第六章 程序升温分析技术(上)

向扩散；
或吸附剂具有双孔分布也都能引起多脱附峰的出现；。
不同的TPD峰彼此相互分离，则可把每个峰看成是具有等同能量的各个 表面中心所显示的TPD峰，中心的各种参数：Ed（或△Ha ），v，n等。

1.2.1 多吸附中心模型

ra为吸附速率。各中心的脱附速率方程为：
d1 n ka (1 1 ) n cG kd 11 dt
d1 X dt
2
d 2 ) dt
TPD过程的边界条件为： t=0, T=T0 0 若 θ < X ，即 θ = θ 和 θ 1=0

0
0
1
2
0
T
2
பைடு நூலகம்
X2
若 θ 1 > X2 ，即 θ
0
0
2
=1 和
θ 0T - X2 θ 1= X1
0
1.2.1 多吸附中心模型
不能通过独立的模拟每种中心的TPD规律来描述多中心TPD

吸附剂（含催化剂）表面不均匀主要表现在表面中心的能量有一定的分 布，即表面中心的能量是不均一的，各部位的能量不同。
不同能量中心在表面的分布情况很复杂，比较简单的情况比如表面上只 有两种不同的中心，两种中心的能量强度相差悬殊，这时在TPD图上显 示的是彼此分离的两个峰。

1.2.3 脱附活化能分布与TPD曲线的关系
n 1
（1-7） （1-8）
n=1时，
Tm和Fc有关时，TPD过程伴随着在吸附，如果加大Fc使Tm和Fc无关， 即得式(1-7)、(1-8)。这时，TPD变成单纯的脱附过程。 通过改变Fc可以判断TPD过程有无再吸附发生以及消除再吸附现象的发生。 对于脱附动力学是一级(n=1)的,TPD谱图呈现不对称图形， 脱附动力学是二级（n=2）的，TPD谱图呈现对称形，因此可以从图形的 对称与否，判定n的值。
Tm为TPD谱图高峰出的相应温度；△Ha为吸附热焓 （ △Ha=Qa及吸附热）；Vs为吸附剂体积；Vm为单层饱和吸附体 积；Fc为载气流速。
1.1 均匀表面的TPD理论
没有再吸附发生的情况下，TPD方程为：
Ed m Ed ( nv ) exp( ) 2 2 RTm RTm
Ed 1 Ed 2 lg Tm lg lg 2.303 R Tm vR
第六章 程序升温分析技术（上）
分子在催化剂表面发生催化反应要经历很多步骤，其中最 主要的是吸附和表面反应两个步骤，因此要阐明一种催化过程 中催化剂的作用本质及反应分子与其作用的机理，必须对下列 性能进行深入研究。
催化剂的吸附性能：
吸附中心的结构、
能量状态分布、 吸附分子在吸附中心上的吸附态等.
1.3 发生层次扩散的TPD过程
所谓次层扩散是指升温过程中分子从表面到下一层的扩散，
对负载型金属催化剂，金属组分高度分散在载体到下一层金
属原子上。
为次层部位占 rp为次层扩散速率；rD为次层逆扩散速率； 有率；kp为次层扩散速率常数；kD为次层逆扩散速率常数。
1.3 发生层次扩散的TPD过程

dθ = nka (1 - θ ) n cG - nkdθ n - kpθ (1 - ξ ) + kD(1 - θ )ξ dT
（1-18） 右边前两项分别表示吸附速率和脱附速率，等于净脱附速 率，第3、4项分别表示脱附分子从表面渗透进次层的速率和从 次层扩散回表面的速率。 气相中分子的浓度为
NS (kdθ n ) FC cG = NS 1+ [ka(1 - θ ) n ] FC
N = -β dθ dT
-β
令 则

ln N = n ln θ + ln v(θ ) -
Ed(θ ) RT
N和TPD曲线高度成正比，θ 同TPD曲线面积A成正比，见图 5a。 则lnN∝lnh， ln θ ∝lnA， 式（1-17）表明，脱附速率和覆盖度有关。
1.2.3 脱附活化能分布与TPD曲线的关系
1.1 均匀表面的TPD理论
Amenomiya进一步推导出实用的TPD方程
VSVM (1 m ) n 1 Ha Ha exp( ) n 1 2 2 FCv n m RTm RTm
VSVMHa (1 m ) n 1 Ha 1 2 lg Tm lg lg n 1 2.303R Tm FCRvn m
吸附剂(或催化剂)在很多情况下其表面能量分布是不均匀的，或者说其表
面存在性质不同的吸附中心或活性中心。
研究吸附剂或催化剂的表面性质是催化理论研究重要课题。 出现两个或多个更多的峰（分离烽或重叠峰），一般来说这正是表面不均
匀的标志；
存在吸附分子之间发生横向作用或吸附分子在表面和次层之间发生正逆方



各种催化效应一协同靛应、溢流效应、台金化效应助催化效应、载体效 应等。
催化剂失活和再生。

TPAT具体有以下技术
程序升温脱附(TPD)、程序升温还原(TPR ) 程序升温氧化(TPO)、程序升温硫化(TPS)、 程序升温表面反应(TPSR)等。
TPD过程中，可能有以下现象发生：

分子从表面脱附，从气相再吸附到表面； 分子从表面扩散到次层（subsurface），从次层扩 散到表面； 分子在内孔的扩散。
第六章 程序升温分析技术（上）
催化性能：
催化剂活性中心的性质--结构--反应分子在其上的反应历程
TPAT在研究催化剂表面上分子在升温时的脱附行为和各种反应行为的过程 中，可以获得以下重要信息： 表面吸附中心的类型、密度和能量分布；吸附分子和吸附中心的键合能 和键合态。 催化剂活性中心的类型、密度和能量分布；反应分子的动力学行为和反 应机理。 活性组分和载体、活性组分和活性组分、活性组分和助催化剂、助催化 剂和载体之间的相互作用。 各种催化效应-协同效应、溢流效应、合金化效应、助催化剂效应、载体 效应等。
1.2.3 脱附活化能分布与TPD曲线的关系




图7中曲线1呈现不对称峰形，是n＝1是均匀表面的特征峰形； 曲线2表明Ed随呈线性变化； 曲线3， θ ＝0～0.8时，Ed和θ 无关，θ ＝0.8～1.0时，Ed随θ 的 增加而减少； θ ＝0～0.2时，Ed随 θ 的增加而减少， θ ＝ 曲线4和曲线3相反， 0.8～1.0时，Ec和 θ 无关； 曲线5、曲线6和曲线3、曲线4相似，不同的是Ed随 θ 的变化是连 续的； 曲线7、8和图6中的曲线7、曲线8相对应，即对曲线7而言，在 θ 大时，和图6中的曲线3相似，小 θ 时，和图7中的曲线4相似； 曲线8的前半部分和图6的曲线4对应，后半部分和图6的曲线6相 对应。
1. TPD理论

程序升温分析技术（TPAT）在研究催化剂表面上分子在升温时的 脱附行为和各种反应行为的过程中，可以获得以下重要信息： 表面吸附中心的类型、密度和能量分布；吸附分子和吸附中心的键合能 和键台态。 催化荆活性中心的类型、密度和能量分布；反应分子的动力学行为和反 应机理。 活性组份和载体、活性组份和活性组份、活性组份和助催化剂、助催化 剂和载体之间的相互作用。

1.2.1 多吸附中心模型
图2是基于假定两种不同中心的数目相等．起始覆盖度不同时模拟计算 的TPD图谱，(载气流速为100cm3／min(ST-P)，升温速率为1 K／s. 说明： 当≤0．5时，只有一个TPD峰，它相 应于从吸附能量高的中心(中心2)脱附出 来的分子的脱附曲线； 当>0 5时，在弱吸附中心上的分子也 开始脱附，这时，TPD曲线出现两个峰。
d 2 ka (1 2 ) n cG kd2 2 n dt
1.2.1 多吸附中心模型
cG NS d1 (X1 X FC dt
2
d 2 ) dt

从反应床上的物料平衡来看，气相中 的分子浓度为：
rd ' ( X 1

Ns为吸附中心总数；X1、X2分别表 示中心1和2所占的分数，可以导出 净脱附速率：
（1-19）
1.3 发生层次扩散的TPD过程

次层上的物料衡算式为
dξ 1 = [kpθ (1 - ξ ) - kD(1 - θ )ξ ] dt M
（1-20） NB M = 式中，M表示次层的部位数目与表面部位数目之比（ ）。 NS 式（1-18）、（1-20）的边界条件是
t = 0, T = T 0, θ = θ 0, ξ = 0



图10 显示了载气流速对存在次层扩散时的TPD曲线的影响，随着载气流 速的增大扩散峰变小，这和存在两个吸附中心的情况不同。

图11显示了升温速度对存在次层扩散时的TPD曲线的影响．随着升温速 度的增大扩散峰变小，而存在两个吸附中心时两个峰都不变化。
2. TPR的理论

TPR是一种等速升温条件下的还原过程， 和TPD类似，在升温过程中如果试样发生还原、气相中的氢气浓 度将随温度的变化而变化， 把这种变化过程记录下来就得到氢气浓度随温度变化的TPR图。 一种纯的金属氧化物具有特定的还原温度，所以可以用还原温度 作为氧化物的定性指标。 当两种氧化物混合在一起并在TPR过程中彼此不发生化学作用， 则每一种氧化物仍保持自身的特征还原温度不变，这种特征还原 温度和TPD一样也用Tm表示。 各种金属催化剂多半做成负载型金属催化剂，制备时把金属的 盐类做成溶液后浸到载体上，干燥后加热使盐类分解成相应的 氧化物， 在这个过程中氧化物可能和载体发生化学作用，所以其TPR峰 将不同于纯氧化物。 金属催化剂也可能是双组分或多组分金属组成， 各金属氧化物之间可能发生作用，所以双金属或多金属催化剂 的TPR图也不同于单个金属氧化物的TPR图。
不发生再吸附时，n=1时，用1-8式
1.1.1 脱附动力学参数的测定