【CN209374882U】一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片【专利】
【CN209894921U】高功率激光器芯片的可靠性测试设备【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920442628.5(22)申请日 2019.04.03(73)专利权人 苏州联讯仪器有限公司地址 215000 江苏省苏州市高新区湘江路1508号1号楼，邮编：215011(72)发明人 罗跃浩 徐鹏嵩 赵山 王化发 (74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103代理人 王健(51)Int.Cl.G01R 31/28(2006.01)G01R 1/02(2006.01)G01R 1/04(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称高功率激光器芯片的可靠性测试设备(57)摘要本实用新型公开一种高功率激光器芯片的可靠性测试设备，所述载板上开有若干供芯片嵌入的芯片槽，所述载板上具有若干与芯片连通的导线，此若干个导线在载板一端形成一电连接头，所述连接块上开有供电连接头插入的连接口，此连接块与控制组件电连接；所述载板正下方设置有一冷却盒，此冷却盒上开有进水口和出水口，所述冷却盒内设置有与进水口、出水口贯通的冷却腔，所述进水口和出水口均通过水管与一冷却水循环箱连通，所述载板下表面还设置有一导热板，此导热板用于与冷却盒上表面接触连接。
本实用新型在实现芯片批量化测试的同时，能够实时带走芯片测试产生的热量，有效控制芯片测试温度，避免温度波动影响到芯片测试的精度，并大幅提高芯片测试效率。
权利要求书2页 说明书6页 附图7页CN 209894921 U 2020.01.03C N 209894921U权 利 要 求 书1/2页CN 209894921 U1.一种高功率激光器芯片的可靠性测试设备，其特征在于：包括测试载台（1）、连接块（3）和控制组件（101），所述测试载台（1）上安装有一载板（2），此载板（2）上开有若干供芯片嵌入的芯片槽（201），所述载板（2）上具有若干与芯片连通的导线（21），此若干个导线（21）在载板（2）一端形成一电连接头（22），所述连接块（3）上开有供电连接头（22）插入的连接口（31），此连接块（3）与控制组件（101）电连接；所述载板（2）正下方设置有一冷却盒（4），此冷却盒（4）上开有进水口（401）和出水口（402），所述冷却盒（4）内设置有与进水口（401）、出水口（402）贯通的冷却腔，所述进水口（401）和出水口（402）均通过水管与一冷却水循环箱（403）连通，所述载板（2）下表面还设置有一导热板（52），此导热板（52）用于与冷却盒（4）上表面接触连接；所述测试载台（1）进一步包括基板（5）和安装于基板（5）下方的底板（51），所述底板（51）上开有一冷却通槽（511），所述导热板（52）嵌入此冷却通槽（511）内，所述载板（2）位于导热板（52）上表面，所述底板（51）和基板（5）之间连接有若干个第一拉簧（53），此若干第一拉簧（53）位于基板（5）两侧，所述基板（5）两侧分别安装有一气缸（54），位于气缸（54）下方的基板（5）上开有一通孔（55），所述气缸（54）的活塞杆穿过基板（5）上的通孔（55），用于下压导热板（52），所述连接块（3）上方设置有一横梁（32），此横梁（32）与连接块（3）之间连接有若干个第二拉簧（33）；所述气缸（54）的活塞杆上安装有一压块（7），此压块（7）具有至少两个压脚（71），所述压脚（71）由金属片弯曲折叠而成，所述至少两个压脚（71）沿第一拉簧（53）的排布方向间隔设置，并均匀排布于载板（2）侧缘上方；所述测试载台（1）两侧分别平行安装有一安装板（13），两个所述安装板（13）的内侧侧壁上开有一滑动槽（14），所述基板（5）两侧嵌入此滑动槽（14）内，所述测试载台（1）四周设置有若干隔板（11），此若干个隔板（11）围成一测试腔（12），所述测试腔（12）一侧开有供基板（5）插入的插口（15），所述基板（5）端部具有与插口（15）配合的挡板（34）。
【CN209461793U】一种用于传输高强度光的光学设备的冷却器【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920426960.2(22)申请日 2019.04.01(73)专利权人 江苏欧达光学有限公司地址 223700 江苏省宿迁市泗阳经济开发区未来中路11号(72)发明人 艾华 (51)Int.Cl.H01S 3/04(2006.01)H01S 5/024(2006.01)(54)实用新型名称一种用于传输高强度光的光学设备的冷却器(57)摘要本实用新型公开了一种用于传输高强度光的光学设备的冷却器，包括底座，所述底座顶部外壁通过螺栓固定有外壳，所述外壳的两侧外壁均开设有矩形安装槽，且两个矩形安装槽的一侧内壁均铰接有密封板，两个所述矩形安装槽的内壁均铰接有电动伸缩杆，且两个电动伸缩杆的一端分别铰接在两个密封板上，两个所述密封板靠近外壳的一侧内壁均设置有橡胶凸起，两个所述矩形安装槽的内壁均开设有等距离分布的气孔，所述外壳的两侧内壁均开设有固定槽。
本实用新型通过在外壳的两侧设置可开关的密封板，既便于散热又避免灰尘从气孔进入外壳内部，通过散热鳍片和风扇的配合对激光器进行散热，避免温度过高影响激光器的使用寿命。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209461793 U 2019.10.01C N 209461793U权 利 要 求 书1/1页CN 209461793 U1.一种用于传输高强度光的光学设备的冷却器，包括底座（1），其特征在于，所述底座（1）顶部外壁通过螺栓固定有外壳（2），所述外壳（2）的两侧外壁均开设有矩形安装槽，且两个矩形安装槽的一侧内壁均铰接有密封板（3），两个所述矩形安装槽的内壁均铰接有电动伸缩杆（6），且两个电动伸缩杆（6）的一端分别铰接在两个密封板（3）上，两个所述密封板（3）靠近外壳（2）的一侧内壁均设置有橡胶凸起（8），两个所述矩形安装槽的内壁均开设有等距离分布的气孔，所述外壳（2）的两侧内壁均开设有固定槽，所述矩形安装槽通过气孔和固定槽相连通，两个所述固定槽的内壁均通过螺栓连接有散热鳍片（9），两个所述固定槽的内壁均通过螺栓固定有风扇（10），所述外壳（2）的两侧内壁通过螺栓固定有同一个导热板（13），且导热板（13）顶部外壁开设有等距离分布的通孔。
【CN209843714U】一种半导体器件【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920649682.7(22)申请日 2019.05.07(73)专利权人 创能动力科技有限公司地址 中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室(72)发明人 陈伟钿 张永杰 周永昌 王传道 (74)专利代理机构 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372代理人 宋建平(51)Int.Cl.H01L 29/06(2006.01)H01L 27/02(2006.01)(54)实用新型名称一种半导体器件(57)摘要本实用新型公开了一种具有条状布图设计的半导体器件。
半导体器件包括器件区和终端区，终端区围绕器件区，器件区包括具有第一导电类型的多个肖特基区和具有第二导电类型的多个二极管区，相邻两个肖特基区被二极管区隔开，器件区包括中心区域，中心区域包括子区域，子区域中的每个肖特基区不连续。
根据本实用新型的半导体器件能够改善器件中的电流分布，提高器件的抗浪涌能力，使器件具有更好的电学性能。
权利要求书1页 说明书7页 附图4页CN 209843714 U 2019.12.24C N 209843714U权 利 要 求 书1/1页CN 209843714 U1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括器件区和终端区，所述终端区围绕所述器件区，所述器件区包括具有第一导电类型的多个肖特基区和具有第二导电类型的多个二极管区，相邻两个肖特基区被二极管区隔开，所述器件区包括中心区域，所述中心区域包括子区域，所述子区域中的每个肖特基区不连续。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述中心区域中的每个二极管区包括第二导电类型的势垒区和缓冲区，所述势垒区具有长边和短边，所述缓冲区围绕所述势垒区，所述缓冲区的杂质浓度低于所述势垒区的杂质浓度，所述子区域中的每个肖特基区包括两个或更多个子肖特基区，沿所述势垒区的长边方向，相邻的子肖特基区被缓冲区隔开。
【CN209993865U】一种高功率激光器件【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920633207.0(22)申请日 2019.05.06(73)专利权人 江苏稳润光电科技有限公司地址 212009 江苏省镇江市丁卯开发区纬一路88号(72)发明人 付亮 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200代理人 许方(51)Int.Cl.H01S 5/024(2006.01)H01S 5/022(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称一种高功率激光器件(57)摘要本实用新型公开了一种高功率激光器件，包括基材、激光芯片和胶体，其中，激光芯片固定在基材上，胶体填充在载有激光芯片的基材上。
激光芯片通过锡膏固定在基材上。
基材为紫铜与氮化铝陶瓷形成的基材。
所述胶体为环氧树脂。
本实用新型中的基材有优异的散热性能以实现高功率型器件的产品稳定性。
权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 209993865 U 2020.01.24C N 209993865U权 利 要 求 书1/1页CN 209993865 U1.一种高功率激光器件，其特征在于，包括基材、激光芯片和胶体，其中，激光芯片固定在基材上，胶体填充在载有激光芯片的基材上。
2.根据权利要求1所述的一种高功率激光器件，其特征在于，激光芯片通过锡膏固定在基材上。
3.根据权利要求1所述的一种高功率激光器件，其特征在于，基材为紫铜与氮化铝陶瓷形成的基材。
4.根据权利要求1所述的一种高功率激光器件，其特征在于，所述胶体为环氧树脂。
5.根据权利要求1所述的一种高功率激光器件，其特征在于，基材的大小为3.8mm* 4.0mm*0.8mm。
2。
【CN209882443U】一种应用于陆上风电功率半导体器件散热的钎焊式水冷板【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920299887.7(22)申请日 2019.03.08(73)专利权人 毫厘机电（苏州）有限公司地址 215011 江苏省苏州市高新区通安镇真北路88号(72)发明人 彭彪 王洋 訾磊 陈楠 倪昌舟 (74)专利代理机构 济南鼎信专利商标代理事务所(普通合伙) 37245代理人 曹玉琳(51)Int.Cl.H05K 7/20(2006.01)(54)实用新型名称一种应用于陆上风电功率半导体器件散热的钎焊式水冷板(57)摘要本实用新型提供一种应用于陆上风电功率半导体器件散热的钎焊式水冷板，包括基板、钎料板和盖板，所述钎料板和盖板依次设于所述基板表面，所述基板上并列设有两个凹槽，两个凹槽内分别安装有一个散热翅片，两个凹槽其一端连通进水通道，另一端连通出水通道，进水通道处设有进水口接头，出水通道处设有出水口接头，在进水通道与两个凹槽连通处均设有第一集水槽，在出水通道与凹槽连通处均设有第二集水槽。
本实用新型通过独特的冷板内流道设计，不仅解决了功率半导体器件长时间工作时过高的问题，而且对器件散热的均温性要求得到有效解决。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209882443 U 2019.12.31C N 209882443U权 利 要 求 书1/1页CN 209882443 U1.一种应用于陆上风电功率半导体器件散热的钎焊式水冷板，包括基板、钎料板和盖板，所述钎料板和盖板依次设于所述基板表面，其特征在于：所述基板上并列设有两个凹槽，两个凹槽内分别安装有一个散热翅片，两个凹槽其一端连通进水通道，另一端连通出水通道，进水通道处设有进水口接头，出水通道处设有出水口接头，在进水通道与两个凹槽连通处均设有第一集水槽，在出水通道与凹槽连通处均设有第二集水槽。
2.如权利要求1所述的一种应用于陆上风电功率半导体器件散热的钎焊式水冷板，其特征在于：所述第一集水槽宽度大于进水通道，所述第二集水槽宽度大于出水通道。
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920238579.3
(22)申请日 2019.02.26
(73)专利权人 潍坊华光光电子有限公司
地址 261061 山东省潍坊市奎文区高新区
新城街道玉清社区金马路9号管芯净
化厂房
(72)发明人 顾宁宁 开北超 于果蕾 徐现刚
郑兆河
(74)专利代理机构 济南金迪知识产权代理有限
公司 37219
代理人 陈桂玲
(51)Int.Cl.
H01S 5/024(2006.01)
(54)实用新型名称
一种用于高功率半导体激光器的宏通道液
体制冷片
(57)摘要
本实用新型涉及一种用于高功率半导体激
光器的宏通道液体制冷片，属于半导体激光器散
热领域，包括相互交错分布的多片第一制冷片和
第二制冷片，所述第一制冷片和第二制冷片均为
片状结构，且均设置有通水区和芯片焊接区，所
述第一制冷片和第二制冷片均包括上表面和下
表面，所述上表面在所述通水区内设置有进水
孔，所述下表面设置有与所述进水孔相对应的出
水孔，进水口和出水孔贯通形成从上表面到下表
面的通孔，所述第一制冷片的进水孔位于通水区
内远离芯片焊接区的一端，所述第二制冷片的进
水孔位于通水区内靠近芯片焊接区的一端。
本实
用新型结构简单、散热面积大、
散热效果好。
权利要求书1页 说明书4页 附图5页CN 209374882 U 2019.09.10
C N 209374882
U
权 利 要 求 书1/1页CN 209374882 U
1.一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，包括相互交错分布的多片第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片和第二制冷片均为片状结构，且均设置有通水区和芯片焊接区，所述芯片焊接区位于第一制冷片或第二制冷片的一端，所述通水区位于第一制冷片或第二制冷片靠近芯片焊接区的位置，所述第一制冷片和第二制冷片均包括上表面和下表面，所述上表面在所述通水区内设置有进水孔，所述下表面设置有与所述进水孔相对应的出水孔，进水口和出水孔贯通形成从上表面到下表面的通孔，所述第一制冷片的进水孔位于通水区内远离芯片焊接区的一端，所述第二制冷片的进水孔位于通水区内靠近芯片焊接区的一端。
2.根据权利要求1所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述进水孔或出水孔所占的面积为通水区面积的1/8～1/4。
3.根据权利要求2所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述进水孔和出水孔均包括多排并列的圆孔或多边形孔。
4.根据权利要求2所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述进水孔为矩形的进水空隙，出水孔为矩形的出水空隙。
5.根据权利要求4所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述第一制冷片和第二制冷片的上表面均设置有密封区，所述密封区为环绕于通水区周围的环形凹槽，用于放置密封装置。
6.根据权利要求5所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述芯片焊接区上设置有应力缓冲层，所述应力缓冲层以焊接或者金属键合的方式设置在芯片焊接区，所述应力缓冲层材料的热膨胀系数与激光芯片的热膨胀系数相匹配。
7.根据权利要求6所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述出水孔的截面积等于或者小于所述进水孔的截面积。
8.根据权利要求3所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述圆孔的直径为0.3～3mm，相邻两个圆孔之间的壁厚在0.2mm以上。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述第一制冷片和第二制冷片的材质为高导热率材质；
所述第一制冷片和第二制冷片的厚度均为1～10mm，长度均为15～30mm，宽度均为8～30mm。
10.根据权利要求9所述的用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，其特征在于，所述第一制冷片和第二制冷片上远离所述芯片焊接区的一端设置有定位孔。
2。