用图示仪测量晶体二极管
晶体管特性图示仪QT2操作规程MicrosoftWord文档

晶体管特性图示仪态QT2 操作规程一、测试前的开关与调节
二、各类晶体管的操作方法
三、注意事项
1、不要在放有易燃易爆品的地方使用仪器;
2、仪器特别是连接测试件的测试导线应远离强电磁场,以免对测量产生干拢;
3、打开电源前确保接好了保护地线以防电击,且应避免交流电的零线用作保护地线;
4、不要不接保护地线或不接保护地线,否则将造成潜在的电击伤害;
5、无保护地线和保险丝时请勿使用仪器;
6、仪器测试完毕、排除故障需打开仪器或更换保险丝前需切断电源和负载;
7、未经许可严禁取下仪器外壳和拆卸仪器的任何部件;
8、打开电源预热10分钟后仪器才可进入正常工作状态;
9、对被测管的的主要直流参数要熟悉了解,特别要了解该被测管的集电极最大允许耗
散功率P cm,集电极对其它极的最大反向击穿电压,如BV CEO、BV CBO、BV CRR,集电极最大允许电流Icm等主要指标;
10、在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同,即选择PNP或NPN的开关置于
规定位置;
11、将集电极电压输出电压不应超出被测管允许的集电极电压,一般情况下将峰值电压
旋至零,防止被测管损坏;
12、对被测管进行必要的估算,以选择合适的注入阶梯电流或电压,此估算的原则以不
超过被测管的集电极最大允许耗损功率;
13、在进行Icm的测试时,一般采用单次阶梯为宜,以免被测管被电流击穿;
14、在进行Io或Icm测试中,应根据集电极电压的实际情况,不应超过本仪器规定的
16、注意仪器保养,操作人员离开岗位必须断开仪器电源。
制定部门:制定:审核:核准:。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数

用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位,也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理,而且还可以分析造成各种器件失败的原因,晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是:了解晶体管特性图示仪的工作原理;学会正确使用晶体管特性图示仪;测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示,这是一组曲线族,对于其中任一条曲线,相当于I b =常数(即基极电流I b 不变)。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时,集电极电流I c 的变化。
因此,为了显示一条特性曲线,可以采用如图2所示的方法,既固定基极电流I b 为:b be b bE V I R -= (1)图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中,接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ,晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小,锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过,电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上,把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上,示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
(为了保证测量的准确性,电阻R c应该很小)。
用这种方法只能显示出一条特性曲线,因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族,则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化,每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期,如图3所示。
阶梯电压每跳一级,电流I b便增加一级。
(每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整)。
晶体管特性图示仪教程详解

检查放大器增益 检查阶梯信号
阶梯信号
9.3.4 测试特性前各开关、旋钮 位置选取
由管型确定的旋钮位置 1 集电极扫描信号。“极性”开关:用来改变
扫描电源对地的极性。 2 基极阶梯信号。“极性”开关:根据被测 管的
不同类型,可以改变阶梯信号的正负极性。
与管型无关的扳键、旋钮 阶梯作用,置于重复位置;级/秒为200级/s;级/族 为
测试台 将测试选择位于中间位置,接地开关置于需要的位
9.3.5 测试前注意事项
要对被测管的主要直流参数有一个大概的了解 和估计,特别要了解被测管的集电极最大允许 耗散功率PCM、最大允许电流ICM和击穿电压 BUCEO、BUCBO、BUEBO。 选择好扫描和阶梯信号的极性,以适应不同管 型和测试项目的需要。 根据所测参数或被测管允许的集电极电压,选 择合适的扫描电压范围。 对被测管进行必要的估算。 在进行ICM的测试时,一般采用单簇为宜,以 免损坏被测管。
置“簇”时,通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线。 使
用时“级∕簇”应置于适当位置,以利于观察。二簇特性曲线比 较
时,请勿误用单簇按键。 零电压、零电流。被测管未测之前,应先调整阶梯信号
的起始级在零电平的位置。
按下“零电流”键时,被测半导体管的基极处于开路状态, 就能 测量ICEO特性。
(2)左右测试插座插孔:插上专用插座,可测试F1、F2型管座 的功率晶体管。
(2) Y轴增益。校正Y轴增益用。
(3)Y轴选择(电流∕度)开关。具有22挡四种 偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基 极电压、基极电流和外接的不同转换。
(4)电流∕度×0.1倍率指示灯。灯亮仪器表示进 入电流∕度×0.1倍工作状态。
X轴部分
用图示仪测量双极性晶体管的直流参数

用图示仪测量双极性晶体管的直流参数晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。
在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中,都要检测其性能。
晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线,进而可测量各种直流参数。
晶体管直流参数测试仪很多,JT-1型晶体管特性图示仪是最常用的一种。
本实验的目的是了解JT-1型特性图示仪原理,掌握其使用方法,并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测,分析晶体管质量,分析晶体管质量,找出失效原因,作为进一步改进器件性能的依据。
一、实验原理利用图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。
图中BG代表被测的晶体管,R B、E B构成基极偏流电路。
取E B>>V BE,可使I B=(E B- V BE)/ R B基本保持恒定。
在晶体管C-E之间加入一锯齿波扫描电压,并引入一个小的取样电阻R C,这样加到示波器上X轴和Y轴的电压分别为V x =V ce =V ca +V ac=V ca-I c R c ≈V caV y=-I c.R cα∝-I c图1测试输出特性曲线的原理电路当I B恒定时,在示波器的屏幕上可以看到一根I c—V ce的特性曲线,即晶体管共发射极输出特性曲线。
为了显示一组在不同I B的特性曲线簇Ici=Φ(Ici, V ce)应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时,使I B也有一个相应的变化,所以应将图1中的E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。
每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流,这样不同的阶梯电压V B1、V B2 、V B3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流I B1 I B2 I B3…。
只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期,如图2所示,就可以在T0时刻扫描出Ic0=Φ(Ib0, V ce)曲线,在T1时刻扫描出Ic1=Φ(Ib1, V ce)曲线…。
通常阶梯电压有多少级,就可以相应地扫描出有多少根Ic=Φ(Ib, V ce)输出曲线。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数

用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位,也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理,而且还可以分析造成各种器件失败的原因,晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是:了解晶体管特性图示仪的工作原理;学会正确使用晶体管特性图示仪;测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示,这是一组曲线族,对于其中任一条曲线,相当于I b =常数(即基极电流I b 不变)。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时,集电极电流I c 的变化。
因此,为了显示一条特性曲线,可以采用如图2所示的方法,既固定基极电流I b 为:b be b bE V I R -= (1)图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中,接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ,晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小,锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过,电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上,把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上,示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
(为了保证测量的准确性,电阻R c应该很小)。
用这种方法只能显示出一条特性曲线,因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族,则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化,每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期,如图3所示。
阶梯电压每跳一级,电流I b便增加一级。
(每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整)。
晶体管特性图示仪

➢其波形变换如图7-4所示,利用三个不同周期的方波
T1、T2、T3相加而得。
➢此时Tl :T2:T3=l:2:4,幅度为U1:U2:U3=1 : 2:4。
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图7-4 阶梯波合成波形
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7.1晶体管特性图示仪简介 7.2晶体管特性图示仪的应用
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第7章 晶体管特性图示仪
本章要点 ▪ 晶体管特性图示仪的组成及原理框图 ▪ 晶体管特性曲线的测量方法 ▪ 用晶体管特性图示仪测量二极管、三极管
和场效应管
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位置,S7接测量位置,得到如图7-7所示的等效电 路,也称为动态测量电路。
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图7-7晶体管图示仪的等效电路
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➢阶梯阶电梯流波I电B。压加入到基极回路,通过RB形成基极 ➢最集大电值极,扫然描后电又压降的至零变;化使uCE可以自动从零增至
后,可得到被测晶体管的输出特性曲线,如图7-6 的波形图。
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上面采用的方法是逐点逐点测量的。
➢用晶体管图示仪,如图7-1将S5接通“+”(NPN
晶体管图示仪的测试原理

晶体管图示仪的测试原理晶体管图示仪是一种用于测试和分析晶体管性能的仪器。
它通过对晶体管进行电流-电压(I-V)特性曲线的测量,来评估晶体管的工作状态和性能。
晶体管图示仪的测试原理主要包括以下几个方面:1. 电流-电压特性测量:晶体管图示仪通过在晶体管的基极、发射极和集电极之间施加不同的电压,测量晶体管的电流-电压特性曲线。
这些特性曲线可以显示晶体管的工作区域、饱和区、截止区等工作状态,以及晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
2. 输入输出特性测量:晶体管图示仪还可以测量晶体管的输入输出特性。
输入特性是指在给定的集电极电压下,测量晶体管的基极电流与基极电压之间的关系;输出特性是指在给定的基极电流下,测量晶体管的集电极电压与集电极电流之间的关系。
通过测量输入输出特性,可以评估晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
3. 频率响应测量:晶体管图示仪还可以测量晶体管的频率响应特性。
频率响应是指晶体管在不同频率下的放大倍数和相位差。
通过测量频率响应,可以评估晶体管的截止频率、增益带宽等性能参数。
4. 功率测量:晶体管图示仪还可以测量晶体管的功率特性。
功率特性是指晶体管在不同电压和电流下的功率输出。
通过测量功率特性,可以评估晶体管的最大功率输出、效率等性能参数。
晶体管图示仪的测试原理基于电子学和半导体物理学的基本原理。
晶体管是一种半导体器件,其工作原理基于PN结和场效应晶体管的原理。
晶体管图示仪通过施加不同的电压和电流,可以改变晶体管的工作状态,从而测量和分析晶体管的性能。
总之,晶体管图示仪通过测量晶体管的电流-电压特性、输入输出特性、频率响应特性和功率特性,来评估晶体管的工作状态和性能。
它是一种重要的测试仪器,用于研究和开发半导体器件、电子电路和通信系统等领域。
晶体二极管和三极管测试课件

结论与展望
结论总结
根据测试数据和分析结果, 对二极管和三极管的性能 进行评பைடு நூலகம்和总结。
问题分析
针对测试中发现的问题, 进行深入分析,找出原因 并提出解决方案。
展望未来
根据当前测试结果,对未 来二极管和三极管的发展 趋势和研究方向进行展望。
THANKS
[ 感谢观看 ]
注意事项
注意信号源与被测器件的阻抗匹配问 题。
扫频仪
功能
用于测试电路的频率响应和幅频特性。
使用方法
连接扫频仪与被测器件,调整扫频仪参数, 观察被测器件的频率响应曲线。
选用
选择适当的扫描范围和分辨率。
注意事项
注意扫频仪的精度和使用环境的影响。
CHAPTER 04
测试案例分析
二极管击穿案例
总结词
二极管击穿是指其在正向偏置电压下,电压 超过其最大正向电压时,其电流迅速增加, 导致器件失去单向导电性,甚至导致器件永 久性损坏的现象。
开关特性测试
总结词
评估二极管作为开关的特性和性能, 包括开启时间和关闭时间。
详细描述
通过测试二极管的开关速度来评估其 性能。开启时间和关闭时间越短,二 极管的开关性能越好。此外,还涉及 反向恢复时间的评估。
频率特性测试
总结词
测量二极管在不同频率下的阻抗特性,以评估其高频响应。
详细描述
通过改变频率并测量二极管在不同频率下的阻抗,可以绘制 出频率特性曲线。该曲线显示了二极管在不同频率下的导通 和截止性能。
频率特性测试
总结词
频率特性测试反映了三极管在不同频率下的性能表现。
详细描述
频率特性测试包括频率响应、增益和相位等参数的测量。这些参数的测量需要在不同频率下进行,通 常需要使用扫频仪等设备进行测试。
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图1.2.1 万用表等效电路
图1.2.1 万用表等效电路
图1.2.2 三极管的结构示意图
图1.2.2 三极管的结构示意图
2. 用万用表判别二极管
(1) 判别极性
由图 1.2.1 所示的万用表等效电路可知,当万用表的黑表笔接二极 管的正极而红表笔接二极管的负极时,二极管正向偏置,呈现低电 阻,表头指针偏转角度大,这时万用表显示的的电阻为二极管的
4. 晶体管特性图示仪的原理及其使用
晶体管特性图示仪(简称“图示仪”)是一种能对晶体管的特性参数进行 定量测试的仪器。实验室中常用的图示仪为 JT-1 型晶体管特性图示仪和 XJ 4810 型晶体管特性图示仪。这两种仪器的基本组成框图如图 1.2.3 所 示。
为了测试晶体管的性能,首先要给管子加上适当的电压。图中,“集电极
NPN 型;若两次测得的电阻一大一小,则不能进行这种判别。这时,
应将红表笔换接一个极再测试。直到两次测得的电阻都很大或很小时, 方能依照上述方法进行判断。
(2) 集电极和发射极的判别
若已经确定了管子的类型和基极 b ,则可用下面方法确定管子的集电极 c 和发射极 e: 对 NPN 型的管子,将万用表置于 R×1 K 档,两个表笔分别与除基极以外 的其它两个管脚交替相接,并用手捏住黑表笔与基极 ( 但黑表笔与基极不 能相碰 ) ,观察万用表指针的偏转情况。再将两个表笔交换,同样用手捏 住黑表笔与基极,观察指针的偏转。在两次测量中,对应于指针偏转较
扫描电压”部分就是为晶体管集电极设置电压VCE 的。而“基极阶梯信 号源”则是为晶体管基极设置电压VBE 的。如果VCE 和VBE 是一组固 定的电压,那么,就会在图示仪的屏幕上显示出被测晶体管的一条输入特 性曲线或输出特性曲线。
为了显示晶体管的一簇输入或输出特性曲线并由此测得晶体管 其它交流参数,必须使加在晶体管上的电压VCE 和 VBE 均为周 期性变化的信号。为方便起见,选用如图中所示的 50 Hz 正弦 波全波整流电压作为集电极电源 vCE ,而选用如图所示的阶梯 波恒流源作为基极电流 iB。当图示仪的“级 / 秒”开关置于 “×100 ”位置时,集电极电压 vCE 与基极电流 iB 的对应关系 如图 1.2.4 (a) 所示。 若将集电极电源加到示波管的 X 偏转板X1 和X 2 上,将晶体管 的集电极电流通过取样电阻R f 转换成电压后加到示波管的 Y 偏
实验2
二极管、三极管的测试
一、实验目的
1. 学会用万用表判别二极管、三极管。
2. 学会用晶体管特性图示仪测试二极管、三极管的特性及有
关参数。
二、实验原理
1. 万用表的等效电路
用指针式万用表测试二极管和三极管时,都是使用万用 表的电阻档。 万用表电阻档的等效电路如图 1.2.1 所示。其中,E0 为表内电源电动 势 。 当 万 用 表 置 于 R × 1 、 R × 1 0 0 、 R×1 K 各档时,E0 = 1.5 V ;置于 R×10 K 档时,E0 = 9 V。R0 为等效
(1) 管型和基极的判别
根据三极管的结构,可将它看作两个背向联结的二极管。如图 1.2.2 ( a ) 、 ( b ) 所示。
(2) 判别性能
用第(1) 步的方法对二极管的正、反向电阻分别进行测量。根据测量的正、
反向电阻值,即可大概判断出该二极管性能的优劣。对于正常的二极管, 其正向电阻约为几千欧,反向电阻为几百千欧 (一般应大于 200 千欧)。在 测试中,若发现反向电阻太小,则说明该二极管的反向漏电流大,二极 管会失去单向导电作用。若正、反向电阻均为零,说明该二极管内部短 路。若正、反向电阻均为无穷大,说明该二极管已经断路,一般二极管 的损坏多数属于这种情况。
电阻,其值随着所选档位的不同而不同,档位越高,等效电阻值越大。
一般在对二极管、三极管进行测试时,选用 R×1 K 档。这是因为该档 的E0 较低而R0 较 档,因为该档的电池电压E0 较高,容易损坏管子。特别需要 注意的是,万用表的黑表笔 (插在万用表的“-”插孔) 接的是万用表 电源的正极,为高电位端;红表笔为低电位端。
转板Y1 和Y 2 上,就会在图示仪的屏幕上显示出被测晶体管的
特性曲线,如图 1.2.4 (b)所示。当测试 NPN 型晶体管时,vE 和 iB 采用正极性 (图中标“+”) 的信号,当测试 PNP 型晶体管 时均采用负极性 (图中标“-”) 的信号。
大的一次,说明这时万用表表笔加给管子的电压使管子的发射结处于正
偏,集电极处于反偏。故此时黑表笔接的是管子的集电极 c ,红表笔接的 是发射极 e 。
对 PNP 型管子,采用上述方法测试时,应用手捏住基极和万用
表的红表笔,同时观察万用表指针的偏转情况。对应于指针偏 转较大的一次,红表笔接的是集电极 c ,黑表笔接的是发射极 e 。 在上述测量过程中,用手捏住基极和某个表笔,实际上是在该 表笔与管子的基极 b 之间接入了人体电阻,从而给管子的三个 电极之间加上了一定的电压,使两个结处于一定的偏置状态。
根据图 1.2.2 可知,当我们将万用表的红表笔接在 NPN 型晶体管的基 极 b,而用黑表笔分别去接该管的集电极 c 和发射极 e 时,两个二极 管都反偏,万用表指针偏转角度都很小。也就是说两次测得的电阻都 很大。当我们用同样的方法去测 PNP 型晶体管时,两次测得的电阻 都很小。根据上述原理,可采用如下方法判别三极管的管型(NPN 型或 PNP 型)和管子的基极:用万用表的红表笔接晶体管的某一极, 黑表笔分别去接其它两个极时,若两次测得的电阻都很小或者都很大 时,可以确定红表笔接的就是管子的基极 b ;若两次测得的电阻均很 小,则该管子为 PNP 型;若两次测得的电阻均很大,则该管子为
“正向电阻”。反之,表头指针偏转角度小,这时测得的电阻为二
极管的“反向电阻”。这样就可以根据两次测量时表头指针偏转角 度的大小即电阻值的大小判断出二极管的极性。例如:两次测量中, 指针偏转角度大 (电阻值小) 的一次,万用表黑表笔接的就是二极管 的正极,另一极则为二极管的负极。
3. 用万用表判别三极管