晶体管型号2N系列
2n7002工作原理
2n7002工作原理2n7002工作原理引言：2n7002是一种N沟道MOSFET晶体管，具有低电阻、高开关速度、低驱动电压等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细介绍2n7002的工作原理。
一、MOSFET晶体管概述MOSFET晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，是一种常用的功率放大器件。
它由源极、漏极和栅极三个端子组成。
栅极与漏极之间形成一个PN结，称为通道（Channel），控制栅极上的电场可以改变通道中载流子密度，从而改变漏极和源极之间的电阻。
二、2n7002的结构2n7002是一种N沟道MOSFET晶体管，它由漏极、源极和栅极三个端子组成。
其中源极和漏极之间形成一个N型沟道（Channel），当栅极施加正向偏置时，沟道中就会出现大量自由电子，在外加电场作用下从源区向漏区运动，形成导通状态；当栅极施加反向偏置时，沟道中自由电子被排斥到源区，形成截止状态。
三、2n7002的工作原理1.导通状态当栅极施加正向偏置时，栅极和源极之间的电场会将沟道中的自由电子推向漏极，形成导通状态。
此时，漏极和源极之间的电阻很小，可以通过大量电流。
2.截止状态当栅极施加反向偏置时，栅极和源极之间没有足够的电场将自由电子推向漏极，因此沟道中几乎没有自由电子参与导电。
此时，漏极和源极之间的电阻非常大，几乎不会有电流流过。
3.临界区当栅极与源区之间的电压达到一定值时，沟道中出现反型区域（Inversion Layer），这个临界点称为阈值（Threshold Voltage），在这个点附近晶体管处于饱和状态。
此时，虽然还没有完全形成导通通道，但沟道中已经有了一定数量的自由电子参与导通。
四、2n7002的应用1.开关应用：2n7002可以作为开关使用，用于控制电路的通断。
2.放大应用：2n7002还可以作为放大器使用，通过改变栅极电压来调节漏极和源极之间的电阻，实现信号放大。
2N系列三级管参数
SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-PNP SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-NPN SI-PNP N-FET P-FET N-FET N-FET SI-NPN SI-NPN SI-PNP P-FET N-FET SI-PNP N-FET SI-NPN SI-PNP SI-PNP SI-PNP N-FET SI-PNP SI-NPN SI-NPN SI-PNP N-FET SI-NPN SI-NPN N-FET N-FET N-FET N-FET SI-NPN SI-PNP N-FET
0,05 A 2:00 0,25 A 0,2 A 1:00 0,03 A 0,03 A 10:00 0,5 A 4:00 4:00 0,05 A 4:00 30 A 20 A 16 A 10:00 20 mA 15 mA 2,5 mA 10 mA 0,4 A 0,2 A 0,2 A 10 mA 5 mA 0,2 A 50 mA 1:00 1:00 1:00 200 mA 0,2 A 3:00 0,05 A 0,1 A 0,2 A 0,5 mA 5:00 10:00 30 mA 50 mA 25 mA 5 mA 0,6 A 0,6 A 15 mA
40 V 40 V 80 V 80 V 80 V 150 V 55 V 40 V 30 V 100 V 20 V 80 V 375 V 80 V 40 V 100 V 100 V 160 V 350 V 25 V 25 V 25 V 40 V 40 V 40 V 25 V 25 V 180 V 36 V 30 V 150 V 120 V 120 V 80 V 80 V 30 V 15 V 80 V 80 V 60 V 80 V 80 V 140 V 60 V 100 V 36 V 70 V
2n3866参数
2n3866参数（实用版）目录1.2n3866 概述2.2n3866 的主要参数3.2n3866 参数的详细说明正文2n3866 是一款常见的电子元器件，广泛应用于各种电子设备中。
了解 2n3866 的参数对于选择和使用该元器件至关重要。
下面我们将详细介绍 2n3866 的主要参数及其含义。
首先，我们来了解一下 2n3866 的基本概述。
2n3866 是一种双极型晶体管，具有放大和开关等功能。
它主要由三个区域组成：n 型区、p 型区和 n 型区，其中两个 n 型区之间夹着一个 p 型区。
这种结构使得2n3866 具有很高的电流放大能力和良好的开关特性。
接下来，我们来看一下 2n3866 的主要参数。
在查阅相关资料时，我们通常会看到以下几个参数：1.集电极电流（IC）：集电极电流是晶体管工作时流经集电极的电流。
它是晶体管的一个重要参数，决定了晶体管的电流放大能力。
2.集电极 - 发射极电压（VCE）：集电极 - 发射极电压是指在晶体管工作时，集电极和发射极之间的电压。
这个参数影响了晶体管的输出特性。
3.发射极电流（IE）：发射极电流是指在晶体管工作时流经发射极的电流。
发射极电流与集电极电流之间有一定的关系，通常用来评价晶体管的电流放大能力。
4.功耗（PD）：功耗是指晶体管在工作过程中消耗的功率。
功耗与晶体管的电流和电压有关，对晶体管的可靠性和稳定性有重要影响。
在了解了 2n3866 的主要参数后，我们还需要对这些参数进行详细说明，以便更好地理解和应用这款元器件。
以下是 2n3866 参数的详细说明：1.集电极电流（IC）：集电极电流是 2n3866 最重要的参数之一。
根据不同的使用场景，我们可以选择具有不同集电极电流的 2n3866。
通常情况下，集电极电流越大，晶体管的电流放大能力越强。
2.集电极 - 发射极电压（VCE）：集电极 - 发射极电压决定了晶体管的开关速度。
在实际应用中，我们需要根据电路的要求选择合适的 VCE 值。
2n7000 (n沟道mosfet) 参数
2n7000 (n沟道mosfet) 参数摘要：1.2N7000 MOSFET 的基本参数2.2N7000 MOSFET 的性能特点3.2N7000 MOSFET 的应用领域4.2N7000 MOSFET 的选购建议正文：一、2N7000 MOSFET 的基本参数2N7000 是n 沟道增强型MOSFET（金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管）的一种，具有极高的开关速度和低导通电阻。
其基本参数如下：1.型号：2N70002.结构：n 沟道增强型MOSFET3.导通电阻：典型值为70mΩ（最大值为100mΩ）4.断开电压：典型值为0.5V（最大值为1V）5.栅源电压：最大值为20V6.漏源电压：最大值为20V7.源极电流：最大值为1.5A二、2N7000 MOSFET 的性能特点2N7000 MOSFET 具有以下性能特点：1.优秀的导通电阻：2N7000 MOSFET 的导通电阻在典型条件下仅为70mΩ，具有很低的导通电阻，可降低能耗。
2.高开关速度：2N7000 MOSFET 具有很高的开关速度，可实现快速开关，提高电路的工作效率。
3.较低的栅源电压：2N7000 MOSFET 的栅源电压最大值为20V，可降低电路的复杂度。
4.较高的漏源电压：2N7000 MOSFET 的漏源电压最大值为20V，可提高电路的稳定性。
三、2N7000 MOSFET 的应用领域2N7000 MOSFET 广泛应用于各种电子设备和电路，如：1.负荷开关：2N7000 MOSFET 可用于实现负荷开关的功能，可控制电路的通断。
2.脉宽调制：2N7000 MOSFET 可用于实现脉宽调制，可调整信号的脉宽，实现对电路的控制。
3.电源开关：2N7000 MOSFET 可用于实现电源开关的功能，可控制电源的通断。
4.信号处理：2N7000 MOSFET 可用于实现信号处理功能，如信号放大、衰减等。
四、2N7000 MOSFET 的选购建议在选择2N7000 MOSFET 时，应注意以下几点：1.选择正规厂家生产的产品，保证产品的质量和性能。
SCI 高性能 NPN 双极性晶体管 2N4921G、2N4922G、2N4923G 数据手册说明书
2N4921G, 2N4922G,2N4923GMedium-Power PlasticNPN Silicon TransistorsThese high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications.Features•Low Saturation V oltage•Excellent Power Dissipation•Excellent Safe Operating Area•Complement to PNP 2N4920G•These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant** MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollector−Emitter Voltage 2N4921G2N4922G2N4923G V CEO406080VdcCollector−Emitter Voltage 2N4921G2N4922G2N4923G V CB406080VdcEmitter Base Voltage V EB 5.0VdcCollector Current − Continuous (Note 1)I C 1.0Adc Collector Current − Peak (Note 1)I CM 3.0Adc Base Current − Continuous I B 1.0AdcTotal Power Dissipation @ T C = 25_C Derate above 25_C PD300.24WmW/_COperating and Storage JunctionTemperature RangeT J, T stg–65 to +150_CStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.The 1.0 A maximum I Cvalue is based upon JEDEC current gain requirements.The 3.0 A maximum value is based upon actual current handling capability of the device (see Figures 5 and 6).THERMAL CHARACTERISTICS (Note 2)Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−Case R q JC 4.16_C/W 2.Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.*Indicates JEDEC Registered Data.*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.1.0 AMPEREGENERAL PURPOSEPOWER TRANSISTORS40−80 VOLTS, 30 WATTSMARKING DIAGRAMY=YearWW=Work Week2N492x=Device Codex = 1, 2, or 3G=Pb−Free PackageDevice Package Shipping ORDERING INFORMATION2N4921G TO−225(Pb−Free)500 Units / Box2N4922G TO−225(Pb−Free)500 Units / Box2N4923G TO−225(Pb−Free)500 Units / Box3EMITTERCOLLECTORTO−225CASE 77−09STYLE 13YWW2N492xGELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C= 25_C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3) (I C = 0.1 Adc, I B = 0)2N4921G2N4922G2N4923G V CEO(sus)406080−−−VdcCollector Cutoff Current (V CE = 20 Vdc, I B = 0)2N4921G(V CE = 30 Vdc, I B = 0)2N4922G(V CE = 40 Vdc, I B = 0)2N4923G I CEO−−−0.50.50.5mAdcCollector Cutoff Current(V CE = Rated V CEO, V EB(off) = 1.5 Vdc)(V CE = Rated V CEO, V EB(off) = 1.5 Vdc, T C = 125_C I CEX−−0.10.5mAdcCollector Cutoff Current (V CB = Rated V CB, I E = 0)I CBO−0.1mAdcEmitter Cutoff Current (V EB = 5.0 Vdc, I C = 0)I EBO− 1.0mAdcON CHARACTERISTICSDC Current Gain (Note 3)(I C = 50 mAdc, V CE = 1.0 Vdc) (I C = 500 mAdc, V CE = 1.0 Vdc) (I C = 1.0 Adc, V CE = 1.0 Vdc)h FE403010−150−−Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 3) (I C = 1.0 Adc, I B = 0.1 Adc)V CE(sat)−0.6VdcBase−Emitter Saturation Voltage (Note 3) (I C = 1.0 Adc, I B = 0.1 Adc)V BE(sat)− 1.3VdcBase−Emitter On Voltage (Note 3) (I C = 1.0 Adc, V CE = 1.0 Vdc)V BE(on)− 1.3VdcSMALL−SIGNAL CHARACTERISTICSCurrent−Gain − Bandwidth Product(I C = 250 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)f T3.0−MHzOutput Capacitance(V CB = 10 Vdc, I E = 0, f = 100 kHz)C ob−100pFSmall−Signal Current Gain(I C = 250 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)h fe25−−Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.3.Pulse Test: PW ≈ 300 m s, Duty Cycle ≈ 2.0%.40302010255075100125150Figure 1. Power DeratingT C , CASE TEMPERATURE (°C)P D , P O W E R D I S S I P A T I O N (W A T T S )Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit5.0Figure 3. Turn −On TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)t , T I M E ( s )μ 2.01.00.70.50.30.20.10.052.0%0.073.0V BE(off)V in V TURN-OFF PULSEobtain desired current levelsFigure 4. Thermal Responset, TIME (ms)1.00.010.70.50.30.20.10.070.050.030.02r (t ), T R A N S I E N T T H E R M A LR E S I S T A N C E (N O R M A L I Z E D )10Figure 5. Active −Region Safe Operating AreaV CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)5.02.01.00.50.10.2I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (A M P )7.03.00.70.3There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate I C − V CE operation i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate.The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150_C; T C is variable depending on conditions. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk) ≤ 150_C. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.t μs , S T O R A G E T I M E ( s )′5.0Figure6. Storage Time I C , COLLECTOR CURRENT (mA)2.01.00.50.30.20.10.050.073.00.75.0Figure 7. Fall TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)2.01.00.50.30.20.10.050.073.00.7t μf , F A L L T I M E ( s )V C E , C O L L E C T O R -E M I T T E R V O L T A G E (V O L T S )R B E , E X T E R N A L B A S E -E M I T T E R R E S I S T A N C E (O H M S )1000Figure 8. Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)1050020010070Figure 9. Collector Saturation Region1.0I B , BASE CURRENT (mA)0.80.60.40.2700300h F E , D C C U R R E N T G A I N503020108Figure 10. Effects of Base −Emitter Resistance T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)1071051041031061.5I C , COLLECTOR CURRENT (mA)1.20.90.60.3V O L T A G E (V O L T S )Figure 11. “On” Voltage104Figure 12. Collector Cut −Off Region V BE , BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)10310210-1, C O L L E C T O R C U R R E N T ( A )μI C + 2.5Figure 13. Temperature CoefficientsI C , COLLECTOR CURRENT (mA)T E M P E R A T U R E C O E F F I C I E N T S (m V /C )°+ 2.0+ 1.5+ 0.50- 0.5- 1.0- 1.5- 2.0- 2.5+ 1.010110010- 2TO −225CASE 77−09ISSUE ADDATE 25 MAR 2015STYLE 1:PIN 1.EMITTER 2., 4.COLLECTOR 3.BASE STYLE 6:PIN 1.CATHODE 2., 4.GATE 3.ANODESTYLE 2:PIN 1.CATHODE 2., 4.ANODE 3.GATE STYLE 3:PIN 1.BASE2., 4.COLLECTOR3.EMITTER STYLE 4:PIN 1.ANODE 12., 4.ANODE 23.GATE STYLE 5:PIN 1.MT 12., 4.MT 23.GATE STYLE 7:PIN 1.MT 12., 4.GATE 3.MT 2STYLE 8:PIN 1.SOURCE 2., 4.GATE 3.DRAINSTYLE 9:PIN 1.GATE 2., 4.DRAIN 3.SOURCESTYLE 10:PIN 1.SOURCE 2., 4.DRAIN 3.GATEYWW XXXXXXXGY = Year WW = Work Week XXXXX = Device Code G = Pb −Free Package*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.GENERICMARKING DIAGRAM*SCALE 1:1DIM MIN MAX MILLIMETERS D 10.6011.10E 7.407.80A 2.40 3.00b 0.600.90P 2.90 3.30L1 1.27 2.54c 0.390.63L 14.5016.63b20.510.88Q3.804.20A1 1.00 1.50e 2.04 2.54NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.NUMBER AND SHAPE OF LUGS OPTIONAL.FRONT VIEWBACK VIEWFRONT VIEWSIDE VIEW31MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. 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A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.PUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTNorth American Technical Support:Voice Mail: 1 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Phone: 011 421 33 790 2910LITERATURE FULFILLMENT :Email Requests to:*******************ON Semiconductor Website: Europe, Middle East and Africa Technical Support:Phone: 00421 33 790 2910For additional information, please contact your local Sales Representative。
2n2222a晶体管参数
2n2222a晶体管参数晶体管是一种集成电路元件，是三极管的一种形式，由一个金属-半导体接口和三个基极组成，它的工作原理是通过改变基极间的电位来控制一个通过源极（位于晶体管的正极处）和汇极（位于晶体管负极处）的电流，从而控制电路的功能，如控制电路的开关和放大电路的信号。
晶体管参数是晶体管的特性，也是影响晶体管性能的主要参数，都包括特性曲线，集电极-基极电压，集电极电流，放大系数，栅极-源极电压，饱和电流，负载电容，暂态参数等。
1、特性曲线：指晶体管特性对电参数的检测图，即放大系数即增益系数(hfe) 的曲线，该曲线可以帮助我们确定放大系数hfe，根据曲线得出的hfe值乘以输入电流即得出输出电流。
2、集电极-基极电压：集电极-基极电压也称为VBE，它是晶体管从关闭到开启的拐点电压，随着其两端的偏置电压的变化而变化，集电极-基极电压的变化可以改变晶体管的开关状态。
3、集电极电流：也称为ICE，它是晶体管要扽开的最小电流，也称为开关电流，晶体管出现漏电现象时，其由基极到集电极的电流在扽内不变。
4、放大系数：也称为hfe，它是晶体管的增益系数，表示晶体管的输出电流与输入电流的比值，通常由特性曲线得出。
5、栅极-源极电压：也称为VGS，它是晶体管的开关电压，晶体管的栅极-源极电压的变化可以改变晶体管的开关状态，当VGS等于一个特定的值时，晶体管即处于打开或关闭状态。
6、饱和电流：也称为ICS，它表示晶体管放大电路最大能够放大的电流，当晶体管在放大电路中工作时，输入电流超过晶体管的饱和电流ICS时，晶体管就会饱和，此时晶体管放大因子会减少，从而使回路稳态响应失效。
7、负载电容：由晶体管放大电路的负载电容对电路的稳态响应有很大的影响，负载电容的值越大，该电路越有可能失效，而负载电容的值越小，该电路就越不容易失效。
8、暂态参数：晶体管的暂态参数包括放大延迟时间、放大脉冲响应时间、放大脉冲环境宽度、放大脉冲幅度和放大脉冲频率，这些参数可以反映晶体管在特定电路条件下的放大特性。
2n5551三极管参数
2n5551三极管参数2n5551是一种NPN型三极管，常用于低功耗放大电路和开关电路中。
它具有以下几个主要参数：1. 最大集电极电压（VCEO）：2n5551的最大集电极电压为160V。
这意味着在正常工作条件下，集电极与发射极之间的电压不应超过160V，否则可能会导致器件损坏。
2. 最大集电极电流（IC）：2n5551的最大集电极电流为600mA。
这表示在正常操作下，集电极电流不应超过600mA，否则可能会导致器件过热。
3. 最大发射极-基极电压（VEBO）：2n5551的最大发射极-基极电压为6V。
这意味着在正常工作条件下，发射极与基极之间的电压不应超过6V，否则可能会导致器件损坏。
4. 最大功耗（PD）：2n5551的最大功耗为500mW。
这表示在正常操作下，器件的功耗不应超过500mW，否则可能会导致器件过热。
5. 封装类型：2n5551通常采用TO-92封装，这种封装形式便于焊接和安装。
6. 增益（hFE）：2n5551的直流电流放大倍数（hFE）通常在70至400之间。
这意味着当基极电流为1mA时，集电极电流可能会放大70到400倍。
除了以上主要参数外，2n5551还具有一些其他重要参数，如最大反向漏电流（IR）和最大噪声系数等。
这些参数对于特定应用中的电路设计和性能评估也很重要。
总结起来，2n5551是一种常用的NPN型三极管，具有最大集电极电压160V、最大集电极电流600mA、最大发射极-基极电压6V等参数。
它的特点是功耗低、封装方便，适用于低功耗放大电路和开关电路的设计。
在选择和使用2n5551时，我们应该根据具体的应用需求，合理利用这些参数来确保电路的可靠性和性能。
2n7000场效应管参数
2n7000场效应管参数2N7000场效应管是一种普遍使用的两极晶体管，它具有很强的性能，能够满足大多数应用场景的需求。
该组件在电子行业中有着广泛的应用，可以满足广域的需求。
本文将针对2N7000场效应管的参数进行简要介绍，以帮助电子工程师理解及使用该组件的一些基本参数。
2N7000场效应管的基本参数，包括静态特性，动态特性和介电特性三个方面。
静态特性使得2N7000场效应管能够在改变电源电压或其他外部因素时，保持其输出电压恒定不变；动态特性是指2N7000场效应管对于外部因素的响应能力，其具备良好的反应性能，可以很好地满足电子产品的设计需求；介电特性指的是2N7000场效应管在高低电压状态下，所具备的介电性能。
从静态特性来看，2N7000场效应管有着良好的稳恒性，其集电极与发射极的压降小于1.4V，集电极与发射极之间的最大电流可以达到200mA，静态电参数的最小值包括：集电极闭合电阻最小值不小于4.0KΩ，发射极闭合电阻最小值不小于75Ω，传输增益最低可以达到60。
动态特性方面，2N7000场效应管具备较强的反应能力，其发射器的最大响应频率可以达到500MHz，放大带宽可以达到600MHz，其反相延迟时间为0.25ns，脉冲响应时间为0.35ns，隔离电阻达到50Ω，反射系数可以达到25dB以上。
介电特性方面，2N7000场效应管所具备的最大电流和最小电流可分别达到200mA和200uA，其耗散系数可达到3500V/μs，其也是保证2N7000场效应管能够适应高压电平情况下使用的一大保障。
从以上参数来看，它们都可以为电子工程师在设计使用2N7000场效应管时提供指导，以便他们能够更好地理解并使用2N7000场效应管，从而实现最佳的设计和使用效果。
总之，2N7000场效应管的参数众多，其丰富的参数特性，为设计电子产品的工程师提供了丰富的可选择性，以满足他们不同的设计和使用需求。
学习理解2N7000场效应管的参数，有助于更好地使用该组件，从而让设计更加精准高效。