一种低功耗高稳定性晶体振荡器芯片的设计

1 引言
在现代电子电路系统中, 石英晶体振荡器具有 高的品质因 素, 能 精确 的定义 谐振 频率 ( resonant frequency ) , 提 供 系 统 标 准 参 考 源 ( ref erence source) , 因而扮演了极其重要的角色[ 1] . 晶体振荡 器常常作为系统时钟, 低功耗、高稳定性成为设计时 要考虑的重点因素.
XT AL 和 XT ALN 端的信号 均为非标 准的正 弦信号, 特别是 XT AL N 的振幅范围有可能超过电 源电压的范围, 因此, 在振荡器输出端设计了图 4 所 示的反相器缓冲电路, 对振荡器输出信号进行差分 放大整形. 同时, 利用 XT AL 和 XT AL N 的相位差 为 180! 的 特 性, 保 证 整 形 输 出 的 方 波 占 空 比 为 50% .
图 4 振荡器输出缓冲电路
图 4 中 CB 和 C 为互补使能控制信号. 当 CB 为 低时, C 为高, M 23 和 M24 均截止, 差分电路的偏置 电流被关断, 输出为低功耗模式的高阻态; 当 CB 为 高时, C 为低, 则 M23 和 M24 快速导通, 为放大器
第12 期
陈红梅, 等: 一种低功耗高 稳定性晶体振荡器芯片的设计
107
电路提供偏置电流, 此时, XT AL 和 XT AL N 信号 进行差分放大比较. 当 XT AL 比 XT AL N 高时, 差 分输出节点 A 和 B 的电位均为高, M13 截止, M 14 导通, 节点 P 输出为低, 则缓冲后输出信号 DIV 为 低; 当 XT A L 比 XT AL N 低时, 差分输出节点 A 和 B 的电位均为低, M I13 导通, M I22 截止, 节点 P 输 出为高, 缓冲后输出信号 DIV 为高. 如此循环进行, 输出方波信号 DIV. 由于 XT AL 和 XT AL N 为相位 差为 180!, 可 以 保 证 输 出 的 方 波 信 号 占 空 比 为 50% . 3. 3 使能控制电路
图 3 低功耗振荡器电路结构
作为放大器有源负载, M 2 则作为限流电阻, 限制了 振荡电路的电 流以防止晶振因驱动能 量过大而振 坏, 同时也减少了电流损耗; 在使能关断时, M 1 和 M 2 均截止, 关断 振荡器电 路, 电 路进入低 功耗模 式, 此时只有很小的漏电流[ 3] .
关于 C1 和 C2 的取值, 从功耗的角度, C1 和 C2 应当取小一点, 因为这样 MOS 管的工作电流可以比 较小, 但从频率稳定性 和电路抗干扰 特性来说, C1 和 C2 的取值不能太小[ 4 5] . 因此, C1 和 C2 的取值需 要在功耗和频率稳定度之 间进行折中. 本 设计中, C1 和 C2 的取值分别为 8 pF 和 10 pF. 3. 2 振荡器输出缓冲电路
输出控制信号 CT L 1 为高, 关断振荡器缓冲电路, 使 后面的单元模块均被关断, 输出高阻态, 大大降低了 电路在不能起振时的功耗. 电容 C5 主要滤去输出 方波信号的高次谐波, 降低电路的输出噪声[ 6] .
4 电路仿真与版图设计
文中采用 SM IC 0. 35 m CM OS 工艺设计了整 体电路, 其石英晶体谐振器的参数如表 1 所示. 所设 计的芯片性能如表 2 所示. 结果表明: 在电源电压为 5 V、振荡频率为 30 MH z、负载电容 15 pF 的条件 下, 输出占空比为 50 0. 8% 的方波信号, 芯片消耗 总电流 低 于 5 mA, 振 荡电 路 消 耗电 流 仅 为 0. 6 mA ; 输出高阻态时, 振荡器电流降至 3 A 以下, 功 耗大大降低. 振荡电路上电起振输出波形如图 6 所 示. 根据起振时间的定义( 输出电压达 到稳定值的 90% 所用的时间) , 可见起振非常快( 140 s) .
( Depar tment of Electr onics Science and T echno log y, H uazhong U niv ersity of Science and T echnolog y, Wuhan 430074, China)
Abstract: A cr ystal o scillat or chip w ith low pow er and high stability is presented. On t he basis of analyzing the disadv ant ages o f the conventio nal Pierce crystal oscillato r, a no vel cr ystal oscillator structur e has been pr oposed. T he chip can wo rk under two modes: no rmal operating mo de and pow er dissipat ion mode. Based on 0. 35 m CM OS process, the test results sho w that total co nsumpt ion o f the chip is less than 5 mA with pow er supply vo ltag e of 5 V, o scillatio n frequency of 30 M H z, lo ad capacitance of 15 pF , and t he oscillato r circuit is only 0. 6 mA, o ut put squar e w ave signal with dut y cy cle o f 50 0. 8% , frequency stabili t y 0. 5 10- 6 . By introducing t he po wer dissipatio n mode, cur rent consumptio n of t he oscillatio n circuit is dro pped to 3 A. Co mpar ed w ith the conventional str uctur e, the po wer dissipation has been r educed 60% , f requency st abilit y raised ten times. Key words: Pier ce cr ystal o scillator ; low po wer dissipation; hig h stability ; CM O S t echnolo g y
27 卷 第12期 2010 年 12 月
微电子学与计算机 MICROEL ECT RONICS & COM PU T ER
Vo l. 27 No . 12 December 2010
一种低功耗高稳定性晶体振荡器芯片的设计
陈红梅, 徐静平, 钟德刚
( 华中科技大学 电子科学与技术系, 湖北 武汉 430074)
中图分类号: T N432
文献标识码: A
文章编号: 1000- 7180( 2010) 12- 0105- 04
Design of Crystal Oscillator Chip with Low Power and High Stability
CH EN H ong m ei, XU J ing ping, ZH ON G De gang
摘 要: 分析了传统 P ierce 振荡器不足 , 提出了改进型的振荡器结构, 并基于 0. 35 m CM OS 工艺, 设计实现了 一
款低 功耗高稳定性的晶体振荡器芯片. 芯片有两种 工作模 式: 正 常工作 模式和 低功耗 模式. 测试结 果表明, 在电 源
电压为 5 V 、振荡频率为 30 M H z、负载电容 15 pF 时 , 芯片消耗总电流低于 5 mA , 振荡电路消耗 电流仅为 0. 6 m A,
收稿日期: 2009- 09- 21; 修回日期: 2009- 11- 25 基金项目: 国家自然科学基金项目( 60776016)
10 6
微电子学与计算机
耗. 采用 SM IC 0. 35 m CMOS 工艺完成了该芯片 的设计. 结果表明, 芯片起振快、功耗低, 非常适合应 用于高精度时钟系统.
图 2 晶体振荡器芯片系统框图
3 关键电路设计
3. 1 改进型低功耗振荡器电路 文中设计的改进型低功耗振荡器电路, 集成了
一个带使能控制的 CMOS 放大器与一个外部石英 晶体的振荡器. 节点 XT AL 和 XT ALN 分别连接石 英晶振的两端. 如图 3 所示.
MP 1 和 MN1 构成 CM OS 反相器, 与石英晶体 并联, 通过对地连接 两只电容 C1 ( C11 + C12 ) 和 C2 ( C21 + C22 ) 构成基本的振荡器电路. 借助反 馈电阻 Rf 将放大器的直流工作点偏置在 V D D/ 2, 使 M OS 管工作在线性区, 以获得较大的增益. P _CT L 和 N_ CT L 信号实现使能控制, 降低了电路功耗: 在电路 正常起振时, 大尺寸管子 M1 和 M2 快速导通, M 1
表 1 30 M H z 石英晶体 参数
f / MHz 30
Rm / 17. 2
Lm/ mH 4. 36
Cm/ fF 6. 46
C0 / fF Q 2. 26 50000
图 5 CT L _GEN 控制电路的结构图
图 5 中 INH NA 和 INH N B 为 ENABLE 模块 得到的互补控制信号, XT AL N 为振荡器输出信号. EN ABL E 模 块 正 常 使 能 工 作 时, INH NA 为 高, INH N B 为低, 则 M 41 和 M 42 均截 止. INH NB 为 低, M30 快 速 饱 和 导 通, 与 二 极 管 连 接 的 M31、 M32、M33 构成基本的 偏置电路, 通过电流镜 镜像 为其它 支路提供 偏置电流. 由于 M 31、M32、M I33 均为二极管连接, M36 的 栅极电压 大小近似 为 2/ 3VDD. M36 和 M37 构成基本差分对结构, 输入的 差分信号分别为 2/ 3VDD 和 XT ALN, M 40 为差分 对电路提供微弱的偏置电 流, M 34 和 M35 为 差分 对电路的负载. 工作时, XT L AN 信号与 2/ 3VDD 相 比较, 当振 荡 电路 正 常起 振, 且 XT LAN 大 于 2/ 3VDD 时, 差分对输出为低, M 38 导通, 输出控制信 号 CT L 1 为低, 驱动振荡器输出缓冲电路正常工作, 电路输出方波信号; 当振荡电路不能正常起振, XT L AN 小于 2/ 3VDD 时, 差分输出为高, M38 截止,