第02章 工程材料中的原子排列

第二章：工程材料中的原子排列§1 原子键合结合力——在固态下，当原子（离子或分子）聚集为晶体时，原子（离子或分子）之间产生较强的相互作用，这种作用力称为结合力，也称为结合键。

化学键——由于电子运动使原子产生聚集的结合力称为化学键。

一、固体中原子的结合键⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎭⎬⎫⎩⎨⎧⎪⎭⎪⎬⎫⎪⎩⎪⎨⎧。

布无变化，或变化很小特点：原子外层电子分氢键分子键物理键外层电子的重新分布。

特点：成键时涉及原子离子键共价键金属键化学键固体中的结合键 （一）金属键：1．构成：由金属中的自由电子与金属正离子相互作用所构成键。

2．基本特点：电子的共有化。

3．性能：由于金属键既无饱和性又无方向性，因而每个原子有可能同更多的原子相结合，并趋于形成低能量的密堆结构。

当金属受力变形而改变原子之间的相互位置时不至于使金属键破坏，这就使金属具有良好延展性，并且，由于自由电子的存在，金属一般都具有良好的导电和导热性能。

（二）共价键：1．构成：由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成。

根据共用电子对在两成键原子之间是否偏离或偏近某一个原子，共价键又分成非极性键和极性键两种。

2．基本特点：饱和性和方向性。

3．性能：共价键的结合极为牢固，故共价晶体具有结构稳定、熔点高、质硬脆图1-1.极性分子间的范德华力示意图等特点。

由于束缚在相邻原子间的“共用电子对”不能自由地运动，共价结合形成的材料一般是绝缘体，其导电能力差。

（三）离子键：1．构成：其实质是正负离子依靠它们之间的静电引力结合在一起。

2．基本特点：以电子而不是以原子为结合单元。

3．性能：一般离子晶体中正负离子静电引力较强，结合牢固。

因此，其熔点和硬度均较高。

另外，在离子晶体中很难产生自由运动的电子，因此，它们都是良好电绝缘体。

但当处在高温熔融状态时，正负离子在外电场作用下可以自由运动，即呈现离子导电性。

（四）分子键（范德华力）： 1．构成：近邻原子的相互作用引起电荷位移而形成偶极子，借助这种微弱的、瞬时的电偶极矩的感应作用将原来具有稳定的原子结构的原子或分子结合为一体。

⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧次方成反比。

与距离的其大小与温度无关，但间的相互作用力。

导致原子产生瞬时偶极色散力：由于电子运动次方成反比。

与距离的其大小与温度无关，但极间的相互作用力。

性分（原）子的永久偶子中产生诱导偶极与极）相互作用时，非分（原子和非极性分（原）子诱导力：极性分（原）次方成反比。

其大小与温度和距离的。

静电相互作用所引起的分子的永久偶极之间的静电力：由极性原子或范德华力7772．基本特点：次价键，无方向性和饱和性。

远不如化学键结合牢固。

注意：高分子材料中总的范德华力超过化学键的作用，故在去除所有的范德华力作用前化学键早已断裂了，所以，高分子往往没有气态，只有液态和固态。

3．性能：范德华力也能很大程度上改变材料的性质。

如不同的高分子聚合物之所以具有不同的性能．分子间的范德华力不同是一个重要的因素。

图1-2. HF 氢键示意图（五）氢键：1．构成：氢键是一种特殊的分子间作用力。

它是由氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子(O ，F ，N 等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。

2．基本特点：具有饱和性和方向性。

3．性能：氢键可以存在于分子内或分子间。

氢键在高分子材料中特别重要，纤维素、尼龙和蛋白质等分子有很强氢键，并显示出非常特殊结晶结构和性能。

二、工程材料的分类工程材料：主要用于制作结构、机件和工具等的固体材料。

⎪⎩⎪⎨⎧、橡胶、合成纤维高分子材料：工程塑料）复合材料：（分类较多特殊陶瓷、金属陶瓷陶瓷材料：普通陶瓷、有色金属金属材料：黑色金属、工程材料§2 原子的规则排列一、晶体学基础（一）晶体与非晶体固体物质按其原子(或分子、离子)的聚集状态，分为“晶体”与非晶体”两大类。

晶体与非晶体物质的本质区别在于原子排列是否有规律。

（注意：不能根据物质的外形是否规则来区分晶体与非晶体。

）晶体与非晶体物质在性能上区别主要有两点：①晶体熔化时具有固定的熔点，而非晶体却无固定熔点，存在一个软化温度范围；②晶体具有各向异性，而非晶体却为各向同性。

图1-4. 晶向指数标定示例图1-3.晶向指数的确定 晶体与非晶体在一定条件下可以转化。

（二）晶体结构与空间点阵1．晶体结构：由实际原子、离子、分子或各种原子集团，按照一定几何规律的具体排列方式称为晶体结构，或晶体点阵。

（自然界中的物质都有各自的晶体结构）2．空间点阵⎪⎩⎪⎨⎧常为平行六面体。

征的最小几何单元。

通晶胞：能够反映点阵特空间排列的三维列阵。

周围环境相同的阵点在空间点阵（点阵）：由的纯粹的几何点。

晶体的实际质点抽象成阵点（节点）：将构成 晶胞的选取原则： (1)选取的平行六面体应反映出点阵的最高对称性； (2)平行六面体内的棱和角相等的数目应最多； (3)当平行六面体的棱边夹角存在直角时，直角数目应最多；(4)在满足上述条件的情况下，晶胞应具有最小的体积。

注意：晶体结构与空间点阵的区别：3．晶胞大小与形状的描述：6个点阵参数（三个点阵常数、三个晶轴夹角）。

4．结构晶胞：在阵点上标出相应晶体结构中各原子的位置的晶胞。

是构成晶体结构的基本单元。

（注意：点阵晶胞和结构晶胞都称为晶胞，但两者有区别。

）（三）布拉菲点阵（四）晶向指数与晶面指数晶向：在晶格中穿过两个以上节点的，代表晶体中一个原子列在空间的位向的直线。

晶面：由节点组成的代表某一原子平空间点阵的数量有限，只有14种，称为布拉菲点阵。

面的平面。

1．晶向指数：标定步骤：（以图1-3、1-4加以说明）注意：一个晶向指数代表一组互相平行、位向相同的晶向。

若指数相同而符号相反，则表示两组晶向相互平行而方向相反。

晶向族：原子排列相同而位向关系不同的所有晶向，用<uvw>表示。

2．晶面指数：标定步骤： （以图1-5.、1-6说明）注意：①晶面指数所代表的不仅是某一晶面，而是代表着一组相互平行的晶面。

②在立方晶系中，具有相同指数的晶向和晶面必定互相垂直。

同时，若一晶向[uvw]位于或平行某一晶面{hkl}，则其指数必须满足hu+kv+lw=0（晶带定律．．．．）。

晶面族：在晶体内凡晶面间距和晶面上原子的分布完全相同，只是空间位向不同的晶面可以归并为同一晶面族，以{hkl}表示，它代表由对称性相联系的若干组等效晶面的总和。

3．六方晶系指数：可采用三轴坐标和四轴坐标，但采用三轴坐标不能显示其对称性。

三轴坐标和四轴坐标的转换关系：1）晶面指数：（hkl ）→（hkil ），其中，i=-（h+k ）；图1-5 晶面指数的确定 图1-6. 晶面指数标定示例2）晶向指数：[UVW]→[uvtw]，其中⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=+-=-=-=Ww v u t U V v V U u )()2()2(3131（五）晶面间距：晶面间距：相邻两个平行晶面之间的垂直距离。

规律：①低指数晶面的面间距较大；高指数晶面的面间距较小；②晶面间距越大，则该晶面上原子的排列越紧密，即面密度大；反之亦然。

③原子线密度最大的晶向，其面间距最大。

对正交晶系：()()()2/1222-⎥⎦⎤⎢⎣⎡++=c l b k a h hkl d由于立方晶系中a=b=c ，所以有：222l k h ahkl d ++=（注意：实际计算时应根据晶胞的具体情况加以分析，如P51习题2）二、晶体结构及其几何特征（一）金属中常见的晶体结构最常见的有三种：面心立方（fcc ）、体心立方（bcc ）和密排六方（hcp ）。

1．晶胞中的原子数（n ）：晶胞中原子个数面上原子个数顶点原子个数+⨯+⨯=211a n （式中的a 依情况而定，立方系为8，六方系为12）2．点阵常数：（设原子半径为R ）体心立方：4/3a R =或3/34R a =； 面心立方：4/2a R =或R a 22=； 密排六方：（当c/a=1.633时）R=a/2或a=2R 。

3．晶体原子的紧密程度：1）配位数（CN ）：每个原子周围最近邻且等距离的原子数目。

面心立方：12； 体心立方：8（8+6）； 密排六方：12（6+6）。

2）致密度（k ）：单位晶胞中原子所占体积与晶胞体积之比。

k=nv/V（式中：n—晶胞中的原子数；v—单个原子的体积；V—晶胞体积）面心立方：0.74；体心立方：0.68；密排六方：0.74。

可知：面心立方与密排六方的配位数和致密度相等且大于体心立方的。

4．晶体中的间隙：5．晶体中原子的堆垛方式：（对于同类原子）面心立方：ABCABC……；密排六方：ABABAB……（应用晶胞叠放说明面心立方晶体中的原子堆垛方式。

）6．晶体结构的多晶型性（表现为同素异构转变等。

）（二）陶瓷的晶体结构特点：结构复杂，原子排列不紧密，配位数较低。

分为两类：1）按离子键结合；2）按共价键结合。

§3 原子的不规则排列根据晶体缺陷的几何特征，可以将它们分为三类：（1）点缺陷：其特征是在三维空间的各个方面上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺度，故称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子等；（2）线缺陷：其特征是在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称一维缺陷，如各类位错；（3）面缺陷：其特征是在一个方向上尺寸很小，另外两个方向上扩展很大，也称二维缺陷。

晶界、相界、孪晶界和堆垛层错等都属于面缺陷。

一、点缺陷1．点缺陷的形成与类型形成：1）格点上的原子作热振动而脱离其平衡位置造成空位（热平衡缺陷）。

2）高温淬火、冷变形加工和高能粒子的辐照效应也可产生点缺陷。

3）另外，在一定条件下，表面的原子也有可能进入到晶体内部的间隙中形成间隙原子。

类型：有两种⎩⎨⎧成的空位。

子跳入点阵的间隙中形弗兰克尔空位：离位原内界面形成的空位；迁移到晶体的外表面或肖脱基空位：离位原子 点缺陷的存在会造成点阵畸变而形成应力场。

点缺陷的形成能：2．点缺陷的平衡浓度：在绝对零度以上，晶体最稳定的状态是含有一定浓度的点缺陷。

该浓度即为该温度下的点缺陷平衡浓度。

3．点缺陷对性能的影响：二、线缺陷（一）位错的基本类型位错是晶体原子排列的一种特殊组态。

从位图1-7. 含有刃型位错的晶体结构错的几何结构来看，可将它们分为两种基本类型：刃型位错和螺型位错。

1．刃型位错见图1-7。

刃型位错结构的特点：1）刃型位错有一个额外的半原子面。

据此把刃型位错分为正、负两种，但这种正、负之分只具相对意义，而无本质的区别。

2）刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。

它不一定是直线，也可以是折线或曲线，但它必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量。

3）滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，在其他面上不能滑移。

由于在刃型位错中，位错线与滑移矢量互相垂直，因此，由它们所构成的平面只有一个。