项目流程简介

软件项目集成开发流程及文档

软件项目集成开发 一、项目组织架构 Ａ 项目经理 负责分析、设计和协调工作。随时监控各开发人员的工作，包括内容是否与要求发生偏差，进度是否滞后等等，同时给每个开发人员明确的任务书。 在项目周期内项目经理最好不要更换。大项目需要配备专门的系统分析师和系统设计师。 Ｂ 开发人员 熟悉针对软件开发的编程工具，并具有丰富的编程经验，负责完成不同层与模块的编程工作。 开发人员数量视系统模块数量和开发难度而定。 Ｃ 业务需求人员 熟悉业务工作流程，有丰富的业务经验。 业务需求人员的选择应覆盖系统所服务的业务部门。 Ｄ 文档整理人员 随时整理系统开发过程中相关的技术文档。 作为业务支撑，文档整理人员需熟悉软件开发的流程、文档管理、文档模板。 项目组织架构 项目经理 开发人员 业务需求人员 文档整理人员 测试工程师

Ｅ测试工程师 专门进行代码的测试工作，并且计划和执行源代码复审，负责有关返工的任何反馈意见（有条件可配置）。

二、项目流程管理 系统开发的过程必须符合IT 项目开发流程的规律，整个过程应包含但不仅限于以下环节： 需求调研是软件开发的最初阶段。需求调研的结果确立了软件开发的方向。软件设计是后续开发步骤及软件维护工作的基础。 在项目实施的过程中，项目实施者大多把精力放在了编码阶段，而需求调研和系统设计往往不被重视。没有严格的需求调研和分析，最终的软件产品会偏离用户的真正需求。如果没有设计，只能建立一个不稳定的系统结构。如下图所示：

在项目实施过程中，以上各个流程都不应该被忽略（重大项目更是如此），任何一个环节的遗失都可能引起项目方向的偏差，甚至失败。项目管理者可以在此基础上，完善项目管理流程，以降低项目实施的风险。 三、项目文档管理 项目管理者必须在系统开发过程中做好项目文档管理。项目文档是项目实施的依据，也是项目设计、编码、测试、修正、培训和验收的依据。 根据以上项目流程，项目实施过程中应包含以下所必须的文档：

焦化厂生产工序及工艺标准经过流程图

焦化厂生产工序及工艺流程 焦化厂的生产车间由备煤筛焦车间、炼焦车间、煤气净化车间及相配套的公用工程组成。产品焦炭和副产品煤焦油、硫膏、硫铵、粗苯等外售。焦炉煤气经净化后，部分返回焦炉和化产系统作为燃料气，剩余煤气全部外供发电用燃料气。 焦化厂主要生产工序包括：备煤，炼焦、熄焦，筛贮焦，冷鼓、电捕、脱硫及硫回收、蒸氨、硫铵、洗脱苯等工序。 洗精煤—备配煤—炼焦—熄焦—筛贮焦—煤气净化及化产回收—煤气外送。生产工序如下图所示： 洗精煤 去管式炉

净化煤气 外供燃料气 1. 备配煤工序 备配煤是焦化工程的第一道工序，主要是负责洗精煤的贮运、配煤、粉碎、输送，为焦炉提供合格原料。 备配煤工序主要由储煤场及地下配煤槽、粉碎机楼和胶带机通廊及转运站等组成。 2. 炼焦、熄焦工序 炼焦、熄焦是焦化工程的第二步工序，也是最核心的工艺，主要负责将合格的配合精煤采用高温干馏工艺炼成焦炭，并采用湿法熄焦工艺将焦炭熄火降温。炼焦过程副产荒煤气。 焦化厂炼焦、熄焦工序包括1#、2#焦炉、煤塔、间台、端台、炉门修理站、推焦杆及煤槽底板更换站、装煤出焦除尘地面站、熄焦系统、熄焦塔、晾焦台、粉焦沉淀池、熄焦泵房、烟囱及相应配套焦炉机械。 3. 筛贮焦工序 筛贮焦是焦化工程的第三步工序，筛贮焦工序主要负责将炼焦工序熄火的焦炭进行筛分、输送、储存。焦炭筛分为>35mm、35-15mm、

<15mm三个级别外售。 4. 冷凝鼓风工序 冷凝鼓风工序的主要任务是对来自焦炉的荒煤气进行冷凝冷却、加压，脱除煤气中的萘及焦油雾，焦油与氨水的分离贮存及焦油、循环氨水、剩余氨水的输送等。 5. 脱硫及硫回收工序 脱硫及硫回收工序的任务是将来自冷凝鼓风工序焦炉煤气中所含各种硫化物和氰化物脱除，使煤气中的硫化氢含量脱至200mg/Nm3以下送出。浮选出的硫泡沫经熔硫釜连续熔硫，副产硫磺外售。 6. 蒸氨工序 蒸氨工序的任务是将冷鼓来的剩余氨水在蒸氨塔中用蒸汽蒸出，蒸出的氨汽经氨分缩器冷却，冷凝下来的液体入蒸氨塔顶作回流，未冷凝的氨汽用循环水冷凝成浓氨水送脱硫工序作为脱硫补充液。 7. 硫铵工序 硫铵工序的任务是将来自冷鼓工序的煤气进入硫铵饱和器与硫酸接触吸收煤气中的氨，并生成硫铵，可将煤气中的氨含量降至不大于0.05g/Nm3，同时生成含量大于98％，粒度约为0.5mm的硫铵产品。 8. 终冷、洗脱苯工序 本工序包括终冷、洗苯、脱苯三部分。终冷为焦炉煤气的最终冷却，主要是将硫铵工序来的煤气冷却到25～27℃后去洗苯塔，温度

【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍

?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1

当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1

通信主要施工工艺流程图

通信施工工艺流程脚本 1基本要求 1）施工现场的各项管理制度应齐全，管理机制健全，岗位职责明确到人；施工人员数量、机具仪表配备应满足“施工组织设计”的要求。 2）针对具体工程施工特点，制定安全保障措施；开工前进行必要的安全培训，并进行安全考试，考试合格后方可上岗作业。 3）对于通信线路工程，施工前要及沿线相关部门及单位取得联系，办理相关手续、签订安全配合协议等。项目部要教育施工人员遵守当地法律法规、风俗习惯、施工现场的规章制度，保证施工现场的良好秩序。 4）对于通信设备安装工程，应了解通信机房的管理制度，服从机房管理人员的安排，提前办理必要的准入手续。对于既有机房，调查机房内在用设备的使用情况，制定在用设备的安全防护措施。施工过程中严禁乱动及工程无关的在用设备、设施。 5）GSM-R及列车无线调度通信工程铁塔安装、漏泄同轴吊挂等需要在车站站台、隧道、路肩等处进行施工，应提前及有关部门联系，签订安全配合协议。6）对于铁路车站客运服务信息系统工程，应了解车站的管理制度，提前办理准入证等各种相关手续。 7）技术交底的重点根据工程实际情况确定，一般应包括主要施工工艺及施工方法；进度安排、工程质量、安全措施等。交底要交到施工操作人员。交底必须在作业前进行，要有交底记录，交底人及被交底人都要在记录上签字。8）对于通信工程，施工项目及工程特点不同，其施工工艺及施工方法也有所不同。因此，通信工程施工作业指导书要根据工程具体情况进行编写。 9）做好物资的进场和标识工作，物资应整齐码放，要注意防火、防盗。还应做好进货、领用的账目记录工作。 10）安排仪器仪表存放地点，建立管理台帐，采取防潮、防火、防盗措施，严格按照其说明书的要求进行保管和维护。 11）对于各种设备安装工程，施工现场应配备消防器材，通信机房内及其附近严禁存放易燃、易爆等危险物品。 2工艺实施主要内容 2.1总施工流程 通信工程施工总流程图：

生产工艺流程图和工艺描述

生产工艺流程图和工艺描述 香肠工艺流程图 辅料验收原料肉验收 原料暂存肥膘解冻 精肉解冻水切丁辅料暂存分割热水漂洗1 漂洗2 加水绞肉 肠衣验收、暂存（处理）灌装、结扎 （包括猪原肠衣和蛋白肠衣） 咸水草、麻绳验收、暂存浸泡漂洗3 冷却 内包装 装箱、入库 出货

香肠加工工艺说明 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 原料肉验收、暂存化验室、仓库 按照原料肉验收程序进行，并要求供应商 提供兽药残留达标保证函及兽医检疫检 验证明 辅料验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肥膘验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肠衣验收化验室按验收规程进行验收 肠衣处理腊味加工间天然猪肠衣加工前需用洁净加工用水冲洗，人造肠衣灌装前需用洁净加工用水润湿 咸水草、麻绳 验收 化验室按验收规程进行验收暂存仓库 浸泡腊味加工间咸水草、麻绳加工前需用洁净加工用水浸泡使之变软 解冻解冻间肉类解冻分 割间 ≤18℃、18～20h恒温解冻间空气解冻 分割分割台、刀具肉类解冻分 割间 将原料肉筋键、淋巴、脂肪剔除、并分割 成约3cm小肉块 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 漂洗2 水池肉类解冻分 割间 加工用水漂洗，将肉的污血冲洗干净 绞肉绞肉机肉类解冻分 割间 12℃以下，采用Φ5mm孔板 肥膘切丁切丁机肉类解冻分 割间 切成0.5cm长的立方

漂洗1 水池肉类解冻分 割间 水温45－60℃，洗去表面游离油脂、碎肉 粒 灌装、结扎灌肠机香肠加工间按产品的不同规格调节肠体长度，处理量800~1200kg/h ，温度≦12℃ 漂洗3 水池香肠加工间水温45～60℃，清洗肠体表面油脂、肉碎 冷却挂肠杆预冷车间12℃下冷却0.5～1小时，中心温度≦25℃ 内包装真空机、电子 秤、热封口机 内包装间 将待包装腊肠去绳后按不同规格称重，装 塑料袋、真空包装封口 装箱、入库扣扎机、电子 秤 外包装间、成 品仓库 将真空包装的产品装彩袋封口，按不同规 格装箱、核重、扣扎放入成品库并挂牌标 识。

项目开发流程输出文件清单

技术文件提交清单 1. APQP 标题 计划和项目的先期策划子标题 1.1.1 项目覆盖的产品图纸（2D,3D） 1.1.2 APQP项目策划计划表子标题 1.1. 2.1 项目开发建议和申请书、批准书项目经理提供1.1.2.2 多方论证CFT小组成员及职责 1.1. 2.3 市场调研报告项目经理提供1.1.2.4 技术标准资料清单 1.1. 2.5 顾客的技术要求项目经理提供1.1.2.6 同类产品质量报告 1.1. 2.7 新产品开发设计目标 1.1. 2.8 产品初始材料明细 1.1. 2.9 产品和过程特殊特性 1.1. 2.10 过程流程图 1.1. 2.11 新产品设备/工装/专用量具清单 1.1. 2.12 生产能力分析 1.1. 2.13 所需设备初步清单 1.1. 2.14 项目投资预算 1.1. 2.15 可行性报告 1.1. 2.16 设计和开发评审记录表 1.1. 2.17 管理者支持的批准文件 1.2. 产品试制过程子标题 1.2.1 过程开发计划 1.2.2 产品的模具设计图纸和数据（2D,3D） 1.2.3 模具试制进度计划表 1.2.4 采购目录 1.2.5 产品、材料试验清单 1.2.6 小组可行性承诺 1.2.7 过程流程图 1.2.8 生产场地平面布置图 1.2.9 潜在失效模式及后果分析 1.2.10 控制计划 1.2.11 工序能力分析计划

1.2.12 MSA分析计划 1.2.13 主要设备清单 1.2.14 人员培训申请单 1.2.15 培训记录行政部提供 1.2.14 产品包装标准规范营业部提出要求1.2.15 管理者支持 1.2.16 潜在失效模式及后果分析 1.2.17 控制计划 1.2.18 作业指导书 1.2.19 检验指导书 1.3 试生产过程子标题 1.3.1 试生产计划 1.3.2 生产日期及生产数量的确定 1.3.3 产品/过程质量评审 1.3.4 试生产总结-批准正式批量投产 1.3.5 产品质量策划总结和认定 1.3.6 管理者支持的批准文件 2 MSA测量系统的统计与分析子标题 2.1MSA分析计划品质部提供 2.2测量系统分析报告品质部提供 3潜在失效模式及后果分析（PFMEA） 4PPAP 子标题 4.1 过程流程图 4.2 作业指导书 4.3 产品检验标准(检验指导书) 4.4 潜在失效模式及后果分析（PFMEA） 4.5 控制计划 4.6 零件提交保证书 4.6 客户认可接收的文件客户提供 5SPC过程控制统计子标题 5.1PPK过程能力指数分析品质部提供5.2CPK制成能力控制指数分析品质部提供

硝酸工艺流程简介

1. 双加压法稀硝酸生产工艺流程 1.1工艺流程示意图如图1-1： 1、2—液氨蒸发器，3—辅助蒸发器，4—氨过热器，5—氨过滤器，6—空气过滤室，7—空压机，8—混合器，9—氧化炉、过热器、废热锅炉，10—高温气气换热器，11—省煤器，12—低压反应水冷器，13—氧化氮分离器，14—氧化氮压缩机，15—尾气预热器，16—高压反应水冷器，17—吸收塔，18—尾气分离器，19—二次空气冷却器，20—尾气透平，21—蒸汽透平，22—蒸汽分离器，23—汽包，24—蒸汽冷凝器。 图1-1 工艺流程示意图 1.2流程简述： 合成氨厂来的液氨进入有液位控制的A、B两台氨蒸发器中，氨在其中蒸发，正常操作时，大部分液氨被A台蒸发器中来至吸收塔的冷却水所蒸发（吸收塔上部冷却水与A蒸发器形成闭路循环），蒸发温度11.5 ℃；其余的液氨被冷却水在B台蒸发器中蒸发，蒸发温度为14 ℃，两台氨蒸发器的蒸发压力均维持在0.52 Mpa；其中的油和水在辅助蒸发器中被分离，蒸发出的气氨进入氨过热器，气氨温度由TV31022控制，温度为110 ℃，然后再经氨过滤器进入氨─空气混合器。 空气从大气中吸入，经过三级过滤进入空气压缩机入口（冬季在经过空气过滤器前由空气预热器预热），经过空气压缩机加压至0.35 Mpa后分为一次空气和二次空气两股气流，一次空气进入氨─空混合器，二次空气进入漂白塔。 氨和空气在氨─空混合器中混合以后，进入氧化炉，经过铂网催化剂氧化生成NO等混合气体，铂网氧化温度为860 ℃，然后经过蒸汽过热器、废热锅炉，再经高温气─气换热器、省煤器、低压反应水冷器，再进入氧化氮分离器，在此将稀酸分离下来，气体则与漂白塔来的二次空气混合后进入氧化氮压缩机，进气温度为60 ℃，压力为0.3 Mpa；出口温度为200 ℃，压力为1.0 Mpa。再经尾气预热器、高压反应水冷却器进入吸收塔，进入吸收塔时的氮氧化物气体温度为40℃，氮氧化物气体从吸收塔底部进入，工艺水从吸收塔顶部喷淋而下，二者逆流接触，生成58 %—60 %的硝酸，塔底酸温度为40 ℃，从吸收塔出来的硝酸进入漂白塔，用来自二次空气冷却器的约120 ℃的二次空气在漂白塔中逆流接触，以提出溶解在稀酸中的低价氮氧化物气体，完成漂白过程，漂白后的成品酸经酸冷却器冷却到40 ℃，进入成品酸贮罐，再用成品酸泵送往硝铵和间硝装置。 从吸收塔顶部出来的尾气先后经过尾气分离器、二次空气冷却器、尾气预热器、高温气—气换热器，温度升至360 ℃，进尾气透平，回收约60 %的总压缩功，出尾气透平的

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

软件项目开发工作流程

软件项目开发工作流程 一、简述 对于一个新项目，从可行性研究到产品交货整个生存阶段将经历如下十大流程： 1、项目可行性研究阶段 2、立项阶段 3、需求分析阶段 4、开发策划阶段 5、设计阶段 6、编码实现阶段 7、测试阶段 8、验收阶段 9、产品交付使用 10、维护阶段 二、项目组基本组成及岗位职责 新项目立项时会成立项目组，不同的项目组成员有不同的职责，一个项目组成员也可以身兼多职，但不可身兼全职。 a项目负责人：负责项目的管理、组织、对技术、进度、质量全面负责。 b质量保证人员：负责质量保证工作计划的落实和软件的质量保证。 C配臵管理人员：负责本项目的配臵管理工作，对本项目的文档、程序是否符合规程文件的要求进行形式化的检查。 D分析人员：主要负责本项目的需求分析工作。 E设计人员：主要负责本项目的设计工作。 F程序员：按设计要求和有关标准进行编程工作。 G测试人员：负责单元测试、组合测试和总装测试工作。 H文档人员：负责本项目有关文档的编写工作。 I产品经理：协助进行产品研制计划制定、产品发布与产品推广等,在产品开发中，充分代表用户的利益，提供建议,负责在产品功能与出品日期二者之间的权衡;负责产品市场营销、产品销售和市场推广过程。（通常由营销部门或中试部门人员担任） 三、软件开发流程 3．1 可行性研究阶段 如果是公司自主开发项目，可行性研究通常是由公司技术负责人根据公司产品规划和市场需求，在要开展新项目前通过部门负责人指定人员进行的前期调研工作，可行性研究负责人员对产品的市场需求、技术发展、市场定位、功能需

求、经济效益、进度需求、风险分析等进行可行性研究，提供产品立项建议，拟制可行性研究报告，由部门负责人指定营销部门配合可行性分析人员，技术负责人协助安排。可行性分析完毕后由总工办组织对可行性研究报告进行评审，评审通过后，总工办组织进行立项工作。 如果是系统集成部外接的系统集成项目，在系统集成部与客户签订合同之前，均应对将签项目进行资源、技术、市场的可行性分析，可行性分析通过后、签订合同前由总工办组织相关人员对合同条款进行评审，评审通过后，总工办组织进行立项工作。 本阶段提交的文档：项目可行性研究任务书（技术负责人或部门负责人下达） 项目可行性研究报告（可行性研究人员编写） 系统集成项目合同 质量记录：可行性分析评审报告 3．2立项阶段 可行性分析评审通过后，由开发部门经理下达立项任务，指定相关人员填写立项申请报告报批。报批通过后，由部门经理与技术负责人协商，下达开发任务书，经技术负责人审核确认后，报公司批准。批准立项后项目进度应以立项申请报告中的阶段进度为准，如果进度要调整，需填写进度调整申请报告报批。 本阶段提交的文档：项目立项申请报告 开发任务书 3．3 需求分析阶段 承办单位根据交办单位提出的技术要求和相应的软件任务书以及其它有关文件，与交办单位协作，确定详细的软件需求，该阶段完成的软件需求规格说明经审定和批准后将作为整个软件开发工作的基础列入配臵管理的基线，在本阶段可利用快速原型法使比较含糊的具有不确定性的软件需求（主要是功能）明确化。能给本公司开发的软件的“需求基线”确定提供一个讨论、进一步完善的基础。在本阶段，由产品经理负责，其他人员配合，编写产品规格说明书，此说明书面向最终用户和领导，主要描绘产品的形状以及功能、性能、功能特性、性能特性。由项目经理负责编写系统技术方案书，描述公司初次使用的技术的详细解决方案。本阶段完毕后对需求分析进行评审，出具需求分析评审报告。 本阶段提交的文档：软件需求规格说明书。 原型分析说明书 产品规格说明书 系统技术方案书 质量记录：需求分析评审报告 提交的软件：产品的原型（注：如果时间有限，可以只编写原型分析说明书而不作原型） 3．4开发策化阶段

半导体工艺流程

1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：

Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀

项目开发流程文档

项目开发流程文档 目录：1，明确需求阶段 2，产品原型阶段 3，UI设计阶段 4，前端设计页面阶段 5，后台开发阶段 6，代码测试阶段 7，上线阶段 8，代码维护阶段 一：明确需求阶段 这个方面基本是产品经理来确定一个模块的需求，然后跟后台开发人员开会讨论需求的合理性以及存在的必要性，后台开发人员可以提出自己的意见，但是确定权归项目经理。 二：产品原型阶段 确定了需求之后，产品经理开始着手设计产品原型。原型设计好之后，交由需求方确定原型的合理性（这个步骤一般可以省略）。然后交由开发人员，讨论功能的合理性以及存在的必要性。这些过程完毕之后，产品原型正式生效。再由产品经理写一套开发文档。 三：UI设计阶段 这个阶段基本上就是一个模块的正式开始阶段，UI工程师根据产品经理给出的原型，设计出一套符合要求，且审美兼具的UI出来。 四．前端设计页面阶段 当UI设计师没每设计出一套UI出来，前端工程师就可以着手根据UI设计的原图。设计自己的思路，将UI原图用代码写出来，包括各种特效效果，色值，以及整个页面布局的合力性。 五. （中间插一个步骤：当三，四这两个步骤正在执行的时候，这是后台开发人员要做的 就是合理的设计数据库。数据库的设计需要一个经验比较丰富的开发人员来完成，因为数据库是一个项目的核心所在，也是一个公司业务的核心所在。它的重要性当然不言而喻，所以一个合理的数据库可以带来以后开发的便利，以及整个业务的融合性。） 六．后台开发阶段 很多人说:页面没有出来之前，后台可以先把代码写出来，等页面出来了，在进行嵌套。对于这种说法，我本人是持反对态度的。因为没有页面的出现，我们是很难进行数据的展示的，没有数据的展示，我们也很难发现我们代码中的bug。修改bug除了开启调式模式之外，另外一个就是通过服务器与客户端之间的一次次的请求中来发现问题的。所以我的意见就是

市政工程施工工艺流程图

道路工程施工工艺流程图 测量放样 路床整形杂填土挖外运 土路基施工路床压实 压实度检测 塘渣垫层填筑 弯沉检测 水泥稳定基层铺筑 水泥稳定层混合料拌和 侧、平石安装 沥青砼面层摊铺路面清扫、交工报验水泥稳定层养生弯沉检测 沥青砼混合料拌和 整平碾压

塘渣垫层施工工艺及质量监理流程图 施工程序监理程序取料场：装载机装施工放样检查 到事先压实好的路基内 推土机推平 人工整平 压路机静压一遍后再震动碾压达到设计要求 检查压实度、压实厚度 铺筑下一层（段）填方 分项工程完成验收路基清场施工放样 检查压实填前压实 检查松铺厚度 监理工程师签证 承包人报分项工程验收 监理抽检与监理评定分 项工程程级 监理抽检压实度 填前压实抽检

水泥稳定基层施工工艺流程图 材料配合比试验 水泥稳定层混合料拌和混合料检验 垫层检测 测量放样 混合料装运高程测量 混合料摊铺 碾压整平 路工成型中线高程控制 封道、养生 水泥稳定层技术指标检测 沥青砼路面施工 侧平石、人行道施工

沥青砼路面施工工艺流程图 施工准备、配合比设计 基层或中、下面层检查与放样 下 封 层 沥青砼混合料拌和 成品混合料检查 沥青砼过磅运输 分层摊铺沥青砼 轮胎压路机初压 轮胎压路机复压 轮胎压路机终压 接 缝 处 理 养护、钻芯检测 报 验 温度检测 厚度控制 温度监控 检验配合比

管道工程施工工艺流程图 Y N N 测量放样 沟槽开挖 沟槽支撑 验 收 管基铺设 安 装 向监理工程师报检 单项工程交工 管材购置 质量检验 运输排放 退 货

测量放样 基坑开挖 验 槽 井室基础施工 向监理工程师报验 井室砌筑 向监理工程师报验 井室盖板安装 井筒砌筑 向监理工程师报验 井盖安装 向监理工程师报验 单项工程交工 配合比试验 向监理工程师报验 材料采购 检 验

IC工艺流程简介

晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。 2 低压CVD (Low Pressure CVD) 此方法是以常压CVD 为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。 3 热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) 此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得

铸造工艺流程介绍

铸造生产的工艺流程 铸造生产是一个复杂的多工序组合的工艺过程，它包括以下主要工序： 1）生产工艺准备，根据要生产的零件图、生产批量和交货期限，制定生产工艺方案和工艺文件，绘制铸造工艺图； 2）生产准备，包括准备熔化用材料、造型制芯用材料和模样、芯盒、砂箱等工艺装备； 3）造型与制芯； 4）熔化与浇注； 5）落砂清理与铸件检验等主要工序。 成形原理 铸造生产是将金属加热熔化，使其具有流动性，然后浇入到具有一定形状的铸型型腔中，在重力或外力（压力、离心力、电磁力等）的作用下充满型腔，冷却并凝固成铸件（或零件）的一种金属成形方法。

图1 铸造成形过程 铸件一般作为毛坯经切削加工成为零件。但也有许多铸件无需切削加工就能满足零件的设计精度和表面粗糙度要求，直接作为零件使用。 型砂的性能及组成 1、型砂的性能 型砂（含芯砂）的主要性能要求有强度、透气性、耐火度、退让性、流动性、紧实率和溃散性等。 2、型砂的组成 型砂由原砂、粘接剂和附加物组成。铸造用原砂要求含泥量少、颗粒均匀、形状为圆形和多角形的海砂、河砂或山砂等。铸造用粘接剂有粘土（普通粘土和膨润土）、水玻璃砂、树脂、合脂油和植物油等，分别称为粘土砂，水玻璃砂、树脂砂、合脂油砂和植物油砂等。为了进一步提高型（芯）砂的某些性能，往往要在型（芯）砂中加入一些附加物，如煤份、锯末、纸浆等。型砂结构，如图2所示。

图2 型砂结构示意图 工艺特点 铸造是生产零件毛坯的主要方法之一，尤其对于有些脆性金属或合金材料（如各种铸铁件、有色合金铸件等）的零件毛坯，铸造几乎是唯一的加工方法。与其它加工方法相比，铸造工艺具有以下特点：1）铸件可以不受金属材料、尺寸大小和重量的限制。铸件材料可以是各种铸铁、铸钢、铝合金、铜合金、镁合金、钛合金、锌合金和各种特殊合金材料；铸件可以小至几克，大到数百吨；铸件壁厚可以从0．5毫米到1米左右；铸件长度可以从几毫米到十几米。 2）铸造可以生产各种形状复杂的毛坯，特别适用于生产具有复杂内腔的零件毛坯，如各种箱体、缸体、叶片、叶轮等。 3）铸件的形状和大小可以与零件很接近，既节约金属材料，又省切削加工工时。 4）铸件一般使用的原材料来源广、铸件成本低。 5）铸造工艺灵活，生产率高，既可以手工生产，也可以机械化生产。 铸件的手工造型 手工造型的主要方法 砂型铸造分为手工造型（制芯）和机器造型（制芯）。手工造型是指造型和制芯的主要工作均由手工

项目开发规范性文档

项目开发规范性文档 一:作用 项目开发过程中为了增加程序的可读性和程序的健壮性，方便后期程序的调试和维护，所以需要在开发过程中统一技术规范 二:目录 1.系统框架中模块功能，文件目录和文件名的规范 2.程序代码中文件名类名变量名接口名等规范 3.代码的书写的规范 4.数据库中表名字段名数据类型等规范 三:详细内容 说明 常用的命名风格如下。 (1)Pascal风格：包含一到多个单词，每一个单词第一个字母大写，其他字母小写，其余字母均小写。例如：CollegeStudent、HelloWorld等。 (2)Camel风格：包含一到多个单词，第一个单词首字母小写，其余单词首字母大写，其他字母均小写。例如：name、gender、somePara等。 1.系统框架功能模块、文件目录和文件名的规范 (1)功能模块命名规范 数据访问层(DAL)——DataSet，与数据库打交道的唯一方式；位于最底层； 数据控制层(DCL)——直接与DataSet打交道，通过实体工厂类产生实体对象和数据访问层打交道 数据封装层(DPL)——BEAN 实体类;

业务逻辑层(BLL)——与业务有关的操作，以上三层多不与业务逻辑有关; 通用工具层(CTL)——与项目无关、可独立的类库。如DBControl,Exception等; 系统管理层(SysManeger)--系统管理常用接口比如系统日志系统版本系统信息等 数据访问接口层(IDataFactory)--数据访问层的抽象工厂接口 实体访问接口层(EntityFactory)--数据访问层的实体工厂类，即产生实体对象的实体工厂类 (2)文件目录的命名规范 images --项目图片的目录 styles --项目css文件的目录 javascript --项目中js文件的目录 template --项目模板文件的目录 subsystem --项目子系统或模块的目录(一般用因为名字来表示系统的模块) document --项目说明文档目录 database --项目数据库目录 (3)文件名的命名规范 a.文件名尽量用一个或多个英文单词来表示做到见面知意的效果比如:Index.aspx Default.aspx Product.aspx OrderList.aspx等 b.所有单词的首字母要大些 c.尽量不要使用下划线来连接多个单词 2.程序代码中的命名规范 (1)命名空间 命名空间命名采用Pascal风格，取名的一般规则如下。 CompanyName.TechnologyName 例如： Microsoft.Office MyCompany.NamingRule.Test 另外，需要用复数的时候要使用复数的名称空间名。例如，使用System.Collections 而不是System.Collection。但是，当遇到缩写形式时，通常不需要使用复数。例

(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点

硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。

项目开发流程文档

项目开发流程文档 1，明确需求阶段 目 录： 2，产品原型阶段 3，UI 设计阶段 4，前端设计页面阶段 5，后台开发阶段 6，代码测试阶段 7，上线阶段 8，代码维护阶段 一：明确需求阶段 这个方面基本是产品经理来确定一个模块的需求，然后跟后台开发人员开会讨论需求的合理性以及存在的必要性，后台开发人员可以提出自己的意见，但是确定权归项目经理。 二：产品原型阶段 确定了需求之后，产品经理开始着手设计产品原型。原型设计好之后，交由需求方确定原型的合理性（这个步骤一般可以省略）。然后交由开发人员，讨论功能的合理性以及存在的必要性。这些过程完毕之后，产品原型正式生效。再由产品经理写一套开发文档。 三：UI设计阶段 这个阶段基本上就是一个模块的正式开始阶段，UI 工程师根据产品经理给出的原型，设计出一套符合要求，且审美兼具的UI 出来。 四．前端设计页面阶段

当UI设计师没每设计出一套UI出来，前端工程师就可以着手根据UI设计的原图。设 计自己的思路，将UI原图用代码写出来，包括各种特效效果，色值，以及整个页面布局的合力性。 五.（中间插一个步骤：当三，四这两个步骤正在执行的时候，这是后台开发人员要做的 就是合理的设计数据库。数据库的设计需要一个经验比较丰富的开发人员来完成，因为数据 库是一个项目的核心所在，也是一个公司业务的核心所在。它的重要性当然不言而喻，所以一个合理的 数据库可以带来以后开发的便利，以及整个业务的融合性。） 六.后台开发阶段 很多人说：页面没有出来之前，后台可以先把代码写出来，等页面出来了，在进行嵌套。 对于这种说法，我本人是持反对态度的。因为没有页面的出现，我们是很难进行数据的展示 的，没有数据的展示，我们也很难发现我们代码中的bug。修改bug除了开启调式模式之外，另外一个就是 通过服务器与客户端之间的一次次的请求中来发现问题的。所以我的意见就是 给到页面，我们再进行相关业务流程的开发。 这里我举一个最基础的例子来演示我们的开发流程： 现在后台开发的标准模型如下： Cotroller 层 数据展示层，这个就是将数据放在页面中，展示给用户。 编写核心业务的逻辑 从用户发起请求开始: 用户发起的请求直接到达控制层，在控制层我们就要处理用户的各种需求，（当然这中

半导体制造工艺流程简介

半导体制造工艺流程简介 半导体制造工艺 1 NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。 PNP小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC 检查(R?)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R?)——二次光刻——QC 检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R?)——前处理——铝下CVD——QC检查(tox、R?)——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处 理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查(tAl)——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查(ts)——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查(——