VASP程序使用

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初学VASP(七)VASP程序的编译

初学VASP(七)VASP程序的编译

初学VASP(七) VASP程序的编译下面以编译VASP4.4.5版本为例,编译更新的版本VASP4.5.5、VASP4.6和VASP5.0(即将发布)的步骤与此相同。

1、所需文件和程序VASP源代码:vasp.4.4.5.tar.gz和vasp.4.lib.tar.gz数学库:LAPACK和BLAS (/,或mkl(配合intel的fotran编译器用),或ATLAS (/或Lib GOTO (/users/flame/goto/Fortran编译器:PGI fortran 至少4.0以上版本(/,或Intel的 ifc (8.0以上版本是ifort,/software/products/compilers/flin/,前者可以从网站上下载到15天的试用版本,后者可以从网站下载到免费的版本。

2、下面采用PGI fortan编译器pgf90、ATLAS数学库对VASP4.4.5进行编译这里假定已经安装好了fortran编译器,所有文件都放在/home/xxxx/VASP_SRC目录下,机器的操作系统是Linux: Redhat9.0。

a) 从/下载atlas3.6.0_Linux_P4SSE2.tar.gz,并用如下命令解压:tar xzvf atlas3.6.0_Linux_P4SSE2.tar.gz解压后得到一个目录Linux_P4SSE2,在此目录下有个lib子目录,该lib子目录中的文件为libatlas.a, libcblas.a, libf77blas.a, liblapack.a, 这些就是编译vasp时所需要的数学库文件之一。

b) 用如下命令解压vasp.4.4.5.tar.gz和vasp.4.lib.tar.gz:tar xzvf vasp.4.4.5.tar.gztar xzvf vasp.4.lib.tar.gz解压后分别得到目录vasp.4.4和vasp.4.lib,目录vasp.4.4中文件是vasp的主要源代码,vasp.4.lib是编译vasp时需要的一些特定的数学库程序,在这两个目录中都有编译时所用的makefile文件,针对机器和fortran编译器,选择相应的makefile。

VASP脚本程序怎么运行

VASP脚本程序怎么运行

VASP脚本程序怎么运行2010-06-28 15:20刚学VASP,对其还不是很熟悉;现在正在试着运行脚本文件(按侯老师的例子),准备好INCAR、KPOINTS、POTCAR文件后,应该准备POSCAR文件,那脚本程序run_a0怎样运行?脚本run_a0为:#!/bin/shrm WAVECARfor i in 3.80 3.85 3.90 3.95 4.00 4.05 4.10 4.15 4.20 4.25 4.30docat >POSCAR < Al-fcc$i0.0 0.5 0.50.5 0.0 0.50.5 0.5 0.0Direct0.0 0.0 0.0!echo "a =$i angstrom";time vaspE=‘grep "TOTEN" OUTCAR |tail -1|awk ‘{printf "%12.6f \n",$5}'‘V=‘grep "volume" OUTCAR |tail -1|awk ‘{printf "%12.4f \n",$5}'‘echo $V $E >>EtVo.datdone可以自己写一个POSCAR,把$i换成一个具体的数。

Al-fcc$i0.0 0.5 0.50.5 0.0 0.50.5 0.5 0.0Direct0.0 0.0 0.0简单写个注释吧====#!/bin/sh #每种shell脚本开头需要指定起类型,比如unix下原始的就是sh,linux都标配bash了, Solaris也是用bash了。

功能上现在似乎zsh比较好,目前我是把zsh做默认shell.rm WAVECAR删除WAVECAR,其实这里有点不好,因为很多系统默认把rm 替换为rm -i也就是说你要删除这个文件时会跳出一个提示问是否要删除。

VASP使用总结

VASP使用总结

VASP计算的理论及实践总结一、赝势的选取二、收敛测试1、VASP测试截断能和K 点2、MS测试三、结构弛豫四、VASP的使用流程(计算性质)1、VASP的四个输入文件的设置2、输出文件的查看及指令3、计算单电能(1) 测试截断能(2) 测试K点4、进行结构优化5、计算弹性常数6、一些常用指令一、赝势的选取VASP赝势库中分为:PP和PAW两种势,PP又分为SP(标准)和USPP(超软)。

交换关联函数分为:LDA(局域密度近似)和GGA(广义梯度近似)。

GGA 又分为PW91和PBE。

在VASP中,其中pot ,pot-gga是属于超软势(使用较少)。

Paw, paw-pbe ,和paw-gga是属于PAW。

采用较多的是PAW-pbe 和PAW-gga。

此外vasp 中的赝势分为几种,包扩标准赝势(没有下标的)、还有硬(harder)赝势(_h)、软(softer)赝势(_s), 所谓的硬(难以赝化),就是指该元素原子的截断动能比较大,假想的势能与实际比较接近,计算得到的结果准确,但比较耗时,难以收敛。

软(容易赝化),表示该元素原子的截断动能比较小,赝势模型比较粗糙,但相对简单,可以使计算很快收敛(比如VASP开发的超软赝势)。

即硬的赝势精度高,但计算耗时。

软的精度低,容易收敛,但节省计算时间。

另一种情况:如Gd_3,这是把f电子放入核内处理,对于Gd来说,f电子恰好半满。

所以把f电子作为价电子处理的赝势还是蛮好的(类似还有Lu,全满)。

(相对其他的4f元素来说,至于把f电子作为芯内处理,是以前对4f元素的通用做法。

计算结果挺好)常用的做法是:用两种赝势测试一下对自己所关心的问题的影响情况。

在影响不大的情况下,选用不含4f电子的赝势(即后缀是3),一来减少计算量,二来避免DFT对4f电子的处理。

【1.赝势的选择:vasp的赝势文件放在目录~/vasp/potentials 下,可以看到该目录又包含五个子目录pot pot_GGA potpaw potpaw_GGA potpaw_PBE ,其中每一个子目录对应一种赝势形式。

DFT简介与VASP使用

DFT简介与VASP使用

-10.2
-10.3
-10.4
Total energy(eV)
-10.5
-10.6
-10.7
-10.8
-10.9 2 4 6 8 10 12
硅体相总能量随K-mesh大小的变化情况 Size of k-mesh
4. Cutoff energy大小的选择:
截至能的大小直接影响到计算结果的精度和计算速度, 因此,它是平面波计算方法的一个重要参数。
理论上截至能越大计算结果也可靠,但截至能大小决定
了计算中平面波的数目,平面波数目越多计算时间约长、内 存开销越大。 一般根据所求物理量来确定截至能,例如计算体模量以 及弹性系数时,需要较高的截至能,而通常的构型优化只要
中等大小的截至能即可,另外动力学模拟时,可选取低的截
至能。
不同元素在构造其赝势时,有各自的截至能,对于VASP, 在缺省情况下,选取的是中等大小的截至能,这对于求解多 数物理量是足够的。严格意义上,截至能的确定与K-mesh大 小的确定类似,也是通过考察在总能量的收敛情况来确定(即 保证总能量收敛至1meV/atom)。
上式中动能项是对角化的,通过求解上式方括号中的哈密顿矩 阵来求解KS方程,该矩阵的大小由截至能(cutoff energy)来决定。
尝试电子密度和尝试波函数
写出交换相关势表达式
构造哈密顿量
子空间对角化,优化迭代
自由能的表达式E
新电子密度,与尝试电子密度比较

输出结果,写波函数

与原子轨道基组相比,平面波基组有如下优点: 1) 无需考虑BSSE校正; 2) 平面波基函数的具体形式不依赖于核的坐标,这样,一 方 面 , 价 电 子 对 离 子 的 作 用 力 可 以 直 接 用 Hellman-

VASP教程

VASP教程

KPOINTS文件内容说明: 一般有两种定义K点的方法:
1) 通过定义K-mesh大小,由程序自动产生各K点: Automatic mesh (title)
0 (为0时,表示自动产生K点) M (表示采用Monkhorst-Pack方法生成K点坐标)
其中,单胞部分的波函数可以用一组在倒易空间的平面
波来表示:
iGr f i ( r ) ci , G e G
这样,电子波函数可以写为平面波的加和:
i ( k G )r i (r ) ci ,k G e G
根据密度泛函理论,波函数通过求解Kohn—Sham方程来确定:
2 2 [ Vion (r ) VH (r ) V XC (r )] i (r ) i i (r ) 2m i:Kohn—Sham本征值
Vion:电子与核之间的作用势 VH和VXC:电子的Hartree势和交换—相关势
n( r ' ) 3 VH (r ) e 2 d r ' | r r '|
2. 重复平板模型(或层晶模型):
VASP程序采用重复平板模型来模拟零维至三维体系
零维分子体系
Dv: Vacuum thickness (~10 A)
二维固体表面
说明: 重复平板模型中的平移矢量长度必须合理选择,以保证: 1) 对于分子体系,必须保证相邻重复单元中最近邻原子之 间的距离必须至少7~10埃以上; 2) 对于一维体系,相邻两条链最近邻原子之间的距离必须 至少7~10埃以上; 3) 对二维体系,上下两个平板最近邻原子之间的距离必须 至少7~10埃以上;
上式中动能项是对角化的,通过求解上式方括号中的哈密顿矩

VASP经典学习教程有用

VASP经典学习教程有用

VASP经典学习教程有用VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种用于固体材料计算的第一性原理计算软件包。

它使用密度泛函理论和平面波基组进行计算,可以预测材料的结构、能带、力学性质等基本属性。

本文将介绍VASP的经典学习教程,帮助初学者快速入门。

1.VASP的安装与基本操作-输入文件和输出文件:介绍VASP的常用输入文件和输出文件,以及它们的格式和含义。

-运行VASP计算:教授如何编写VASP运行脚本,以及如何使用命令行界面运行VASP计算。

2.VASP的输入参数和设置-INCAR文件:介绍VASP的主要输入文件INCAR的各种参数和选项,如体系的外部压力、电子迭代的收敛准则等。

-POTCAR文件:讲解VASP的赝势文件POTCAR的作用和用法,以及如何选择合适的赝势。

-KPOINTS文件:讲解KPOINTS文件对计算结果的影响,以及如何选择合适的K点网格。

3.VASP的基本计算-结构优化计算:教授如何进行结构优化计算,寻找稳定的材料晶格参数和原子位置。

-能带计算:讲解如何计算材料的能带结构,以及如何分析能带图和带隙。

-DOS计算:介绍如何计算材料的态密度,以及如何分析态密度图和能带图。

4.VASP的高级计算-弛豫计算:讲解如何进行离子和电子的同时弛豫计算,得到材料的稳定结构和力学性质。

-嵌入原子计算:介绍如何在材料中嵌入原子,并计算嵌入原子的相互作用能。

-软件接口和后处理:讲解VASP与其他软件(如VASPKIT、VESTA等)的接口,以及如何进行后处理分析。

5.VASP的实际应用-表面计算:介绍如何计算材料的表面能和表面形貌。

-催化剂计算:讲解如何通过VASP计算催化剂的吸附能和反应能垒,以预测其催化活性。

-界面计算:讲解如何计算材料的界面能和界面结构。

通过以上内容,初学者可以掌握VASP的基本原理和使用方法,并能在实际应用中进行一些基本的材料计算。

VASP程序使用教程


-10.2
-10.3
-10.4
Total energy(eV)
-10.5
-10.6
-10.7
-10.8
-10.9 2 4 6 8 10 12
硅体相总能量随K-mesh大小的变化情况
Size of k-mesh
4. Cutoff energy大小的选择:
截至能的大小直接影响到计算结果的精度和计算速度, 因此,它是平面波计算方法的一个重要参数。
的选择可以方便控制平面波基组的大小。
平面波基组方法的不足之处:
1) 所求得的波函数很难寻找出一个直观的物理或化学图象与
化学家习惯的原子轨道的概念相联系,即其结果与化学家 所感兴趣的成键和轨道作用图象很难联系出来,这就为我 们计算结果的分析带来了困难; 2) 考察某些物理量时,例如原子电荷,涉及到积分范围的选
二维固体表面
说明: 重复平板模型中的平移矢量长度必须合理选择,以保证: 1) 对于分子体系,必须保证相邻重复单元中最近邻原子之间的 距离必须至少7~10埃以上; 2) 对于一维体系,相邻两条链最近邻原子之间的距离必须至少 7~10埃以上; 3) 对二维体系,上下两个平板最近邻原子之间的距离必须至少 7~10埃以上; 4) 严格意义上,通过考察体系总能量/能量差值对真空区大小的 收敛情况来确定合理的平移矢量长度。
Surf. Sci., 2007, 601, 3488
6) UPS能谱图像模拟
Surf. Sci., 2007, 601, 3488
7) 材料光学性质计算
8) 其它性质计算,包括功函、力学性质等
2. 重复平板模型(或层晶模型):
VASP程序采用重复平板模型来模拟零维至三维体系
零维分子体系

VASP使用总结

VASP计算的理论及实践总结一、赝势的选取二、收敛测试1、VASP测试截断能和K 点2、MS测试三、结构弛豫四、VASP的使用流程(计算性质)1、VASP的四个输入文件的设置2、输出文件的查看及指令3、计算单电能(1) 测试截断能(2) 测试K点4、进行结构优化5、计算弹性常数6、一些常用指令一、赝势的选取VASP赝势库中分为:PP和PAW两种势,PP又分为SP(标准)和USPP(超软)。

交换关联函数分为:LDA(局域密度近似)和GGA(广义梯度近似)。

GGA 又分为PW91和PBE。

在VASP中,其中pot ,pot-gga是属于超软势(使用较少)。

Paw, paw-pbe ,和paw-gga是属于PAW。

采用较多的是PAW-pbe 和PAW-gga。

此外vasp 中的赝势分为几种,包扩标准赝势(没有下标的)、还有硬(harder)赝势(_h)、软(softer)赝势(_s), 所谓的硬(难以赝化),就是指该元素原子的截断动能比较大,假想的势能与实际比较接近,计算得到的结果准确,但比较耗时,难以收敛。

软(容易赝化),表示该元素原子的截断动能比较小,赝势模型比较粗糙,但相对简单,可以使计算很快收敛(比如VASP开发的超软赝势)。

即硬的赝势精度高,但计算耗时。

软的精度低,容易收敛,但节省计算时间。

另一种情况:如Gd_3,这是把f电子放入核内处理,对于Gd来说,f电子恰好半满。

所以把f电子作为价电子处理的赝势还是蛮好的(类似还有Lu,全满)。

(相对其他的4f元素来说,至于把f电子作为芯内处理,是以前对4f元素的通用做法。

计算结果挺好)常用的做法是:用两种赝势测试一下对自己所关心的问题的影响情况。

在影响不大的情况下,选用不含4f电子的赝势(即后缀是3),一来减少计算量,二来避免DFT对4f电子的处理。

【1.赝势的选择:vasp的赝势文件放在目录~/vasp/potentials 下,可以看到该目录又包含五个子目录pot pot_GGA potpaw potpaw_GGA potpaw_PBE ,其中每一个子目录对应一种赝势形式。

VASP操作介绍-两次课


化学家习惯的原子轨道的概念相联系,即其结果与化学家
所感兴趣的成键和轨道作用图象很难联系出来,这就为我 们计算结果的分析带来了困难; 2) 考察某些物理量时,例如原子电荷,涉及到积分范围的选 取,这造成所得物理量的绝对值意义不大; 3) 有些方法,例如杂化密度泛函方法不易于采用平面波基组 方法实现。
3. VASP程序基本知识
中等大小的截至能即可,另外动力学模拟时,可选取低的截
至能。
不同元素在构造其赝势时,有各自的截至能,对于VASP, 在缺省情况下,选取的是中等大小的截至能,这对于求解多
数物理量是足够的。严格意义上,截至能的确定与K-mesh大
小的确定类似,也是通过考察在总能量的收敛情况来确定(即 保证总能量收敛至1meV/atom)。
型和数目、以及各原子坐标;
KPOINTS : K点定义文件,可手动定义和自动产生; POTCAR : 各原子的赝势定义文件。
主要输出文件 OUTCAR : 最主要的输出文件,包含了所有重要信息; OSZICAR : 输出计算过程的能量迭代信息; CONTCAR: 内容为最新一轮的构型(分数坐标,可用于续算);
4) 严格意义上,通过考察体系总能量/能量差值对真空 区大小的收敛情况来确定合理的平移矢量长度。
tal energy
3. K网格大小的选择:
对于一维至三维体系的计算,需涉及k点数目的选择,对 于K点的确定,它与布里渊区的形状以及对称性有关。VASP的 K点输入方法有多种,其中最常用的是直接给定K-mesh的大小, 然后程序根据布里渊区的形状以及对称性自动生成各K点的坐 标和权重。 对于K-mesh的确定方法,通常通过考察总能量/能量差的收敛 程度来确定,能量的收敛标准是1meV/atom。 多数情况下,对半导体或绝缘体较小的K-mesh能量就可以

VASP中电子态密度计算的流程

VASP中电子态密度计算的流程VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种基于密度泛团理论(DFT)的第一性原理计算软件包,适用于从头计算材料的电子结构和相关性质。

电子态密度(Electronic Density of States, DOS)是VASP中一个重要的计算任务,它描述了材料中电子的能量分布情况,可以用来分析材料的能带结构、电导性、磁性等性质。

下面是VASP中计算电子态密度的一般流程:1.构建体系:首先需要确定要研究的体系的晶体结构。

可以通过实验数据、结构数据库或者其他理论方法得到体系的晶体结构,然后使用VASP提供的一些工具生成输入文件。

2.检查和准备输入文件:在进行计算之前,需要检查输入文件的正确性。

输入文件主要包括POSCAR(晶体结构)、POTCAR(势能文件)和KPOINTS(k点网格),还可以包括INCAR(控制参数)和CHGCAR(电荷密度)。

可以使用VASP提供的一些工具来生成这些文件。

3.设置计算参数:在INCAR文件中设置计算参数。

这些参数包括计算方式(GS、NSW等)、电子相关参数(ENCUT、EDIFF、ISMEAR等)和计算资源(NPAR、NCORE等)等。

4.进行自洽计算:运行VASP程序开始自洽计算。

自洽计算是指通过迭代寻找材料中所有电子的基态波函数和电子密度。

5.DOS计算:自洽计算完成后,可以进行DOS计算。

首先需要通过选择一个能量范围,确定所需的DOS信息。

然后在INCAR文件中设置相关参数,如要求计算PDOS(投影态密度)、LORBIT参数(需要计算轨道投影DOS)等。

6.执行DOS计算:运行VASP程序开始DOS计算。

程序会在给定的能量范围内计算电子态密度,并输出相应的结果。

7. 分析结果:根据VASP计算结果,可以通过一些可视化软件(如VESTA、XCrysDen等)绘制电子态密度的能带图、分析能带结构,进而分析材料的电子特性和相关性质。

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上式中动能项是对角化的,通过求解上式方括号中的哈密顿矩 阵来求解KS方程,该矩阵的大小由截至能(cutoff energy)来决定。
尝试电子密度和尝试波函数
写出交换相关势表达式
构造哈密顿量
子空间对角化,优化迭代
自由能的表达式E
新电子密度,与尝试电子密度比较


输出结果,写波函数
与原子轨道基组相比,平面波基组有如下优点: 1) 无需考虑BSSE校正; 2) 平面波基函数的具体形式不依赖于核的坐标,这样,一
对于K-mesh的确定方法,通常通过考察总能量/能量差的收敛 程度来确定,能量的收敛标准是1meV/atom。
多数情况下,对半导体或绝缘体较小的K-mesh能量就可以 收敛,对于导体,一般需要较大的K-mesh。
-10.2
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Total energy(eV)
-10.5
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PBE
2) POTCAT中各原子赝势定义的顺序必需与POSCAR中相同:
surface of mgo(100) (2*2)Mg 1.00000000000000 5.9459999999999997 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 5.9459999999999997 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 20.0000000000000000 20 20
动力学模拟); DOSCAR : 态密度信息。
POSCAR文件内容说明:
Silicon bulk (Title) 2.9 (Scaling factor or lattice constant) 0.0 1.0 1.0 (第一个平移矢量的方向) 1.0 0.0 1.0 (第二个平移矢量的方向) 1.0 1.0 0.0 (第三个平移矢量的方向)
7) 材料光学性质计算 8) 其它性质计算,包括功函、力学性质等
2. 重复平板模型(或层晶模型):
VASP程序采用重复平板模型来模拟零维至三维体系
零维分子体系
Dv: Vacuum thickness (~10 A) 二维固体表面
说明: 重复平板模型中的平移矢量长度必须合理选择,以保证:
1) 对于分子体系,必须保证相邻重复单元中最近邻原子之间的 2) 距离必须至少7~10埃以上; 2) 对于一维体系,相邻两条链最近邻原子之间的距离必须至少 3) 7~10埃以上; 3) 对二维体系,上下两个平板最近邻原子之间的距离必须至少 4) 7~10埃以上; 4) 严格意义上,通过考察体系总能量/能量差值对真空区大小的 5) 收敛情况来确定合理的平移矢量长度。
-10.55
-10.60
Total energy (eV)
-10.65
-10.70
-10.75
-10.80
100
150
200
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Cutoff energy (eV)
硅体相总能量随cutoff energy大小的变化情况
5. VASP输入和输出文件:
输入文件(文件名必需大写)
INCAR : 其内容为关键词,确定了计算参数以及目的; POSCAR : 构型描述文件,主要包括平移矢量、原子类
Length of vector
Total energy
3. K网格大小的选择:
对于一维至三维体系的计算,需涉及k点数目的选择,对 于K点的确定,它与布里渊区的形状以及对称性有关。VASP的 K点输入方法有多种,其中最常用的是直接给定K-mesh的大小, 然后程序根据布里渊区的形状以及对称性自动生成各K点的坐 标和权重。
-10.8
-10.9
2
4
6
8
10
12
Size of k-mesh
硅体相总能量随K-mesh大小的变化情况
4. Cutoff energy大小的选择:
截至能的大小直接影响到计算结果的精度和计算速度, 因此,它是平面波计算方法的一个重要参数。
理论上截至能越大计算结果也可靠,但截至能大小决定 了计算中平面波的数目,平面波数目越多计算时间约长、内 存开销越大。
VASP程序基本知识
1. VASP程序主要功能:
1) 能量计算
J. Phys. Chem. C, 2008, 112, 191
2) 电子结构(能带结构、DOS、电荷密度分布)
能带结构
DOS
电荷密度分布
J. Phys. Chem. B, 2005, 109, 19270
3) 构型优化(含过渡态)和反应途径
Selective dynamics Direct ……
3) 对各原子的赝势参数,我们最关心的是截至能以及电子数;
4) POTCAR的泛函类型必需与INCAR中GGA关键词定义的
类型一致;
5) 使用zcat命令产生和合并POTCAR文件。
电子数目和组态
构造该赝势时,所采用的泛函类型, 这里为PW91
对应于中等大小的截至能 (构型优化时采用)
对应于低的截至能 (动力学模拟时采用)
KPOINTS文件内容说明: 一般有两种定义K点的方法:
1) 通过定义K-mesh大小,由程序自动产生各K点:
Automatic mesh (title) 0 (为0时,表示自动产生K点) M (表示采用Monkhorst-Pack方法生成K点坐标) 5 5 5(对应于5x5x5网格) 0 0 0(原点平移大小)
型和数目、以及各原子坐标; KPOINTS : K点定义文件,可手动定义和自动产生; POTCAR : 各原子的赝势定义文件。
主要输出文件
OUTCAR : 最主要的输出文件,包含了所有重要信息; OSZICAR : 输出计算过程的能量迭代信息; CONTCAR: 内容为最新一轮的构型(分数坐标,可用于续算); CHGCAR和CHG : 电荷密度; WAVECAR : 波函数文件; EIGENVAL: 记录各K点的能量本征值,用于绘制能带图; XDATCAR: 构型迭代过程中各轮的构型信息(分数坐标,用于
J. Phys. Chem. B, 2006, 110, 15454
4) 频率计算和HREELS能谱模拟
J. Phys. Chem. C, 2007, 111, 7437
5) STM图像模拟
Surf. Sci., 2007, 601, 3488
6) UPS能谱图像模拟
Surf. Sci., 2007, 601, 3488
平面波基组方法的不足之处: 1) 所求得的波函数很难寻找出一个直观的物理或化学图象与
化学家习惯的原子轨道的概念相联系,即其结果与化学家 所感兴趣的成键和轨道作用图象很难联系出来,这就为我 们计算结果的分析带来了困难; 2) 考察某些物理量时,例如原子电荷,涉及到积分范围的选 取,这造成所得物理量的绝对值意义不大; 3) 有些方法,例如杂化密度泛函方法不易于采用平面波基组 方法实现。
surface of mgo(100) (2*2)Mg
1.00000000000000
5.9459999999999997 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 5.9459999999999997 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 20.0000000000000000 20 20 (体系中有2种元素,各自的原子数目分别为20,20) Selective dynamics Direct 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 F F F 0.5000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 F F F 0.5000000000000000 0.5000000000000000 0.0000000000000000 F F F 0.0000000000000000 0.5000000000000000 0.0000000000000000 F F F …… 0.2500000000000000 0.2500000000000000 0.0000000000000000 F F F 0.7500000000000000 0.2500000000000000 0.0000000000000000 F F F 0.2500000000000000 0.7500000000000000 0.0000000000000000 F F F 0.7500000000000000 0.7500000000000000 0.0000000000000000 F F F
2(单胞内原子数目以及原子种类) Selective dynamics(表示对构型进行部分优化,如果没这行,则表示全优化) Direct (表示所采用的为分数坐标,如果内容为Car,则坐标单位为埃)
0.125 0.125 0.125 T T T (各原子坐标以及哪个方向坐标放开优化) -0.125 -0.125 -0.125 T T T
……
POTCAR文件内容说明: VASP程序本身有提供了赝势库,只需将体系各类原子的
赝势合并在一起即可,但需注意到:
1) 赝势类型:LDAFra bibliotekUS型赝势 GGA
PAW型赝势
LDA GGA
PW91 PBE
PW91
US 型 赝 势 所 需 截 至 能 较小,计算速度快, PAW 赝 势 截 至 能 通 常 较大,而且考虑的电子 数多,计算慢,但精确 度高。
根据Bloch定理,对于周期体系,其电子波函数可以写
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