模拟电子技术2021学习通章节答案期末考试题库2023年
2021模电期末考试题及答案
2021模电期末考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号的调制B. 信号的解调C. 信号的放大D. 信号的滤波答案：C2. 什么是共射放大器的偏置方式？A. 自偏置B. 分压偏置C. 固定偏置D. 以上都是答案：B3. 在模拟电路设计中，反馈的作用是什么？A. 提高增益B. 降低增益C. 增加噪声D. 减少噪声答案：B4. 什么是运算放大器的开环增益？A. 运算放大器的输出电压与输入电压之比B. 运算放大器的输出电流与输入电流之比C. 运算放大器的输入阻抗D. 运算放大器的输出阻抗答案：A5. 什么是模拟信号？A. 离散的电压或电流信号B. 连续的电压或电流信号C. 数字信号D. 脉冲信号答案：B6. 在模拟电路中，什么是耦合？A. 信号的放大B. 信号的调制C. 信号的解调D. 信号的传输答案：D7. 什么是理想运算放大器？A. 增益无限大B. 输入阻抗无限大C. 输出阻抗无限小D. 以上都是答案：D8. 什么是积分器？A. 将电压信号转换为电流信号B. 将电流信号转换为电压信号C. 将电压信号转换为时间函数D. 将时间函数转换为电压信号答案：C9. 在模拟电路中，什么是失调电压？A. 运算放大器的输入电压B. 运算放大器的输出电压C. 运算放大器的输入电压不为零时的输出电压D. 运算放大器的输入电压为零时的输出电压答案：D10. 什么是差分放大器？A. 用于放大差分信号的放大器B. 用于放大共模信号的放大器C. 用于消除共模干扰的放大器D. 以上都是答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 解释什么是负反馈，并说明其在模拟电路中的作用。
答案：负反馈是一种反馈方式，其中输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端。
在模拟电路中，负反馈可以提高电路的稳定性，减少非线性失真，增加增益的线性度，以及提高输入阻抗和降低输出阻抗。
2. 描述运算放大器的非理想特性，并解释它们如何影响电路的性能。
模拟电子技术基础(山东联盟)智慧树知到答案章节测试2023年青岛科技大学
绪论单元测试1.在时间上和幅值上连续变化的信号称为信号。
A:时间B:幅值C:模拟D:数字答案:C2.数字信号在时间上和数值上均有连续性。
A:对B:错答案:B3.将模拟信号转换为数字信号称为“数-模”转换。
A:错B:对答案:A4.在电子系统中，常用的模电电路中的放大电路的作用是用于信号的额提取、变换或抗干扰。
A:错B:对答案:A5.模拟电子技术课程不具有工程性和实践性的特点，是只需要纯理论分析和计算的课程。
A:错B:对答案:A第一章测试1.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）A:错B:对答案:A2.PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A:变窄B:无法确定C:基本不变D: 变宽答案:A3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A: ISeUB:ISC:ISeU/UT -1D: ISeU/UT答案:C4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）A:对B:错答案:B5.PN结又被称为空间电荷区，耗尽层。
A:错B:对答案:B第二章测试1.射极输出器是（）组态的放大电路。
A:共源B:共基C:共集D:共射答案:C2.放大电路中的上限截止频率fH和下限截止频率fL决定于电容所在回路的时间常数τ，通频带等于（）A:fH-fLB:fLC:fHD:fL-fH答案:A3.以下基本单管放大电路中，电压放大倍数小于1的是（）A:共集电路B:共基电路C:共漏电路D:共射电路E:共源电路答案:A4.NPN型单管共射放大电路顶部出现了削波失真，该类型的失真称为（）。
A:交越失真B:饱和失真C:截止失真答案:C5.一个NPN型晶体三极管构成的单管基本放大电路，输入信号从基极输入，信号从发射极输出，则可以判断该电路的接法是（）A:共源B:共基C:共射D:共集答案:D6.以下几种接法的电路中，不具有电压放大作用的是（）。
A:共基放大电路B:共集放大电路C:共源放大电路D:共射放大电路答案:B第三章测试1.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的________。
模拟电子技术实验——轻松开启模拟电子技术之门(山东联盟)智慧树知到答案章节测试2023年青岛大学
第一章测试1.信号的三要素是幅值、周期和初相位。
A:对B:错答案:A2.以下仪器设备中，可用于提供输入信号的是A:示波器B:函数信号发生器C:DC信号源D:交流毫伏表答案:BC3.总体来说，函数信号发生器的功能有A:频率设置B:幅值设置C:波形设置D:自检设置答案:ABC4.以下是交流有效值的单位是A:VrmsB:VppC:mVppD:dBm答案:A5.通常，示波器在使用前都需要进行自检。
示波器GDS820C的自检信号波形是A:1kHz1Vpp的方波信号B:1kHz2Vpp的正弦波信号C:1kHz2Vpp的方波信号D:1kHz1Vpp的正弦波信号答案:C6.调整示波器垂直系统的POSITION旋钮时，改变的是坐标轴横轴的位置，观测的信号也会随之变化。
A:对B:错答案:B7.若要使示波器观测的波形在垂直方向上压缩显示，则需要将VOLTS/DIVA:左旋至底B:右旋至底C:调大D:调小答案:C8.调整示波器水平系统的POSITION旋钮时，可以A:改变坐标轴纵轴的位置B:改变坐标轴横轴的位置C:改变水平方向每格所代表的时间D:改变波形的完整性答案:B9.若要使示波器观测的波形稳定显示，触发电平A:位于最大值上面位于最小值下面B:位于最大值上面C:位于最大值和最小值之间答案:C10.通常，示波器屏幕上显示波形周期数A:5个B:2-3个C:1个D:越多越好答案:B11.直流稳压电源GPS-3303A的CH3为5V3A的固定输出端。
A:错B:对答案:B第二章测试1.信号放大的前提是不失真，不失真的放大，在实验中是通过调试合适的静态工作点来保证的。
A:对B:错答案:A2.基本放大电路实验中给放大电路提供输入信号的设备是A:交流毫伏表B:直流稳压电源C:DC信号源D:函数信号发生器答案:D3.在测量放大电路的输入电阻时，需要在信号源和放大电路之间串联一个电阻Rs,其数量级应与放大电路的输入电阻在同一个数量级上。
模拟电子技术基础(铜陵学院)智慧树知到课后章节答案2023年下铜陵学院
模拟电子技术基础（铜陵学院）智慧树知到课后章节答案2023年下铜陵学院绪论单元测试1.世界上第一个电子管于（）年问世。
A:1958 B:1904 C:1947 答案:19042.世界上第一只晶体管诞生于（）年。
A:1958 B:1947 C:1904 答案:19473.1958年9月12日，美国物理学家（）实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，成为世界“芯片之父”。
A:杰克·基尔比 B:巴丁 C:肖克利 D:布拉顿答案:杰克·基尔比4.在时间和数值上都具有离散性的电信号是（）。
A:交流信号 B:模拟信号 C:数字信号 D:直流信号答案:数字信号5.将模拟信号转换为数字信号称为“模－数转换”，简称（）。
A:A/D B:A/AC:D/D D:D/A 答案:A/D6.“数－模转换器”简称D/A转换器，它可将（）。
A:数字信号转换为模拟信号 B:直流信号转换为交流信号 C:模拟信号转换为数字信号 D:交流信号转换为直流信号答案:数字信号转换为模拟信号7.（）电路可以实现信号的预处理。
A:隔离 B:放大 C:滤波 D:功率放大答案:隔离;放大;滤波8.完成一个或多个信号求和、乘除、微分、积分等数学运算的电路称为（）。
A:转换电路 B:滤波电路 C:运算电路 D:放大电路答案:运算电路9.电子信息系统主要由（）4个部分组成。
A:信号的预处理 B:信号的提取 C:信号的驱动与执行 D:信号的加工答案:信号的预处理;信号的提取;信号的驱动与执行;信号的加工10.模拟电子技术课程强调定性分析，定量分析往往通过“估算”，抓住主要矛盾和矛盾的主要方面，忽略次要矛盾以及矛盾的次要方面。
（）A:错 B:对答案:对第一章测试1.在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。
A:二价 B:四价 C:五价 D:三价答案:五价2.采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界处就形成了（）。
模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。
当R从10kΩ减小至5kΩ时，I将____。
【图片】参考答案:变化不大2.随着温度的升高，在杂质半导体中，多数载流子的浓度____。
参考答案:变化较小3.随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____。
参考答案:明显增大4.某硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。
当UD增加10％（即增大到0.66V）时，则ID约为____。
参考答案:100mA5.当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
参考答案:小于6.当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
参考答案:大于7.PN结加正向电压时，空间电荷区将。
参考答案:变窄8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____。
参考答案:杂质浓度9.稳压管的稳压区是其工作在。
参考答案:反向击穿10.硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。
参考答案:大于10％11.电路如图所示，ui=0.1sinωt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻rd将____。
【图片】参考答案:减小12.在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，UD=0.7V。
当V调到6V，则I将为____。
【图片】参考答案:大于2mA13.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
参考答案:ISe(U/UT-1)14.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。
当V增加到20V时，I将____。
【图片】参考答案:变化不大15.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A,B两端的电压Uab应为。
【图片】参考答案:－6V16.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
参考答案:增大17.P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
参考答案:三价元素，如硼等18.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术知到章节答案智慧树2023年吉林农业大学
模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新吉林农业大学第一章测试1.PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
参考答案:错2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
参考答案:错3.在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P 型半导体。
参考答案:对4.U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
参考答案:错5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将参考答案:增大6.稳压管的稳压区是其工作在参考答案:反向击穿7.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为参考答案:前者正偏、后者反偏第二章测试1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
参考答案:错2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
参考答案:对3.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
参考答案:错4.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。
参考答案:错5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
参考答案:对6.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
参考答案:错7.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
图1（1）该电路的最大不失真输出电压有效值U om≈参考答案:2V8.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小R W，则输出电压的幅值将参考答案:增大9.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内在＝1mV时，将R W调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将参考答案:底部失真10.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
模拟电子技术试题库与答案
模拟电子技术试题库与答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
A、三价；B、六价。
C、四价；D、五价；正确答案：A2.集成运放工作在非线性应用电路时，（）的概念不再适用。
A、基准B、虚短C、虚断D、虚地正确答案：B3.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、仍为正弦波。
B、等腰三角波；C、矩形方波；D、正弦半波；正确答案：D4.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。
A、正确;B、错误正确答案：A5.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（）A、错B、对:正确答案：A6.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。
正确答案：B7.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
正确答案：A8.场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。
A、多子B、自由电子载流子C、少子D、空穴载流子正确答案：A9.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：B10.绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A、为零;B、较小;C、无法判断。
D、较大;正确答案：A11.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
()A、正确;B、错误正确答案：B12.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。
A、四价B、三价C、五价正确答案：B13.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。
A、虚短和虚地B、虚断和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D14.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。