综合实验室元件清单-5晶体管
晶 体 管
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（2）判别发射极和集电极
判别发射极和集电极
3．晶体管的特性 我们通过下面的实验来了解晶体管的特性，晶 体管电流测试电路如图所示，测量Ib、Ic、Ie，并研 究它们之间的相互关系。改变RP可以改变基极电流 Ib，而且集电极电流Ic与发射极电流Ie也随之改变， 测量结果见表。
晶体管电流测试电路
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3．晶体管的特性 我们通过下面的实验来了解晶体管的特性，晶体管电流测试 电路如图所示，测量Ib、Ic、Ie，并研究它们之间的相互关系。改 变RP可以改变基极电流Ib，而且集电极电流Ic与发射极电流Ie也随 之改变，测量结果见表。
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在放大器中，晶体管工作在放大状态，常用来放大微弱的电信号。在数字电路中，晶体管工作 在开关状态，用来控制电路的通断。如图所示，发光二极管为什么会随着声音的大小闪烁呢？本节 就让我们一起来学习晶体管放大电路中的核心元件——半导体晶体管。
自制晶体管声控闪光灯
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1.1 晶体管的结构、符号和特性
1．晶体管的外形 图所示为晶体管的实物图，晶体管从封装外形来分，一般有硅酮塑料封装、金属封装，以及用 于表面安装的片状晶体管，目前常用的90××系列晶体管采用TO-92型塑封，它们的型号一般标在塑 壳上。
晶体管的实物图
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2．晶体管的结构与符号 在一块半导体基片上形成三个导电 区和两个PN结，就组成一只晶体管，其 结构示意图如图所示。晶体管内部有发 射区、基区和集电区，由这三个区引出 电极分别基区之间的PN结称为集电结。
晶体管简介ppt课件
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由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电 阻很大,这就是它的单向导电性.从这里可 以看出,PN结具有单向导电性的关键是它 的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
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2:外加反向电压
外加电压正端接N区,负端接P区.在这种外 电场作用下,P区的空穴和N区的电子都将 进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
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雪崩击穿和齐纳击穿（电击穿）过程是 可逆的，当加在稳压管两端的反向电压 降低后，管子仍可以恢复。但不能出现 热击穿。
热击穿：反向电流和反向电压的乘积不 超过PN结容许的耗散功率，超过了就会 因为热量散不出去而使PN结温度上升， 直到过热而烧毁。
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
面接触型
面接触型二极管的 PN结用合金法或扩 散法做成的
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
西电实验室元器件清单
输出，剩余的两个（~）接交流。 KBPC5010W（方）：整流桥 方桥 桥堆 (50A/1000V)
（18）蜂鸣器 ：5V，有源，长声，电压：3.5-5.5V，电流：<25MA
74 系列
2 输入四与非门
2 输入四与非门 (oc)
备注 1
2 输入四或非门
2 输入四与非门 (oc)
六倒相器
六倒相器(oc)
2 输入四与门
2 输入四与门(oc)
3 输入三与非门
六倒相器(斯密特触发)
2 输入四与非门(斯密特触发)
2 输入四或门
BCD-七段译码器/驱动器
双 J-K 触发器(带清除端，负触发)
ULN2803 达林顿晶体管阵列（八路驱动）驱动电机
功放
TDA2030 单声道大功率集成功放（可以代替 2822，反之不行）
TDA2822 双声道小功率集成功放
AD/DA
ADC0832 8 位分辨率、双通道 A/D 转换芯片（串行输出）
ADC0809 8 位分辨率、八通道 A/D 转换芯片（并行输出）
可预置 BCD 计数器(异步清除) 可预置四位二进制计数器(异步清除) 八位串行入/并行输出移位寄存器 八位并行入/串行输出移位寄存器 八同相三态缓冲器/线驱动器 八同相三态总线收发器 4 线-七段译码/驱动器(30v) 4 线-七段译码/驱动器(15v) 三态同相八 D 锁存器 八位三态输出触发器（锁存器） 8 位输出锁存移位寄存器
其余芯片
霍尔传感器 （电源电压：24V，输出反向击穿电压：50V） 数字温湿度传感器 数字温度传感器
晶体管（电子元件）—搜狗百科
晶体管（电子元件）—搜狗百科电力晶体管1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。
晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。
晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。
晶体管的发明又为后来集成电路的诞生吹响了号角。
20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。
20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。
半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。
晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。
但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。
由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。
在这种检波器里，有一根与矿石（半导体）表面相接触的金属丝（像头发一样细且能形成检波接点），它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。
在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。
在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。
为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。
肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。
布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。
他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。
《常用晶体管简介》PPT课件
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增强型MOSFET转移特性以及输出特性
•当0<Ugs<Ut,Id=0
在恒流区内，Id受控于Ugs
•当Ugs>Ut,导电沟道建立，Id>0，外加正
栅极电压越大，沟道越宽，沟道电阻越小，
Id越大。
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耗尽型MOSFET
Ugs为零一样有耗尽区，当Ugs负到一定值，形成夹断电压Ut
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MOSFET晶体管
• 多子器件 • 栅极与管子其他部分绝缘，靠栅源极间电场来控制载流子的运动
• 搀杂浓度较低的P型硅片衬底 • 扩散出两个高掺杂浓度的N型半导体区域 • 引出两个欧姆接触的S，D。 • SGD之间为SiO绝缘体
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•Ugs=0，等效于共阳极二极管，B为阳极，SD为阴极，不论SD两端加什么电压都不 会有电流产生。 •当GS之间接上正压，Ugs被施加到衬底与栅极之间，会产生与P+衬底垂直的电场， 当电场超过一定强度，会吸引较多的电子到P型硅的表面，在N+岛间形成到导电的N 沟道。 •这样S、D、N沟道一起与P衬底形成PN结，当漏极源极之间加正压为PN结反向截 止，产生耗尽区，把它们与衬底隔离，并在不断的漏源极间的正压下形成漏极电流Id。 •将刚开始出现N沟道的Ugs成为开启电压Ut
形成放大作用
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【偏置电压Eg，交流小信号Us，漏极电阻Rd，直流电源Ed。 新号变化，Ugs使得Id改变。Rd两端电压成比例改变。 当Eg，Ed，Rd选取合适的值时，电路具有BJT一样的电压放大功能。
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典型特性:输出特性曲线；转移特性曲线
晶体管
晶体管晶体管百科内容来自于：晶体管(transistor)是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用"V"或"VT"(旧文字符号为"Q"、"GB"等)表示。
晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。
它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。
重要性NPN型晶体管示意图晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。
它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。
输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管-晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。
TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用"V"或"VT"(旧文字符号为"Q"、"GB"等)表示。
晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。
晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。
晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn：二极管；zh-tw：二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片(芯片)上以制造完整的电路。
模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。
设计和开发一个复杂芯片的生本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。
一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。
半导体常用器件及应用
半导体常用器件及应用半导体器件是一种能够在电子器件中控制电子流动的材料。
半导体器件通常使用的材料是半导体材料，如硅、锗等。
半导体器件具有控制电流的能力，可根据电流的变化来控制电子的行为，从而实现各种电子功能。
下面将介绍一些常用的半导体器件及其应用。
1. 二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有两个电极，即P型半导体和N型半导体。
它具有允许电流在一个方向上流动，而在另一个方向上阻止电流流动的特性。
二极管的主要应用包括整流器，用于将交流电转换为直流电，还可用于电压稳定器、电源等。
2. 晶体管晶体管是一种可以放大和开关电信号的半导体器件。
它由三个层次的半导体材料组成，分别是基极、射极和集电极。
晶体管的操作基于两种类型的电信号：输入信号和控制信号。
它广泛应用于放大器、开关、计算机存储器、微处理器等。
3. MOSFETMOSFET（金氧半场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，用于放大或开关电信号。
它由四个区域构成，包括漏极、源极、栅极和绝缘层。
MOSFET的主要应用包括放大器、开关、电源开关等。
4. SCR（可控硅）可控硅是一种具有触发控制能力的半导体器件，可以在接通状态下保持导通状态，只有在触发条件满足时才能断开。
SCR主要应用于电力控制中，如温度控制、电炉、电焊机等。
5. LED（发光二极管）LED是一种能够将电能转换为光能的半导体器件。
当电流通过LED时，它会发射出可见光。
由于其高效能和长寿命的特性，LED广泛应用于照明、指示灯、电子设备显示等。
6. 激光二极管激光二极管是一种半导体器件，当电流通过它时，会发射出激光光束。
激光二极管具有小尺寸、低成本和高效能的特点，被广泛应用于光通信、激光打印、激光扫描等。
7. CCD（电荷耦合器件）CCD是一种半导体器件，用于将光能转换为电荷，并通过逐行读取电荷来捕捉图像。
CCD广泛应用于数码相机、摄像机、光谱仪等图像传感器领域。
8. 太阳能电池太阳能电池是一种能够将太阳能转化为电能的半导体器件。
元器件的实验报告
实验名称：元器件的实验研究实验日期：2023年X月X日实验地点：XXX实验室实验者：XXX一、实验目的1. 了解常用电子元器件的结构、原理及功能。
2. 掌握元器件的识别方法和测试方法。
3. 熟悉电路图绘制和元器件连接技巧。
4. 提高动手实践能力和创新意识。
二、实验原理电子元器件是构成电子电路的基本单元，主要包括电阻、电容、电感、晶体管、集成电路等。
本实验通过测试和观察这些元器件的特性和功能，加深对电子元器件的理解。
三、实验器材1. 实验平台：示波器、信号发生器、万用表、数字多用表、电源、电路板等。
2. 实验元器件：电阻、电容、电感、晶体管、集成电路等。
四、实验步骤1. 电阻实验（1）测试电阻的阻值：使用万用表测量电阻的阻值，并与标称值进行比较。
（2）观察电阻的颜色编码：通过观察电阻的颜色编码，识别电阻的阻值和精度。
2. 电容实验（1）测试电容的容量：使用数字多用表测量电容的容量，并与标称值进行比较。
（2）观察电容的极性：通过观察电容的极性标记，正确连接电容。
3. 电感实验（1）测试电感的电感值：使用数字多用表测量电感的电感值，并与标称值进行比较。
（2）观察电感的外观：通过观察电感的外观，识别电感的结构和特性。
4. 晶体管实验（1）测试晶体管的放大倍数：使用示波器和信号发生器测试晶体管的放大倍数。
（2）观察晶体管的特性曲线：通过观察晶体管的特性曲线，分析晶体管的放大性能。
5. 集成电路实验（1）测试集成电路的功能：使用示波器和数字多用表测试集成电路的功能。
（2）观察集成电路的引脚功能：通过观察集成电路的引脚功能，正确连接集成电路。
五、实验结果与分析1. 电阻实验结果：测量得到的电阻阻值与标称值基本一致，说明电阻的精度较高。
2. 电容实验结果：测量得到的电容容量与标称值基本一致，说明电容的容量稳定。
3. 电感实验结果：测量得到的电感电感值与标称值基本一致，说明电感的电感值稳定。
4. 晶体管实验结果：晶体管的放大倍数在正常范围内，说明晶体管的放大性能良好。
晶体管简介3篇
晶体管简介晶体管简介晶体管（Transistor）是一种能够放大信号和控制电流的电子元器件，是现代电子技术的主要基础。
晶体管有多种类型，常见的包括三极管、场效应管和双极型场效应管。
它们都是由半导体材料制成，能够解决传统电子真空管所不能克服的一些问题，如重量大、功率消耗高等。
晶体管的工作原理是利用半导体材料的特性，在不同的电压和电流作用下控制材料的导电性质。
三极管由三个控制脚组成，其中基极控制电流流向集电极和发射极；场效应管由一个栅极和源极、漏极组成，栅极能够控制源漏之间的电流。
晶体管的优势在于体积小、便于集成、操作简便、稳定可靠等。
晶体管的应用非常广泛，如用于放大电路、开关电路、模拟电路、数码电路、变换电路、放大器、振荡器等方面。
同时，晶体管也是计算机芯片、电视机、收音机、手机等电子产品中重要的组成部分。
晶体管的进一步发展，如超晶体管、甚高速晶体管、量子点晶体管等，使得电子技术领域更加先进和繁荣发展。
三极管三极管（Transistor）是一种由二极管演化而来的三段管状晶体管器件，常用于电子放大器和开关电路中，是现代电子技术中最重要的发明之一。
三极管的构造和原理三极管由三个夹在一起的半导体材料区域构成，分别为：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
它们的具体作用如下：1.发射区（Emitter）：发射区是三极管的第一级区域，也是电子从晶体管中流出的区域，因此发射区输出端的电流为最大电流。
2.基区（Base）：基区是三极管的中间区域，它可以控制电流的流动情况。
基区输入端通过一个外接电压进行控制，改变外加电压大小时，可以控制从发射区流出的电子数目，从而控制晶体管的工作状态。
3.集电区（Collector）：集电区是三极管的输出端，接收从基区流出的电子。
三极管的工作原理三极管在工作时，当外加一个正电压到基极的电压时，会使得基区变窄，同时在发射区形成一个大量的少子洞（P型半导体中的空穴），洞将向基区移动，与N型半导体中的电子形成复合，同时将形成一个电子云，从而阻碍从发射区流出大量电子的运动，导致输出电流减少，处于放大状态；当外界电压消失时，基区就变回原来宽度，电子就可以顺利流入发射区，从而保持晶体管联通状态；当外加负电压到基区的电压时，发射区的输出电流将不可避免地减少，三极管将失去放大作用。
第16讲 晶体管
发射区每向基区供给一个复合用的载流子，就要向集电
区供给 个载流子。
电流放大系数 随着温度的变化会变化。温度增高 变大。
2. 穿透电流ICEO
当基极开路IB＝0、集电极和发射极流过的电流。 ICEO受温度影响，变化较大。
其值越小工作温度稳定性越好。
A
ICEO
IC I B ICEO
3. 剩下的即为集电极c;
4. c电位最高为NPN管子, c电位最低为PNP管子;
5. b、e相差0.7V为Si管， b、e相差0.2V为Ge管。
4.4.4 主要参数
1. 电流放大系数
共发射极直流电流大系数: 共发射极交流电流放大系数 三极管电流分配规律：
IC
IB
IC IB
UCE =0.5V
UCE=0V时，发射 结与集电结均正
IB(A)
偏，实际上是两
个二极U管CE并联1V的
正向特性曲线。
工作压降： 硅管UBE 0.7V, 锗管UBE 0.2V。
右移很不明显。通常
只画一条。 E
死区电压，硅管0.5V，
UBE(V)
锗管0.2V。
2. 输出特性 IC f ( UCE ) IB C
4.4.3 三极管的特性曲线
1. 输入特性 IB f ( UBE ) UCEC
当UCE≥1V时， UUCCBE==0V
UCE -UBE >0，集IC电结
已进入IB反偏状态，开 80
始收集电子，且基区UCE 复大合，UB减特E 少性， 曲线IC将/ I向B 增右
60 40
稍微移动一些C。但
UCE再B增加时，曲线 20
(3) 饱和区