深圳市晶导电子有限公司
符号
VDS R DSON VGS（TH）
gFS I DSS I GSS
td (off)
输入电容
C iSS
a：脉冲测试：tP ≤ 300us, δ ≤ 2%
符号
ID VGS I AR RθJC Ptot Tjm Tstg
测试条件
VGS=0V，ID=250uA VGS=10V，ID=2.5A VDS=VGS，ID=250uA VDS=50V，ID=2.5A VDS=600V，VGS=0V
封装形式： TO-220F ( 单位：mm，无其他特别说明公差 ±0.1mm)
×
CM4N60F
Jingdao Electronic Corporation V01 3/3
* 主要特点：
◆ 通态电阻小 , 输入电容小 ◆ 开关速度快 ◆100% 雪崩能量测试
*注意：
◆ 防静电
极限值：( Tc=25 ℃ )
参数
连续漏极电流 栅源电压 雪崩电流 热阻（结到壳） 耗散功率
名称
结温 贮存温度
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称
漏源反向电压 通态电阻 阈值电压 跨导 漏源漏电流 栅源漏电流
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TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515
CM4N60F N 沟道 VDMOS
* 主要用途 ：
◆ 主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路
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CM4N60F
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600
V
2.2
Ω
2
4
V
2.5
S
25
uA
±100
nA
44
nS
660
pF
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封装形式： TO-220F ( 单位：mm，无其他特别说明公差 ±0.1mm)
VGS= ±30V VDD=300V，ID=4.0A RG=12Ω,VGS=10V VGS=0V，VDS=25V
f=1.0MHZ
G. 栅极 D. 漏极 S. 源极
额定值
4.0 ±30 4.0 1.25 36 150 － 55 ～ 150
单位
A V A ℃ /W
JD9504
www.jdsemi
3.3 引脚说明
引脚
符号
1
GND
2
VOL
3
NC
4
VDD
5 Drain
6
7 CS
8
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ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
地 开路电压保护，接电阻到地 空脚 IC 供电端
功能
内部高压功率 MOSFET 开关管漏极
电流采样端
4. 功能框图
外型 SOP7
SOP7
SOP7
DIP7
3.2 管脚排列
CS CS D D
CS CS D D
GND VOL NC VDD
SOP7
GND VOL NC VDD
DIP7
地址：深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话：0755-29799516
第 1 页 2014 版
传真：0755-29799516
tOFF_MIN tOFF_MAX tON_MAX
VOL
4.5 250 45 0.5
TSD TSD_HYS
150 25
BVDSS
VGS=0V、IDS=250µA
500
IDSS
VGS=0V、VDS=500V
25
JD9504S8
18
JD9504SA
14
RDSON
JD9504SB
9
JD9504DB
9
单位
V V V µA µA
2. 特点
◇ 单电感非隔离降压结构 ◇ 超低工作电流 ◇ 宽电压输入 ◇ 内部集成 500V 高压功率 MOSFET ◇ ±5%LED 输出电流精度 ◇ LED 开路/短路保护 ◇ CS 端短路保护 ◇ 过温保护功能
高压管BU3150
电特性： ℃ ( Tc=25)深圳市晶导电子有限公司参数名称符号测试条件规范值单位最小值最大值集电极－发射极击穿电压BVCEO ；I =1mA I =0C B 800V 集电极－基极击穿电压BV CBO ；I =1mA I =0C E 1100V 发射极－基极击穿电压BV EBO ；I =1mA I =0E C 9V 集电极－发射极反向漏电流I CEO；V =700V I =0CE B 20uA 集电极－基极反向漏电流ICBO ；V =1000V I =0CB E 10uA 发射极－基极反向漏电流IEBO ；V =7V I =0EB C 10uA共发射极直流电流增益HFE； V =5V I =0.2ACE C1540集电极－发射极饱和压降V (sat)CE； I =1A I =0.5AC B0.6V 下降时间tf ；；I =1A I =I =0.2A V =300VC B1 B2 CE 0.5uS 特征频率f T；；V =10V I =0.1A f =1MHzCE C4MHz深圳市晶导电子有限公司静态输出特性0.40.81.21.62246810Ib=020mA40mA60mA 80mA100mA（）集电极电流I c A （）集电极－发射极电压Vce V 210.10.0111020503040直流电流增益－集电极电流HFE Ic 直流电流增益H F E （）集电极电流Ic A 00.1Vce=5V0.1123Ic=2Ib（）集电极电流Ic A （）（）集电极－发射极饱和压降V c e s a t V 耗散功率－结温Pc Tj （）集电极发射极饱和压降－集电极电流Vce sat -Ic 12510075502504080120160200（％）耗散功率P c W （℃）结温Tj 11010010000.010.1110（）集电极电流I c A （）集电极－发射极电压Vce V （）安全工作区SOA DC 33120.01－外形尺寸图TO 220A单位：mm Array深圳市晶导电子有限公司。
BU102S资料
额定值
≥ 400 ≥ 700
≥9 1 13
150 － 55 ～ 150
单位
V V V A W ℃ ℃
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称 符号
集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 集电极－发射极反向漏电流 集电极－基极反向漏电流 发射极－基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
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BU102S
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BU102S NPN 功率三极管
* 主要用途 ：
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
SOA（DC）安全工作区 5
1 0.5
Pc （W ）耗散功率
HFE 直流电流增益
HFE 直流电流增益－ Ic 集电极电流 50
40
30
Vce=5V
20
10
1
0.001
0.01
0.1
1
Ic（A）集电极电流
Pc 耗散功率－ Tj 结温 25 20 15 10 5
0
40
80
120
160 200
Tj（℃）结温
* 主要特点：
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
极限值：( Tc=25 ℃ )
参 数 名称
集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度
J13003
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Ic （A ）集电极电流
Vce（sat ）（V ）集电极－发射极饱和压降
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静态输出特性 0.5
50mA 0.4
40mA
0.3
30mA
0.2
20mA
10mA 0.1
Ib=0
0
2
4
6
8
10
Vce（V）集电极－发射极电压
Vce（sat）集电极 - 发射极饱和压降－ Ic 集电极电流 3
2 Ic=2Ib
1
0.1
0 0.2 0.4
0.6
0.8
IC=0
VCE=5V；
IC=0.2A
VCE=5V；
IC=1mA
IC=0.5A； IB=0.2A
IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=300V
VCE=10V；IC=0.1A；f =1MHz
规范值
最小值 最大值
400
700
9
20
10
10
15
35
8
0.6
0.3
8
单位
V V V uA uA uA
V uS MHz
25mA 0.4
20mA
0.3
15mA
0.2
10mA
5mA 0.1
Ib=0
0
2
4
68Leabharlann 10Vce（V）集电极－发射极电压
Vce（sat）集电极 - 发射极饱和压降－ Ic 集电极电流 3
深圳市晶泰达电子有限公司介绍企业发展分析报告
Enterprise Development专业品质权威Analysis Report企业发展分析报告深圳市晶泰达电子有限公司免责声明:本报告通过对该企业公开数据进行分析生成，并不完全代表我方对该企业的意见，如有错误请及时联系;本报告出于对企业发展研究目的产生，仅供参考，在任何情况下，使用本报告所引起的一切后果，我方不承担任何责任:本报告不得用于一切商业用途，如需引用或合作，请与我方联系:深圳市晶泰达电子有限公司1企业发展分析结果1.1 企业发展指数得分企业发展指数得分深圳市晶泰达电子有限公司综合得分说明：企业发展指数根据企业规模、企业创新、企业风险、企业活力四个维度对企业发展情况进行评价。
该企业的综合评价得分需要您得到该公司授权后，我们将协助您分析给出。
1.2 企业画像类别内容行业批发业-机械设备、五金产品及电子产品批发资质一般纳税人产品服务是：半导体电子元器件、集成电路的销售；国1.3 发展历程2工商2.1工商信息2.2工商变更2.3股东结构2.4主要人员2.5分支机构2.6对外投资2.7企业年报2.8股权出质2.9动产抵押2.10司法协助2.11清算2.12注销3投融资3.1融资历史3.2投资事件3.3核心团队3.4企业业务4企业信用4.1企业信用4.2行政许可-工商局4.3行政处罚-信用中国4.4行政处罚-工商局4.5税务评级4.6税务处罚4.7经营异常4.8经营异常-工商局4.9采购不良行为4.10产品抽查4.11产品抽查-工商局4.12欠税公告4.13环保处罚4.14被执行人5司法文书5.1法律诉讼（当事人）5.2法律诉讼（相关人）5.3开庭公告5.4被执行人5.5法院公告5.6破产暂无破产数据6企业资质6.1资质许可6.2人员资质6.3产品许可6.4特殊许可7知识产权7.1商标7.2专利7.3软件著作权7.4作品著作权7.5网站备案7.6应用APP7.7微信公众号8招标中标8.1政府招标8.2政府中标8.3央企招标8.4央企中标9标准9.1国家标准9.2行业标准9.3团体标准9.4地方标准10成果奖励10.1国家奖励10.2省部奖励10.3社会奖励10.4科技成果11土地11.1大块土地出让11.2出让公告11.3土地抵押11.4地块公示11.5大企业购地11.6土地出租11.7土地结果11.8土地转让12基金12.1国家自然基金12.2国家自然基金成果12.3国家社科基金13招聘13.1招聘信息感谢阅读:感谢您耐心地阅读这份企业调查分析报告。
12F020 快速恢复外延二极管
VF
Trr
Trr Qrr IRRM Rθjc Tj,Tstg
测试条件
Tc=125 ℃ , 占空比 =0.5 方波 , 占空比 =0.5 Tj=45 ℃ ,8.3ms VR=200V,Tj=25 ℃ VR=200V,Tj=125 ℃
最小值 标准值 最大值
200 200 6×2 9×2 60
10 200
A1. 阳极 K. 阴极 A2. 阳极
* 电特性 ：
参数 D.C. 反向电压 最大反向重复峰值电压 平均正向电流 RMS 正向电流 正向不重复饱和电流 反向最大漏电流
正向压降
反向恢复时间 反向恢复时间 反向恢复电荷 反向恢复电流 热阻 - 结到壳 工作与贮存温度
符号 VR VRRM IF(AV) IF(RMS) IFSM
-55
+150 ℃
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单位
V V A A A μA μA
IF=6A,Tj=25 ℃ IF=6A,Tj=150 ℃
0.95 0.86
1.1
V
IF=1A,dIF/dt=-200A/us VR=30V,Tj=25 ℃
20
ns
IF=6A,dIF/dt=-200A/us VR=100V,Tj=100 ℃
35ns140来自nC5A
4.0 ℃ /W
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广东深圳规模电子企业名录
公司名经营模式深圳市宝安区沙井镇荣兴电子经营部生产加工深圳市恒成微电子有限公司生产加工深圳市东海旭日电子有限公司生产加工深圳市强元芯电子有限公司生产加工深圳市福田区新亚洲电子市场信宝伏安电子商行生产加工深圳市力多盛电子科技有限公司生产加工深圳市川亚变压器制造有限公司生产加工邱平华生产加工洪珍珍生产加工吴优斌生产加工明宇达智能设备（深圳）有限公司生产加工深圳市星驰科技开发有限公司电子事业部生产加工深圳市安杰利自控科技有限公司生产加工深圳利达电子科技有限公司生产加工深圳市蓝润科技有限公司生产加工恒讯捷（香港）有限公司生产加工高科特半导体有限公司销售部生产加工深圳市华之海电子实业有限公司业务部生产加工无锡东海旭日电子实业有限公司（业务部）生产加工所属行业主营行业可控硅(晶闸管) 整流器件 场效高反压三极管 可控硅(晶闸管) 整流器件 场效场效应管可控硅(晶闸管) 场效应管稳压二极管可控硅(晶闸管)整流二极管可控硅(晶闸管) 场效应管场效应管可控硅(晶闸管)三极管可控硅(晶闸管)节电设备可控硅(晶闸管) 变频器PLC可控硅(晶闸管)可控硅(晶闸管)可控硅(晶闸管)发光二极管可控硅(晶闸管)综合性公司可控硅(晶闸管)可控硅(晶闸管)可控硅(晶闸管) 场效应管肖特基二极管可控硅(晶闸管) 场效应管发光二极管可控硅(晶闸管) 整流器件整流二极管可控硅(晶闸管) 场效应管场效应管可控硅(晶闸管)综合性公司可控硅(晶闸管)开关二极管可控硅(晶闸管) 场效应管肖特基二极管主营产品或服务经营品牌霍尔元件;水泥电阻;三端稳压;整荣兴三极管;集成电路;场效应SI场效应MOS管 三极管 可控硅 三电子元器件;整流桥;模块;二三极SUN整流桥;场效应管;电位器;集成电开关三极管;单双向可控硅;快恢SYSEMI、UPD、ST、IXYS、UPS变压器;EPS变压器;变频电源川亚变频器;人机介面;PLC;伺服系统;可控硅;光电产品;大功率;点胶机;集成电智能照明控制系统 LED灯具 电明宇达可控硅 功率半导体元器件 照韩国D&I品牌MSOFET场效应管AngelAuto 安杰利科技集成电路IC;二三极管;可控硅;整通信IC 三端稳压 二极管 三开关电源 集成电路 场效应管恒讯捷双向可控硅 单向可控硅二三极管 IC 贴片二极管 三极管 可控硅 稳压主要客户法定代表人电子厂等刘国斌电子厂余向谦电器工厂陈伟电子 电工 机电 业董晶晶电子工厂，企业，科研单位，维刘斌制造工厂曾志新电源，机械唐上杰电器数码厂/遥控器厂/邦定厂/玩具厂吴优斌系统集成商、弱电总包、照明公吴生工业控制产品厂家、通讯设备制陈孝安工厂、公司、电子市场林崇文电子厂翁策高电话移动电话样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式样本，无联系方式传真公司简介样本，无联系方式深圳荣兴电子是一家集生产,经样本，无联系方式深圳市恒成微电子有限公司是一样本，无联系方式东海公司为生产与代理贸易合营样本，无联系方式深圳市强元芯电子有限公司，系样本，无联系方式深圳市信宝伏安电子是专业从事样本，无联系方式样本，无联系方式深圳市川亚变压器制造有限公司样本，无联系方式深圳华辉五金机电有限公司 专业样本，无联系方式深圳市芯诚半导体有限公司是一样本，无联系方式深圳斌辉电子科技有限公司是集样本，无联系方式明宇达智能设备（深圳）有限公样本，无联系方式深圳市星驰科技开发有限公司是样本，无联系方式样本，无联系方式深圳市利达电子科技有限公司 专样本，无联系方式深圳市蓝润科技有限公司是一家样本，无联系方式恒讯捷（香港）有限公司是开关样本，无联系方式深圳高科特半导体有限公司在全样本，无联系方式深圳市华之海电子实业有限公司样本，无联系方式无锡东海旭日电子实业有限公司省份城市广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳广东深圳地址邮编518105518000518000518003518031518109518112中国 广东 深圳市宝安区 暂未填518000中国 广东 深圳市 宝安44区翻身中国 广东 深圳市宝安区 龙樟路518033中国 广东 深圳市福田区 深圳市中国 广东 深圳市宝安区 深圳市518000中国 广东 深圳市福田区 深圳市中国 广东 深圳市福田区 福田区公司主页企业类型个体经营有限责任公司有限责任公司有限责任公司个体经营有限责任公司.alibaba.私营独资企业私营股份有限公司.ali其他其他私营有限责任公司私营有限责任公司私营独资企业私营独资企业其他私营独资企业有限责任公司注册资本员工人数无需验资11 - 50 人人民币 11 - 50 人人民币人民币 51 - 100 人无需验资 5 - 10 人人民币 101 - 200 人无需验资人民币 51 - 100 人无需验资人民币500万51 - 100 人人民币50万51 - 100 人人民币 51 - 100 人无需验资无需验资101 - 200 人人民币100万11 - 50 人无需验资无需验资公司成立时间年营业额2003 年人民币 100 万元/年 - 200 万元2006 年人民币 1000 万元/年 - 2000 万2006 年2008 年人民币 1000 万元/年 - 2000 万2008 年2009 年人民币 500 万元/年 - 700 万元2008 年2006 年2007人民币 1000 万元/年 - 2000 万20052006 年人民币 300 万元/年 - 500 万元20062005人民币 700 万元/年 - 1000 万2006人民币 10 万元/年 - 30 万元/ 1996经营地点主要市场港深圳市宝安区沙井电子城大陆深圳市福田区福华路广业大厦412大陆深圳市福田区中航路鼎诚国际大陆深圳市国利大厦1019/新亚洲大陆港港深圳大陆深圳市龙华大浪街道华宁路西恒大陆深圳市宝安沙井永一国际商务大深圳宝安大陆深圳市宝安龙华大浪赖屋山新村大陆深圳市宝安区观澜街道桂花新村大陆;港澳台地区;华南地区港广州市,深圳市大陆深圳市宝安区深圳市宝安区民治大道民泰大厦大陆;宝安区45区大陆;深圳市福田区华强北路现代之窗B深圳开户银行银行帐号交行601428 2631 5382009中国工商银行深圳龙华支行深圳农村商业银行92533160中国银行深圳赛格广场支行 6.01382E+18是否提供OEM代加工质量控制内部内部内部第三方第三方第三方内部内部内部内部第三方年进口额年出口额人民币 30 万元 - 50 万元人民币 50 万元 - 100 万元人民币 1000 万元 - 2000 万元人民币 200 万元 - 300 万元人民币 500 万元 - 700 万元人民币 700 万元 - 1000 万元人民币 30 万元 - 50 万元人民币 200 万元 - 300 万元人民币 50 万元 - 100 万元人民币 100 万元 - 200 万元厂房面积月产量3000 平方米1500 平方米5000000 20000 平方米KK2000 平方米1200 30003000 套2000 平方米10000 台。
入职简历表(格式)
本人 QQ ：
身份证地址
现居住地址
紧急联络人姓名：
紧急联络人电话：
本公司介绍人姓名：
介绍人电话：
机教 构育
教育学校 /培训机构
起止时间 —
专业
学历 /职称
（ 以下红色字体如实填写）
小 一 寸 照 片
与联络人关系：
与介绍人的关系：
证明人
联系电话
工
公司名称
作
经
历
直
姓名
关系
系
亲
属
到职时间 入职需要特别说明的事项：
身份证复印件
1张
本人银行卡复印件 1 张
录本人考勤指纹
2个
审核
试用期
3天
转正时间
3 个月
辞工时间
3 个月
合同期
1年
不满 15 天 不满 30 天 不满 3 个月 技术学徒不满 6 个月
离职 不付工资
基本工资结 50%，不计算补贴赔偿 基本工资及加班，不计算补贴赔偿
扣培训费，不计算补贴赔偿
姓名：
性别：
面试考题
填写日期：
考试时间： 30 分钟 总得分：
一、请你介绍一下你自己？（ 30 分） 答：
二、说说你的缺点？说说你的优点？（ 10 分） 答：
三、谈谈你的家庭情况？（ 10 分） 答：
四、你对薪资的பைடு நூலகம்求？（ 20 分） 答：
五、你的短期目标是什么？你的人生终极目标又是什么？（ 10 分）
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SHENZHENSHIJUBAITECHNOLOGYCO.,LTD
工简历表
姓名
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深圳LED、电源厂家名录
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深圳晶泰科技有限公司微晶电子衍射数据质量提高方法说明书
(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202211692618.X(22)申请日 2022.12.28(71)申请人 深圳晶泰科技有限公司地址 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区红柳道2号289数字半岛3层整层(72)发明人 李子依 王彤彤 刘雪涛 刘翔 (74)专利代理机构 北京汇鑫君达知识产权代理有限公司 11769专利代理师 刘志红(51)Int.Cl.G01N 23/20058(2018.01)(54)发明名称一种提高微晶电子衍射数据质量的方法(57)摘要本申请提供一种提高微晶电子衍射数据质量的方法，包括：当确认未能解析出目标样品的结构时，获取目标样品的衍射数据的最高分辨率和/或目标样品的耐受度；当目标样品的衍射数据的最高分辨率和/或目标样品的耐受度满足预设条件时，对目标样品进行处理，得到处理后的目标样品；采用微晶电子衍射方法解析所述处理后的目标样品的结构；其中，所述当所述目标样品满足预设条件时，对目标样品进行处理，包括：当目标样品的衍射数据的最高分辨率大于预设分辨率时，采用以下至少一种方法提高目标样品的衍射数据的分辨率：溶剂包裹法、聚焦离子束法、样品优化法；和/或，当目标样品的耐受度小于等于预设耐受度时，采用镀膜法提高目标样品的耐受度。
权利要求书2页 说明书11页 附图2页CN 115931935 A 2023.04.07C N 115931935A1.一种提高微晶电子衍射数据质量的方法，其特征在于，包括：当确认未能解析出目标样品的结构时，获取所述目标样品的衍射数据的最高分辨率和/或所述目标样品的耐受度；当所述目标样品的衍射数据的最高分辨率和/或所述目标样品的耐受度满足预设条件时，对所述目标样品进行处理，得到处理后的目标样品；采用微晶电子衍射方法解析所述处理后的目标样品的结构；其中，所述当所述目标样品满足预设条件时，对所述目标样品进行处理，包括：当所述目标样品的衍射数据的最高分辨率大于预设分辨率时，采用以下至少一种方法提高所述目标样品的衍射数据的分辨率：溶剂包裹法、聚焦离子束法、样品优化法；和/或，当所述目标样品的耐受度小于等于预设耐受度时，采用镀膜法提高所述目标样品的耐受度。