电力电子复习回顾
大二电力电子技术基础知识点总结
大二电力电子技术基础知识点总结如下是大二电力电子技术基础知识点的总结：电力电子技术是电气工程领域的重要分支之一，它主要涉及电力电子器件和电力电子电路的设计与应用。
在大二的学习中，我们接触到了很多电力电子技术的基础知识点，这些知识点对于我们的学习和未来的工作都有着重要的意义。
下面是对这些知识点的总结：1. 电力电子器件电力电子器件是实现电力电子技术的基石，常见的电力电子器件有功率场效应管(MOSFET)、双极型晶体管(BJT)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
这些器件具有不同的特性和应用场景，我们需要掌握它们的工作原理、特性参数以及选型和驱动方法。
2. 电力电子电路电力电子电路是电力电子技术的核心，其中包括直流-直流变换器、直流-交流变换器、交流-交流变换器等。
我们需要了解这些电路的结构和工作原理，掌握它们的控制方法、效率计算以及应用领域。
3. 开关功率器件开关功率器件是电力电子电路的关键组成部分，常见的开关功率器件有晶闸管(SCR)、双向可控硅(Triac)、发光二极管(LED)等。
了解开关功率器件的工作原理、特性和保护方法，能够更好地设计和应用电力电子电路。
4. 电力电子变换器电力电子变换器是实现电能的变换与调控的关键设备，常见的电力电子变换器有直流电压变换器、直流电流变换器、交流电压变换器等。
我们需要了解这些变换器的结构和动作原理，掌握它们的控制策略、效率计算以及在电力系统中的应用。
5. 短路保护与故障诊断在电力电子技术应用中，短路故障是常见的问题。
我们需要学习短路保护的原理和方法，能够设计和应用短路保护电路。
同时，故障诊断技术也十分重要，我们需要了解故障诊断的基本原理和方法，能够快速准确地分析和解决故障问题。
6. 可编程控制器(PLC)在电力电子技术中的应用近年来，可编程控制器在电力电子技术中的应用越来越广泛。
我们需要了解PLC的基本原理和应用技巧，能够利用PLC实现电力电子设备的自动控制和远程监控。
电力电子技术总复习
1
说明： ② Features of power electronic devices（电力电 子器件的主要特征，与信息电子器件的不同点） • 容量远大于电子器件 • 工作在开关状态以减小功率损耗 • 由控制电路控制，控制电路与功率电路之间需要加驱动 电路 • 功率损耗远大于电子器件，需要散热器 说明： ③ 注意：计算开关损耗时，要先画出开关过程中 管子上的电压电流波形，电压电流波形不同，开关损耗的 计算式也不同。 说明：④通态损耗：
12
本节小结
6、理解晶闸管(SCR) MOSFET) 器件的工作原理、特点、主 要参数的含义；掌握晶闸管额定电流的计算方法；理解电路 中dv/dt、di/dt参数对晶闸管器件的影响 。
13
本节小结
说明：① 晶闸管额定电流计算 Average on-state current---IT(AV)
IAV
11
说明：③ 驱动电路的功能/作用 Provide an interface between the control circuit and power switch (作为控制电路与功率开关间的接口) ⑴ 信号放大作用 ⑵ 使功率开关与控制电路电气隔离作用
⑶ 驱动信号整形作用
⑷ 过流过压预防和保护作用
Latching current (擎住电流）
for the same thyristor: IL≈(2~4) IH
16
说明：③ 晶闸管基本概念 di/dt must be less than the rated value. If di/dt exceeds the rated value, the device may be damaged. Rate of rise of the voltage at turn-off---dv/dt If a thyristor is in a blocking state, a rapidly rising voltage applied across the device can cause high current flow through its internal junction capacitor. This current may be high enough to damage the device. Thus, the applied dv/dt must be less than the rated value.
电力电子-复习主要内容
5）PWM整流器工作的基本原理，实现功能。
八
1）电力电子器件的驱动要求；
2）器件串并联使用的特点与注意事项；
3）过电压与过电流保护的分类与功能；
4）缓冲电路的工作原理。
九
1）晶闸管直流电动机系统的原理与直流可逆电力拖动系统的稳态计算；
2）开关电源中电压模式与电流模式的差别；
3）单相功率因数校正的基本原理；
2）晶闸管桥式变流器（单相，三相）的电路结构；R,RL负载下的波形，整流输出电压平均值和电流平均值的计算；各器件波形；输入电流谐波的特点、畸变率、功率因数的计算；
3）换相重叠的概念、原因；换相压降概念；
4）不控整流的概念、基本原理；
5）晶闸管变流器的逆变工作状态：逆变的概念，变流器工作于有源逆变模式的必要条件，逆变角的概念。整流与逆变工作模式的区别。最小逆变角的限制条件，逆变失败的原因和后果。
复习主要内容
章节
重点内容
一
电力电子技术定义；电力（电能）变换的目的和作用；电能变换的种类；电力电子器件的种类；半导体开关的特点。
二
电力电子器件的分类方法；6种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、主要特性。
三
1)晶闸管变流器的相位控制原理：自然换流点的定义，触发延迟角的定义（触发脉冲的特殊要求），导通角的定义，移相控制范围的概念；
2）单相交流调压电路的电路构成，在电阻负载和阻感负载时的工作原理和电路特性；
3）交流调功电路和流电力电子开关的基本概念；
4）单相交流斩控原理；
5）单相交交变频的电路构成和实现原理。
七
1）计算法和调制法实现SPWM，包括特定谐波消去法；
2）异步调制和同步调制的概念与区别；
电力电子技术复习总结
电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1、电力电子器件一般工作在开关状态。
2、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
3、电力电子器件组成得系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压与电流得过冲,往往需添加保护电路。
4、按内部电子与空穴两种载流子参与导电得情况,电力电子器件可分为_单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5、电力二极管得工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。
6、电力二极管得主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管 _ _肖特基二极管_。
7、肖特基二极管得开关损耗小于快恢复二极管得开关损耗。
8、晶闸管得基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。
10、晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为.UDSM大于_UbQ11、逆导晶闸管就是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上得功率集成器件。
12、GTO寻多元集成结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。
13、MOSFE得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR共发射极接法时得输出特性中得三个区域有对应关系,其中前者得截止区对应后者得_截止区_、前者得饱与区对应后者得放大区、前者得非饱与区对应后者得饱与区。
14、电力MOSFE得通态电阻具有正温度系数。
15、IGBT得开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降，开关速度小于电力 MOSFET16、按照驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质,可将电力电子器件分为电压驱动型与电流驱动型两类。
17、IGBT得通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数，在 1/2或1/3额定电流以上区段具有 _正_ —温度系数。
18、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)中,属于不可控器件得就是_电力二极管__,属于半控型器件得就是—晶闸管属于全控型器件得就是_ GTO、GTR、电力 MOSFET IGBT 属于单极型电力电子器件得有_电力MOSFET _属于双极型器件得有_电力二极管、晶闸管、 GTO、GTR_,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控得器件中,容量最大得就是_晶闸管_,工作频率最高得就是_电力MOSFET!于电压驱动得就是丄力MOSFET IGBT _,属于电流驱动得就是_晶闸管、GTO、GTR _ 第2章整流电路电阻负载得特点就是_电压与电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a得最大移相范围就是_0-180［。
电力电子技术总结复习
通态损耗：导通时器件上有一定的通态压降
关断损耗：在器件关断的转换过程中产生的损耗
是器件功率损耗的主要成因
器件开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成
为器件功率损耗的主要因素
电力电子器件的分类
按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以 下三类：不可控、半控和全控
3.6 全控变流电路的有源逆变工作状态
自然换相与自然换相点
u2
ua
1 3
ub
uc
5 4 1 3 2
u
ua
ub
O
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2
p
ud
2p
3p
t
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6
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t
ud
p 2p 3p t
O
t
自然换相点: 在不可控整流电路中，整流管将按电源电压 变化规律自然换相，自然换相的时刻称为自然换相点。 控制角 ：从自然换相点计起，到发出控制脉冲使晶闸管 导通为止的时间间隔，以电角度表示，称为控制角。
三相桥式全控整流电路
每60换相（器件得到触发脉冲）一次，顺序为 VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6。 共阴极组VT1、VT3、VT5的换相依次差120，
VT1 VT3 VT5 d1 T n ia a b c R ud id
共阳极组VT4、VT6、VT2换相也依次差120。
同一相的上下两个桥臂，即VT1与VT4，VT3与VT6， VT5与VT2，换相相差180。
电子保护电路
过电流保护措施及配置位置 图1-37
快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实 现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
电力电子技术知识点总结
电力电子技术知识点总结一、电力电子器件1. 晶闸管：晶闸管是一种具有双向导电性能的电子器件，可以控制大电流、大功率的交流电路。
其结构简单，稳定性好，具有一定的可逆性，可用作直流电压调节元件、交流电压调节元件、静止开关、逆变器等。
2. 可控硅：可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件，具有控制开关特性，可用于控制大电流、大功率的交流电路。
可控硅具有可控性强，工作稳定等特点，适用于电力调节、交流电源、逆变器等领域。
3. MOSFET：MOSFET是一种以金属氧化物半导体栅极场效应晶体管为基础的器件，和普通的MOS晶体管相比，MOSFET在导通电阻上有较低的压降、耗散功率小、寄生电容小、开关速度快等优点，适用于开关电路、逆变器、电源调节等领域。
4. IGBT：IGBT是一种继承了MOSFET和双极晶体管的特点的半导体器件，具有高阻塞电压、低导通压降、大电流、耐脉冲电流等特点，适用于高频开关电路、变频器、电源逆变器、电机调速等领域。
5. 二极管：二极管是最基本的电子元件之一，具有正向导通和反向截止的特点，广泛用于整流、短路保护、开关电源等方面。
以上所述的电力电子器件是电力电子技术的基础，掌握了这些器件的特性和应用，对于电力电子技术的学习和应用具有重要的意义。
二、电力电子拓扑结构1. 变流器拓扑结构：变流器是电力电子技术中的一种重要装置，用于将直流电转换为交流电或者改变交流电的频率、电压和相数等。
常见的变流器拓扑结构包括单相全桥变流器、三相全桥变流器、单相半桥变流器、三相半桥变流器等。
2. 逆变器拓扑结构：逆变器是电力电子技术中的一种重要装置，用于将直流电转换为交流电，逆变器可以选择不同的拓扑结构和控制策略，以满足不同的电力系统需求。
常见的逆变器拓扑结构包括单相全桥逆变器、三相全桥逆变器、单相半桥逆变器、三相半桥逆变器等。
3. 母线型柔性直流输电系统：母线型柔性直流输电系统是一种新型电力电子系统，用于将大容量的交流电转换为直流电进行长距离输电。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点：① 半控器件：晶闸管（SCR ）全控器件：绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）、电力晶体管（GTR ）、 门极关断晶闸管（GTO ）、电力场效应管（MOSEFT ） 不可控器件：电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。
②注意电流有效值与电流平均值的区别： 平均值：整流后得到的直流电压、电流。
有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
波形系数：K f =有效值/平均值 。
③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路： du /dt ：关断时，采用阻容电路（RC ）。
di/dt ：导通时，采用电感电路。
二 整流电路1. 单相半波电路：① 注意电阻负载、电感负载的区别： ② 有效值与平均值的计算：平均值：整流后得到的直流电压、电流。
21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 波形系数：电流有效值与平均值之比。
f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。
③ 晶闸管的选型计算：Ⅰ求额度电压：2TM U =，再取1.5~2倍的裕量。
Ⅱ 求额度电流（通态平均电流I T （AV ）） 先求出负载电流的有效值（f d I k I =）； →求晶闸管的电流有效值（I T =I ）；→求晶闸管的电流平均值（()/T AV T f I I k =），再取1.5~2倍裕量。
2. 单相全桥电路负载：①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别： ② 电阻负载的计算：α移相范围：0~π负载平均值：整流后得到的直流电压、电流。
（半波的2倍）21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算：Ⅰ加续流二极管时，与电阻负载相同。
电力电子技术复习重点总结
电力电子技术第五版复习资料第1章绪论1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。
2 电力变换的种类（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现（4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。
第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系（1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。
（2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。
2 电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。
3 电力电子系统基本组成与工作原理（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。
4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类（1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT。
（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
如电力二极管。
根据驱动信号的性质分类（1）电流型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如SCR、GTO、GTR。
（2）电压型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如MOSFET、IGBT。
根据器件内部载流子参与导电的情况分类（1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电力电子复习回顾————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电力电子复习回顾第二章电力电子器件一、电力电子器件概论1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（ B ）A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电压型器件2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( C )A 二极管B 晶闸管C 电力晶体管D 逆导晶闸管二、功率二极管1、功率二极管的封装形式有螺栓型和平板型，平板型的散热效果好。
2、ZP400表示功率二级管的额定电流为400 A。
3、常用的功率二极管有三种类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
三、晶闸管（SCR）1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_ 时，才能使其开通。
2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )。
A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( )A. 安全区B. 不触发区C. 可靠触发区D. 可触发区4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( )A.阳极电流上升太快B.阳极电流过大C.阳极电压过高D.电阻过大4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( )。
A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至______以下。
7、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM_______U BO。
8、晶闸管额定通态平均电流I VEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_____。
9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。
A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( )。
A. 维持电流I HB. 擎住电流I LC. 浪涌电流I TSmD. 额定电流11、对于同一个晶闸管，其维持电流I H _______擎住电流I L 。
12、KP100-12表示额定电流 A ，额定电压 V 的普通型晶闸管。
13、晶闸管电流的波形系数定义为( ) A.)(AV T Tm f I I K = B.TmAV T f I I K )(=C.K f =I T （AV ）·I TmD.K f =I T （AV ）-I Tm14、在I T(AV)定义条件下的波形系数k f 为( )A. πB.2πC. 23πD.2π四、门极可关断晶闸管1、门极可关断晶闸管是一种__________层半导体结构的三端器件。
2、要关断GTO ，则需( )A 在门极加正脉冲信号B 在门极加负脉冲信号C 加强迫关断电路D 加正弦波信号3、GTO 的电流关断增益βoff =( )。
A.||m in G ATO I I B.||GTATO I I C.||GD ATO I I D.||:GMTO A I I 五、功率晶体管1、功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止2、功率晶体管的二次击穿现象表现为( )A.从高电压小电流向低电压大电流跃变B.从低电压大电流向高电压小电流跃变C.从高电压大电流向低电压小电流跃变D.从低电压小电流向高电压大电流跃变3、功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( )A.4条B.3C.5条D.2条4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路，用来减少晶体管的( )A. 存储时间B. du/dtC. di/dtD. 基极电流5、对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的( C )A.导通B.寿命C.关断D.饱和（六）电力MOSFET管1、电力MOSFET导通时工作在区。
（七）IGBT1、双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（）。
A.GTOB.IGBTC.GTRD.SCR2、IGBT是( )A.电流驱动型元件B.电压驱动型元件C.半控型元件D.不控型元件（八）器件共性1、触发电路中的触发信号应具有（）A.足够大的触发功率B.足够小的触发功率C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度2、常用的抑制过电压的方法有两种，一是用 元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
二是用_____元件限制过电压的幅值。
3、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A.功率晶体管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管4、可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管GTRB.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管5、在功率晶体管的主电路中，为了有效地抑制dt di 和dt du，则应设置 ( )A.触发电路B.控制电路C.开关电路D.缓冲保护电路6、对功率晶体管设置_ 电路，可防止过电压和减小功率晶体管两端的du/dt 。
7、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用___ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
8、晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（ ）。
A ．电阻B ．电容C ．电感D ．阻容元件9、当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( )A. RB. LC. CD. RC第二章 整流电路（一）单相半波全控整流电路1、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
2、在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为_____。
3、单相半波可控整流纯电阻负载电路，控制角 =_____时，负载电流的平均值最大。
4、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
5、大电感负载，接有续流二极管的单相半波可控变流电路设控制角为α，则续流二极管的导通角为( )A.2π+αB.2π-α C 、 π-α D.π+α（二）单相全控桥1、单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ ）A 90 °B 120 °C 150 °D 180 °2、带电阻性负载的单相全控桥，晶闸管所承受的最大正向电压为( ) A 22U 2 B 22U 2 C 2U 2 D 2U 23、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )A. 22U2 B. 2U2 C.22U2 D. 6U24、当控制角α、交流电源电压和负载相同时，单相全控桥式整流电路的功率因素是单相半波整流电路的功率因素的( )A. 2倍B. 2倍C. 1倍D.21倍5、能在两象限运行的电路为( )（电压为纵坐标，电流为横坐标）A. 单相全控桥式电路B. 单相半控桥式电路C. 带续流管的单相全控桥式电路D. 带续流管的单相半控桥式电路6、单相全控桥能在Ⅰ、_________象限中工作。
（电压为纵坐标，电流为横坐标）7、单相桥式可控整流电路中，脉冲间隔τ= ，晶闸管最大导通角=maxθ，晶闸管承受的最大电压TmU= 。
8、单相桥式全控整流电路反电动势负载为使电路可靠工作，控制角α必须停止导电角δ。
9、.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α10、在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U2，反电势为E时，停止导电角δ= ，若晶闸管不导通时，输出电压应为_ _____。
（三）三相半波1、三相半波可控整流电路中使用_______个晶闸管。
2、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A.交流相电压的过零点B. 是相邻相电压正半周的交点R、S、T处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°3、三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时，输出电流波形会出现零点。
（注意是出现一个零点，而不是一段为零的区域）（）A.15°B.30°C.45°D.60°4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为U2，当控制角α=0°时，整流输出电压平均值等于（）A.1.41U2B.2.18U2C.1.73U2D.1.17U25、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（）A.150°B.60°C.120° D6、三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=__。
此电路的移相范围为____。
7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现_______。
晶闸管所承受的最大反向电压为。
8、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压为_________。
9、在大电感性负载三相半波可控整流电路中，输出电流基本是______。
（四）三相全控桥1、三相全控桥的共阳极组各器件的导通顺序依次为V 12,V 14,V 16，其中V 12对应于__________相。
2、三相桥式不控整流电路交流侧三相相电压正半周波的三个自然换相点互相间隔（ ）A 60 °B 90 °C 120 °D 180 °3、三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( )A 60°B 90°C 120°D 150°4、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在______半周触发共阴极组的各晶闸管。
5、三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（ ）度。
A.60B.90C.120D.1806、三相桥式不控整流电路中，二极管在自然换相点按1、 2、3、4、5、6、l 的顺序每隔多少度换相一次( )A 45°B 60°C 90°D 120°7、在三相桥式不控整流电路中，整流输出电压的平均值为( ) A.22U 34.2U 63≈π或 B.22U 17.1U 263≈π或 C.22U 56.1U 62≈π或 D.22U 78.0U 6≈π或8、已知三相桥式不控整流电路交流侧线电压u AB 的表达式为u AB=)6t sin(U 62π+ω，则u CA 的表达式为（ ） A.)65t sin(U 6u 2CAπ+ω= B.)65t sin(U 3u 2CA π+ω= C.)32t sin(U 6u 2CA π-ω= D.)65t sin(U 6u 2CA π-ω= 9、电阻性负载三相全控桥式整流电路，在一个输入电源周期内，整流输出电压有____个波头。