模电习题课(答案版)
模电 习题答案(精选.)
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的uA &和R i ；（3）求出R o 。
解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。
a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。
a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。
a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。
ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模电习题答案.
ui 5V时，D导通，uo =ui ui 5V时，D截止，uo =5V
ui 3V时，D导通，uo =3V ui 3V时，D截止，uo =ui
ui <-5V时，D2导通，D1截止，uo =-5V -5<ui 5V时，D2截止，D1截止，uo =ui ui >5V时，D2截止，D1导通，uo =5V
【8】一晶体三极管工作在放大状态，现测得三个电极的电位分别是A点是 －6伏，B点是－2.3伏，C点是－2伏,试指出晶体管是PNP或NPN型，是Si 管还是Ge管。
因为C点比B点电位高0.3V，所以是Ge管。 又因为A点电位是最低的，所以是PNP管。
【9】有两个晶体管分别接在电路中，工作在放大状态时测得三个管脚的电 位分别如下，试判断晶体管的三个电极及类型（硅管、锗管、NPN型管、 PNP型管）
五、集成运算放大电路的线性应用（15%）
【1】理想运算放大器工作在线性放大区时具有___虚短路___和___虚断路_特性。 【2】理想运算放大器工作在线性放大区时具有虚短特性，是指__同相输入和反相 输入端的电位近似相等___ 【3】运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的（ ）。 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 【1】差分放大电路对__差分__信号有放大作用，对__共模_信号有抑 制作用，即差分放大电路的主要作用是抑制零点漂移。 【2】在集成电路中，采用差分大电路的主要目的是为了（ ） A. 提高输入电阻 B. 减小输出电阻 C. 抑制零点漂移 D. 提高放大倍数
RC
RL
rbe
uo -
Au
26mV rbb 1.2 K IE RL
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
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1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。
[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。
[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。
[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。
[ ] A电路稳定性变差B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。
［］A 直流电阻大、交流电阻小B 直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小D 直流电阻大和交流电阻都大13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。
［］A A V = 1B A V = 3C A V＜3D A V＞314、迟滞比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生 A 次跃变。
［］A 1B 2C 3D 015．当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。
[ ]A 低通B 高通C 带阻D 带通16.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态，即必须满足D 。
［］A V I = V O + V CESB V I＜V O + V CESC V I≠V O + V CESD V I＞V O + V CES2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为(B )A．-5V B．+5VC．+10V D．+15V3．测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位，如题3图所示，则可判定该管处在( C)，上图A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．不确定状态4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B )A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C )A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C)A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时，电压放大倍数将( B )A.减少B.增大C.保持不变D.大小不变，符号改变9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时，则该管工作状态为( B )A.饱和B.截止C.放大D.不能确定10.若图示运算放大电路的输出电压U0=3V，则P点必须( D )A.接n点B.接地C.悬空D.接m点1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。
[ A ]A 增大B 减小C 不变D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
[ C ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是。
[ A ]A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使。
[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
C[ ]A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适8．当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时，放大倍数的数值将下降到中频时的B 。
A 0.5倍B 0.7倍C 0.9倍D 1.2倍[ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。
[ D ]A输入电阻增大B输出量增大 C 净输入量增大D净输入量减小10．带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。
[]A、B、C、DA V A VA VMAXo oof ff5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( C)A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C)A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈8．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（ A ）A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（ D ）A．-10V B．-6V C．-4V D．0V10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（ B ）A．UBE<0,UBC<0 B．UBE>0,UBC>0 C．UBE>0,UBC<0 D．UBE<0,UBC>011．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（ D ）A．Ge管①为e B．Si管③为e C．Si管①为e D．Si管②为e12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B ）A ．共射组态B ．共集组态C ．共基组态D ．共源组态13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（ C）A ．电流串联B ．电流并联C ．电压串联D ．电压并联14．电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β值约为（ D ）A ．β1B ．β2C ．β1+β2D ．β1·β21、单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C 1、C2、C 足够大且对交流短路，试求：（1）该放大电路的I BQ ，I CQ ，V CEQ 的表达式；（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出A V 、R I 、R O 的的表达式；（3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？解：① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+()()553451BQ BEQ EQ CQ BQ BEQ BQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图：V CC()()()'451250411////1T be bb EQ v be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦= ③ 由于该电路具有分压式偏置电路，BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。
若要提高输出电压增益，可以采取以下措施：a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路；b 、 更换β值更高的晶体管；在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ，以减小交流发射极电阻，进一步提高交流电压增益。
2.组合电路如图3-2，已知 ：V CC = 9V ， 晶体管的V CES1 = V CES2 = 1V ，R L = 8Ω，（1） T 1、T 2构成什么电路？（2） D 1 、D 2起何作用？（3） 若输入电压U I 足够大，求电路最大输出功率OMAX P = ？图3-1 图3-2解：（1）1T 、2T 构成互补对称输出级电路；R 1 R 2 R 4 R 5 r be i b βi b +V 0 --+V i（2）1D、2D的作用是为1T、2T提供预偏置，使1T、2T微导通而达到消除交越失真的目的；（3）当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为：()()22max914228CC CESoLV VP wR--===⨯3.图3-3中的各运放为理想运放,已知：V D = 0.8v，Vom = ±12v；(1) 试定性画出V O随V I变化的传输特性图。
(2) 试分别写出当V I＞0和V I＜0时，电路的V O与V I的关系式。
图3-3同类题VD = 0.7v，Vom = ±15v解：（1）当iV＞0时，0102,i omV V V V==-此时D截止而断开，R支路无电流，则0iV V=；（2）当iV＜0时，0102,i omV V V V==+此时D导通，2A构成反相比例运算电路，有：03i iRV V V VR+==-=-所以，从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V±，可以画出V随iV变化的传输特性图为：OV0V i45°15V45°（3）O V 与i V 的关系式为：0i V V =000,i i i iV V V V V >=⎧⎨<=-⎩0当时,V 当时4. 组合电路如图所示，集成运放是理想的，请做如下分析：（1） T1和T2，T3和T4各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？（2） 试计算I O ，U C2Q （A 点对地的直流电压）的数值，设U BEQ = 0.7v ，U CC = 12v ， R 2 = 2K Ω。