正向电流随着温度的升高而增大（温度每增加10 oC，正向电流约增加一倍）。
正向电流将随着掺杂浓度的提高而减小，这主要是由于势垒高度增大、使得少数载流子的浓度梯度减小了的缘故。
③虽然通过Si/p-n结的反向电流主要是复合中心的产生电流，但是就随着温度的变化而言，起作用的主要是其中少数载流子的扩散电流分量（产生电流的温度关系较小）。
当温度升高时，由于平衡少数载流子浓度增大，使得少数载流子的浓度梯度增大，所以反向电流随着温度的升高而增大（温度每升高6 oC，反向电流增大一倍）。
当掺杂浓度提高时，由于平衡少数载流子浓度减小，使得少数载流子的浓度梯度降低，所以反向电流随着掺杂浓度的提高而减小。
④p-n结的正向电压将随着温度的升高而降低，这是由于势垒高度降低了的缘故（正向电压的温度变化率≈–2 mV/oC）；p-n结的正向电压将随着掺杂浓度的提高而增大，这是由于势垒高度提高了的缘故。
5、对于理想的p-n结，已知p-n结两边的掺杂浓度分别为NA和ND：①如果少数载流子的扩散长度分别为Ln和Lp，试近似导出该p-n结的正向伏安特性关系；②如果p型半导体电中性区的长度W<Ln，试给出这时p-n结的正向伏安特性关系。
【解答】①由于通过理想p-n结的电流主要是少数载流子的扩散电流，因此，只要给出了少数载流子的浓度梯度，即可立即得到相应的`电流。
根据已知的掺杂浓度可有：p型半导体中的平衡少数载流子浓度为npo=ni2/ppo≈ni2/NA，n型半导体中的平衡少数载流子浓度为pno=ni2/nno≈ni2/ND；当正向电压为VF时，则由p型半导体注入到n型半导体的空穴浓度为：pn(0) = pno exp(qVF/kT)，相应地，由n型半导体注入到p型半导体的电子浓度为：np(0) = npo exp(qVF/kT)；若近似认为在p-n结两边的少数载流子浓度的分布是指数函数，则在两边扩散区头部处的少数载流子浓度梯度分别为：(dnp/dx)|x=0’≈ np(0)/Ln 和(dpn/dx)|x=0 ≈ pn(0)/Lp。
于是，在n型一边的空穴扩散电流密度与电压的关系可求出为：Jp = －qDp(dpn/dx)|x=0 ≈ －qDp [pn(0)/Lp] = －(qDp pno /Lp) exp(qVF/kT)≈ －(qDp ni2 / ND Lp) exp(qVF/kT),同样，在p型一边的电子扩散电流密度与电压的关系可求出为：Jn = qDn(dnp/dx)|x=0’ ≈ qDn [np(0)/Ln] = (qDn npo /Ln) exp(qVF/kT)≈ (qDn ni2 / NA Ln) exp(qVF/kT).所以，通过p-n结的总电流密度与电压的关系为：J = |Jp| + |Jn| = [(qDn ni2 / NA Ln)+ (qDp ni2 / ND Lp)] exp(qVF/kT)= q ni2 [(Dn / NA Ln)+ (Dp / ND Lp)] exp(qVF/kT).②如果W<Ln，则只要用W代替Ln即可：J= q ni2 [(Dn / NA W)+ (Dp / ND Lp)] exp(qVF/kT).可见，中性区长度的减小，将有利于增大少数载流子的扩散电流。
6、对于一般的BJT：①器件工作的电流主要是性质的电流？②原则上应该从哪些方面考虑来提高BJT的电流放大系数？【解答】①一般BJT工作的电流（集电极电流）主要是少数载流子扩散通过基区的电流（对于Si平面管等漂移晶体管，还有基区加速电场的漂移作用），它是少数载流子电流，并且主要是扩散电流；电流的大小基本上由少数载流子在基区中的浓度梯度来决定。
②可从提高发射结注射效率和提高基区输运系数两个方面来考虑。
为了提高发射结注射效率，可增大发射区掺杂浓度、降低基区掺杂浓度、减小基区宽度、增大电中性发射区的长度、减小发射结势垒区中以及表面的复合中心浓度。
为了提高基区输运系数，可减小基区宽度和增大基区中的少数载流子扩散长度（即增长寿命和增大扩散系数）；在基区中设置加速电场（称为漂移晶体管），可增大少数载流子在基区中的输运过程（漂移电场的作用可认为是使扩散系数加倍）。
另外，在提高发射结注射效率方面，现在有两种重要的改进技术：a）若采用掺杂多晶硅来覆盖发射区表面（称为掺杂多晶硅晶体管），则能够在电中性发射区长度很短（很浅）的情况下来获得较大的电流放大系数；b）若采用宽禁带半导体材料来制作发射区（称为HBT），则异质发射结提供了高的注射效率，使得能够在较大基区掺杂浓度和较低发射区掺杂浓度情况下，获得很大的电流放大系数，这就克服了一般BJT所存在的固有内在矛盾，从而可实现超高频和超高速性能。
7、对于处于放大状态的npn-BJT，已知其基区的宽度和少数载流子扩散长度分别为W和Ln，并且W3kT/q，试近似导出集电极电流的表示式。
【解答】因为在VF>3kT/q时，可忽略发射结势垒区中复合中心的影响；又W<Ln，则可认为基区中少数载流子浓度的分布近似为线性分布，即基区中少数载流子浓度的梯度可表示为：(dnp/dx) ≈ np(0)/W.而基区中的平衡少数载流子浓度为：pno=ni2/nno≈ni2/ND；并且注入到基区的电子浓度为： np(0) = npo exp(qVEB/kT).另外，可假定JC ≈ JE。
所以，JC ≈ JE ≈ qDn(dnp/dx)|x=0’≈ qDn [np(0)/W]= (qDn npo /W) exp(qVEB/kT) ≈ (qDn ni2 / NA W) exp(qVEB/kT).8、简要说明：①限制BJT最高工作温度的主要因素是什么？②限制BJT最高工作电压的主要因素是什么？③限制BJT最高工作电流的主要因素是什么？④限制BJT最高工作频率的主要因素是什么？⑤限制BJT最高工作速度的主要因素是什么？【解答】①限制BJT最高工作温度的主要因素是半导体本征化的温度（因为常用的半导体器件都离不开p-n结，而任何半导体在高温下都将可能转变为本征半导体，这样一来，p-n结在高温下也就不复存在，器件即失效）。