数字万用表检测MOS管方法
MOS管如何检测S、D、G集,如何判别好坏
MOS管如何检测S、D、G集，如何判别好坏
一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大。
万用表测量三极管MOS管管脚的方法
万用表测量三极管MOS管管脚的方法万用表测量三极管/MOS管管脚的方法实际项目中，不同型号的三极管（SOT-23封装），经常遇到PIN2、pin3互换（发射极（e）集电极（c）对调了）的现象，导致设计原理图和Layout出错。
在第一次使用新型号的三极管/MOS管时，清晰分辨手上物料的管脚定义非常重要。
以下是个人实践中总结的方法。
基本知识点：三极管没有反向寄生二极管，只有MOS管存在反向寄生二极管万用表的二极管测试档，可以使二极管正向导通，并且显示二极管压降。
万用表测量三极管第一步：判断基极（b）NPN型三极管有这个特点：基极（b）到发射极（e）方向、基极（b）到集电极（c）方向，均是1个二极管。
利用这个特点我们可以确认三极管的基极（b）万用表调到二极管档位，各种测试，直到测试到如下图所示，一般二极管压降是0.75V。
PNP型三极管有这个特点：发射极（e）到基极（b）方向、集电极（c）到基极（b）方向，均是1个二极管。
利用这个特点我们可以确认三极管的基极（b）万用表调到二极管档位，各种测试，直到测试到如下图所示，一般二极管压降是0.75V。
第二步：测试导通特效，并确定发射极（e）、集电极（c）需要同时使用2个万用表，1个万用表利用二极管档使三极管导通，另1个万用表利用直通测试档测试发射极（e）到集电极（c）的导通状态如下图，假设线1连接的是已经确定的基极（b）万用表测量MOS管第一步：判断栅极（G）我们利用Mos管存在寄生反向二极管的特效，确定栅极（G）利用万用表二极管档，2个表笔各种接法测试，只有1种接法可以测试到二极管压降，压降一般是0.5V，此时MOS管未接万用表笔的那个脚就是栅极（G）第二步：测试导通特效，并确定N-MOS还是P-MOS（从而确定，源极（S）、漏极（D））需要同时使用2个万用表，1个万用表利用二极管档使MOS管导通，另1个万用表利用直通测试档测试源极（S）到漏极（D）的导通状态如下图，假设线1连接的是已经确定的栅极（G）。
MOS管如何检测其是否烧坏了
MOS管如何检测其是否烧坏了测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点，测试时选择欧姆R×10K档，这时电压可达10.5V，红笔是负电位，黑笔是正电位。
测试步骤：MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。
如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
3、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。
4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好。
論壇內見有燒友說MOS管不能用萬用表檢測，其實MOS管是可以用萬用表檢測的，MOS管的G（柵）極和D（漏）極S（源）極之間的電阻是無限大的，因此MOS管稱為絕緣柵型場效应管。
大家知道這個原理后就開始找G極，用表10K檔測3個極之間的電阻，再將表筆反過來再測一次就會得出一組數據，你會發現有一個極與其它極無論正反都是無限大的，這就是G極喇。
還有兩個極就好定了，MOS管內部D極與S極是有一個寄生2極管的，如果測到兩極之間正向導通時就把表筆反過來（這一步很重要），用一個手指按住G 極，另一只手指去觸摸另外一個極（這樣做是給MOS加一個偏壓），其中有一個極是會加上正向電壓使MOS觸發的，這個時候MOS就會導通，兩極之間電阻就會變得很小，這個極就是D極了，如果是手摸到紅筆使MOS導通的，這個就是P溝的，相反就是N溝的。
那么只剩下一個極就是S極了，好了3個極已經確了。
PS：1。
用万用表测量场效应管
用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。
由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。
通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。
图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。
②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。
其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。
③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。
对于n导线管互换表笔测试即可。
3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。
万用表测试MOS管
方法一
将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二
将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
完整版)数字万用表使用方法图解
完整版)数字万用表使用方法图解数字万用表是一种简单易用的测量仪器。
本文将介绍数字万用表的正确使用方法，包括电压、电阻、电流、二极管、三极管和MOS场效应管的测量方法，帮助您更好地掌握万用表的使用技巧。
一、电压的测量1、直流电压的测量：先将黑表笔插入“COM”孔，红表笔插入“VΩ”孔。
将旋钮调到比估计值大的量程，接着将表笔接在电源或电池两端，保持稳定。
数值可以直接从显示屏上读取，若显示为“1.”，则表明量程太小，需加大量程后再测量。
如果在数值左边出现“-”，则表明表笔极性与实际电源极性相反，此时红表笔接的是负极。
2、交流电压的测量：将旋钮调到交流档“V～”所需的量程，测量方法与直流电压相同。
无论测量交流还是直流电压，都要注意人身安全，避免用手触摸表笔的金属部分。
二、电流的测量1、直流电流的测量：先将黑表笔插入“COM”孔。
若测量大于200mA的电流，则将红表笔插入“10A”插孔，将旋钮调到直流“10A”档；若测量小于200mA的电流，则将红表笔插入“200mA”插孔，将旋钮调到直流200mA以内的合适量程。
将万用表串进电路中，保持稳定，即可读数。
若显示为“1.”，需加大量程；如果在数值左边出现“-”，则表明电流从黑表笔流进万用表。
2、交流电流的测量：测量方法与直流电流相同，不过档位应该调到交流档位。
电流测量完毕后应将红笔插回“VΩ”孔，避免直接测电压导致设备损坏。
三、电阻的测量将表笔插进“COM”和“VΩ”孔中，将旋钮调到“Ω”中所需的量程，用表笔接在电阻两端金属部位。
读数时，要保持表笔和电阻有良好的接触；注意单位：在“200”档时单位是“Ω”，在“2K”到“200K“档时单位为“KΩ”，“2M”以上的单位是“MΩ”。
可以用手接触电阻，但不要把手同时接触电阻两端，这样会影响测量精确度。
四、二极管的测量：将黑表笔插入“COM”孔，红表笔插入“VΩ”孔。
将二极管的阳极接到红表笔，阴极接到黑表笔，旋钮调到二极管档位，即可读出二极管的正向压降和反向电阻。
数字万用判断表场效应管和三极管
用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。
反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。
但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。
现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
如何用万用表测量判断MOS管的好坏？
如何用万用表测量判断MOS管的好坏？mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。
另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。
FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
市面上常有的一般为N 沟道和P沟道，以下为N沟道和P沟道符号。
1、如何快速判断其好坏及引脚功能1）用10K档，内有15伏电池。
可提供导通电压。
2）因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。
3）利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。
但要放电时需短路管脚或反充。
4）大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。
5）大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源。
以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。
如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。
2、管脚测定方法：①栅极G的测定：用万用表R&TImes;100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2&TImes;10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。
在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：a．若读数由原来较大值变为0（0&TImes;10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
用数字表测常用MOS管，这里用的是N沟道的3055（一般主板内存供电常用）。
P沟道的少见，手里没有，方法类似。
一。
使用数字表二极管测试档位。
红笔接S极，黑笔接G极。
显示“1”---即不通。
其实就是放电，同时给G极施加以反向电压。
二。
红笔接D，黑笔接S。
不通。
三。
红笔接D，黑笔接G。
不通。
四。
红笔接S，黑笔接D。
显示580--不同型号管可能数值不同，此为N沟道管。
五。
红笔接G，黑笔接S。
显示不通。
其实就是给G极加以正向电压，才会出现以下测试结果 。
六。
此时红笔接D，黑笔接S。
导通，阻值很小（发现也有阻值连续升高，最后变成无穷大的情况）。
重复以上一至六步，还是同样结果，可以认为此MOS管正常。