现代结构分析方法-8

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材料现代分析方法练习题及答案(XRD,EBSD,TEM,SEM,表面分析)

材料现代分析方法练习题及答案(XRD,EBSD,TEM,SEM,表面分析)

8. 什么是弱束暗场像?与中心暗场像有何不同?试用Ewald图解说明。

答:弱束暗场像是通过入射束倾斜,使偏离布拉格条件较远的一个衍射束通过物镜光阑,透射束和其他衍射束都被挡掉,利用透过物镜光阑的强度较弱的衍射束成像。

与中心暗场像不同的是,中心暗场像是在双光束的条件下用的成像条件成像,即除直射束外只有一个强的衍射束,而弱束暗场像是在双光阑条件下的g/3g的成像条件成像,采用很大的偏离参量s。

中心暗场像的成像衍射束严格满足布拉格条件,衍射强度较强,而弱束暗场像利用偏离布拉格条件较远的衍射束成像,衍射束强度很弱。

采用弱束暗场像,完整区域的衍射束强度极弱,而在缺陷附近的极小区域内发生较强的反射,形成高分辨率的缺陷图像。

图:PPT透射电子显微技术1页10. 透射电子显微成像中,层错、反相畴界、畴界、孪晶界、晶界等衍衬像有何异同?用什么办法及根据什么特征才能将它们区分开来?答:由于层错区域衍射波振幅一般与无层错区域衍射波振幅不同,则层错区和与相邻区域形成了不同的衬度,相应地出现均匀的亮线和暗线,由于层错两侧的区域晶体结构和位相相同,故所有亮线和暗线的衬度分别相同。

层错衍衬像表现为平行于层错面迹线的明暗相间的等间距条纹。

孪晶界和晶界两侧的晶体由于位向不同,或者还由于点阵类型不同,一边的晶体处于双光束条件时,另一边的衍射条件不可能是完全相同的,也可能是处于无强衍射的情况,就相当于出现等厚条纹,所以他们的衍衬像都是间距不等的明暗相间的条纹,不同的是孪晶界是一条直线,而晶界不是直线。

反相畴界的衍衬像是曲折的带状条纹将晶粒分隔成许多形状不规则的小区域。

层错条纹平行线直线间距相等反相畴界非平行线非直线间距不等孪晶界条纹平行线直线间距不等晶界条纹平行线非直线间距不等11.什么是透射电子显微像中的质厚衬度、衍射衬度和相位衬度。

形成衍射衬度像和相位衬度像时,物镜在聚焦方面有何不同?为什么?答:质厚衬度:入射电子透过非晶样品时,由于样品不同微区间存在原子序数或厚度的差异,导致透过不同区域落在像平面上的电子数不同,对应各个区域的图像的明暗不同,形成的衬度。

测定有机化合物的组成和结构的分析方法

测定有机化合物的组成和结构的分析方法
不要求了解紫外光谱。
教学建议:
以学生已有知识为基础,在结构确定的过程中逐步了解确定 有机物组成与结构的一般途径、方法与手段。
燃烧法 元素分析仪
密度测定 质谱仪
最简式 C3H8O
相对分 子质量 (60)
分子式 C3H8O
分析:三种 化学环境
得出结论: 异丙醇
分析差异: 羟基的化学
环境不同
核磁共振
提出问题: 是正丙醇还
OH
B、CH3CH2COHH2-OH
CH-OH
COOH CH2-OH
指出手CH性3-碳C原H子-:
COOHNH2
CHO H CBrCl
CHBrCl
三、有机化合物结构的研究
1831年李比希提出的基团理论启发、引导化学家们对 有机化合物分子结构与性质之间的关系展开研究, 如今我们学习过那些方法对有机化合物进行分类?
有机物分子式确定的基本方法
各组成元素的质量分数


各组成元素的质量

各组成元素的质量比

1 mol 有机物燃烧生成产物的量


质量和物质的量

相对密度 标况下密度
摩尔质量 相对分子质量
化学反应
课堂练习:实验表明,许多咖啡喝可乐 饮料中含有兴奋物质咖啡因。经实验测 定咖啡因分子中含各元素的质量分数是: 碳 49.5%、氢5.20%、氧 16.5%、 氮28.9%,其摩尔质量为 194.1 g/mol,你能确定它的分子式吗?
hohc烃的衍生物ohc2h5coohohhcooc2h5coohchh2c归纳小结归纳小结科科学学家家怎怎样样研研究究有有机机物物有机物的分离与提纯有机物的分离与提纯有机物组成的研究有机物组成的研究有机物结构的研究有机物结构的研究核磁共振氢谱核磁共振氢谱红外光谱红外光谱质谱法质谱法手性分子手性分子手性碳手性碳对映结构对映结构有机化学反应的研究有机化学反应的研究结合方式结合方式共价键共价键基团理论基团理论现代结构现代结构研究法研究法确定有机物结构式的方法确定有机物结构式的方法解解题题思思路路特征反应特征反应推知官能团的种类推知官能团的种类反应机理反应机理推知官能团的位置推知官能团的位置计算解析计算解析推知官能团的数目推知官能团的数目产物结构产物结构推知碳架结构推知碳架结构化学性质核磁共振氢谱红外光谱化学性质核磁共振氢谱红外光谱确定有机确定有机物的结构物的结构有机物结构的确定p7有机物结构的确定p7结构式分子式结构特征化学性质红外光谱官能团紫外光谱核磁共振教学要求

现代材料分析方法(8-SIMS)

现代材料分析方法(8-SIMS)

Al+的流强随时间变化的曲线
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
Si的正二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
聚苯乙烯的二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
在超高真空条件下,在清 洁的纯Si表面通入20 L的氧 气后得到的正、负离子谱, 并忽略了同位素及多荷离 子等成份。除了有硅、氧 各自的谱峰外,还有SimOn (m,n = 1, 2, 3……)原子团离 子发射。应当指出,用氧 离子作为入射离子或真空 中有氧的成分均可观察到 MemOn (Me为金属)
SIMS 二次离子质谱仪
定性分析Biblioteka SIMS定性分析的目的是根据所获取的二次离子
质量谱图正确地进行元素鉴定。样品在受离子照射时,
一般除一价离子外,还产生多价离子,原子团离子,
一次离子与基体生成的分子离子。带氢的离子和烃离 子。这些离子有时与其它谱相互干涉而影响质谱的正 确鉴定。
SIMS 二次离子质谱仪
溅射产额与元素的升 华热倒数的对比
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
溅射产额与晶格取向的关系
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
在100~1000 eV下,用Hg+垂直入射Mo和Fe的溅射粒子的角分布
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
= 60o时W靶的溅射粒子的角分布
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
是入射方向与
样品法向的夹角。
当 = 60o~ 70o时, 溅射产额最大, 但对不同的材料, 增大情况不同。
相对溅射产额与离子入射角度的关系
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
溅射产额与入射离子原子序数的关系
SIMS 离子溅射与二次离子质谱

无机材料的结构分析及性质分析

无机材料的结构分析及性质分析

无机材料的结构分析及性质分析无机材料是我们日常生活和工业生产中必不可少的材料之一。

与有机材料不同,无机材料的结构和性质具有一定的独特性。

在本文中,我们将讨论无机材料的结构分析和性质分析,以便更好地了解这些材料。

一、结构分析无机材料的结构非常复杂,一般需要利用现代科技手段进行分析。

以下是几种常用的结构分析方法:1. X射线衍射分析X射线衍射分析是一种通过测量晶体衍射图案,确定晶体结构的方法。

该方法通常使用X射线或中子作为探针。

通过分析晶体衍射图样的强度和位置,可以确定晶体的晶格常数、晶体间距、晶体的对称性等信息。

该方法广泛应用于研究金属、陶瓷等无机材料的结构。

2. 电子显微镜电子显微镜是一种利用高能电子来研究材料结构的方法。

与传统光学显微镜不同,电子显微镜能够在更高的分辨率下观察材料的微观结构。

该方法在金属、半导体、陶瓷等材料的结构分析中得到了广泛应用。

3. 傅立叶变换红外光谱法傅立叶变换红外光谱法是一种通过测量材料吸收、散射、透射等红外光谱信息,来确定材料结构的方法。

该方法可以用来分析无机材料的化学键、晶体结构、表面特性等信息。

傅立叶变换红外光谱法广泛应用于分析粉末、化学品、纤维等材料。

二、性质分析无机材料的性质因种类不同而有所差异。

以下是一些常见的无机材料的性质分析方法:1. 吸附性能分析吸附性能是无机材料的常见性质之一。

通过测量材料的比表面积、孔径大小等参数,可以确定材料的吸附性能。

常用的吸附性能分析方法包括石墨烯气体吸附法、比表面积测定法等。

2. 光学性质分析光学性质是无机材料的重要性质之一,包括折射率、吸收系数、发光性等。

通过测量材料在不同波长的光照射下的光谱特性,可以确定材料的光学性质。

光学性质分析方法包括紫外可见吸收光谱法、荧光光谱法等。

3. 电学性质分析电学性质是无机材料的另一种常见性质。

通过测量材料的电导率、电容量等参数,可以确定材料的电学性质。

电学性质分析方法包括交流电阻率法、恒定应变法等。

现代汉语句法结构分析

现代汉语句法结构分析

现代汉语句法结构分析现代汉语是中国人使用最频繁的语言,也是世界上使用人数最多的语言之一。

句法结构是语言学中一个重要的概念,指的是句子内部的组成结构及其运用规则。

在现代汉语中,句法结构的分析是掌握语言使用规则和正确表达信息的重要手段。

本文将从现代汉语句法结构的定义、分类、分析方法等多个角度进行探讨。

一、现代汉语句法结构的定义句法结构是指一个句子在语法上的组织形式,包含了句子中各成份间的逻辑关系和句子结构的运用规则。

句法结构分析可以帮助人们理解语法规则,分析句子的意义、句子成分之间的关系等。

在现代汉语中,句法结构可以分为五个类型:简单句、并列句、复合句、疑问句和祈使句。

1. 简单句:是指由一个主语和一个谓语构成的句子,句子结构最为简单。

例如:“我打球。

”2. 并列句:是指由两个或两个以上同等地位的句子通过并列连词连接构成的句子。

例如:“他很聪明,但很懒。

”3. 复合句:是指由一个句子作主句,加上一个或多个从句构成的句子。

例如:“我喜欢看书,因为书能让我学到很多知识。

”4. 疑问句:是指用于表示疑问或询问的句子,通常以疑问词开头。

例如:“你在哪里学习汉语?”5. 祈使句:是指用于表示请求、命令或建议等语气的句子,通常以动词或动词短语开头。

例如:“请你帮我一个忙。

”二、现代汉语句法结构的分类现代汉语的句法结构可以按照句子中各成份的功能和分类,分为主谓结构、并列结构、主谓宾结构、主系表结构、主谓宾补结构、主谓双宾结构、主谓宾定状补结构、主语从句结构、宾语从句结构等多种形式。

1. 主谓结构:主要由一个主语和一个谓语构成,是汉语中最简单的句子结构。

例如:“我走了。

”2. 并列结构:两个或多个谓语作用于同一个主语或宾语,在结构上是并列关系。

例如:“我们喝茶聊天,度过了一个愉快的下午。

”3. 主谓宾结构:主语、谓语、宾语构成的简单句结构。

例如:“我吃了饭。

”4. 主系表结构:句子主要由主语、系动词和表语构成,表达主语的性质、状态或特征等概念。

现代结构设计计算方法及应用

现代结构设计计算方法及应用
涂 远助理工程师
郑 莆 教授级高级工程师
3. 人员分工
余祥兴负责数据收集整理及数值分析
潘庶培负责结构设计相关参数的确定
袁新敏负责数值分析及动力特性的研究
施 亮负责研究结果分析整理计算机仿真
涂 远负责研究结果分析整理及计算机仿真
六、项目经费总额及费用分类:
产 值 400万
课题负责人: 余祥兴、潘庶培
联系电话: 6991506
对传统结构体系进行结构设计数据采集
对复杂结构进行模拟分析
进行必要的试验研究
二、预期经济效益和社会效益
在正确分析方法的基础上更好的满足结构功能性、使用性及安全性的要求,掌握新结构体系的设计方法,整体提升设计水平,提高企业的学术地位,增强企业市场竞争力,为企业更好的生存发展打下坚实的基础。
三、研究、试验地点与规模
开展计算机仿真研究。
通过对比分析,提出现有结构设计中有待解决的问题。
将新型结构引入本行业设计中。
3.研究目标
基本掌握现代结构分析方法。
重点解决现有结构分析中的问题。
逐步推动新型结构在本行业中的应用。
4.关键技术
建立正确的力Biblioteka 模型及准确的数值计算5.主要研究步骤
前期研究资料文献情报的收集、整理
通用力学分析软件的学习
1. 研究地点
贵阳铝镁设计研究院
2. 试验地点
根据项目研究情况具体选择
3.科研合作单位
华中科技大学
四、起止年限、分年任务安排及分阶段要求
1.起止年限
2008年3月至2009年12月
2.分年任务安排及分阶段要求
2008年3月至2008年6月 相关研究资料数据及文献的搜集整理
2008年6月至2008年8月 现代通用结构分析软件的熟悉与应用

高分子材料结构分析

高分子材料结构分析

高分子材料结构分析引言高分子材料是一种由大分子聚合物组成的材料,具有重要的工业应用和科学研究价值。

了解高分子材料的结构对于研究其性质和应用具有重要意义。

本文将介绍高分子材料结构分析的方法和技术。

一、传统结构分析方法传统的高分子材料结构分析方法包括X射线衍射、核磁共振和红外光谱等。

1. X射线衍射X射线衍射是研究高分子材料结构最常用的方法之一。

通过将X射线束照射到高分子材料上,利用晶体衍射原理,在探测器上得到衍射图样。

通过解析衍射图样,可以确定高分子材料的晶体结构和晶格参数。

2. 核磁共振核磁共振是利用核磁共振现象研究高分子材料结构的方法。

通过将高分子材料置于强磁场中,利用核磁共振现象来获得高分子材料的特征谱图。

核磁共振谱图可以提供高分子材料内部原子的相对位置和化学环境的信息。

3. 红外光谱红外光谱是研究高分子材料结构的另一种重要方法。

通过将红外光照射到高分子材料上,观察材料对红外光的吸收情况。

不同的官能团对应着不同的红外光谱峰,通过对红外光谱的分析,可以确定高分子材料的结构。

二、现代结构分析方法随着科学技术的发展,现代结构分析方法在高分子材料研究中得到了广泛应用。

下面介绍几种常用的现代结构分析方法。

1. 激光拉曼光谱激光拉曼光谱是利用拉曼散射现象进行结构分析的方法。

通过将激光照射到高分子材料上,观察材料散射的拉曼光谱。

拉曼光谱提供了高分子材料的分子振动信息,可以揭示其结构和构型。

2. 原子力显微镜原子力显微镜是一种能够在原子尺度上进行观察的仪器。

利用探针扫描样品表面,根据探针和样品之间的相互作用力,得到样品表面的形貌和结构信息。

原子力显微镜可以用于观察高分子材料的微观结构和表面形态。

3. 激光光散射激光光散射是一种用于研究高分子材料结构和动力学行为的方法。

通过照射高分子材料样品,观察散射光子的散射情况,可以得到高分子材料的分子量、分子尺寸和分子链排列等信息。

三、计算模拟方法计算模拟方法是一种通过计算机建立高分子材料的模型,模拟其结构和性质的方法。

现代材料分析方法第八章_表面分析技术

现代材料分析方法第八章_表面分析技术
23
• 目前,测量几KeV以下光电子动能的主要手段是 利用静电场。
• 其中同心半球型能量分析器((CHA)同时装有入 射电磁透镜和孔径选择板,可以进行超高能量分 解光电子测定,高分解能角度分解测定。
24
Monochromator 25
半球型光电子能量分析器
只有能量在选定的很窄范围内的电子可能循着一定的轨道 达到出口孔,改变电势,可以扫描光电子的能量范围。
41
化合态识别
➢ 在XPS的应用中,化合态的识别是最主要的用 途之一。识别化合态的主要方法就是测量X射 线光电子谱的峰位位移。
➢ 对于半导体、绝缘体,在测量化学位移前应首 先决定荷电效应对峰位位移的影响。
42
化合态识别-光电子峰
➢ 由于元素所处的化学环境不同,它们的内层电子 的轨道结合能也不同,即存在所谓的化学位移。
• 随着科技发展,XPS在不断完善。目前,已开 发出的小面积X射线光电子能谱,大大提高了 XPS的空间分辨能力。
5
1. 光电效应
二、XPS原理
在光的照射下,
LIII
电子从金属表面逸
LII
出的现象,称为光
LI
电效应。
h
K
Photoelektron (1s) 2p3/2 2p1/2 2s
1s
6
2、光电子的能量
• 根据Einstein的能量关系式有: h = EB + EK
其中 —— 光子的频率,h ——入射光子能量
EB ——内层电子的轨道结合能或电离能; EK ——被入射光子所激发出的光电子的动能。
7
实际的X射线光电子能谱仪中的能量关系为
h EB EK s A
其中ФS——谱仪的功函数,光电子逸出表面所
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现代结构分析方法 (07-08年度第一学期)
第8讲
正倒空间对应性
r N
= rrhk*l
⊥ ( hkl )
rrh*kl = 1 d hkl
倒易点阵、正点阵与衍射
c 入射束
相机长度
(hkl)
S/λ= k
S0/λ= k0 ghkl
000
ab c
ba 正交点阵沿c轴投影d100
b a
Rhkl
d110
d100
indexing using PDF files
R1= R2= 16.7mm, R1^R2=90º. Lλ=3.0 nm*mm.
R2
R3
R1
a) Choose three spots such as R3=h3k3l3, R1=h1k1l1, R2=h2k2l2. b) di=Lλ/Ri, d1=Lλ/R1= d2= 0.180nmÆ{200}, d3=Lλ/R3=0.127nmÆ{220}. c) h3k3l3= h1k1l1 + h2k2l2: {200}+{200}={220}Æ(200)+(020)=(220), (200)^(020)=90º d) [uvw] = R1×R2= R1×R3= R3×R2=[004] =[001]
(hkl)
S/λ= k
θ
S0/λ= k0 L
ghkl
(hkl)
000
Rhkl ’
Rhkl
[-101]
(hkl)
7.2 Plotting and indexing of single crystal spot patterns
S/λ= k
相机长度
S0/λ= k0
(010)
ghkl
(101)
000
Rhkl
NSY= 1
NL= 1
SY: 1-CUBIC; 2-TETRA; 3-ORTH; 4-HEX;
R2
5-MONO; 6-TRIC
LT: 1-F; 2-I; 3-C; 4-B; 5-A; 6-P; 7-R;
R1= 16.7 mm, R2 = R3= 27.5 mm, R1^R2=107.5º. Lλ=48.226 A*mm.
F:The 4 lattice points per unit cell are located at 000, 0.5 0.5 0, 0 0.5 0.5, 0.5 0 0.5. Then Fhkl= f {exp[-2πi (h 0 +k 0 +l 0)] + exp[-2πi (h 0 +k 1/2 +l 1/2)] + exp[-2πi (h 1/2 +k 1/2 +l 0)] + exp[-2πi (h 1/2 +k 0 +l 1/2)]}= f {1 + cosπ(k+l) + cosπ(l+h) + cosπ(h+k)}.
120.00 2.051 2.051
2 1 1 0 -1 1 -1 -1 1 1 1.000 1.155
70.53 3.349 3.349
3 1 0 0 0 -2 0 0 0 -2 1.000 1.414
90.00 2.900 2.900
4 3 3 2 2 -2 0 1 1 -3 1.173 1.541
70.53 3.349 3.349
3 1 0 0 0 -2 0 0 0 -2 1.000 1.414
90.00 2.900 2.900
4 3 3 2 2 -2 0 1 1 -3 1.173 1.541
90.00 2.051 1.749
5 2 2 1 2 -2 0 0 2 -4 1.581 1.581
000
Rhkl
6、 衍射和对称性:反射条件
φg=Σ Fn exp[-2πiK.rn] 衍射在倒易阵点上发生
F(θ) = Σfj(θ) exp[-2πi(k – k0).rj] = Σfj(θ) exp[-2πi (h xj +k yj +l zj)], Ihkl ∝ ⏐Fhkl⏐2, 倒易阵点的衍射强度受结构因子调制 (2) 点阵类型的影响:
7.2 Plotting and indexing of
(hkl)
single crystal spot patterns
相机长度
S/λ= k
S0/λ= k0 ghkl
000
For a known substance but unknown orientation, a table of interplanar spacings d is needed.
111 R2
R1 111
220 R3
109.5º
R1=R2=14.4mm, R1^R2=109.5º. Lλ=48.226 A*mm[1.10]
K U V W H1 K1 L1 H2 K2 L2 R2/R1 R3/R1 FAI
d1
d2
1 1 1 1 0 2 -2 -2 0 2 1.000 1.000
a) Choose three spots such as h3k3l3, h1k1l1, h2k2l2. b) Measure the d values, and thus determine the indices.
Rhkl
h3k3l3
h2k2l2
h1k1l1
R2 R1
[uvw]
c) By trial and error a consistent set of indices is chosen such that h3k3l3= h1k1l1 + h2k2l2.
R1= R2= 16.7mm, R1^R2=90º. Lλ=48.226 A*mm.
K U V W H1 K1 L1 H2 K2 L2 R2/R1 R3/R1 FAI
d1
d2
1 1 1 1 0 2 -2 -2 0 2 1.000 1.000
120.00 2.051 2.051
2 1 1 0 -1 1 -1 -1 1 1 1.000 1.155
108.43 2.051 1.297
6 2 1 1 1 -1 -1 0 2 -2 1.633 1.915
90.00 3.349 2.051
PARAMETERS A= 5.8000 B= 5.8000 C= 5.8000 Å
R3 R1
AF= 90.000 BT= 90.000 GM= 90.000
NUVW= 3
90.00 2.051 1.749
5 2 2 1 2 -2 0 0 2 -4 1.581 1.581
Hale Waihona Puke 108.43 2.051 1.297
6 2 1 1 1 -1 -1 0 2 -2 1.633 1.915
90.00 3.349 2.051
PARAMETERS A= 5.8000
AF= 90.000
R2 R1
[uvw]
a) Choose three spots such as R3=h3k3l3, R1=h1k1l1, R2=h2k2l2. b) di=Lλ/Ri, d1=Lλ/R1= d2= 0.208nmÆ{111}, R3=Lλ/R3=3/16.6=0.180nmÆ{200}. c) h3k3l3= h1k1l1 + h2k2l2: {111}+{111}={200}Æ(111)+(1-1-1)=(200), (111)^(1-1-1)=109.5º d) [uvw] = R1×R2= R1×R3= R3×R2=[01-1]
indexing using PDF files
R1= 16.7 mm, R2 = R3= 27.5 mm, R1^R2=107.5º. Lλ=3.0 nm*mm.
R3 R1 R2
a) Choose three spots such as R3=h3k3l3, R1=h1k1l1, R2=h2k2l2. b) di=Lλ/Ri, d1=Lλ/R1= 0.180nmÆ{200}, R2 = R3=Lλ/R2=0.109nmÆ{311}. c) h3k3l3= h1k1l1 + h2k2l2: {200}+{311}={311}Æ(200)+(-113)=(113), (200)^(-113)=107.5º d) [uvw] = R1×R2= R1×R3= R3×R2=[0-31]
衍射强度受到结构因子Fn调制 倒易矢量 正空间点阵矢量
φg=Σ Fn exp[-2πiK.rn]
n1n2n3 第n个单胞的位置
K2 K1
点积为整数时发生衍射Æ晶面方程
K1不指向倒易阵点 K2指向倒易阵点(-1-10)
5,衍射仪原理
相机长度
(hkl)
S/λ= k θ
S0/λ= k0 ghkl
(hkl)
b a d110
[001]
(010) (100) (110)
220
010
110
b* 000 a* 100
3.5 单胞散射结构因子
单胞内所有原子散射波的总和,振幅正比于 F(θ) = Σfj(θ) exp[-2πi(k – k0).rj], 第j个原子的位置坐标
3.6 完整晶体散射 衍射发生在倒易点阵节点hkl位置
indexing using PDF files
R1= R2= 16.7mm, R1^R2=90º. Lλ=3.0 nm*mm.
R2
R3
R1
a) Choose three spots such as R3=h3k3l3, R1=h1k1l1, R2=h2k2l2. b) di=Lλ/Ri, d1=Lλ/R1= d2= 0.180nmÆ{200}, d3=Lλ/R3=0.127nmÆ{220}. c) h3k3l3= h1k1l1 + h2k2l2: {200}+{200}={220}Æ(200)+(020)=(220), (200)^(020)=90º d) [uvw] = R1×R2= R1×R3= R3×R2=[004] =[001]
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