第十章晶闸管及实际应用
晶闸管的工作原理与应用
➢ 它自1972年开始研制并生产； ➢ 优点：与GTO相比，SITH的通态电阻小、通态压
降低、开关速度快、损耗小及耐量高等； ➢ 应用：应用在直流调速系统，高频加热电源和开
关电源等领域；
➢ 缺点：SITH制造工艺复杂，成本高；
返 回
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1.8.3 MOS控制晶闸管（MCT）
➢ MCT自20世纪80年代末问世，已生产出
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3
1.1.1 晶闸管及其工作原理
1、晶闸管的结构：
图1.1.1 晶闸管的外型及符号
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4
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
平板型晶闸管外形及结构
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5
2、晶闸管的工作原理
晶闸管(单向导电性),导通条件为阳极正偏和门极加正向触发电流。
图1ing Thyristor，简称FST)，开关频率 在10KHZ 以上的称为高频晶闸管。 ➢ 快速晶闸管为了提高开关速度，其硅片厚度做得比普通 晶闸管薄，因此承受正反向阻断重复峰值电压较低，一 般在2000V以下。
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2. 双向晶闸管(TRIAC)
个门有极两G个。主电极T1和T2，一 ➢ 正反两方向均可触发导通，
➢ 线性放大区： ➢ 准饱和区：
➢ 深饱和区：类似于开关的通态。
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图1.5.3共发射极接法 时GTR的输出特性
返 回
24
1.6 电力场效应晶体管
电力MOSFET
P沟道 N沟道
耗尽型： 增强型 耗尽型 增强型:
当栅极电压为零时漏 源极之间就存在导电 沟道；
对于N（P）沟道器件, 栅极电压大于（小于） 零时才存在导电沟道
晶闸管及其应用《模拟电子技术基础》课件(全集)
利用逆变技术将直流电转换为交流 电，为电子设备提供电源。
04
04 晶闸管与其他电子元件的 比较
与二极管的比较
总结词
二极管与晶闸管在结构和工作原理上存在显著差异。
详细描述
二极管是由一个PN结组成的半导体器件，具有单向导电性，主要用于整流、检波和保护等电路中。而 晶闸管则是由三个PN结组成的半导体器件，具有可控的单向导电性，主要用于可控整流、开关和调压 等电路中。
晶闸管工作原理
总结词
晶闸管通过控制门极电压实现对其通断的控制。
详细描述
当在晶闸管的门极施加适当的正向电压时，晶闸管内部的空穴和电子在强电场的作用下分别向阴极和阳极运动， 形成正向电流。这个电流使晶闸管内部的PN结处于导通状态，允许电流通过。当门极施加反向电压时，晶闸管 内部的PN结处于截止状态，电流无法通过。
未来展望与研究方向
新材料与新工艺
研究新型半导体材料和制程技术，提高 晶闸管的性能和可靠性，以满足不断发
展的应用需求。
集成化与模块化
推动晶闸管的集成化和模块化发展， 简化电路设计和系统搭建，降低成本
并提高可靠性。
高频率、大容量
研究实现更高工作频率和更大容量的 晶闸管，提升电力电子系统的转换效 率和应用范围。
1970-1980年代
随着电力电子技术的快速发展，晶闸管在变频器、 电机控制等领域得到广泛应用。
ABCD
1950-1960年代
晶闸管技术逐渐成熟，开始应用于工业控制和电 力电子领域。
1990年代至今
晶闸管技术不断创新，新型材料和工艺的应用提 高了其性能和可靠性，拓宽了应用领域。
晶闸管的应用前景
新能源领域
02 晶闸管特性
晶闸管应用电路
在u2的正半周，VH1、VD2承受正向电压，当ωt=α时，控制极加上 触发脉冲uG，令晶闸管VH1触发导通，续流二极管VD3承受反向电压而 截止。电流流经VH1、L、RL、VD2，输出电压uo≈u2。
晶闸管刚触发导通时，由于电感元件产生阻碍电流变化的感应电动 势，电路中的电流不能跃变，将由零逐渐上升。当电流到达最大值时， 感应电动势为零，而后电流随u2沿正半周减小，电感感应电势改变极性， 和u2相同。
α=59o
导通角θ=180o－α=121o
负载电流有效值为
IO
Vi RL
sin 2 2 4
RL
VOAV I O( AV )
75 20
3.75
则
IO
220 3.75
180O 59O sin 2 59O
37.4A
360O
4
2. 单相桥式可控整流电路（电阻性负载）
在u2的正半周，VH1、VD2承受正向电压，若晶闸管的控制极不加脉 冲uG，VH1不导通，此时负载中没有电流流过。当ωt=α时，控制极加上触 发脉冲uG，VH1导通，电流流经VH1、RL、VD2。由于晶闸管导通时管压 降很小，所以负载上的电压uo≈u2。这时VH2和VD1因承受反向电压而处于 阻断状态。当ωt=π时，u2降为零，VH1又变为阻断。
【例10-1】一电热装置（电阻性负载）要求直流平均电压75V，负载电流
20A，采用单相半波可控整流电路直接从220V交流电网供电，试计算晶闸管
的控制角α、导通角θ及负载电流有效值。
解：由
VOAV
0.45Vi
1
cos
2
当UO(AV)=75V时，有
cos 2VO(AV ) 1 0.515
0.45Vi
晶闸管的发展及其应用
目 录第一章 电力电子技术简介及其器件发展 (1)第二章 晶闸管 (2)2.1 晶闸管的产生及符号 (2)2.2晶闸管的导通与关断条件 (3)2.3 晶闸管的工作原理 (4)2.4 晶闸管的阳极伏安特性 (5)2.5 晶闸管的主要参数 (6)2.5.1 晶闸管的重复峰值电压 (7)2.5.2晶闸管的额定通态平均电流额定电流T I （AV ） (7)2.6 通态平均电压T U （AV ） (8)2.7 门极触发电压GT U 和门极触发电流GT I (8)2.8 维持电流H T (9)2.8 掣住电流L I (9)2.9 断态电压临界上升率du ／dt (9)2.10 通态电流临界上升率di ／dt (10)第三章 双向晶闸管及其派生晶闸管 (11)3.1 双向晶闸管 (11)3.2 快速晶闸管 (12)3.4 光控晶闸管 (13)第四章 晶闸管的保护与串并联使用 (14)4.1 过电压保护 (14)4.1.1操作过电压 (14)4.1.2雷击过电压 (15)4.1.3换相过电压 (15)4.1.4关断过电压 (15)4.2 过电压保护措施 (15)4.2.1操作过电压的保护 (15)4.2.2浪涌（雷击）过电压的保护 (15)4.2.3 过电流保护 (17)4.4 晶闸管的串、并联 (18)第五章 晶闸管应用实例 (19)5.1 单相全控桥式整流电路 (19)5.2 三相全控桥式整流电路 (20)总结 (22)参考文献 (23)第一章电力电子技术简介及其器件发展第一章电力电子技术简介及其器件发展电力电子技术，即由国际电工委员会命名的，一门将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路进而实现电能的变换和控制的完整学科。
突出对“电力”的变换，变换的功率可以大到数百甚至数千兆瓦，也可以小到几瓦或更小。
电力电子技术包括电力电子器件、变流电路和控制技术3个部分，其中电力电子器件是基础，变流电路是电力电子技术的核心。
晶闸管原理及应用
图3 阳极加反向电压 图4 阳极加正向电压
(2) 正向特性
当门极G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
设PNP管和NPN管的集电极电流分别为IC1和IC2,发射极电流相应为Ia和Ik,电流放大系数相应为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
Ia=IC1+IC2+ICO
(3) 触发导通
在门极G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
图5 阳极和门极均加正向电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(完整版)电子技术基础教学大纲
电子技术基础教学大纲电子技术基础是入门性质的技术基础课，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养分析问题和解决问题的能力，为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。
本课程是我院工科电类专业的必修课。
模拟部分教学大纲学时：55 学分:4适用专业：电子类、自控类、计算机类专业（高职高专）先修课程：《大学物理》、《电工技术基础》一、课程内容和基本要求第一章半导体器件1、正确理解PN结的形成及其单向导电作用，熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。
2、正确理解半导体三极管的结构及工作原理，熟练掌握外特性和主要参数。
第二章基本放大电路1、正确理解放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。
2、掌握放大电路定性分析方法及静态工作点的估算方法。
3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。
4、正确理解放大器失真产生的原因及解决的办法，放大电路频率特性的概念及其频率特性。
5、了解级间耦合放大电路的工作原理及指标的估算，选频放大电路。
第三章场效应管放大电路1、正确理解结型场效应管和绝缘栅场效应管的结构、工作原理，掌握特性曲线和主要参数。
2、确理解场效应管放大电路结构，工作原理。
第四章集成运算放大电器1、熟练掌握集成运算放大器的组成、性能特点和基本单元电路。
2、正确理解差动放大器的组成、工作原理及应用，了解通用型集成运算放大器的主要性能指标。
3、了解集成运放的应用及两种基本电路。
第五章负反馈放大电路1、练掌握反馈的基本概念和分类，会判断反馈放大电路的类型和极性。
2、熟练掌握负反馈的四种组态及其对放大电路性能的影响。
第六章集成运算放大器的应用1、练掌握由集成运放组成线性电路和非线性应用电路的方法和应用知识。
2、练掌握由集成运算放大器组成的比例、加减法和积分运算电路、信号处理电路等的结构及分析方法。
晶闸管作用
晶闸管作用晶闸管是一种电子器件，可用于控制和放大电流。
它具有无接触触发、高电流调制和高频响应等特点，被广泛应用于电力电子领域。
晶闸管的主要作用是实现电流的控制和放大。
它是一种开关型器件，可以实现从关断到导通的切换。
晶闸管的导通状态由一个特定的信号来触发，而不需要直接接触晶闸管本身。
当触发信号达到一定电压水平时，晶闸管将开始导通，电流通过晶闸管流过。
晶闸管的导通状态可以长时间持续或者只持续很短的一段时间，这取决于触发信号的持续时间。
晶闸管具有高电流调制特性，可以实现电流的放大。
通过控制触发信号的电压和电流，可以有效地控制晶闸管的电流。
晶闸管的电流放大系数通常在几十到几百之间，有时甚至可以达到上千。
这使得晶闸管能够处理高电流和高功率的电路。
晶闸管还具有高频响应的特点。
它的快速响应时间可以达到纳秒级别，能够处理高频率的电信号。
这使得晶闸管可以用于高频电路中，例如交流变频调速、无线通信和高速开关等应用。
在电力电子领域，晶闸管被广泛应用于各种电力控制和调节系统中。
例如，晶闸管可以用于交流电压调节、电机速度控制和电流矩阵控制等应用。
它们还可以用于谐波滤波、无功补偿和电能变换等电力质量控制方面。
晶闸管的高电流和高功率特性使得它们可以用于大功率电路和高压电路中。
晶闸管的优点不仅体现在其电流控制和放大的能力上，还体现在其稳定性和可靠性上。
晶闸管结构简单，制造成本低，并且具有长时间的使用寿命。
此外，晶闸管还具有较高的电压抗击能力，可以承受较高的浪涌电压和高电压的电路环境。
总之，晶闸管是一种功能强大的电子器件，可实现电流的控制和放大，具有无接触触发、高电流调制和高频响应等特点。
它在电力电子领域有着广泛的应用，可以用于各种控制和调节系统中，以及处理高功率和高频率电路。
晶闸管的优点在于其简单的结构和可靠的性能，使其成为电力控制领域不可或缺的关键器件之一。
晶闸管及应用
通过纳米工艺减小晶闸管的尺寸，提高其开关速 度和集成度，同时降低能耗。
02
薄膜工艺
采用薄膜工艺制备晶闸管，可以实现更高的频率 和更低的导通电阻。
应用领域的拓展
01 新能源汽车
随着新能源汽车的快速发展，晶闸管在电机控制 器、充电桩等领域的应用将进一步扩大。
02 智能电网
智能电网的建设需要大量的电力电子设备，晶闸 管作为其中重要组成部分，将在无功补偿、有功 滤波等领域发挥重要作用。
03 工业自动化
工业自动化领域对电力电子设备的需求持续增长， 晶闸管将在电机驱动、变频器等领域得到更广泛 的应用。
THANKS
感谢观看
正确连接
在连接晶闸管时，应确保 其正确接入电路，避免出 现极性接反、电压错接等 情况。
散热措施
对于大功率晶闸管，应采 取有效的散热措施，以防 止过热引起设备性能下降 或损坏。
维护与保养
检查外观
定期检查晶闸管的外观，确保其无破损、 裂纹等现象。
更换损坏的元件
如发现晶闸管损坏，应及时更换以保证电 路的正常运行。
详细描述
晶闸管的开关速度较快，可以在数微 秒甚至纳秒级别内完成通断转换。这 使得晶闸管在电动机控制、自动控制 系统等领域中具有广泛的应用。
04
晶闸管的选择与使用
选择标准
电压等级
根据实际电路的电压需求， 选择能够承受相应电压的 晶闸管。
电流容量
根据电路的电流需求，选 择具有足够电流容量的晶 闸管。
晶闸管及应用
目录
• 晶闸管简介 • 晶闸管的应用 • 晶闸管的特性 • 晶闸管的选择与使用 • 晶闸管的未来发展
01
晶闸管简介
晶闸管定义
晶闸管及其应用电路
U RM = 2 3U 2 = 2.45U 2
（3）电路特点 ）
优点：较单相整流输出电压大小增大，脉动性减小， 优点：较单相整流输出电压大小增大，脉动性减小，电源平衡性较好 缺点：如直接接电网，会造成电网损耗；如由变压器供电， 缺点：如直接接电网，会造成电网损耗；如由变压器供电，铁芯易发 生直流磁化，使变压器效率降低。 生直流磁化，使变压器效率降低。
G
K阴极 阴极
K
晶闸管的结构
晶闸管的符号
二、晶闸管的工作特性
晶闸管的导电特点： 晶闸管的导电特点：
（1）晶闸管具有单向导电特性 ） （2）晶闸管的导通是通过门极控制的 ）
晶闸管导通的条件： 晶闸管导通的条件：
（1）阳极与阴极间加正向电压 ） （2）门极与阴极间加正向电压，这个电压称为触发电压。 ）门极与阴极间加正向电压，这个电压称为触发电压。
（2）晶阐管具有“可控”的单向导电特性，所以晶闸管又称单 ）晶阐管具有“可控”的单向导电特性， 向可控硅。 向可控硅。 由于门极所需的电压、电流比较低（电路只有几十至几百毫安）， 由于门极所需的电压、电流比较低（电路只有几十至几百毫安）， 而阳极A与阴极 可承受很大的电压，通过很大的电流（ 与阴极K可承受很大的电压 而阳极 与阴极 可承受很大的电压，通过很大的电流（电流可大 到几百安培以上），因此，晶阐管可实现弱电对强电的控制 ），因此 弱电对强电的控制。 到几百安培以上），因此，晶阐管可实现弱电对强电的控制。
t1 t2
α+θ=π
改变α的大小，即可改变输出电压uL的 改变 的大小，即可改变输出电压 的大小 波形。 越大， 越小 越小。 波形。 α 越大，θ越小。
ug 0 t1 t2
θ
α
晶闸管及其应用晶闸管及其应用[精品ppt课件]PPT文档54页
55、 为 中 华 之 崛起而 读书。 ——周 恩来
晶闸管及其应用晶闸管 及其应用[精品ppt课件]
6、纪律是自由的第一条件。——黑格 尔 7、纪律是集体的面貌，集体的声音， 集体的 动作， 集体的 表情， 集体的 信念。 ——马 卡连柯
8、我们现在必须完全保持党的纪律， 否则一 切都会 陷入污 泥中。 ——马 克思 9、学校没有纪律便如磨坊没有水。— —夸美 纽斯
10、一个人应该：活泼而守纪律，天 真而不 幼稚， 勇敢而 鲁莽， 倔强而 有原则 ，热情 而不冲 动，乐 观而不 盲目。 ——马 克思
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
谢谢！
51、 天 下 之 事 常成 于困约 ，而败 于奢靡 。——陆 游 52、 生 命 不 等 于是呼 吸，生 命是活 动。——卢 梭
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额定 正向
IFI
平均
电流 IH
URRM
UDRM
第十章晶闸管及实际应用
U U 正向转折
DSM 电压
(10-14)
3. ITAV：通态平均电流
环境温度为40。C时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电角不小于170o的电路中，晶闸管
允许的最大通态平均电流。普通晶闸管 ITAV 为 1A---1000A。）
N1
随反向电压的增加，反向漏电流
G 稍有增加，当 U = URSM 时，反向
P2
极击穿。正常工作时，反向电压
N2
必须小于URSM。
K
URSM ：反向不重复峰值电压。
第十章晶闸管及实际应用
(10-12)
10.2.2 主要参数
1. UDRM：断态重复峰值电压 晶闸管耐压值。一般取 UDRM = 80% UDSM 。 普通晶闸管UDRM 为 100V---3000V
反向击穿电压
URSM
额定 正向
IFI
平均
电流 IH
UDRM
第十章晶闸管及实际应用
U U 正向转折
DSM 电压
(10-13)
2. URRM：反向重复峰值电压
控制极断路时，可以重复作用在晶闸管上的反向 重复电压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶闸 管URRM为100V--3000V）
反向击穿电压
G
T1
ig
(2) 晶闸管正向导通后，令其截止
ßig
的方法：
• 加大回路电阻，使晶闸管中电
流小于某一值IH时，正反馈效
K
应不能维持。
IH：最小维持电流
• 减小UAK，使晶闸管中电流小 第十章于晶闸某管及一实际值应用IH。
(10-8)
晶闸管的工作原理小结
（1）晶闸管具有单向导电性。
正向导通条件：A、K间加正向电 压，G、K间加触发信号。
T1导通
T2 导通 T1 进一步导通
形成正反馈
晶闸管迅速导通
ig = ib1
ic1 = ig = ib2
ic2 =ßib2 = ig = ib1
2. 晶闸管导通后，去掉UGK 依靠正反馈，晶闸管仍维持导通状态。
第十章晶闸管及实际应用 (10-7)
3. 晶闸管截止的条件：
A
ßßig
T2
(1) 晶闸管开始工作时 ，UAK加 反向电压，或不加触发信号 （即UGK = 0 ）。
i
ITAV含义
ITAV t
2
1
I 2 I sintd( TAV
m 第十章晶闸管及实际应用 0
t)Im
(10-15)
额定通态平均电流即正向平均电流。 通用系列为：
1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400 500、600、800、1000A 等14种规格。
额定
反向击穿电压
电子技术 模拟电路部分
第十章
晶闸管及其 应用
第十章晶闸管及实际应用
(10-1)
第十章 晶闸管及其应用
§10.1 工作原理
§10.2 特性与参数
§10.3 可控整流电路
§10.4 触发电路
§10.5 单结管触发的可控整流电路
§10.6 晶闸管的其它应用
§10.7
晶闸管的保护及其它类型 第十章晶闸管及实际应用
维持导通状态所必须的最小电流。一般为几十
到一百多毫安。
6. UG、IG：控制极触发电压和电流 在室温下， 阳极电压为直流 6V 时，使晶闸管完
全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。一
般UG为 1~5V，IG 为第十几章晶十闸管到及实几际应百用 毫安。
(10-17)
晶闸管型号
K
通态平均电压（UTAV） 额定电压级别（UDRM） 额定通态平均电流 （ITAV） 晶闸管类型 P---普通晶闸管 K---快速晶闸管 S ---双向晶闸管 晶闸管
应用领域：
• 整流（交流 直流） • 逆变（直流 交流） • 变频（交流 交流） • 斩波（直流 直流）
此外还可作无触点开关等。 第十章晶闸管及实际应用 (10-3)
§10.1 工作原理
10.1.1 结构
四 层 半 导 体
A（阳极）
三
P1
个
PN
N1
结
P2
G（控制极）
N2
K（阴极） 第十章晶闸管及实际应用 (10-4)
N2
UDSM：断态不重复峰值电压，又称正向
K
转折电压。
若在G和K间加正向电压：UGK越大，则UDSM越小。
UGK足够大时，正向特第性十章与晶闸二管及极实际管应用的正向特性类似。
(10-11)
反向特性： 在阳极和阴极间加反向电压。
A P1
这时PN结P1N1、P2N2反向偏置， N1P2正向偏置，晶闸管截止。
（2）晶闸管一旦导通，控制极失去作用。
若使其关断，必须降低 UAK 或加 大回路电阻，把阳极电流减小到 维持电流以下。
第十章晶闸管及实际应用
(10-9)
§10.2 特性与参数
10.2.1 特性 I
额定正向 平均电流
IF
反向击穿电压
URSM URRM
IH
维持电流
导通后管压降约1V
IG3> IG2 > IG1 IG3 IG2 IG1=0A
正向
平均
URSM 电流
URRM
IFI
IH
UDRM
第十章晶闸管及实际应用
U U 正向转折
DSM 电压
(10-16)
4. UTAV ：通态平均电压 管压降。在规定的条件下，通过正弦半波平均
电流时，晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。
一般为1V左右。 5. IH：最小维持电流
在室温下，控制极开路、晶闸管被触发导通后，
10.1.2 工作原理 A
A
A G
K 符号
P1
P
N1 G
P2
NN G
PP
N2 K 示意图
第十章晶闸管及实际应用
N K
(10-5)
A
P G NN
PP N
K
A
ßßig
T2
G
T1
ßig
ig
等效为由二个ห้องสมุดไป่ตู้三极管组成
第十章晶闸管及实际应用
K
(10-6)
A
ßßig
T2
G
T1
ßig
ig
K
1. UAK > 0 、UGK>0时
U
反向
正向
UDRM UDSM
正向转折电压
U -- 阳极、阴极间的第电十章压晶闸管及实I际-应- 用阳极电流
(10-10)
正向特性： 在阳极和阴极间加正向电压。
A 控制极开路时： PN结P1N1、P2N2正向偏
置，N1P2反向偏置，晶闸管截止。
P1
随UAK的加大，阳极电流逐渐增加。当
N1 G
P2
U = UDSM时，PN结N1P2反向极击穿， 晶闸管自动导通。正常工作时， UAK 应小于 UDSM 。
(10-2)
晶闸管（Thyristor）
别名：可控硅（SCR)（Silicon Controlled Rectifier） 是一种大功率半导体器件，出现于70年代。它 的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领 域。
特点：体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大（正 向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。