先进化合物半导体材料
化合物半导体材料
赵洞清
由两种或两种以上元素以确定 的原子配比形成的化合物，并具有 确定的禁带宽度和能带结构等半导 体性质的称为化合物半导体材料
碲镉汞
砷化镓
氮化镓
锗硅合金
06 05
01
02
磷化铟
磷化镓
0体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌 矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁 带宽度1.4电子伏 • 砷化镓可以制成电阻率比硅、 锗高3个数量级以上的半绝 缘高阻材料,用来制作集成 电路衬底、红外探测器 、γ光子探测器等。由于 其电子迁移率比硅大5～6倍 ，故在制作微波器件和高 速数字电路方面得到重要应 用。用砷化镓制成的半导体 器件具有高频、高温、低温性能好、 噪声小、抗辐射能力强等优点
外延生长法
磷化铟
• 性状：沥青光泽的深灰色晶体。 • 熔点：1070℃。闪锌矿结构，常温下 带宽（Eg=1.35 eV）。熔点下离解压 为2.75MPa。 • 溶解性：极微溶于无机酸。 • 介电常数：10.8 • 电子迁移率：4600cm2/(V· s) • 空穴迁移率：150cm2/(V· s) • 制备：具有半导体的特性。由金属铟 和赤磷在石英管中加热反应制得。
氮化镓
• 一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所 谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体 管的优良材料，也是 蓝色光发光器件中 的一种具有重要应 • 用价值的半导体。
• GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热 点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料， 并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材 料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的 原子键、高的热导率、化学稳定 性好（几乎不被任何酸腐蚀）等 性质和强的抗辐照能力， 在光电子、高温大功率器件和 高频微波器件应用方面有着广 阔的前景。
化合物半导体衬底材料研究报告
化合物半导体衬底材料研究报告一、引言半导体材料广泛应用于电子器件中，包括晶体管、太阳能电池、光电器件等。
半导体材料的性能直接影响着电子器件的性能。
在半导体材料中，化合物半导体备受关注，其具有较高的载流子迁移率以及较窄的能隙，适用于高性能电子器件的制备。
然而，化合物半导体的制备过程需要使用特殊的衬底材料，本报告对化合物半导体衬底材料的研究进行总结和分析。
二、化合物半导体衬底材料的分类1.无机陶瓷衬底材料蓝宝石是当前最常用的无机陶瓷衬底材料之一、蓝宝石晶体具有优异的物理化学性质，包括硬度高、化学稳定性好等特点，适用于高温、高压、强酸强碱环境下的制备。
蓝宝石衬底可用于制备氮化物半导体材料，特别适用于GaN材料的生长。
蓝宝石衬底材料在光电子器件中的应用十分广泛，然而其价格昂贵且不易获得。
另一个常用的无机陶瓷衬底材料是氮化硅。
氮化硅具有较好的热导性、电绝缘性和化学稳定性，适用于高温、高功率电子器件的制备。
氮化硅还可以通过快速热退火等方法减小其晶体缺陷，提高晶体质量。
2.有机衬底材料有机衬底材料主要指聚合物材料，如聚酰亚胺（PI）、聚四氮化苯（PTCB）等。
这些有机衬底材料具有低成本、低介电常数及机械柔韧性等优点，适用于大面积薄膜的制备。
同时，有机衬底材料还可以通过改变材料的化学结构来影响其晶体质量，例如聚酰亚胺材料在高温下可以进行热处理来改善材料的结晶性能。
三、化合物半导体衬底材料的研究进展1.先进衬底制备方法目前，针对化合物半导体材料的制备，研究者们不断提出了先进的衬底制备方法。
例如，采用分子束外延（MBE）技术，可以在蓝宝石和氮化硅衬底上制备出高质量的氮化物半导体材料。
另外，还有金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，通过在沉积过程中控制温度和气氛，可以制备出不同组分和结构的化合物半导体材料。
2.衬底对半导体材料性能的影响衬底材料对半导体材料的生长和性能具有重要影响。
例如，研究发现，使用蓝宝石衬底生长的GaN材料具有更好的晶体质量和载流子迁移率，而使用硅衬底生长的GaN材料则具有更高的缺陷密度。
gaas和inp化合物半导体的发展趋势及应用
gaas和inp化合物半导体的发展趋势及应用
GaAs和InP是常见的化合物半导体材料，它们在半导体行业中有广泛的应用。
以下是其发展趋势和应用的一些例子：
1. 高频电子器件：GaAs和InP材料具有优异的电子迁移率和载流子迁移率，因此在高频电子器件中得到广泛应用。
例如，GaAs的应用包括射频功率放大器、微波集成电路和高速数字逻辑电路等。
而InP的应用包括高速光电子器件和高频混频器等。
2. 光电子器件：GaAs和InP材料都具有较窄的能带间隙，使其在光电子器件方面表现出色。
例如，GaAs可用于制造激光二极管和光电二极管等，而InP可用于制造光纤通信器件，如光放大器和光开关等。
3. 太阳能电池：由于其较高的光电转换效率，GaAs和InP材料被广泛应用于太阳能电池领域。
它们在太阳能电池中作为光吸收层材料，能够将太阳能转化为电能。
4. 光纤通信：GaAs和InP材料在光纤通信中扮演着重要的角色。
例如，InP材料可以用于制造光纤通信系统中的激光器和探测器等。
总体上，随着通信、能源和电子技术的快速发展，GaAs和InP材料在半导体行业中的应用越来越广泛。
未来，这些材料有望继续发展，以满足各种新兴应用的需求。
2023第三代化合物半导体材料窗口指导政策
近年来，随着科技的不断发展和进步，半导体材料作为高新技术产业的重要支撑，对于我国经济和国防安全具有至关重要的意义。
2023年，第三代化合物半导体材料窗口指导政策的出台，无疑将对我国半导体产业的发展起到重要的推动作用。
让我们简单回顾一下半导体材料的发展历程。
20世纪初，硅材料作为主要的半导体材料被广泛应用，推动了半导体产业的发展。
而随着科技的不断进步，人们发现硅材料在一些高频率、高功率和高温度工作环境下存在着一定的局限性，这就催生了对新型半导体材料的需求。
于是，化合物半导体材料应运而生，其具有高电子迁移率、高击穿场强和宽禁带等优异特性，被广泛应用于光电子器件和微波器件等领域。
而2023年的第三代化合物半导体材料窗口指导政策，则是对我国半导体产业发展的战略性部署。
这一政策的出台，将有望引领我国半导体产业向着更高端、更绿色、更智能的方向发展。
从国际上看，美国、日本等国家已经将化合物半导体材料作为战略性新兴产业的重点发展方向，我国也需要加快步伐，抢占产业制高点。
在深入了解第三代化合物半导体材料窗口指导政策的背景和意义之后，我们不妨再来探讨一下化合物半导体材料在未来发展中的优势和挑战。
化合物半导体材料具有更优异的电子特性，不仅能够在高频率下工作稳定，而且还能够实现更高的功率密度。
化合物半导体材料在光电子器件、微波器件、雷达系统和通信设备等方面具有广阔的应用前景。
然而，与此化合物半导体材料的制备工艺和成本也是当前亟待解决的问题，需要在材料生长、工艺精度和质量控制等方面进一步突破。
随着第三代化合物半导体材料窗口指导政策的实施，我国半导体产业将面临巨大的机遇和挑战。
个人而言，我对第三代化合物半导体材料窗口指导政策充满期待。
我希望政府能够进一步加大对化合物半导体材料研发和产业化的支持力度，鼓励企业加大技术创新和产业投入，推动我国半导体产业由大向强发展。
我也期待我国的科研人员和企业能够在化合物半导体材料领域取得更多的突破，为我国半导体产业的发展做出更大的贡献。
化合物半导体的应用
化合物半导体的应用引言：化合物半导体是一类具有特殊电子结构和导电性能的材料，广泛应用于光电子器件、能源领域、传感器等众多领域。
本文将重点讨论化合物半导体的应用，并介绍其中一些具有代表性的应用领域。
一、光电子器件化合物半导体在光电子器件中发挥着重要的作用。
以化合物半导体为基础材料的光电二极管、激光器、太阳能电池等器件，具有高效率、高稳定性和快速响应等优点。
1. 光电二极管：化合物半导体光电二极管具有较高的光电转换效率和较快的响应速度，被广泛应用于通信、光纤传输、光电子测量等领域。
2. 激光器：化合物半导体激光器具有小体积、高效率和长寿命等特点，广泛应用于激光打印、光通信、医疗美容等领域。
3. 太阳能电池：化合物半导体太阳能电池具有高光电转换效率和较好的耐久性，被广泛应用于太阳能发电系统和光伏电站建设。
二、能源领域化合物半导体在能源领域的应用也越来越广泛。
利用化合物半导体材料的光电转换特性，可以实现能源的高效利用和转换。
1. 光催化材料：化合物半导体光催化材料可以利用光能将水分解成氢气和氧气，实现可持续能源的生产。
2. 光电储能材料：化合物半导体材料在光电储能领域的应用主要体现在太阳能电池中，通过将光能转化为电能，实现能源的储存和利用。
3. 光伏发电系统：化合物半导体材料的广泛应用使得光伏发电系统的效率不断提高，促进了可再生能源的发展。
三、传感器化合物半导体材料在传感器领域也具有重要的应用价值。
利用化合物半导体材料的电学、光学、磁学等特性，可以制备出高灵敏度、高精度的传感器。
1. 光传感器：化合物半导体光传感器可以对光信号进行高效、准确的检测和转换，广泛应用于光通信、图像传感、环境监测等领域。
2. 温度传感器：化合物半导体材料的电学特性对温度变化非常敏感，可以用于制备高精度的温度传感器，广泛应用于工业自动化、气象观测等领域。
3. 气体传感器：利用化合物半导体材料的电学特性，可以制备出对特定气体敏感的传感器，广泛应用于环境监测、气体检测等领域。
化合物半导体材料的现状及未来五至十年发展前景
化合物半导体材料的现状及未来五至十年发展前景引言：随着现代科技的迅猛发展，半导体材料作为信息科技领域的重要组成部分，扮演着关键角色。
近年来，化合物半导体材料在可穿戴设备、太阳能电池等领域取得了重要突破，成为业界瞩目的研究方向。
本文将重点探讨化合物半导体材料的现状及未来五至十年发展前景。
一、现状：1.1 研究热点：近年来，化合物半导体材料的研究方向主要集中在III-V 族和II-VI族化合物上。
其中，氮化镓（GaN）和三磷化氮（InP）等材料在光电子器件和高速电子器件方面取得了重要突破。
1.2 应用领域：化合物半导体材料广泛应用于太阳能电池、光通信、显示器件等领域。
以太阳能电池为例，化合物半导体材料因其较高的光电转换效率成为可再生能源的重要代表之一。
二、发展前景：2.1 太阳能电池：化合物半导体材料在太阳能电池领域具有广阔的发展前景。
目前，III-V族化合物半导体材料的太阳能电池转换效率已经超过了40%，未来五至十年内将继续提升。
此外，II-VI族化合物材料的研究也将为太阳能电池的高效率提供新的突破口。
2.2 光通信：随着5G技术的快速发展，高速、大容量的光通信需求越来越迫切。
化合物半导体材料因其在光电器件方面的优势，如较高的电子迁移率和较高的发光效率，将在光通信领域发挥重要作用。
2.3 显示器件：化合物半导体材料在显示器件中具有优异的性能，如高对比度、广色域和快速响应速度等。
随着可穿戴设备和虚拟现实技术的兴起，对显示器件的要求将越来越高，化合物半导体材料有望成为显示器件领域的主流材料。
三、挑战与机遇：3.1 挑战：化合物半导体材料在制备过程中面临着高成本、技术复杂度以及生产规模化等挑战。
此外，材料的稳定性和可靠性也是当前研究亟待解决的问题。
3.2 机遇：随着科技的进步和市场需求的提升，化合物半导体材料制备技术将不断完善，成本将逐渐降低。
与此同时，新材料和新器件的研究也将为化合物半导体材料提供更多机遇。
第三代半导体材料 集成电路
第三代半导体材料集成电路随着科技的不断进步和应用领域的扩大，半导体材料作为电子工业的基础，被广泛应用于集成电路等领域。
而在半导体材料领域，第三代半导体材料的发展已成为研究的热点之一。
本文将重点介绍第三代半导体材料及其在集成电路领域的应用。
一、第三代半导体材料第三代半导体材料是相对于传统半导体材料而言，替代传统半导体材料的一种新型半导体材料。
第三代半导体材料的出现，一方面是为了解决传统半导体材料在功率、速度等方面的限制，另一方面也为了更好地满足电子器件对绿色环保的要求。
1、化合物半导体材料化合物半导体材料主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等。
其中，氮化镓主要应用于高电源和高频率，碳化硅主要应用于高温和高功率领域。
在集成电路方面，化合物半导体材料的高硬度和高反应性，使得在芯片电路的制作中具有更好的耐久性和加工性能。
2、有机半导体材料有机半导体材料主要是指具有半导体性质的有机材料。
常见的有机半导体材料包括聚合物、小分子材料等。
相对于传统半导体材料而言，有机半导体材料具有更低的成本、更高的可塑性和宽广的应用领域。
有机半导体材料主要应用于平面显示器、生物传感器等领域。
3、无机非晶材料无机非晶材料主要是指没有晶体结构的半导体材料。
这类材料除具有传统半导体的性质外，还具有更好的冲击耐性和耐化学腐蚀性能。
同时，无机非晶材料具有较高的光学散射能力，是太阳能电池和LED灯等高性能光电器件的理想材料选择。
二、第三代半导体材料在集成电路领域的应用随着集成电路领域的不断发展，第三代半导体材料也被广泛应用于芯片电路的制作中，以满足电子器件对功率、速度、耐久性等不同方面的需求。
1、高耐受性芯片电路第三代半导体材料在制作高耐受性芯片电路方面有着优异的性能表现。
在高温、高性能条件下，采用化合物半导体材料制造的芯片电路具有更好的耐受性和更强的电学特性，可以用于制作高速电子器件和高功率电子器件等。
2、绿色环保芯片电路传统半导体材料的加工过程会产生大量的污染物和废弃物，对环境造成很大的压力。
化合物半导体的发展现状
化合物半导体的发展现状一、引言化合物半导体是指由两种或更多元素组成的晶体材料，具有半导体特性。
近年来，随着能源危机和环境污染的日益严重，化合物半导体作为一种高效、环保的新型材料，在光电子、能源等领域得到了广泛应用。
本文将对化合物半导体的发展现状进行探讨。
二、发展历程1. 第一代化合物半导体：砷化镓（GaAs）和磷化镓（InP）砷化镓和磷化镓是最早被发现并应用的化合物半导体材料。
它们具有高电子迁移率和较大的光吸收系数，被广泛应用于光通信和太阳能电池等领域。
2. 第二代化合物半导体：氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）氮化镓和碳化硅是第二代化合物半导体材料。
它们具有高耐受性、高温稳定性和较大的带隙能量，被广泛应用于LED、激光器等领域。
3. 第三代化合物半导体：氮化铟镓（InGaN）氮化铟镓是第三代化合物半导体材料。
它具有较大的带隙能量和较高的光电转换效率，被广泛应用于照明、显示等领域。
4. 第四代化合物半导体：过渡金属二硫化物（TMDs）过渡金属二硫化物是第四代化合物半导体材料。
它们具有优异的光电性能和机械性能，被广泛应用于光电子、传感器等领域。
三、应用领域1. 光通信由于砷化镓和磷化镓具有高电子迁移率和较大的光吸收系数，被广泛应用于光通信领域。
目前，砷化镓和磷化镓已经成为高速光通信中不可或缺的材料。
2. 太阳能电池由于砷化镓和磷化镓具有高转换效率和较长的寿命，被广泛应用于太阳能电池领域。
目前，砷化镓和磷化镓太阳能电池已经成为商业上最有效的太阳能电池。
3. LED由于氮化铟镓具有较大的带隙能量和较高的光电转换效率，被广泛应用于LED领域。
目前，氮化铟镓LED已经成为商业上最有效的LED。
4. 激光器由于氮化镓和碳化硅具有高耐受性、高温稳定性和较大的带隙能量，被广泛应用于激光器领域。
目前，氮化镓和碳化硅激光器已经成为商业上最有效的激光器。
四、发展趋势1. 多元化发展未来，化合物半导体将向多元化方向发展。
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电离能/meV
-500，+1000 -580
-1200，-500 +400，-430 +820，-260 +410，-330
+510
GaP中杂质的电离能
24
Δ间接跃迁型材料要实现跃迁必须与晶格作用，把部分 动量交给晶格或从晶格取得一部分动量，也就是要与声 子作用，才能满足动量守恒的要求，因而非直接跃迁发 生的几率是很小的(约为直接跃迁的l／1000)，它的发光 效率要比直接跃迁型材料低。
3.78
94
InP
1.421
3.63
152
InAs
0.420
2.50
75
InSb
0.236
2.99
140
2.3 常见Ⅲ-V族化合物半导体
GaAS
能带结构，直接带隙另两个导带极值Ec+0.31 eV, Ec+0.48 eV，禁带宽度比Si大，但电子迁移率比 Si大五倍多，熔点也比Si低一些，并且还具有元 素半导体Si、Ge所不具备的其他性质，因此深受 人们的重视并对它进行了多方面的研究，是目前 最重要的化合物半导体材料之一。
▪ 这类材料除少数外，很难制成P-N结。这限制了 Ⅱ-Ⅵ族化合物材料在生产方面和应用方面不如 Ⅲ-Ⅴ族化合物材料普遍。
▪ II—VI族化合物晶体结构分为两类：闪锌矿结构
（ ZnSe HgSe ZnTe ） ， 纤 锌 矿 结 构 （ ZnS CdS
HgS CdSe）。
30
▪ Ⅱ-Ⅵ族化合物的能带结构都是直接跃迁型，且 在Г点（k=0）的能带间隙（禁带宽度）比周期表 中同一系列中的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体和元素半 导体的Eg大。
9
Δ带隙和温度的关系 Eg (T) Eg (0) T 2 /(T )
化合物
Eg(0)/eV
α/10-4 eV·K-1
β
AlP
2.52
3.18
588
AlAs
2.239
6.0
408
AlSb
1.687
4.97
213
GaP
2.338
5.771
372
GaAs
1.519
5.405
204
Gg Cd Si Ge Sn Cu Fe Cr Pb Ag Au
受主电离能/ eV
0.026
0.031
0.028
0.035
0.035
0.04; 0.07
0.17
0.14; 0.19; 0.23; 0.44
0.37; 0.52
0.79
0.12
0.11
0.09
18
GaAs的折射率与温度和光子能量（0.3-1.4 eV） 的关系
21
GaP
Δ常温下，非掺杂GaP单晶为橙红色透明晶体。空 气中稳定，750 ℃以下不氧化，真空中1100 ℃开始 离解。 Δ1929年，GaP化合物出现。 Δ1955年观察到GaP的发光现象。1960-1961年间对 GaP制成的LED进行了大量研究。1969年制成红、 绿色GaP LED。GaP成为主要的可见光LED材料。 ΔGaP是间接带隙半导体，其发光与杂质有关。其 带隙为2.26 eV(300 K)。利用等电子陷阱（掺N）所 形成的束缚激子复合可获得相当高的发光效率。
Δ但是，目前已用GaP制出了很好的发红、绿、黄等光 的发光二极管，而且发光效率很高，这是因为某些杂质 在GaP，中可形成发光的辐射复合中心，使GaP中的间 接跃迁向直接跃迁转化的缘故。
Δ当GaP掺入一些杂质时，这些杂质在禁带中形成一定 的杂质能级，导带中的电子和价带中的空穴可通过这些 杂质能级进行复合而发光。（发光的颜色是由能隙决定 的）。
Δ另外，还可以形成一种等电子陷阱束缚激子将间接跃
25
迁转化为直接跃迁而发光。
26
GaP的热胀系数与温度的关系
27
p-型GaP的热导率与温度的关系
28
3.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料
▪ Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，指元素周期表中Ⅱ族元素（Zn、 Cd、Hg）和Ⅵ族元素（S、Se、Te、O）组成的化合物半 导体。
7
• 另一种认为在闪锌矿型晶体结构中，除Ga和As+形成的共价键外，还有Ga3+和As3-形成 的离子键，因此Ⅲ-V族化合物的化学键属于 混合型。
8
2.2 Ⅲ-V族化合物半导体的性质
Δ目前得到实用的几种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 为GaAs、 InP、 GaP、GaN、 InSb 和GaSb。 Δ直接带隙，光电转换效率高，光电器件（LED， LD，太阳能电池等） Δ带隙较大，室温带隙值一般>1.1 eV。高温、大 功率器件。 ΔGaP是间接带隙，掺入等电子杂质（N）形成束 缚激子仍可得到较高的发光效率。是红、黄、绿 LED的主要材料。 Δ电子迁移率高，适合制备高频、高速器件。
4
• 1952年Welker等人发现Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物也 是半导体，而且某些化合物半导体如GaAs、InP等具有 Ge、Si所不具备的优越特性(如电子迁移率高、禁带宽度 大等等)，可以在微波及光电器件领域有广泛的应用，因 而开始引起人们对化合物半导体材料的广泛注意。
• 但是，由于这些化合物中含有易挥发的Ⅴ族元素，材料 的制备远比Ge、Si等困难。到50年代末，科学工作者应 用水平布里奇曼法(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉 法生长出了GaAs、InP单晶，但由于晶体太小不适于大 规模的研究。
7
GaAS 能带结构，直接带隙，禁带宽度比Si大，熔点也 比Si低一些，并且还具有元素半导体Si、Ge所不 具备的其他性质，因此深受人们的重视并对它进 行了多方面的研究，是目前最重要的化合物半导 体材料之一。
7
Δ直接带隙材料，有较高的光电转换效率； Δ电子迁移率高，约为Si的5-6倍，适合制作超高 频、超高速器件和电路； Δ易于制成非掺杂半绝缘单晶，电阻率可达 109Ω·cm，是理想的微波传输介质，在IC加工中 不必制作绝缘隔离层； Δ带隙宽，所制器件可在较高温度（400-450 ℃） 工作； ΔGaAs器件抗辐射能力强（106 拉德γ射线）。 负微分电导，耿氏振荡器件。
29
▪ (3)Ⅱ-Ⅵ族化合物熔点较高，在熔点下具有一定 的气压，而且组成化合物的单质蒸汽压也较高。
▪ 制备Ⅱ-Ⅵ族化合物的完整单晶体比较困难；除 CdTe可以生成两种导电类型的晶体外，其它均为 单一的导电类型，而且多数为N型，很难用掺杂 方法获得P型材料。这是由于Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体 内点缺陷密度大，易发生补偿效应。
▪ 与Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料比较Ⅱ-Ⅵ族化合物有以下一 些特点：
▪ (1)Ⅱ族元素和Ⅵ族元素在周期表中的位置相距比Ⅲ族和 Ⅴ族的大，故Ⅱ-Ⅵ族的负电性差值大，其离子键成分比 Ⅲ-Ⅴ族化合物大。
▪ (2)禁带宽度变化范围大，具有直接跃迁的能带结构等优 点。因此在固体发光、激光、显示、红外、压电效应等器 件方面都有着广泛的应用。
6
• 在闪锌矿结构中，Ⅲ族元素原子与V族元素 原子的价电子数是不等的，关于它们之间价 键的形成机构有几种说法。
• 一种认为是由V族原子的5个价电子中拿出 一个给Ⅲ族原子，然后它们相互作用产生 sp3杂化，形成类似金刚石结构的共价键。
• 例如，GaAs的Ga原子得到一个价电子变成 Ga-，As原子给出一个价电子变成As+离子。 它们按上述说法键合时，虽说是以共价键为 主，但由于Ga-和As+离子的电荷作用而具 有离子键性质；
GaAs晶格常数与温度的关系
GaAs的相图
17
GaAs的本征载流子浓度ni与温度的关系
ni
(T
)
1.05
1016
T
3
2
exp
1.604 2kBT
GaAs中杂质的电离能
施主杂质
Si Se Ge S Sn Te O
施主电离能/eV
0.0058 0.0059; 0.89
0.005 0.006 0.006 0.003 0.4; 0.75
ΔInP基太阳能电池不仅有高的转换效率，而且 其抗辐射性能还优于GaAS电池；InP表面复合速 度小，电池寿命更长。
ΔInP的热导率比GaAs高，在同类器件中有较好 的热性能。
20
Δ掺入适当的深施主（Fe），可制得半绝缘 单晶。高纯材料在适当条件下退火，也可得 到半绝缘性能。 ΔInP是制备高速器件和电路、光电集成电路 的重要衬底材料。InP单晶作为衬底材料，其 制备工艺难度比GaAs大，成晶率较低。 ΔInP单晶生产成本较高。目前产量远低于 GaAs。
• 1962年Metz等人提出可以用液封直拉法(LEC)来制备化
合物半导体晶体，1965~1968年Mullin等人第一次用三
氧化二硼(B2O3)做液封剂，用LEC法生长了GaAs、InP 等单晶材料，为以后生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打
下了基础。
5
2.1 Ⅲ-V族化合物半导体的晶体结构
和硅、锗不同，大多数Ⅲ-V族化合物半导体的晶 体结构是闪锌矿型，这种晶体结构与金刚石型很 相似，也是由两套面心立方格子沿体对角线移动1 ／4长度套构而成，不过金刚石这两套格子的原子 是相同的，而闪锌矿型则一套是Ⅲ族原子，另一 套是V族原子。
22
ΔGaP中掺N浓度约1019 cm-3时，N是绿色发光中 心。 Δ掺N浓度再高时，会形成N-N对，N-N对形成的 激子复合时发黄光。 Δ在GaP中掺Zn-O对，Zn-O复合体可视为等价分 子，亦可成为等电子陷阱，它所形成的束缚激子 复合发红光。 Δ绿色发光另外的机制：伴有声子发射的自由激 子复合发光和自由空穴与被施主俘获的电子复合 发光。 Δ高纯GaP样品在500 ℃以上才发生本征导电。一
n 3.255(1 4.5105T ) n [7.10 3.78/(1 0.18E2 )]1 2