磁控溅射仪的缺点调研2
平衡磁控溅射的概念和优缺点
平衡磁控溅射即传统的磁控溅射，是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。沉积室充入一定量的工作气体，通常为Ar，在高压作用下Ar 原了电离成为Ar+离子和电子，产生辉光放电，Ar+ 离子经电场加速轰击靶材，溅射出靶材原子、离子和二次电子等。
电子在相互垂直的电磁场的作用下，以摆线方式运动，被束缚在靶材表面，延长了其在等离子体中的运动轨迹，增加其参与气体分子碰撞和电离的过程，电离出更多的离子，提高了气体的离化率，在较低的气体压力下也可维持放电，因而磁控溅射既降低溅射过程中的气体压力，也同时提高了溅射的效率和沉积速率。
但平衡磁控溅射也有不足之处，例如：由于磁场作用，辉光放电产生的电子和溅射出的二次电子被平行磁场紧紧地约束在靶面附近，等离子体区被强烈地束缚在靶面大约60 mm 的区域，随着离开靶面距离的增大，等离子浓度迅速降低，这时只能把工件安放在磁控靶表面50～100 mm的范围内，以增强离子轰击的效果。这样短的有效镀膜区限制了待镀工件的几何尺寸，不适于较大的工件或装炉量，制约了磁控溅射技术的应用。且在平衡磁控溅射时，飞出的靶材粒子能量较低，膜基结合强度较差，低能量的沉积原子在基体表面迁移率低，易生成多孔粗糙的柱状结构薄膜。提高被镀工件的温度固然可以改善膜层的结构和性能，但是在很多的情况下，工件材料本身不能承受所需的高温。
图1 （a) 平衡磁控溅射(b) 非平衡磁控溅射
非平衡磁控溅射的出现部分克服了以上缺点，将阴极靶面的等离子体引到溅射靶前200～300 mm 的范围内，使基体沉浸在等离子体中，如图1 所示。这样，一方面，溅射出来的原子和粒子沉积在基体表面形成薄膜，
另一方面，等离子体以一定的能量轰击基体，起到离子束辅助沉积的作用，大大的改善了膜层的质量。
磁控溅射镀膜原理和工艺设计
磁控溅射镀膜原理及工艺 摘要：真空镀膜技术作为一种产生特定膜层的技术，在现实生产生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。这里主要讲一下由溅射镀 膜技术发展来的磁控溅射镀膜的原理及相应工艺的研究。 关键词：溅射；溅射变量；工作气压；沉积率。 绪论 溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用二极溅射设备如右图。 通常将欲沉积的材料制成板材-靶，固定在阴 极上。基片置于正对靶面的阳极上，距靶一定距 离。系统抽至高真空后充入（10～1）帕的气体（通 常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极 间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作 用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶 面逸出的靶原子称为溅射原子，其能量在1至几十 电子伏范围内。溅射原子在基片表面沉积成膜。 其中磁控溅射可以被认为是镀膜技术中最突出的 成就之一。它以溅射率高、基片温升低、膜-基结 合力好、装置性能稳定、操作控制方便等优点， 成为镀膜工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透 明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大面积的均 匀性有特别苛刻要求的连续镀膜场合)的首选方 案。 1磁控溅射原理 溅射属于PDV（物理气相沉积）三种基本方法：真空蒸发、溅射、离子镀（空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀）中的一种。 磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区
磁控溅射原理
百科名片 磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长， 在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用（ E X B drift）使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。磁控溅射的基本原理是利用 Ar一02混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。磁控溅射(magnetron-sputtering)是70年代迅速发展起来的一种“高速低温溅射技术”。磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二极溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起损伤的根源，体现磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。磁控溅射的技术特点是要在阴极靶面附件产生与电场方向垂直的磁场，一般采用永久磁铁实现。如果靶材是磁性材料，磁力线被靶材屏蔽，磁力线难以穿透靶材在靶材表面上方形成磁场，磁控的作用将大大降低。因此，溅射磁性材料时，一方面要求磁控靶的磁场要强一些，另一方面靶材也要制备的薄一些，以便磁力线能穿过靶材，在靶面上方产生磁控作用。磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种。直流磁控溅射的特点是在阳极基片和阴极靶之间加一个直流电压，阳离子在电场的作用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。但是直流溅射一般只能用于金属靶材，因为如果是绝缘体靶材，则由于阳粒子在靶表面积累，造成所谓的“靶中毒”，溅射率越来越低。目前国内企业很少拥有这项技术。
磁控溅射与真空技术
磁控溅射与真空技术 溅射时打火放电 1、可能靶材表面脏。 在低功率下长时间空溅，把靶材表面杂志打掉。然后慢慢加大功率。 2、靶与地之间有导电颗粒，导致高压下放电打火。 3、电源柜有问题，建议调换电源柜再观察。 扩散泵的常见故障及原因 由于真空设备长期运转及其它一些因素的影响，扩散泵的性能可能会逐渐变坏，现将使用中经常出现的一些问题如述如下; 1)极限真空变低，原因： a.系统中有渗漏； b.系统太脏； c.泵油污染； d.加热功率不够； e.冷却水不足； f.过量或过冷的冷却水； g.前级压力高；检查密封性能及前级管道是否有泄漏现象； h.快冷管内有水。 2) 抽气较慢，原因： a.加热功率低； b.油量不足； c.喷帽安装位置不当或受损。
3)进口压力波动，原因： a.加热器输入功率不当； b.油脱气； c.扩散泵进口前面系统有渗漏。 4)工作腔污染大，原因： a.前级压力高； b.在高于10-1Pa压力下长期工作； c.系统操作有误。 5) 返油率过大，原因： a. 顶喷嘴帽松动，间隙过大； b. 加热功率不对； 真空系统上测量规管座位置安排应遵循如下原则 ①不能将测量规管放在密封面较多的地方。因为每一个密封面都不可能保证绝对不漏气，密封面集中之处，必然是容易漏气的地方，测量值可能不准。 ②规管内壁各处，必须保证真空卫生。否则会造成测量不准。 ③规管应尽量接在靠近被测量的地方，以减少测量误差。 扩散泵的结构示意图和工作原理 当扩散泵油被电炉加热时，产生油蒸气沿着导流管经伞形喷嘴向下喷出。因喷嘴外面有机械 泵提供的真空（Pa），故油蒸气流可喷出一长段距离，构成一个向出气口方向运动 的射流。射流最后碰上由冷却水冷却的泵壁凝结为液体流回蒸发器，即靠油的蒸发喷射凝结重复循环来实现抽气。由进气口进入泵内的气体分子一旦落入蒸气流中便获得向下运动的动量向下飞去。由于射流具有高流速（约200m/s），高的蒸气密度，且扩散泵油分子量大（300～500），故能有效地带走气体分子。气体分子被带往出口处再由机械泵抽走。
高真空磁控溅射镀膜系统介绍
高真空磁控溅射镀膜系统介绍 1.设备简介 ●名称：高真空磁控溅射镀膜系统 ●型号：JGP560 ●极限真空：6.60E-05 Pa ●最高可控可调温度：500℃（1个样品位） ●3个靶位，8个样品位 2.真空简介 ●真空是一种不存在任何物质的空间状态，是一种物理现象。在“真空” 中，声音因为没有介质而无法传递，但电磁波的传递却不受真空的影响。 事实上，在真空技术里，真空系针对大气而言，一特定空间内部之部份 物质被排出，使其压强小于一个标准大气压，则我们通称此空间为真空 或真空状态。1真空常用帕斯卡（Pascal）或托尔（Torr）做为压力的单 位。目前在自然环境里，只有外太空堪称最接近真空的空间。 ●我国真空区域划分为：粗真空、低真空、高真空、超高真空和极高真空。 ●高真空的获得 油扩散泵的结构
●真空镀膜 ●真空镀膜实质上是在高真空状态下利用物理方法在镀件的表面 镀上一层薄膜的技术，它是一种物理现象。 ●真空镀膜按其方式不同可分为真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和现 代发展起来的离子镀膜。 3.磁控溅射镀膜原理介绍 ●磁控溅射法是一种较为常用的物理沉积法。磁控溅射是在真空室中，利
用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并利用环状磁场控制辉光放电，使溅射出的粒子沉积在基片上。磁控溅射可以方便地制取高熔点物质的薄膜，在很大面积上可以制取均匀的膜层。 ●磁控溅射工艺流程 在镀膜过程中，工艺的选择对薄膜的性能具有重要的影响，根据磁控溅射技术原理，结合设备的实际应用，制定工艺流程如图1 ●膜层的要求 磁控溅射膜层的沉积是物理气相沉积。膜层厚度范围为nm～μm数量级，膜厚＜550nm，对光有干涉作用，属于薄膜范畴，通常称薄膜技术。 太阳能集热管内管外壁镀膜是采用属于物理气相沉积技术的磁控溅射镀获得太阳光谱选择吸收薄膜。 ●磁控溅射镀 磁控溅射镀特点 溅射速率高，沉积速率高 磁控溅射阴极源是一个较为理想的可控源，沉积的膜层厚度与溅射源的功率或放电电流有较好的线性相关性，所以有较好的可控性， 能较好地实现批量生产产品的一致性和重复性。 溅射源采用靶材有广泛的选择性和组合性 溅射源可较理想地置于真空室内长时间稳定工作，获得纯正的膜层，确保膜层质量。
磁控溅射设备构造及其沉积薄膜原理
磁控溅射设备构造及其沉积薄膜原理 1. 实验目的： 了解磁控溅射设备的构造，熟悉磁控溅射沉积薄膜的基本原理。 2. 实验内容： 2.1 了解磁控溅射设备的构造 总体来讲，磁控溅射薄膜沉积系统包括：气路、真空系统、循环水冷却系统、控制系统。其中 (1) 气路系统：与PECVD系统类似，磁控溅射系统应包括一套完整的气路系统。但是，与PECVD系统不同的是，PECVD系统中，气路中为反应气体的通道。而磁控溅射系统气路中一般为Ar、N2等气体。这些气体并不参与成膜，而是通过发生辉光放电现象将靶材原子轰击下来，使靶材原子获得能量沉积到衬底上成膜。 (2) 真空系统：与PECVD系统类似，磁控溅射沉积薄膜前需要将真空腔室抽至高真空。因此，其真空系统也包括机械泵、分子泵这一高真空系统。 (3) 循环水冷却系统：工作过程中，一些易发热部件(如分子泵)需要使用循环水带走热量进行冷却，以防止部件损坏。 (4) 控制系统：综合控制PECVD系统各部分协调运转完成薄膜沉积，一般集成与控制柜。 2.2 磁控溅射沉积薄膜原理 在阳极(除去靶材外的整个真空室)和阴极溅射靶材(需要沉积的材料)之间加上一定的电压，形成足够强度的静电场。然后再在真空室内通入较易离子化的惰性Ar气体，在静电场E的作用下产生气体离子化辉光放电。Ar气电离并产生高能的Ar+离子和二次电子e。高能的Ar+阳离子由于电场E的作用会加速飞向阴极溅射靶表面，并以高能量轰击靶表面，使靶材表面发生溅射作用。被溅射出的靶原子(或分子)沉积在基片上形成薄膜。 由于磁场B的作用，一方面在阴极靶的周围，形成一个高密度的辉光等离子区，在该区域电离出大量的Ar+离子来轰击靶的表面，溅射出大量的靶材粒子向工件表面沉积；另一方面，二次电子在加速飞离靶表面的同时，受到磁场的洛伦兹力作用，以摆线和螺旋线的复合形式在靶表面作圆周运动。随着碰撞次数的
磁控溅射问题及解决
磁控溅射镀膜工艺六大常见问题点及改善对策： 1.膜层灰暗及发黑 (1)真空度低于0.67Pa。应将真空度提高到0.13-0.4Pa。 (2)氩气纯度低于99．9％。应换用纯度为99．99％的氩气。 (3)充气系统漏气。应检查充气系统，排除漏气现象。 (4)底漆未充分固化。应适当延长底漆的固化时间。 (5)镀件放气量太大。应进行干燥和封孔处理 2.膜层表面光泽暗淡 (1)底漆固化不良或变质。应适当延长底漆的固化时间或更换底漆。 (2)溅射时间太长。应适当缩短。 (3)溅射成膜速度太快。应适当降低溅射电流或电压 3.膜层色泽不均 (1)底漆喷涂得不均匀。应改进底漆的施涂方法。 (2)膜层太薄。应适当提高溅射速度或延长溅射时间。 (3)夹具设计不合理。应改进夹具设计。 (4)镀件的几何形状太复杂。应适当提高镀件的旋转速度 4.膜层发皱、龟裂 (1)底漆喷涂得太厚。应控制在7—lOtan厚度范围内。 (2)涂料的粘度太高。应适当降低。 (3)蒸发速度太快。应适当减慢。 (4)膜层太厚。应适当缩短溅射时间。 (5)镀件温度太高。应适当缩短对镀件的加温时间 5.膜层表面有水迹、指纹及灰粒 (1)镀件清洗后未充分干燥。应加强镀前处理。
(2)镀件表面溅上水珠或唾液。应加强文明生产，操作者应带口罩。 (3)涂底漆后手接触过镀件，表面留下指纹。应严禁用手接触镀件表面。 (4)涂料中有颗粒物。应过滤涂料或更换涂料。 (5)静电除尘失效或喷涂和固化环境中有颗粒灰尘。应更换除尘器，并保持工作环境的清洁 6.膜层附着力不良 (1)镀件除油脱脂不彻底。应加强镀前处理。 (2)真空室内不清洁。应清洗真空室。值得注意的是，在装靶和拆靶的过程中，严禁用手或不干净的物体与磁控源接触，以保证磁控源具有较高的清洁度，这是提高膜层结合力的重要措施之一。 (3)夹具不清洁。应清洗夹具。 (4)底涂料选用不当。应更换涂料。 (5)溅射工艺条件控制不当。应改进溅射镀工艺条件
JGP磁控溅射仪操作步骤
JGP –650型双室超高真空多功能磁控溅射系统操作步骤 一、开机前的准备工作： 1、开动水阀，接通冷水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保证水路畅通。 2、检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关是否处于关闭状态。 3、检查分子泵、机械泵油是否到标注线。 4、检查系统所有的阀门是否全部处于关闭状态，确定磁控溅射室完全处在抽真空前封闭状态。 二、换样品过程： 1、先打开真空显示仪，检查溅射室是否处于真空状态，若处于真空状态，首先要放气，室内的大气压与外界的大气压平衡，打开溅射室内的照明灯，看看机械手是否放在靶档板下面，定位锁是否已经抽出时（拔起），才能决定把屏蔽罩升起。 2、按动进步电机升开关，让屏蔽罩缓缓升起，到合适位置为止，当屏蔽罩升到最高位置时，进步电机升开关将不起作用。 3、换样品（靶材）时：松动螺丝，用清洗干净的镊子小心取出靶材，把靶材放到干净的容器内，以防污染；用纱布沾高纯酒精把溅射室清洗干净；放靶材时，一定要让靶材和靶面接触（即靶材必须是一平面，不平者勿用），把靶材放在中心（与靶的边界相距2-3mm.一定要用万用表来测量靶材（正极与靶外壁（负极）要断开，否则将要烧坏；然后把基片放在上面的样品架上（松动螺丝，把基片放在样品架上，然后上紧螺丝）。把样品架卡在转盘上。 4、按动进步电机降开关，让屏蔽罩缓缓下降，当下降到接近溅射室时，一定要把定位仪贴在屏蔽罩壁上，可以用左手按进步电机降开关，右手推动屏蔽罩使其安全降下来，注意千万不要使溅射室上真空圈损坏，一旦真空圈损坏，整个溅射室就无法抽真空，仪器不能正常工作。 三、抽真空过程 1、换好样品后，磁控溅射室、进样室、和分子泵都处于大气状态，插板阀G2
磁控溅射原理
Sputter 磁控溅镀原理
Sputter 在辞典中意思为： （植物）溅散。此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时，被溅射飞 散出。 因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜。 在日光灯的插座附近常见的变黑现 象，即为身边最赏见之例，此乃因日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成。溅 镀现象， 自 19 世纪被发现以来，就不受欢迎，特别在放电管领域中尤当防止。近年来被引用于薄膜制 作技术效效佳，将成为可用之物。 薄膜制作的应用研究，当初主要为 Bell Lab.及 Western Electric 公司，于 1963 年制成全长 10m 左右的连续溅镀装置。1966 年由 IBM 公司发表高周波溅镀技术，使得绝缘物之薄膜亦可 制作。后经种种研究至今已达“不管基板的材料为何，皆可被覆盖任何材质之薄膜”目的境地。 而若要制作一薄膜，至少需要有装置薄膜的基板及保持真空状况的道具（内部机构） 。这 种道具即为制作一空间，并使用真空泵将其内气体抽出的必要。 一、真空简介： 所谓真空，依 JIS（日本工业标准）定义如下：较大气压力低的压力气体充满的特定的空 间状态。真空区域大致划分及分子运动如下：
真空划分 Pa 低 真 空 中 真 空 高 真 空 超高真空 105～102 102～10-1 10 ～10 〈10
-5 -1 -5
压
力 Torr 760～1 1～10-3 10-3～10 〈10
-7 -7
分子运动状态 粘滞流 viscous flow 中间流（过渡流） intermediate flow 分子流 molecular flow 分子流 molecular effusion
真空单位相关知识如下：
标准环境条件 气体的标准状态 压力（压强）p 帕斯卡 Pa 托 Torr 标准大气压 atm 毫巴 mbar 温度为 20℃，相对湿度为 65%，大气压力为： 1atm 101325Pa=1013.25mbar=760Torr 温度为 0℃，压力为：101325Pa 气体分子从某一假想平面通过时，沿该平面的正法线方向的动量改变率，除以该平面 面积或气体分子作用于其容器壁表面上的力的法向分量，除以该表面面积。注： “压 力”这一术语只适用于气体处于静止状态的压力或稳定流动时的静态压力 国际单位制压力单位，1Pa=1N/m2 压力单位，1Torr=1/760atm 压力单位，1atm=101325Pa 压力单位，1mbar=102Pa
二、Sputter（磁控溅镀）原理： 1、Sputter 溅镀定义：在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子 被离子化而产生带电电荷， 其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材， 将其原 子等粒子溅出，此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜，此物理现象即称溅镀。而透 过激发、解离、离子化……等反应面产生的分子、原子、受激态物质、电子、正负离子、自由
射频磁控溅射详细操作流程与真空系统
磁控溅射操作流程 1、开循环水（总阀、分子泵），放气（两个小金属片打开；旁抽阀；V6）放完气后关闭； 2、开总电源，开腔装样品，开机械泵，抽到10pa以下； 3、开电磁阀，抽到10pa以下，开分子泵（按下绿色start按钮，分子泵加速，显示为400） 时，关旁抽阀，再打开高阀；开溅射室烘烤，将电压调节至75V，烘烤时间为1h； 4、抽到1·10-4pa后，抽管道（缓慢打开V1截止阀，V2阀）；打开质量流量计电源，待示 数稳定后，将阀开关拨至“阀控”位置，再将设定旋钮向右调节至最大，待示数变为“0” 时，将阀门开关拨至“关闭”，同时将设定旋钮设定为0； 5、开气瓶（一定要确定阀开关处于“关闭”位置，调节分压阀数值约为0.1mp；待质量流 量计示数稳定后，将阀开关拨至“阀控”位置，调节到所需设定值，如20sccm； 6、开A靶、水冷盘、其他靶的循环水； 7、慢慢讲高阀回调，调节气压至1~3pa，起辉（开总控制电源、A靶射频电源、A靶），调 节功率至60w，（A靶处的tune、load先处于WN状态，要进行调节时，应调节至Auto），调节tune为50%，Load值为10%~20之间（调节后需调回WN状态）；再按R.F起辉； 8、将高阀门调至最外，待气压稳定之后预溅射15分钟，在此期间要对齿轮挡板进行定位（先 将小刚圈上提右转放下，然后向外旋转“马达”旁边的齿轮，直到听到“啪”的一声，最后左转上提小刚圈）； 9、打开电脑后面右边的三个电源开关，开电脑； 10、实验。调节好实验所需压强、功率、气体等，设置“样品位置”，“样品编号”，“挡板位 置”（样品位置以A靶为标准，样品编号即为此时位于A靶上方样品的编号，挡靶位置在装挡板时就已位于B靶处，所以挡板默认为B靶所在位置，所有参数、位置设定好后即可开始镀膜； 11、每次镀膜完，要对其参数进行设定—应用—运行，待齿轮旋转不动时，用机械手推动挡 板至B靶所在位置（上中下三孔对齐），—确定—两个360°—样品放在E靶—挡板放在B靶—开始。 12、镀膜结束。先关闭电脑，然后关闭R.F，将功率调节至0，依次关闭三个电源（最后关 总溅射电源），关闭气瓶总阀，调节气体质量流量计至最大，待其示数变小为零；关闭分压阀，待流量计示数变为零，关闭质量流量计，依次关闭V2、V1阀，随后关闭高阀，按分子泵Stop键，待其示数降为零，再关闭分子泵电源； 13、依次关闭电磁阀、溅射室机械泵、设备总电源，关闭所有循环水。
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项 一、打开冷却水箱电源（）注：水箱电源是设备的总电源。，水压控制器是否起作 用。0.1MPa）检查水压是否足够大（二、放气 2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温； 2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态； 2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大； 2.4 放气完毕将气阀关紧。 三、装卸试样与靶材 3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。 3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。 3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。 3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。 3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。 3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。 四、抽真空 4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时； 4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭； 4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。 4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。可以从B3－1处观察低真空度。(低真空测量下限为0.1Pa）。当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。 4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开） 4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DA TA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。 4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。 五、充气 5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计； 5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟； 5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧 5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门 5.5 将控制阀扳到“阀控“位置 5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可； 5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
磁控溅射(2讲义仪器)
【附录】DHRM-3射频磁控溅射镀膜装置介绍 DHRM-3射频磁控溅射镀膜装置是高真空磁控溅射镀膜设备。它可用于在高真空背景下，充入高纯氩气，采用磁控溅射方式制备各种金属膜、介质膜、半导体膜，而且又可以较好地溅射铁磁材料（Fe、Co、Ni），制备磁性薄膜。在镀膜工艺条件下，采用微机控制样品转盘和靶挡板，可以制备单层膜，为新材料和薄膜科学研究领域提供了十分理想的研制手段。 概述 本系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片公转台、单基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 图1、真空室示意图
图2、电控柜示意图
工作原理及技术指标 工作原理： 磁控溅射镀膜的基本原理是以磁场改变电子运动方向，束缚和延长电子的运动路径，提高电子的电离概率和有效地利用了电子的能量。因此，在形成高密度等离子的异常辉光放电中，正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。 技术指标： 系统主要组成 溅射真空室组件： 圆筒型真空室尺寸Φ300X300，电动上掀盖结构，选用不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行化学抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。真空室组件上焊有各种规格的法兰接口，上盖组件上可以安装电动提升机构组件，真空获得和工作气路组件： 图3、气路原理图 溅射真空室选用分子泵T+机械泵R通过一个超高真空闸板阀G主抽，并通过一
个旁抽角阀V1进行旁路抽气；通过二路MFC质量流量控制器充工作气体，每路配有角阀V5、V6，配有混气室，还可以不走混气室从角阀V2或V3单独进气。MFC流量范围：一路100SCCM、一路500SCCM。通过V4阀充入干燥氮气放气。 系统主要机械机构简介 1、磁控溅射靶组件 溅射真空室采用单靶溅射结构，靶在下，基片在上，向上溅射成膜，可以溅射磁性材料的电磁靶，靶材2英寸； RF、DC兼容；靶内有水冷；直接向上溅射时，靶材表面与基片表面间距离为40～80mm连续可调；靶配有单独的屏蔽罩，以避免污染；配有电动挡板，按键控制挡板开合。 2、基片加热公转台组件 基片加热公转台组件安装在真空室上盖组件上，转盘上可以同时放置3个基片，可放置Φ20mm的基片。三个工位中，其中一个工位安装加热炉，其余2个工位为自然冷却基片台。基片加热最高温度500℃，由热电偶闭环反馈控制。在步进电机+减速器+同步带带轮传动机构带动下，实现0～360°公转（当拆掉加热炉后可连续回转），并通过光栅编码器机构实现基片准确定位，单片机控制公转到位。 转盘加热炉组件包括2英寸加热炉盘、加热接线柱等；加热方式为电阻丝式，螺旋形缠绕的是φ1mm的铁铬铝丝；基片加热最高温度500℃；程序控温，采用宇电公司的AI-518P可控可调的加热控温器，采用热电偶闭环反馈控制。 操作规程： 开机前准备工作 1）开动水阀，接通冷却水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保护各水路畅通。 2）检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处于关闭状态。 3）检查分子泵、机械泵油是否标注到刻线处，如没有达到刻线标记应及时加油。 4）检查系统所有阀门是否全部处于关闭状态，确定溅射室完全处在抽真空前
磁控溅射操作规程
磁控溅射设备操作规程 开机过程 1.开电柜A水阀（注意有两水路，阀门上标签为电柜左(A)，电柜右(B)）. 2.开电柜A总控制电源. 3.开机械泵，打开旁抽阀V 1 ,开低真空计电源，用机械泵抽至机械泵抽压极限(或5Pa 以下). 4.关闭旁抽阀V 1.开闸板阀G，开前级阀（电磁阀DF 1 ） 5.观察低压真空计示数是否稳定(稳定时即为系统不漏气)，待稳定后开分子泵(KYKY) 总电源. 6.观察分子泵显示窗口为闪动的450Hz时，按下分子泵启动按钮，分子泵加速. 7.当分子泵转速稳定，窗口显示为450Hz后，按下高真空计DL-7电源按钮，观察真 空室真空度，等待达到溅射所需的本底真空度(一般为10-4Pa). 溅射过程 1.关闭高真空计DL-7(!进气之前一定要关闭，否则高真空计会被损坏)，然后打开充 气阀V2，再打开截止阀V5. 2.开氩气瓶总阀，开减压阀，观察其指示小于1.5格(三个大气压)即可. 3.开质量流量计电源，将MFC1打到阀控位 4.关小闸板阀G，此调节过程配合旋动旋钮调节气体流量，使低压真空计示数（直 流溅射一般为2~5Pa之间，射频一般在5-8Pa之间）. 5.开电柜B水阀，开电柜B总控制电源. (1).直流溅射：开电柜B中相对应靶位直流溅射电源，调节功率使使靶上方氩气电离启辉.旋转功率调节旋钮，使溅射功率达到所需要的数值.待板压和板流稳定后，转动挡板和转盘，转动挡板和转盘到相应的靶上，开始溅射并计时.溅射完毕后，将功率调节旋钮逆时针调到最小，按下停止按钮.然后关闭电柜B的总控制电源. (2).射频溅射：按下电柜B中射频功率源的Uf按钮，电子管预热5-10分钟.按下Ua的开始按钮，通过Ua粗调和细调增大板压，使靶上方氩气电离启辉.调节SP-II 型射频匹配器的C1,C2(调节一个时，另一个不动)，使反射功率最小，驻波比小于1.5.增大Ua,调节匹配器的电容使反射功率始终最小，如此反复调节使溅射功率达到所需要的数值.预溅射几分钟后，转动挡板和转盘到相应的靶上，即可开始溅射. (3).溅射完毕后，将Ua调到最小，按下Ua的停止按钮.等待几分钟后按下Uf按钮.然后关闭电柜B的总控制电源. （如果需要给衬底加热，方法同退火过程的5，6步骤）. 靶挡板和转盘的转动：可通过电脑上的控制软件或手动转动.注意转盘和样品挡板同时转动前一定要检查定位插销，不能使转盘被卡住；只对样品进行转动操作前，需要将样品挡板卡住；为了不使加热电缆缠绕，不能大角度转动转盘. 6.溅射完毕后，关闭氩气的过程：先关气瓶总阀，后关减压阀，再将MFC1打到关闭， 待流量计显示为0后关闭流量计电源.先关V5后关V2，开大闸板阀G，让分子泵将真空室抽至高真空.
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项 一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。） 检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。 二、放气 2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温； 2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态； 2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这能够保证进入气流不会太大； 2.4 放气完毕将气阀关紧。 三、装卸试样与靶材 3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。 3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。 3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。 3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。 3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。 3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒
精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。 四、抽真空 4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时； 4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭； 4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。 4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。能够从B3－1处观察低真空度。(低真空测量下限为0.1Pa）。当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。 4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开） 4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。 4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 一般每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。 五、充气 5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计； 5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟； 5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧 5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）
磁控溅射和电弧离子镀技术和应用介绍
薄膜/涂层制备技术 (磁控溅射和电弧离子镀)及应用
雷浩
薄膜/涂层的概念与特点
概念：薄膜/涂层是一类用特殊方法获得的，依 靠基体支撑并具有与基体不同的结构和性能的 二维材料。薄膜(Films)：厚度 < 1m,如光电功 能薄膜等；涂层(Coatings)：厚度 ≥ 1m,如硬质 涂层、防护涂层等。
薄膜/涂层特征： 1）厚度 （纳米，微米，毫米） 2）有基体支撑（不是单独存在的） 3）特殊的结构和性能（与块体材料相区别） 4）特殊的形成方式
薄膜/涂层的概念与特点与分类
应用： 光学薄膜、微电子薄膜、光电子学薄膜、集成电路薄 膜、防护功能薄膜。
? 种类：
（1）以材料种类划分：金属、合金、陶瓷、半导体、化 合物、高分子薄膜等。 （2）以晶体结构划分：单晶、多晶、纳米晶、非晶 （3）以厚度划分：纳米薄膜，微米薄膜和厚膜。 （4）以薄膜组成结构划分：多层薄膜，梯度薄膜，复合 薄膜。
薄膜/涂层的种类及应用
? 电子工业：电极、电阻膜、电介质膜、绝缘膜、 透明导电膜、超导膜等。
? 光学工业：荧光膜、反射膜、增透膜、干涉膜 等。
? 机械工业：硬化膜、耐热膜、耐腐蚀膜等。 ? 能源工业：聚热膜、防反射膜、透射膜等。 ? 传感器：热敏、气敏、压敏、氧气传感器、红
外线传感器等。 ? 其它：装饰膜等。
薄膜和涂层的制备方法
湿式成膜 干式成膜
电镀 化学镀 微弧氧化 溶胶-凝胶膜
涂敷法（喷涂、甩胶、浸涂）
热浸渗（化学热处理）、热扩散法 电阻热蒸发
物理气相沉积 （PVD）
真空蒸发镀 溅射沉积
电子束蒸发 激光蒸发
电弧离子镀
化学气相沉积 （CVD）
等离子体增强CVD(PECVD) 辉光CVD，热丝CVD
磁控溅射
磁控溅射操作步骤 开机 先开气泵：插入气泵电源，打开气泵上的红色球阀 再开循环水机：插入电源插头，按循环水机上的启动按钮，按设定键，按上下键，设置水温然后开墙壁上的空气开关，再开电源控制柜上的空气开关，此时电源启动红色按钮亮 抽真空步骤 开电源启动，开机械泵，开旁路阀，开截止阀，开流量计，然后把流量开关打至清洗状态，待真空抽至10Pa以下，把流量开关打至关闭状态，待真空抽至5Pa以下，关旁路阀，开前级阀，待前级真空小于5Pa，开分子泵，开主阀。 待真空抽至工作真空，开电机旋转 镀膜 先将限流阀关闭，将流量开关打至阀控状态，调节流量电位器控制腔室气压（此时电离规是开着的，调气压至所需真空）关电离规 射频电源：先开电源总开关按钮，待红色按钮灯亮后，再开绿色按钮，调节粗调旋钮（先小功率），然后调节C1，C2，需慢慢调节，使反射功率调至最小。入射功率越大，说明输出功率越大，射频电源有自偏压时，此时腔室内靶已经起辉，开始溅射。待溅射几分钟后，打开靶挡板。 直流电源：开电源开关，开启动按钮，此时靶已起辉，开始溅射，再调电流调节按钮，增大功率。 射频电源：起辉气压需调至2Pa左右，待起辉后，再将气压降下至0.5Pa。射频清洗时，气压在1-2Pa之间，清洗时射频应小功率。 直流功率过大，电源会保护，需关掉直流电源开关重启 关机：先关电离规，关镀膜电源将旋钮调至最小 关气，将流量开关调至关闭，将旋钮调至最小 开限流阀，关截止阀，关主阀，关分子泵，待分子泵转速为零，关前级阀，关机械泵，关电源启动 关水，关气，关总电源 开机及抽真空操作 打开循环水机通水并确认水温 开控制箱电源启动 打开真空计（电阻规）电源。并将复合真空计打到手动控制档 打开放气阀破真空，手动打开上盖进行基片装卸。装卸完成后盖上上盖并关闭放气阀 打开机械泵 打开旁路阀 当腔室小于5Pa后关闭旁路阀，然后打开前级阀 当前级气压小于5Pa（即电阻规2的读数小于5Pa）后开分子泵，然后打开主阀。按下“分子泵开”按钮后，分子泵电源上的“IED”屏幕显示“转速追踪中。。。”大约3分钟后分子泵开始显示转速，分子泵运转完毕，“LED”显示“当前转速27000转，当前频率450Hz”当腔室压力＜1.3×10-1Pa（即电阻规1的读数＜1.3×10-1Pa）后将复合真空计调到自动档（按下手动/自动按钮，复合真空计的手动红色指示灯灭表明已经进入自动档，再次按手动/自动按钮即切换到手动档），此时系统会自动打开高真空测计（电离规）。 当腔室压力达到3×10-3Pa（即电离规的读数＜3×10-3Pa）抽真空完成。
磁控溅射设备
磁控溅射镀膜机 产品型号：TSV1200-S 用途：磁控溅射PVD镀膜，氮化钛（TiN）、氮碳化钛（TiCN）、氮化锆（ZrN）、氮化铬（CrN）、氮化铝钛（TiAIN）、碳化钛（TiC）等 基材：不锈钢,锌合金,塑料 应用：手机外壳，MP3外壳，数码相机外壳，各种标牌的装饰改性加硬镀膜 颜色：白色，金色，银色，黑色，兰色等 基本参数： ● 真空室尺寸：1210mm（直径）×1200mm（高）； ● 抽气时间速：大气到5×10-3Pa≤20min (空载, 冷态,洁净)； ● 最高烘烤温度:300℃ ● 采用侧面对开门方式,便于工件装卸； ● 2台φ400mm口径分子泵、1台ZJP300型罗茨泵，2台2X-70型机械泵抽气； ● 一套公、自转工转机构，采用下驱动方式的二维平面行星机构；自转轴20根； ● 所有驱动引入采用带水冷套磁流体密封； ● 四对磁控溅射靶平行安装且成圆周分布，靶材尺寸：910mm×120mm（长×宽）； ● 4路进口质量流量计进气； ● 预溅射小车挡板，控制预溅射工艺； ● 三台30KW中频电源及一台30KW脉冲偏压电源； ● 控制系统采用触摸屏上位机（工控机）+下位机（PLC）的控制形式 ● 控制系统有手动和自动，全系统具有互保护, 泵阀互锁。 主要技术参数和配置： （一）真空系统技术指标 1. 极限真空：优于2x10-3Pa； 2. 抽速:大气到5x10-3Pa≤30mm（空载、冷态，洁净）； 3. 压升率：小于0.5Pa/hr. (二) 真空室和真空系统配置 1.度模式尺寸：1210mm（直径）x1200mm(高); 2.采用侧面对开门方式,便于工件装卸； 3.外壁通冷却水，冷却水管采用半圆管焊接方式，焊缝美观、平整； 4. 3个观察窗口，左右门上各一个，室体正前方一个； 5. 抽气室内安装一个旋转挡气挡板，旋转角度范围0~90° 6．两台φ400mm口径分子泵； 7. 1台ZJP300型罗茨泵，增加气动旁通阀； 8. 2台2x-70型机械泵，一台为粗抽泵，一台为分子泵维持泵； 9. φ400mm口径高真空气动阀门2套； （三）工件架以及驱动装置 1. 一套公、自转工转机构，采用下驱动方式的二维平面行星机构；自转轴20根； 2. 转速0-8圈/分钟可控可调； 3. 驱动引入采用带水冷套磁流体密封； (四) 真空测量系统 1. 采用一台数字式复合真空计； 2.一路高真空测量，两路低真空测量（室体一路，低真空管道一路）
莱宝--连续型磁控溅射设备介绍
Leybold Optics Inline Sputter System A1100V4 德国莱宝光学有限公司北京代表处 潘峰 (北京市朝阳区东三环北路8号 亮马河大厦1608A 北京 100004) 摘要磁控溅射镀膜是目前大批量薄膜生产的一项重要技术,其生产效率高、成膜质量好.本文介绍了当今世界上最新型的连续溅射镀膜设备A 1100V,并对其控制方式、工艺原理等进行分析. 关键词 真空镀膜 磁控溅射 ProfiBus Twin-Mag Abstract The magnetic sputter coating is a very important technique for the batch production of the film manufacture at the present time. Now we introduce the up to date sputter coating equipment A1100 V4and analyse its automatic control mode、principle of process in this paper. Keyword vacuum deposition film The magnetic sputter coating ProfiBus Twin-Mag 前言 可见光的光谱范围是380nm—780nm,这个波段最好的金属反射材料就是铝(AL),但是纯铝膜的平均反射率只能达到91%左右,而且铝在空气中很容易氧化生成AL2O3,导致反射率的急剧下降,在一些高端的应用中,例如:作为背投电视反射镜,其反射率还不能满足要求.2004年Leybold Optics 接到了日本某公司的订单,要求设计生产出可连续大批量生产背投电视用铝反射镜的磁控溅射设备,要求: (1)每日单产镀膜玻璃面积>1000M2.连续工作时间不低于72小时. (2)400—700nm平均光谱反射率要>94%,峰值≮96%. (3)膜层为致密的无定型膜、无针孔. (4)可在线监控基片反射率. Leybold Optics 用了8个月的时间设计生产出了代表当今世界磁控溅射尖端水平的A1100 V4连续型镀膜设备. 1.真空及基片传输系统 该设备共有13个真空室,呈一字形排列,总长为27.2米(Fig.1.1).真空室按照其功能可分为三类:预真空室、基片缓冲隔离室、工艺真空室.为了保证基片架的连续运转,在真空室两侧还配备基片架自动转向机构,其最快生产节拍为2pcs/1min.
关于磁控溅射基础知识
磁控溅射 目前最重要的工业化 大面积真空镀膜技术 之一 其历史发展如下图所 示： 发展的驱动力分为以下几点： 1.降低工艺成本 关注靶材利用率，沉积速率，薄膜均匀性，溅射过程稳定性; 2.解决工艺难题和满足进一步提高薄膜性能的工艺参数优化 由于低能离子轰击在薄膜沉积中的重要作用，主要要求增加溅射原子离化率，能独立控制/调节微观等离子体工艺参数等，以满足实际镀膜中的多种需求。 其中的 HIPIMS 高功率脉冲磁控溅射high power impulse magnetron sputtering; MFMS 中频磁控溅射middle frequency magnetron sputtering; CFUBMS闭合场非平衡磁控溅射closed field unbalanced magnetron sputtering; UBMS 非平衡磁控溅射unbalanced magnetron sputtering; IBAMS 离子束辅助磁控溅射ion beam aiding magnetron sputtering; HCM 空心阴极磁控溅射hollow cathode sputtering; ICPMS 感应耦合等离子磁控溅射inductively couple plasma magnetron sputtering; 一，磁控溅射工艺原理 相对于其他的制备工艺（CVD，PLD，Spray pyrolysis等），磁控溅射是目前制备薄膜最常用的方法之一。其主要优点如下： 1.较低的制备温度（可室温沉积）; 2.较高的成膜质量，与衬底附着力好; 3.可控性好，具有较高的沉积速率; 4.可溅射沉积具有不同蒸汽压的合金与化合物; 5.成本较低，重复性好，可实现规模化大面积生产。 按照构造的不同，磁控溅射靶可以分为圆柱靶和平面靶;
磁控溅射仪操作步骤
磁控溅射仪操作步骤（C114） 1.溅射前检查设备 各电源连接是否正常；各开关是否置于“关”的位置；各旋转按钮是否归零；各个阀门有没有关闭。 2.开水泵 给设备送水（室外放置）。 3.开启总电源 送电（西墙电源盒左下角的上下开关）。 4.开腔、取样、放样 1)调靶位至最高位置 2)开溅射仪设备总电源 3)降下样品库 4)打开放气阀（听不到进气声后，再停1分钟左右升起上盖） 5)升起上盖、取样、换样；降下上盖，关闭放气阀（一定记得关闭！！） 5.抽真空 6)启动机械泵 7)打开CF35角阀 8)打开分子泵总电源（预热） 9)打开热偶计 10)热偶计读数在5Pa左右，关闭角阀 11)打开分子泵前级阀（旁抽阀Ⅱ），抽1-2分钟左右 12)按下分子泵“启动”按钮 13)分子泵转速高于100后，开启闸板阀（缓慢开启，至全开） 14)打开电离计，真空度达到所需气压值，记下基底气压值，准备溅射
6.充Ar气 16)调靶位 17)打开所需要的电源（预热）和冷水增压泵 A：流量计电源、样品台电源、挡板电源； B：灯丝电源（射频溅射）、排风扇+励磁电源+直流电源Power（直流溅射） 18)关闭电离真空计（溅射期间不可打开电离真空计！） 19)关闭闸板阀27~28圈 20)打开热偶计 21)打开Ar瓶、减压器旋钮，打开混气阀（缓慢开启，观察气压） 22)流量计拨到“阀控”，设定电位器（缓慢调节，气压读数有滞后） 7.溅射 23)检查Ua粗、细调是否置0，功率量程是否 200W打开靶Ⅱ 24)开启射频按钮“On”（进气后灯丝预热基 本结束） 25)先调Ua粗调，后调细调，同时调节C1、 C2，观察输出功率和反射功率指针读数 （反射Pf接近0） 26)观察是否有自偏压起辉 （*若不起辉，开挡板或增大气压值）23)打开靶Ⅱ（开/关），调整励磁电流（1.6A） 24)按蓝色按钮“SETPT”,调Level设定所需 功率 25)按下OUTPUT的蓝色“On”挡（开始处于 Off档），使其起辉 26)打开“Right Display”的Autual,查看工 作功率、工作电压和工作电流 （*如不起辉，开挡板或者增大气压或者增大励磁电流或者增大功率） 27)预溅10~30分钟起辉稳定后，打开样品台“正转/反转”按钮，旋钮旋至2.5圈以上，打开 样品挡板，立即计时。 （溅射期间观察分子泵转速是否正常；观察气压气流有无变化；观察起辉是否正常……） 8.溅射完毕停止溅射 28)关样品挡板，关靶挡板，关挡板电源 29)样品台转到旋钮旋调0，关正转/反正按钮，关样品台电源 30)设定电位器旋钮调0，拨到“关闭”，关流量计电源