上虞晶盛单晶炉操作说明书
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明
1. 简介
本章节将对晶盛单晶炉进行简要的介绍，包括其主要功能和特点。
2. 安全须知
在使用晶盛单晶炉之前，请务必阅读并遵守以下安全须知，以确保您的人身安全和设备正常运行。
3. 设备结构与组成部分
这一章节详细描述了整个设备的结构，并列出了各个组成部分及其作用。
同时还提供了相应图示以便更好地理解。
4. 操作流程步骤
a) 准备工作：在开始操作之前需要做哪些准备工作？
b) 开机启动：如何正确开启电源、控制面板等？注意事项有哪些？
c) 参数设置：如何根据实际需求设置温度、时间等参数？
d) 样品放置与取出方法: 如何正确放置样品到加热台上？怎么才能够安全地从加热台上取下样品？
5. 故障排除指南
如果在使用过程中发生故障或异常情况时，该怎么办呢?这里给出一些建议性内容来帮助用户快速定位和解决问题。
6. 维护与保养
为了确保设备的长期稳定运行，本章节将介绍一些常见的维护与保养方法，并提供相应注意事项。
7. 常见问题及解答
这里了用户在使用晶盛单晶炉过程中经常遇到的一些问题，并给出详尽而简明扼要地回答。
希望能够对您有所帮助。
8. 相关附件
本文档涉及以下附件，请参阅：
- 晶盛单晶炉操作手册.pdf
9. 法律名词及注释
- 单晶：指具有完整、连贯结构并无缺口或杂质等不均匀性存在的物体。
- 熔融法：通过加热原料至其溶点以上使之变成流动状态后再逐渐凝固形成单个大颗粒（即“种子”）以制得高纯度金属产品或合金产品。
单晶炉的操作规程
单晶炉的操作规程单晶炉的操作规程之相关制度和职责,利用区熔单晶炉进行以下操作:1.清炉、装炉;2.抽空、充气、预热;3.化料、引晶;4.生长细颈;5.扩肩及氮气的充入;6.转肩、保持及夹持器释放;7.收尾、停炉清炉、装...利用区熔单晶炉进行以下操作:1.清炉、装炉;2.抽空、充气、预热;3.化料、引晶;4.生长细颈;5.扩肩及氮气的充入;6. 转肩、保持及夹持器释放;7.收尾、停炉清炉、装炉:(1)清洗整个炉室内壁及加热线圈、反射器、晶体夹持器、上轴、下轴,调整加热线圈和反射器的水平及与上轴、下轴的对中;将多晶料夹具固定到多晶料尾部的刻槽处,然后将其安装到上轴末端,进行多晶料的对中;将籽晶装入籽晶夹头上,然后将其安装到下轴顶端;关闭各个炉门,拧紧各紧固螺栓;(2)抽空、充气,预热:打开真空泵及抽气管道阀门,对炉室进行抽真空,真空度达到所要求值时,关闭抽气管道阀门及真空泵,向炉膛内快速充入氩气;当充气压力达到相对压力1bar-6bar时,停止快速充气,改用慢速充气,同时打开排气阀门进行流氩;充气完毕后,对多晶硅棒料进行预热,预热使用石墨预热环,使用电流档,预热设定点25-40%,预热时间为10-20分钟;(3)化料、引晶:预热结束后,进行化料,化料时转入电压档,发生器设定点在40-60%;多晶料熔化后,将籽晶与熔硅进行熔接,熔接后对熔区进行整形,引晶;(4)生长细颈:引晶结束后,进行细颈的生长,细颈的直径在2-6mm,长度在30-60mm;(5)扩肩及氮气的充入:细颈生长结束后,进行扩肩,缓慢减少下速至3±2mm/min,同时随着扩肩直径的增大不断减少下转至8±4rpm,另外还要缓慢减小上转至1±0.5rpm;为了防止高压电离,在氩气保护气氛中充入一定比例的氮气,氮气的掺入比例相对于氩气的0.01%-5%;(6)转肩、保持及夹持器释放:在扩肩直径与单晶保持直径相差3-20mm时,扩肩的速度要放慢一些,进行转肩,直至达到所需直径,单晶保持,等径保持直径在75mm-220mm,单晶生长速度1mm/分-5mm/分,在扩肩过程中,当单晶的肩部单晶夹持器的销子的距离小于2mm时释放夹持器,将单晶夹住;(7)收尾、停炉:当单晶拉至尾部,开始进行收尾,收尾到单晶的直径达到Φ10-80mm,将熔区拉开,这时使下轴继续向下运动,上轴改向上运动,同时功率保持在40±10%,对晶体进行缓慢降温。
单晶炉技术说明书
1．用途：本设备为软轴提拉型单晶炉，是在惰性气体（氩气）环境中，用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化，用直拉法生长单晶的设备。
9001型炉采用18"热场，投料量60Kg，可拉制6"或8"的单晶。
（1201型炉，采用18”或20”热场，投料量最大120Kg,,可拉制6"~10"的单晶。
）2．设备的工作原理概述：本设备采用软籽晶轴提升机构，显著降低了单晶炉的高度，因而在一般厂房中即可安装使用，便于装配维修和拉晶操作，同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。
本设备在性能和控制上都进行了改进。
在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。
单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。
炉室结构为顶开式，主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。
上升到位后对称旋出，便于机动取出晶体，拆除热场系统和清理炉内各部。
主炉室和副炉室之间，设有翻板阀，可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体，更换籽晶。
3. 主要技术数据： 9001型 1201型3.1. 电源 3相380V±10%,50HZ 3相380V±10%,50HZ3.2. 变压器容量： 200KVA 230 KVA3.3. 加热器最大加热功率： 150KVA 150 KVA3.4. 加热器最高加热电压： 65V 65V3.5. 最高加热温度：1500℃1500℃3.6. 冷炉极限真空度： 3Pa 3Pa3.7. 晶体直径：φ6"/φ8"φ6"～φ10"3.8. 熔料量： 90Kg 1 20Kg3.9. 主炉室尺寸：φ850×1220mmφ900×1200mm3.10.旋阀通径：φ260mmφ300mm3.11.副炉室尺寸：φ260×2270mmφ300×2300mm3.12.籽晶拉速范围： 0～8mm/min 0～8mm/min3.13.籽晶快速：≥400mm/min≥400mm/m in3.14.籽晶转速范围： 0～48R/min 0～48R/min3.15.坩埚升速范围： 0～2mm/min 0～2mm/min3.16.坩埚快速：≥100mm/min≥100mm/min3.17.坩埚转速范围： 0～20R/min 0～20R/min3.18.籽晶提升有效行程： 2900mm 3000mm3.19.坩埚升降有效行程： 400mm 400mm3.20.主机占地面积： 2500mmX1500mm 2000mmX1500mm3.22.主机最大高度： 6300mm 6500mm4. 设备的安装与要求4.1.设备安装环境本设备应在清洁、减震的工作环境中运行，应放置在专用的混凝土基础上，环境条件应选在恒温、恒湿车间。
晶盛单晶炉操作说明
．全自动单晶炉操作手册REV. MANUAL_ZJS.Z02（TDR80A-ZJS/TDR85A-ZJS/TDR95A-ZJS适用）2009年05月上虞晶盛机电工程有限公司SHANGYU JING SHENG M&E ENGINEERING CO., LTD目录第一章单晶生长条件 (2)1.1 设备要求 (2)1.2 辅料要求 (3)1.3 安全要求 (4)第二章单晶生长标准流程 (5)2.1 拆炉 (5)2.2 装炉 (6)2.3 开始单晶的生长 (8)2.4 抽真空 (9)2.5 检漏 (11)2.6 压力化 (12)2.7 熔料 (13)2.8 稳定化 (15)2.9 熔接 (16)2.10 引晶 (18)2.11 放肩 (19)2.12 转肩 (20)2.13 等径 (21)2.14 收尾 (22)2.15 停炉 (23)第三章单晶生长辅助流程 (24)3.1 中途取晶 (24)3.2 回熔 (26)3.3 煅烧 (26)3.4 大清 (27)3.5 连接部位检查 (27)第四章相机调整与热场温度校正 (28)4.1 相机调整 (28)4.2 热场温度调整 (32)第五章异常情况处理 (33)5.1 断水 (33)5.2 电极故障 (33)5.3 打火 (33)附录故障速查 (34)第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件（以下以TDR-85A-ZJS炉为例，其余炉型要求参照说明书）（1）冷却水要求水压：炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间，真空泵进出水压差要求1.5公斤以上；炉子进水压力不可超过3.5公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟，单独电源要求供水量不低于20升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；水质：弱碱性水，PH值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
小。
Shutdown
这一步骤是在单晶生长过程完成之后的冷却期。
停炉
Backout
自动煅烧步骤可以去除杂质、清洁热场，这些杂
煅烧
质是在拉晶过程中积累在坩埚壁上的。
4
2.2 初始化设置 SOP 允许使用者输入单晶生长过程的开始信息。在其它生长过程中将会使用
这些参考信息。用这种方法，关于单晶炉的特殊信息就进入了控制柜的软件界面 来分辨炉子的类型。
系统作业参数（SOP）操作手册
目录
第一章 简介
1.1
关于这本手册
1.2
常用文件
1.2.1 菜单命令
1.2.2 参数屏幕
目录
表
1.2.3 命令条
举例
第二章 SOP 内容
2.1 SOP 表
2.2 初始化设置
2.3 抽真空/检漏
2.4 压力化/熔料
2.5 熔料步骤
2.6 稳定化 I
2.7 稳定化/熔接
2.8 引晶
6
2.4 压力化/熔料 在单晶生长过程中，压力化和熔料是两个不同的操作过程，在 SOP 中它们被
合在一起。 压力化——这是熔料前的步骤，在主真空阀打开时，氩气流量被设定到设定
值，压力控制回路起作用，调节流量阀的位置使炉内压力保持在特定的压力设定 值。
熔料——这一缓慢的熔化过程使硅料在坩埚中连续熔化。
5
2.3 抽真空/检漏 在单晶生长的自动操作中，抽真空和检漏是两个不同的步骤，在 SOP 中它们
被和在一起。 抽真空——这一步骤在单晶生长过程开始前抽出炉体中存在的空气。 检漏——在进入熔化过程前，自动关闭主炉室管路阀来监视炉内压力（单位为毫 托）数值的上升幅度来检测在真空密封性能。
晶盛单晶炉作业指导书
晶盛单晶炉作业指导书晶盛单晶炉是一种高温熔炼设备，主要用于实验室、研究机构以及一些小规模生产场所进行单晶材料的制备。
本作业指导书旨在为操作人员提供详细的操作步骤和注意事项，以确保安全可靠地操作晶盛单晶炉。
一、设备准备1. 确保晶盛单晶炉设备完好无损，并检查电源是否正常。
2. 将晶盛炉设备放置在通风良好、防火安全的场所，并确保离其他设备和易燃物距离足够。
3. 准备好所需的单晶生长设备、单晶种子、熔化样品以及其他实验所需材料和工具。
二、操作步骤1. 插入晶盛并连接电源。
首先将晶盛轻轻插入炉内，并确保与电源连接牢固。
注意避免触碰炉体，以免烫伤。
2. 打开电源开关，并调整炉体温度。
根据实验需求设定炉温，并通过控制面板进行温度调节。
3. 温度上升阶段。
将炉温缓慢升高，避免温差过大引起晶体结构异常。
4. 投入单晶种子并开始熔化。
待炉温达到要求后，将单晶种子放置在炉内，观察熔化过程，确保样品均匀熔融。
5. 单晶生长阶段。
根据所需单晶材料的要求，保持恒定的温度和熔融状态，稳定地进行单晶生长。
6. 单晶生长完成。
待单晶生长完毕，将电源关闭，并等待炉温降至安全温度后，方可取出单晶。
三、注意事项1. 操作前检查设备及电源连接是否正常，确保操作安全。
2. 晶盛单晶炉高温，操作人员应穿戴防热手套和保护眼镜，避免烫伤和灼伤。
3. 遵循操作规程，严格按照制定的温度曲线进行操作，避免过大的温差影响晶体质量。
4. 炉体外部温度高，禁止操作人员触碰，以免烫伤。
5. 单晶材料、单晶种子等操作材料应储存妥善，避免受潮或污染。
6. 操作过程中要保持炉外环境干燥洁净，避免灰尘和异物进入炉内影响单晶生长。
7. 操作结束后，及时关闭电源，并等待炉温降至安全温度后取出单晶。
四、常见故障处理1. 温度控制失常。
检查温度控制仪表及传感器是否正常，排除故障后重新操作。
2. 单晶材料熔融异常。
检查材料质量和配比是否准确，避免杂质或空气进入熔融材料，影响单晶质量。
单晶炉操作规范共31页word资料
热检冷检1.目的为单晶生产作业提供指导，规范操作，保证产品质量。
2.范围本作业指导书适用于拉晶岗位。
3.安全要求3.1单晶车间的安全注意事项1.车间内的机器设备，无操作资格者勿动。
2.未装磁场的单晶炉，操作人员要注意防范掉进炉子旁边的缝隙里，对于已经装上磁场的，要注意不要带手机、磁卡（如银行卡身、份证）等靠近。
也不能拿铁器、钢器靠近磁场，否则会造成人身伤害和设备损坏。
3.严禁在车间内打闹，上班时要杜绝擅离职守、睡觉等。
4.在副室与喉口间、炉盖与主室之间，只要存在可能压砸的地方，任何人严禁将身体的任何部位置于两者的空隙之间。
5.拉晶中的炉台，严禁任何人踩踏单晶炉的底盘或将身体靠在单晶和电控柜上，以免造成炉子震动或碰到电器开关。
3.2进入泵房的安全注意事项1.确保泵房照明，如果照明灯损坏，要及时更换。
2.必须保持泵房地面干燥和清洁，定期清扫泵房，如将油到地面上时，要及时打扫干净。
3.机械泵皮带必须安装防护罩。
4.清洁机械泵和换油时，必须在泵的电源开关上悬挂警示牌，工作完毕后取走警示牌。
5洗泵时严禁将杂物掉入机械泵腔内。
3.3拆装炉1.上班必须穿戴好劳保用品。
装炉时，还需戴口罩、手套等防护用品。
2.拆炉取晶时、注意不要被烫伤、划伤、碰伤。
3.晶体出炉后按指定地点摆放，并将晶体上多余的籽晶部份剪掉。
4.拆拿及安装石墨件时要戴上线手套。
3.4乙醇、丙酮的使用1.工业乙醇及有丙酮害、使用时，要注意防止其溅入眼内。
2.严禁用内酮擦拭密封圈！注意：乙醇和丙酮都是易燃物，应安全使用和妥善保管。
4.工艺流程5.4.1工艺流程图4.2过程控制4.2.1.1取晶体1、停炉5小时后须先进行手动热检漏并记录，（真空度<15mTorr）泄漏率应<15mTorr(0.55Pa/5min)。
泄漏率超出范围应报修。
手动热检漏操作步骤：在触摸屏上将电控系统退到手动状态，关闭供气管道上的手动球阀，将三个电磁阀全部打开，然后抽空到极限真空。
单晶炉具体操作步骤
单晶炉具体操作步骤单晶炉具体操作步骤1、目的为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常，特制订本规范。
2、适用范围适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。
3、单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。
b. 开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无误后方能开炉。
c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。
d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。
e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，并处理干净。
f. 用毛巾将炉体从上到下一遍，擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并把炉子周围清扫干净。
B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间，在单晶冷却4.0小时（TDR-70A/B 型单晶炉）、5.0小时（JRDL-800型单晶炉）后，关闭氩气（只关闭氩气阀门，主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min），开始抽高真空，并作时间记录。
b. 待炉内压力到达极限（要求达到3Pa以下）后，先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏，并作相应时间记录，若0.5小时内抽不到3Pa以下时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
c. 检漏要求3分钟以上，漏气率<0.34Pa/min为正常，同时作好漏气率记录，若漏气率＞0.34Pa/min时，交有关维修人员处理，在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉，并作相关记录。
C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后，旋松付室小门4个螺丝，打开氩气阀门充氩气至常压，关闭氩气，旋开付室小门4个螺丝，打开付室小门。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件（以下以TDR-85A-ZJS 炉为例，其余炉型要求参照说明书）（1）冷却水要求水压：炉子进出水压差要求介于2~3 公斤之间，真空泵进出水压差要求1.5 公斤以上；炉子进水压力不可超过3.5 公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6 公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250 升每分钟，单独电源要求供水量不低于20 升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；水质：弱碱性水，PH 值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。
连接方式：进出水管与炉子之间采用软连接，防止震动传递到炉子。
（2）压缩空气要求气压：≥7 公斤；推荐在压缩空气入口处使用压力调节器。
流率：≥2.5 升每秒；汽缸容积：主真空球阀：2 升；辅助真空球阀：0.5 升。
（3）电力要求相制：3 相AC380V(±10%)/50Hz；功率：≥192KVA。
配电柜应装有500V、400V 的空气开关，和380V/400A的隔离开关。
（4）炉子真空要求空炉真空度：≤15mTorr；空炉泄漏率：≤30mTorr/hr；带热场泄漏率：≤50mTo r r/hr。
（热场已经煅烧完全）1.1.2 日常维护（1）坩埚轴驱动部件的维护保养a、经常检查坩埚轴的冷却水是否通畅，避免冷却不充分而损坏坩埚轴；b、每个月对下轴丝杠至少清理一次，每次应先清理干净丝杠和导轨上的油污，加上适当（不可太多）润滑油，然后上下快升降两次。
（2）提拉头的维护保养a、每次开炉后，检查钢丝绳是否损坏（包括变硬、缠松、有严重毛刺等），如有损坏，立即更换；b、钢丝绳在保管、使用、维修、安装过程中不能造成任何死弯角，否则在运行过程中会引起抖动。
（3）水冷系统的维护保养a、每次加热前检查水流量是否充足，确保所有水路没有堵塞，水温传感器运行正常；b、出现水温或水量报警要查找原因及时处理。
（4）翻板阀的维护保养每次装炉前检查阀口密封圈是否完好，翻板阀操作是否轻松、无卡滞，底部挥发物是否打扫干净，如发现问题应及时排除。
（5）真空系统的维护保养a、经常检查泵油，上下腔油均应浸过小观察窗一半。
如上泵腔油不够，应及时补新油；下泵腔油不够，需关闭球阀，打开左侧阀门，使上泵腔油下到下泵腔，然后关闭阀门。
注意右侧阀门保持常开；b、每次大清，先彻底放尽泵腔内的废油（用手慢慢拉动传动皮带，盘出下泵腔内的废油），然后打开上泵腔，清除干净沉淀油污。
最后换上新油；c、每次拆炉时，拆开真空管道所有盲板和波纹管，彻底清扫管内的粉尘。
1.2.1 籽晶要求（1）籽晶必须严格按要求每炉拆下进行检查,要求无伤痕、无裂纹；（2）籽晶使用炉数必须记录清楚，不清楚的，更换，然后重开记录；（3）吊渣使用废旧籽晶，吊渣后换上可使用的籽晶，吊料和拉晶，必须有细颈，拉晶细颈直径要求3-5mm；吊料细颈直径要求5-7mm；（4）拉晶过程，要经常（频率不低于1 次/10 分钟）观察液面、晶体等炉内状况，确保坩埚边缘没有结晶，防止籽晶被结晶扭断；（5）在籽晶吃重时，升降籽晶转数，要分多次、小幅度（2 转/分）进行；（6）籽晶吃重时，快速升、降晶升，不得断断续续地进行，以免籽晶或细颈处被突然的加速重力或失重折断或损伤；（7）剪断籽晶时要在细颈的最细处剪断，要注意用力适当，且不许用钳子扭断籽晶；否则该籽晶必须停用，交工段送抛光处理；（8）每10 炉更换新籽晶；真空差的炉子的籽晶要提前2 炉更换。
1.2.2 石英坩埚要求有下列特征之一者，为不合格，不能使用：（1）磕碰损伤（位于坩埚上沿的微小碰损除外）（2）裂纹（3）严重划痕（4）气泡处于内壁，并且已经开裂（5）直径≥3mm的气泡，数量≥1 个（6）直径<3mm 的气泡，数量≥5 个（7）线度尺寸≥3mm的黑点，数量≥1 个（8）线度尺寸<3mm 的黑点，数量≥5 个（9）线度尺寸<3mm 的气泡、黑点，合计数量≥5 个注黑点：处于坩埚内壁，液面淹没线以下的有色杂质点；气泡：处于坩埚内壁，液面淹没线以下，夹在坩埚壁内的空洞。
1.2.3 高纯石墨要求（1）外观检查结构致密均匀，无裂纹，无空洞等外观缺陷。
（2）纯度要求必须是高纯石墨，纯度>99.99%；（3）灰份含量灰份含量≤300ppm。
对于国产高纯石墨，如经试用合格，可以放宽到灰份含量≤500ppm。
1.2.4 氩气要求（1）气压：炉子氩气入口压力要求介于3.5~5 公斤之间；（2）气体流率：≥275slpm；（3）纯度：≥99.999%；推荐在氩气入口处使用压力调节器。
1.3.1 单晶车间的安全事项（1）装、拆炉时，操作人员要提高安全意识，严禁酒后作业；（2）已安装磁场的单晶炉，要注意不要带磁卡（银行卡、二代身份证等）靠近。
一定不能拿铁器等导磁性工具，否则强大的磁场会造成人身伤害和设备损坏；（3）严禁在车间内打闹，上班时要杜绝擅离职守、睡觉等现象。
1.3.2 泵房的安全事项（1）确保泵房照明，如照明灯损坏，要及时更换；（2）确保泵房地面干燥情清洁，定期清扫泵房；（3）机械泵皮带必须安装防护罩；（4）清洁机械泵和换油时，必须在泵的电源开关上悬挂警示牌，工作完毕后取走警示牌；（5）洗泵时严禁将杂物掉入机械泵腔内，如将油洒到地面上要及时打扫干净。
1.3.3 拆装炉（1）上班必须穿戴好劳保用品。
拆装炉时，还需戴口罩、手套等防护用品；（2）拆炉取晶体时，注意不要被烫伤，划伤、碰伤；（3）晶体取出后按指定地点摆放，并将晶体上多余的籽晶部分剪掉。
1.3.4 乙醇、丙酮的使用（1）工业乙醇有害，使用时，要注意防止乙醇溅入眼内，禁止饮用工业乙醇；（2）严禁用丙酮擦拭密封圈！（3）四氯化碳可用于清洗油污，但具有强挥发性和腐蚀性，使用时要戴好口罩，保持环境通风。
注意：乙醇和丙酮都是易燃物，应安全使用和妥善保管。
第二章单晶生长标准流程2.1 拆炉2.1.1 取晶体（1）停炉4.5 小时后进行热检漏并作记录，泄漏率应<20mTorr/hr，泄漏不合格应报修；操作步骤：自动停炉工艺下系统会自动热检漏；需手动热检漏时，先关闭氩气，抽极限真空后在操作界面上按【工艺选择】按钮，出现“工艺选择（返回）”界面，在此界面下按【检漏】即可。
（2）停炉5 小时后，才能充气拆炉。
将晶转设定为0.5rpm，待晶转下降到0.5rpm 后再停止晶转，禁止直接将晶转设为零！穿戴好劳保防护用品，认真阅读交接班记录，准备好拆炉工具。
若炉子处于负压状态，打开V4 阀充氩气至炉膛正压。
充气完成后，必须查看晶体完全提升到副室后方可提升副室；注意：在“氩气真空”界面上正确设置“快充阀自动关闭压力”为大气压，炉内压力到正压后V4 阀将自动关闭。
（3）如果晶体不能完全进入副室内，无法用托晶盘防护，则需在隔离阀室垫厚木板加以防护，防止晶棒掉下砸坏石墨件，并连炉盖一起旋转出来；如果晶体可以进入副室内，则升起副室后用托晶盘防护；（4）按住控制柜上“拉伸腔提升”按钮，直到副室高出炉膛顶部碰到中途下限位开关时，可向左拨动“拉伸腔旋转”开关，自动旋开副炉室。
禁止手动推副室旋开！注意：取单晶时注意不要碰坏CCD 器件！（4）在晶体下方摆好取晶框后，撤掉防护木板或托晶盘，然后下降晶体，严禁使晶体接触到取晶框。
晶体离取晶框底部还有3-5mm 距离时，暂停下降，观察触摸屏上显示的晶体重量，小心的下降晶体，待晶体重量刚低于5kg 时，停止下降晶体。
剪断细晶前，一人扶住取晶框，另一人用手抓住重锤或连杆（禁止抓籽晶），用斜口钳剪断细晶，不能扭断！剪完细晶后逐步释放重锤，控制好重锤旋转和晃动，防止钢丝绳跳槽或籽晶磕碰损伤；（5）检查钢丝绳是否完好可用。
若有变硬、毛刺或其他损坏情况，应立即更换；（6）在单晶生产随工单上填写相应数据后，将晶体交付给收晶体人员。
将锅底料、提渣盖等标示好并妥善保存，交给原料管理员。
2.1.2 拆热场（1）按住控制柜上“拉伸腔提升”按钮升起炉盖，直到拉伸腔上限位开关动作时松提升按钮,向左旋开炉盖至压紧炉盖外旋限位开关。
外旋限位开关没有压紧将无法提升炉筒；（2）戴上高温隔热手套，将导流筒、保温盖取出冷却。
将废石英、锅底料取出，然后将三瓣埚、石墨埚托取出冷却。
最后按住控制柜上“炉筒提升”按钮，将炉筒升起至超出导向杆上端时松开提升按钮，向右旋开炉筒。
按“炉筒下降”按钮将主炉室降至离地面约200mm。
注意：（1）在升炉筒时要保护好红外测温仪和炉筒冷却水管，防止碰坏拉伤；（2）以上操作过程中，要注意人身安全和设备安全！只要存在压砸的可能，禁止人体进入该空间。
2.1.3 打扫炉内卫生（1）拿石墨器件的时候必须戴上线手套，严禁赤手接触，使用吸尘管道时，要注意防止管道被烫化在石墨件上。
石墨件较烫时，不能戴薄膜手套；（2）清除取晶时可能飞溅在隔离阀装置上的脏物和碎片；（3）所有石墨件必须彻底打扫干净。
干净的标准是：容易取出的石墨部件：导流筒、上下保温盖、上保温筒、三瓣埚、石墨埚托，必须打扫到全部露出石墨的本色，特别是不能留有黄色的挥发物。
不容易取出的石墨件：加热器、主保温筒、炉底护盘等等，在大清的时候打扫，仍然要求打扫出石墨的本色。
打扫石墨件时，可用百洁布；（4）所有炉子内壁打扫干净，对上排气热场尤其要加强炉壁清扫。
不能留有任何挥发物。
包括副室炉筒、籽晶夹头及重锤、两个抽气口、CCD 窗口、测取光孔玻璃、主观察窗及其防护玻璃；镀金玻璃朝向炉内一侧禁止擦拭，否则镀金层马上被损坏。
不小心擦拭过的，应立即更换；（5）在进行以上打扫时，必要时可以使用砂纸打磨。
凡是砂纸打磨过的地方，要将砂纸上掉下的金刚砂颗粒用吸尘泵吸干净；（6）打开防爆阀，让抽气管道中氧化物燃烧，清除残余氧化物；注意：打开防爆阀时手和眼睛应该与防爆阀保持一定距离。
（7）清除主抽气管道内的氧化物；（8）最后用纱布沾无水乙醇擦干净炉内壁。
2.1.4 装热场按顺序装好炉内石墨件，上升或下降坩埚轴，使石墨坩埚顶部与加热器平齐，在控制柜操作屏上校正坩埚零位。
使用万用表欧姆档检查加热器是否接地。
装热场时，进行如下检查，并调整正常：（1）加热器石墨螺钉先拧松再拧紧，防止高温烧结；（2）托杆与下轴连接是否稳固、对中；（3）确认石墨埚托及三瓣埚是否完好可用；（4）托杆与石墨埚托、石墨埚托与三瓣埚托之间的止口连接必须吻合良好，做到旋转滑动自如；（5）检查主炉室“O ”形圈的位置及清洁度，用纱布沾无水乙醇清洁“O ”形圈及主炉室下法兰密封面；（6）按“炉筒提升”按钮使主室上升到高出加热器上方，导向套转到对准导向杆位置，按“炉筒下降”按钮，直到主室平稳着落于底座上；（7）开埚转2r pm，检查保温罩、石墨坩埚与加热器同心度，小心转动保温罩位置到开口对准取光孔，确认保温罩与加热器绝缘良好，无短路现象；（8）除上下保温盖及导流筒以外的所有石墨件确认安装完毕，并相互对中后，才能准备装料。