模拟电子技术总复习 (1)
《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析

2011-2012(2)《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用(一)二极管的符号及伏安特性曲线:(二)二极管的特性:单向导电性(三)二极管的模型:重点掌握理想模型和恒压降模型(四)典型习题1. 电路如图所示,已知u i =10sinωt(V),二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管的状态,并画出输出u i与u o的波形。
(a)(b)(c)2. 设二极管是理想的,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
(a)(b)3.电路如图所示,已知u i =8sinωt(V),二极管的正向导通电压U D=0.7V,试分析二极管的状态,画出输出u i与u o的波形,并标出幅值。
(a)(b)(c)4. 电路如图所示,已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管D1和D2的状态,并求出输出电压U o。
(a)(b)二. 三极管及场效应管的应用(一)三极管的符号及伏安特性曲线:i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线,PNP 管的特性曲线(二)三极管的电流控制作用:B C i i β=(三)三极管放大电路的直流通路和交流通路:(四)三极管的交流等效电路:(五)三极管放大电路的组态(六)放大电路的分析方法交流等效电路法:利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法:利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线,采用作图的方式确定一个Q 点。
(七)放大电路的非线性失真饱和失真:工作点位于饱和区截止失真:工作点位于截止区注意:图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真,PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
(八)放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适, 的波形要失真;,A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模拟电子技术综合复习

4.放大电路的输入电压 Ui=10mV,输出电压 UO=1V,该放大电路的电压放大倍数为 -100 , 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输
出端 相同 ,后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为
2. 在单相桥式整流电路中,若将 4 只二极管全部反接,试分析对输出有何影响?若将其中的 1 只二极管反接,对输出有何影响?
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100,RS= 1 k,RB1= 62 k,RB2= 20 k, RC= 3 k,RE = 1.5 k,RL= 5.6 k,VCC = 15 V。 求:“Q”,Au,Ri,Ro。
(√ )
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
( √)
四、判断三极管工作状态(每小题 4 分,共 12 分)
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.(截止
) b.( 饱和 )
3V
c.( 截止
)
五、分析题(每小题 9 分,共 18 分)
1. 试分析图示电路中,级间交流反馈 是正反馈还是负反馈,是电压反馈还是电 流反馈,是串联反馈还是并联反馈?
( ×)
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位,三极管一定处于放大状态。
(√ ) ( ×)
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。( × )
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

(2) A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术总复习

IE= Ic + IB =(+1)IB IC
12
电容短路,直流电源短路,画出交流通道
ui
RB
RC
RL
uo
13
用晶体管的微变等效电路代替晶体管,画出该电路的 微变等效电路,并计算电压放大倍数、输入电阻、输 出电阻
ii
ib
ic ib
R A u L rbe
ui
RB
rbe
RC
RL
uo
10 F
ui
R E1 RB 2 3.3k 15 RE 2 10 F 1.5k
RB 4 1.8k
5.1k RL
10 F
uo
RE 3 1k
PNP管的 微变等 效电路 与NPN管 完全一 样!
27
例3:
如图所示的两级电压放大电路, 已知β 1= β 2 =50, T1和T2均为硅管。
(1)计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V); (2)求放大电路的输入电阻和输出电阻; (3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。
ib
RC RL uo
+
ui
C1
RB 2
RE
-
-
20
3.动态分析 ——电压增益
ib rbe ui RB1 RB 2 RE
ib
RC RL uo
输出回路:uo 输入回路: ui
β ib (Rc || RL )
ib rbe ie Re ib rbe ib (1 β) RE
+24V
RB1 1M C1 + T1
82k
C2 +
RB1
RC2 10k T2
C3 + +
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vi>VT+时,vo=VOL,vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点: 直流稳压电源组成;整流、滤波和稳压的概
念;桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算;串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算;集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻,稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻,稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善,是以牺牲增
益为代价的,且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论:PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法:断开 二极管,利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压,若该电压大于 正向导通电压,则导通;反之,则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态: 特点:iC=βiB,即iC受iB控制,与v CE无关,呈近似恒流源性质。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度, 多数载流子浓度取决于掺杂浓度,其值较大且稳定; 少数载流子浓度与本征激发有关,对温度敏感。
end
PN结加正向电压时,呈现低电阻, 具有较大的正向扩散电流,称为正向 导通。
PN结加反向电压时,呈现高电阻, 具有很小的反向漂移电流,称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作,
原因iB:/?静A 态工作点太低造;成截止失真。
波形:输出电压正半波平顶适(当对增N加PN基);
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
模拟电子技术综合复习题(有答案)

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多,且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压 B ,耗尽型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻(欧姆)区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1

洛阳理工学院模拟电子技术试卷(总)一、单选题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(B)。
A.温度;B.杂质浓度;C.电子空穴对数目;D其它2.稳压二极管稳压时应工作在(C)状态。
A.正向导通;B.反向截止;C.反向电击穿;D.反向热击穿3. N型半导体是在本征半导体中掺入(C);P型半导体是在本征半导体中掺入(A)。
A.三价元素,如硼等;B.四价元素,如锗等;C.五价元素,如磷等4.PN结加正向电压时,有(A)形成电流,其耗尽层(D);加反向电压时,由(B)形成电流,其耗尽层(C)。
A.扩散运动;B.漂移运动;C. 变宽;D.变窄5.当温度升高时,二极管的反向饱和电流(A)。
A.增大;B.不变;C.减小6.一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中( B)。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流7.晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将( B )。
A.增加;B.下降;C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示,由此可判断该三极管处于(A)。
A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态9.双极型三极管用于放大时,应使(B)。
A.发射结正偏、集电结反偏; B.发射结、集电结均正偏;C.发射结反偏、集电结正偏; D.发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时,是由于(B)造成的。
A.静态工作点过低; B.静态工作点过高; C.信号频率过高; D.信号频率过低11.共射、共基、共集三种组态放大电路中,既有电压放大作用,又有电流放大作用的是(A)组态。
A.共射; B. 共基; C. 共集; D.三种都是12. 测得NPN型三极管各电极对地的电位分别为V e=2.1V,V b=2.8V,V c=4.4V,说明此三极管工作在(A)。
A.放大区;B.饱和区;C.截止区;D.反向击穿区13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是(B)。
A.共射电路;B.共集电路;C.共基电路;D.共源极电路14.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是( C ),该管是( D)型。
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模拟电子技术总复习
一、填空题 (每题2 分,共20分)
1.当二极管正向偏置时,呈( 导通 )状态,当二极管反向偏置时,呈(截止 )状态。
2.在N 型半导体中,多子是( 自由电子 ),少子是( 空穴 );在P 型半导体中,多子是( 空穴 ),少子是( 自由电子 )。
3.BJT 用来放大时,应使发射结处于( 正向 )偏置,集电结处于( 反向 )偏置。
4.对于共射、共集和共基三种组态电路,若希望电压放大倍数大,可选用( 共射 )组态,若希望带负载能力强,应选用( 共集 )组态,若希望高频性能好,应选用(共基 )组态。
5.共集电极放大电路的特点是:输入电阻(大 ),输出电阻( 小 ),电压放大倍数(小于 1而接近于1)。
6.放大电路的频率特性包含( 下限截止频率 )特性和(上限截止频率 )特性。
7.多级放大电路总的电压放大倍数是各级电压放大倍数的( 积 ),而用分贝表示时,其总的电压增益为各级电压增益( 和 )。
8.理想集成运算放大器满足下列指标:①开环差模电压放大倍数为(Auo → ∞ );②差模输入电阻为(Rid → ∞);③输出电阻为(Ro → 0) );④ 共模抑制比为(Kcmr → ∞ )。
9.通过理想集成运放的电流0==-+i i 称为(虚断 ),而-+=u u 称为(虚短 )。
10.将放大电路中的一部分或全部回送到输入回路的过程称为( 反馈 )。
11.放大电路的一部分或全部通过反馈网络回送到输入端,造成净输入信号增强的反馈称为( 正 )反馈,造成净输入信号减弱的反馈称为( 负 )反馈。
12.( 电压 ) 负反馈能够稳定输出电压,( 电流 )负反馈能够稳定输出电流。
13.正弦波振荡电路的振荡条件中,幅值平衡条件是指(|AF|=1 ),相位平衡条件是指( φa +φb=2n π,n=0,1,2,….)。
14.正弦波振荡电路一般由(基本放大电路 )、(选频网络 )、(正反馈网络 )和稳幅环节四部分组成(起振 )。
15.RC 串并联网络的频率特性,当外加信号频率f 达到电路的固有频率f 0=( 1/2πRC )时,其输出电压是输入电压的(1/3 ),而其相位差为( 0° )。
16.功率放大电路输出具有较大功率来驱动负载,因此其输出的(电压 )和(电流 )信号的幅度较大,可达到接近功率管的(极限 )参数。
17.乙类功放电路存在(交越 )失真。
18.晶体管的两个结都正向偏置,管子工作在( 导通 );两个结都反偏,管子工作在( 截止 )区;若晶体管发射结正偏、集电结反偏,则管子处在( 放大 )状态。
19.多级放大电路中输入信号为零时,输出信号电压不为零的现象称为( 零点漂移 ),能够抑制此现象的放大电路是( 互补对称 )放大电路。
20.三极管的工作区域通常可分成(发射区 )、(基区 )、(集电区 )三个工作区。
二、选择题(每题2分,共20分)
1.利用二极管的( )组成整流电路。
A 、正向特性
B 、单向导电性
C 、反向击穿特性
D 、光敏性
2.稳压二极管工作在()状态下,能够稳定电压。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、任意
3.只能放大电流,但不能放大电压的是()组态放大电路。
A、共射
B、共基
C、共集
D、所有
4.测得BJT的I B=30μA时I C=2.4mA;I B=40μA时,I C=3 mA,则该管的交流电流放大系数β为()
A、80
B、60
C、75
D、50
5.某多级放大电路的电压增益为60dB。
因此可知其电压放大倍数为()。
A、600倍
B、1000倍
C、2000倍
D、60倍
6.差分放大电路性能最大特点是()
A、稳定放大倍数
B、提高输入电阻
C、克服温漂
D、扩展频带
7.差分放大电路(不接负载时)由双端输出变为单端输出时,其差模电压放大倍数()A、增加一倍B、减少一半C、保持不变D、减少三分之一
8.要增大放大电路的输入电阻时,应引入()反馈。
A、串联负反馈
B、并联负反馈
C、电压负反馈
D、电流负反馈
9、集成运放的线性应用电路均采用()形式。
A、正反馈
B、负反馈
C、深度负反馈
D、深度正反馈
10、测量小信号交流电压有效值时,需用(D )进行测量
A、瓦特表
B、万用表
C、交流电压表
D、电子毫伏表
11、若静态工作点较低,易出现的电路失真是(B)。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
12.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在()。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、反向击穿区
13.若静态工作点较低,易出现的电路失真是(B )。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、频率失真
14、光电管正常工作是在(B )。
A、正向导通区
B、反向截止区
C、反向击穿区
D、任意区
15、在放大电路中,用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是管脚①为2V、管脚②为6V、管脚③为2.7V,则由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为()A、PNP、cbe;B、NPN、ecb;C、NPN、cbe;D、PNP、ebc。
16.消除交越失真的方法是()。
A、引入负反馈
B、引入正反馈
C、设置基极偏置电压
D、提高电源电压17.射极输出器属于()负反馈。
A、电压并联
B、电压串联
C、电流串联
D、电流并联
18.微分运算电路可将矩形波变为
A、尖脉冲
B、三角波
C、正弦波
D、任意波形
19、要减少放大电路的输出电阻时,应引入()反馈。
A、串联负反馈
B、并联负反馈
C、电压负反馈
D、电流负反馈
20.普通发光二极管的正向压降为()
A、0.7V
B、1~2.5V
C、0V
D、0.3V
三、判断题(每小题1分,共15分)
1.当温度升高后,二极管的反向电流将增大。
(Y )
2.光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。
(Y )
3.晶体三极管是一种电流控制器件,而场效应管是一种电压控制器件。
(Y )
4.温度升高时,BJT 的电流放大系数将减小。
(N )
5.发光二极管是一种特殊的二极管,它一般工作在反向截止状态。
(N )
6.多级放大电路的频带宽度总是比所组成任何组态单级基本单元放大电路的频带宽度窄。
(Y)
7.一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号(Y )。
8.集成运放组成运算电路时,它的反相输入端均为虚地(N )。
9.为稳定静态工作点,放大电路通常都要采用负反馈。
(Y )
10.两点并未真正连接,但具有相同的电位,可视为“虚短”。
(Y )
11.只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。
(N )
12.集成运放的减法运算电路中存在着“虚地”现象。
(N )
13.在LC 振荡电路中,希望振荡频率f 0在100MHz 以上应采用电容三点式振荡电路(Y )
14.小信号放大电路的动态分析经常采用微变等效电路法,其中的r be 称为三极管的输入电阻 。
(Y )
15.处于放大工作区的PNP 型晶体管,集电极的电位最高,发射极的电位最低。
(N )
16.以PNP 管为核心元件的放大电路,其U CC 极性为正,发射极电位最低。
(N )
17.为稳定静态工作点,放大电路通常都要采用直流负反馈。
(Y )
18.只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。
(N )
19.放大电路引入交流负反馈,可以减少波形的失真现象。
(Y )
20.理想集成运放的开环差模电压放大倍数为无穷大。
(Y )
四、分析计算题(45分)
1.试判断下图电路中二极管是导通还是截止。
设二极管是理想器件,求出AO 两端电压U AO =?
U1=12-0=12 U2=12-(-4)=16所以D2先导通,导通后,U1=-4
故D1截止。
U AO =-4V
2.如图所示电路分压式偏置放大电路中,已知R C =3.3K Ω,R B1=40K Ω,R B2=10K Ω,R E =1.5K Ω,β=70。
(1)求静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ 。
(2)电压放大倍数A u 。
(1)UB=25/50*10=5V IE=(5-0.7)/1.5=2.87mA=IC
IB=2.87/71=40UA UCE=25-2.87*(3.3+1.5)=11.2V (2)rbe=300+26/40*1000=950Ω
A u =70*3.3/0.95=243
3.判断下图电路中,各由哪些元件组成反馈通路?是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是
交流反馈?是串联反馈还是并联反馈?是电压反馈还是电流反馈?是本级反馈还是级间反馈?
4.如图所示电路中,电阻R1= R2=10 KΩ,R3=20 KΩ,试求出它的输出电压与输入电压之
间的关系。
5、试用相位平衡条件判断如图所示电路能否振荡?属于哪种类型?。