材料物理性能-第四章

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材料物理性能-_磁学性能

材料物理性能-_磁学性能
磁化率,反映材料磁化的难易程度,无量纲, 可正可负,是物质磁性分类的主要依据。
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4. 磁感应强度和磁导率(P133) 材料在磁场强度为 H 的外加磁场(直流、交变或脉冲磁 场)作用下,会在材料内部产生一定的磁通量密度,称其为 磁感应强度B,即在强度为H的磁场中被磁化后,物质内磁场 强度的大小。 在真空中,磁感应强度为:
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二、技术磁化(P154)
对未经外磁场磁化的 ( 或处于退磁状态的 ) 铁磁体,它们 在宏观上并不显示磁性,这说明物质内部各部分的自发磁化 强度的取向是杂乱的。因而物质的磁畴决不会是单畴,而是
由许多小磁畴组成的。
技术磁化:在外磁场作用下,铁磁体从完全退磁状态磁化到 饱和的内部变化过程。
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铁磁体在外磁场中的磁化过程主要为畴壁的 移动和磁畴内磁矩的转向。
因而自发磁化强度降低,铁磁性消失。这一温度称为居里 点Tc。在居里点以上,材料表现为顺磁性。
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4. 反铁磁性和亚铁磁性(P132、P144) 如果交换积分 A<0时,则原于磁矩取反向平行排列能量最 低。如果相邻原子磁矩相等,由于原子磁矩反平行排列,原
子磁矩相互抵消,自发磁化强度等于零。这样一种特性称为
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磁学与电学基本物理量的比较 电学物理量 (单位) 磁学物理量 (单位)
J E P 0E
电流强度 I (A)
磁通量 Ф (Wb)
电流密度 J (A/m2)
电场强度 E (V/m)
磁通密度 B (Wb/m2)
磁场强度 H (A/m)
B H M H
r 1
电导率σ (Ω-1· m-1)
B0 0 H
式中μ0为真空磁导率
0 4 107 H / m

《材料物理性能》课后习题答案

《材料物理性能》课后习题答案

《材料物理性能》第一章材料的力学性能1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。

解:由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。

1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。

若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。

解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。

则有当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。

0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =⨯==-σ名义应力0851.0100=-=∆=AA l l ε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =⨯==-σ真应力)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =⨯+⨯=+=上限弹性模量)(1.323)8405.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量1 / 101-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。

解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程:V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程:以上两种模型所描述的是最简单的情况,事实上由于材料力学性能的复杂性,我们会用到用多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合而成的复杂模型。

材料物理性能定义总结

材料物理性能定义总结

材料物理性能定义总结第一章材料的电性能A按压力对金属导电性的影响:金属分为正常金属和反常金属。

B本征电导:源于晶体点阵中基本离子的运动。

玻璃的导电机理:玻璃在通常情况下是绝缘体,但在高温下,玻璃的电阻率却可能大大降低,因此在高温下有些玻璃将成为导体。

玻璃的导电是由于某些离子的可动性导致的,故玻璃是一种电解质的导体。

在钠玻璃中,钠离子在二氧化硅网络中从一个间隙跳到另一个间隙,形成电流。

这与离子晶体中的间隙离子导电类似。

本征半导体:纯净的无结构缺陷的半导体单晶。

本征电导在高温下为导电的主要表现。

半导体导电机理:在绝对零度和无外界影响的条件下,半导体的空带中无运动的电子。

但当温度升高或受光照射时,也就是半导体受到热激发时,共价键中的价电子由于从外界获得了能量,其中部分获得了足够大能量的价电子就可以挣脱束缚,离开原子而成为自由电子。

本征半导体的电学特性:1)本征激发成对产生自由电子和空穴,自由电子浓度与空穴浓度相等;2)禁带宽度Eg 越大,载流子浓度n i 越小;3)温度升高时载流子浓度n i 增大。

4)载流子浓度n i与原子密度相比是极小的,所以本征半导体的导电能力很微弱。

不均匀固溶体(k状态):在合金元素中含有过渡族金属的,这些固溶体中有特殊相变及特殊结构存在,这种组织状态称为k状态。

这些固溶体中原子间距的大小显著地波动,其波动正式组元原子在晶体中不均匀分布的结果,所以也把k状态称之为“不均匀固溶体)。

C畴壁:两铁电畴之间的界壁称为畴壁。

超导电性:在一定低温条件下,金属突然失去电阻的现象叫超导电性。

超导态:金属失去电阻的状态称为超导态,金属具有电阻的状态称为正常态。

超导体三个基本特性:完全导电性,完全抗磁性,通量(flux)量子化。

完全导电性:在室温下把超导体放入磁场中,冷却到低温进入超导态,把原磁场移开,则在超导体中的感生电流,由于没有电阻而将长久存在,成为不衰减电流。

超导现象产生的原因:由于超导材料中的电子双双结成库柏电子对,电子对和晶格间相互作用,而无能量损失,使超导体不产生电阻超导体存在T c 的原因:当温度或外磁场强度增加时,电子对获得能量,当温度或外磁场强度增加到临界值时,电子对全部被拆开成正常态电子,于是材料即由超导态转变为正常态。

材料物理性能.doc

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材料物理性能第一章材料热学性能一(热容的定义,热容的来源以及热容随温度的变化规律热容:是问题温度每升高1K,物质所需要增加的能量被称为热容。

热容的来源:温度升高导致原子热振动加剧,点阵离子振动以及体积膨胀需要向外做功,同时自由电子对热容也有贡献,但只在温度极端的情况下才发生。

热容随温度的变化规律:热容反映了材料从周围环境吸收能量的能力,不同温度时,热容不同。

定容热容与定压热容有相似规律。

当温度较高时,定压热容变化趋势平缓当温度较低时,定压热容与T3成正比;当温度趋于0K时,定压热容与T成正比;当温度等于0K是,定压热容也等于0K。

二(热容的德拜模型以及其局限性答:晶格点阵结构对热容的作用主要表现在弹性波的振动上,即波长较长的声频支的振动在低温下起主导作用,由于声频支的波长大于晶格常数,故可以将晶格看成是连续的介质,声频支也可以看成是连续的具有0-Wmax的谱带的振动。

由此,可导出定压热容的公式:Cv,m=12/5π4R(T/θD)3由此公式可得:1)当温度大于德拜温度时,即处于高温区,定压热容=3R,与实验结果相符合;2)当温度小于德拜温度时,定压热容与T3成正比,比爱因斯坦模型更接近于实验结果;3)当温差极低时(趋近于0K时),定压热容趋近于0,大体与实验结果相符。

德拜模型的局限性:因为德拜模型把晶格点阵考虑成连续的介质,故对于原子振动频率较高的部分并不适用,故德拜模型对于一些化合物的计算与实验结果不相符;2)对于金属类晶体,忽略了自由电子的贡献,所以在极端温度条件下与实验结果不符;3)解释不了超导现象。

三(热膨胀的定义及其物理机制热膨胀:热膨胀是指随着温度的升高,材料发生体积或者长度增大的现象。

热膨胀的物理机制:随着温度的升高,晶体中的的原子振动加剧,相邻原子之间的平衡间距也随温度的变化而变化,因此温度升高产生热膨胀的现象。

四(热膨胀与其他物理量之间的关系。

热膨胀是原子间结合力的体现,原子间的结合力越大,热膨胀系数越小。

自编教材第四章_材料的导电性能

自编教材第四章_材料的导电性能

第四章 材料的导电性能材料的导电性能是材料物理性能的重要组成部分,导体材料在电子及电力工业中得到广泛的应用,同时,表征材料导电性的电阻率是一种对组织结构敏感的参量,所以,可通过电阻分析来研究材料的相变。

本章主要讨论材料的导电机理,影响材料导电因素以及导电性能参数的测量和应用。

还对材料的超导电性能、热电性能以及半导体性能等作简要介绍。

第一节 材料的导电性一、 电阻与导电的基本概念当在材料的两端施加电压V 时,材料中有电流I 流过,这种现象称为导电,电流I 值可用欧姆定律表示,即I = RV (4-1) 式中:R 为材料电阻,其值不仅与材料的性质有关,而且还与其长度L 及截面积S 有关,因此R = ρSL (4-2) 式中:ρ称为电阻率,它在数值上等于单位长度和单位面积上导电体的电阻值,可写为 ρ = R L S(4-3)由于电阻率只与材料本性有关,而与导体的几何尺寸无关,因此评定材料导电性的基本参数是ρ而不是R 。

电阻率的单位为Ω· m (欧·米)。

在研究材料的导电性能时,还常用电导率σ,电导率σ为电阻率的倒数,即σ =1 (4-4) 电导率的单位为Ω-1· m -1。

式(4-3)和式(4-4)表明,ρ 愈小,σ 愈大,材料导电性能就越好。

根据导电性能的好坏,常把材料分为导体、半导体和绝缘体。

导体的ρ 值小于10-2 Ω· m ;绝缘体的ρ值大于1010Ω· m ;半导体的ρ值介于10-2 ~ 1010Ω· m 之间。

虽然物质都是由原子所构成的,但其导电能力相差很大,这种现象与是物质的结构与导电本质有关。

二、导电的物理特性1、载流子电流是电荷在空间的定向运动。

任何一种物质,只要有电流就意味着有带电粒子的定向运动,这些带电粒子称为载流子。

金属导体中的载流子是自由电子,无机材料中的载流子可以是电子(负电子、空穴)、离子(正、负离子,空位)。

载流子为离子或离子空穴的电导称为离子式电导,载流子为电子或电子空穴的电导称为电子式电导。

《无机材料物理性能》课后习题答案

《无机材料物理性能》课后习题答案

《材料物理性能》第一章材料的力学性能1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。

解:由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。

1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。

若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。

解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。

则有当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。

0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =⨯==-σ名义应力0851.0100=-=∆=A A l l ε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =⨯==-σ真应力)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =⨯+⨯=+=上限弹性模量)(1.323)8405.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量1-11一圆柱形Al 2O 3晶体受轴向拉力F ,若其临界抗剪强度τf 为135 MPa,求沿图中所示之方向的滑移系统产生滑移时需要的最小拉力值,并求滑移面的法向应力。

解:1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。

解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程:V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程:以上两种模型所描述的是最简单的情况,事实上由于材料力学性能的复杂性,我们会用到用多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合而成的复杂模型。

材料光学性能unit4-浙江大学材料物理性能笔记

材料光学性能unit4-浙江大学材料物理性能笔记

材料光学性能unit4-浙江大学材料物理性能笔记4.1.基本概论1)光介质材料能使光产生折射、反射或透射效应,以改变光线的方向、强度和位相,使光线按预定要求在材料中传播,简之,光介质材料就是传输光线的材料光功能材料:在电、声、磁、热、压力等外场作用下,材料的光学性能会发生变化,或者在光的作用下其结构和性能会发生变化,如发光材料、激光材料、光导材料、磁光材料、非线性光学材料等光波是一种波长很短的电磁波,由电场分量和磁场分量组成,两个分量彼此互相垂直并都垂直于波的传播方向波动学说:c=1/00με 0ε=8.85x1012-F/m 0μ=4πx107-H/m微粒学说:E=hv2)光和固体的相互作用0 =?T +? A +? R 光辐射能流率(单位为W/m2):表示单位时间内通过单位面积的能量τ+ α+ρ = 1 τ为透射率(?T/ ?0);α为吸收率(?A/ ?0);ρ为反射率(?R/ ?0)3)光和原子、电子的相互作用固体材料中出现的光学现象是电磁辐射与固体材料中原子、离子或电子之间相互作用的结果。

其中最重要的两种作用是电子极化和电子跃迁电子极化:随着电场分量方向的改变,诱导电子云和原子核的电荷中心发生相对位移电子跃迁:电磁波的吸收和发射包含电子从一种能态跃迁到另一种能态的过程4)金属对可见光是不透明的:肉眼看到的金属颜色不是由吸收光的波长决定的,而是由反射光的波长决定的。

非金属材料对于可见光可能是透明的,也可能不透明。

折射:n= c/υ v=1/με n=1/00με大多数材料是非磁性的或磁性很弱r μ=1 n= r ε 透明介质的折射率是和材料的相对介电常数有关。

光和介质的相互作用主要就是介质中的电子在光波电场作用下作强迫振动。

绝缘体:σ->0 n->ε2/1r α->0 材料是透明的。

半导体:α=(1/ε2/1r )[σ/2w 0ε] 存在吸收,不透明。

金属材料:α= [σ/2w 0ε],对光有强烈的吸收,不透明,反射比接近1,,光主要被表面反射,产生金属光泽。

材料物理性能(第四章材料的光学性能)

材料物理性能(第四章材料的光学性能)
发光材料的发光效果直接影响光电 子器件的性能和效率。
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汇报人:AIPPT 汇报时间:202X.XX
材料物理性能(第四章材料的光学性能)
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目录
光学性能概述
折射率的影响因素
光学性能的应用
01
光学性能概述
光学性能的定义和重要性
光学性能的定义
光学性能是指材料在光学方面的表现和特性。 它包括折射率、透过率、反射率、发光性能等指标。
光学性能的重要 性
光学性能直接影响材料在光学器件中的应用效果。 各种光学性能指标的优化可以提高光学器件的性能和效率。
折射率的调控可以实现透镜和棱镜的光学性能优化。 合适的折射率分布可以消除光学器件的像差。
02
光纤和光波导的应用
折射率的调控可以实现光纤和光波导的传输性能优化。 通过改变折射率分布可以实现光信号的传输和调控。
光学涂层和薄膜的设计
反射镜和透射镜的设计
反射镜和透射镜的光学性能与材料的折射率相关。 通过合适的折射率调控可以实现涂层的光学性能优化。
光学滤波器和频率选择器的应用
光学滤波器和频率选择器的设计依赖于材料的折射率。 材料的折射率调控可以实现滤波器和选择器的工作波长。
光学材料的发光性能优化
发光材料的选择和设计
不同发光材料具有不同的能带结构和发光性能。 通过选择合适的发光材料可以实现发光器件的效率和亮度优化。
光电子器件的应用
光电子器件的光学性能与材料的发 光性能相关。
杂质和掺杂物的影响
杂质和掺杂物的引入会改变材料的折射率。 杂质和掺杂物的能带结构和晶体结构对折射 率有影响。
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可以用大离子得到高n的材料,
,用小离子得
到低n的材料,如

2.材料的结构、晶型和非晶态
象非晶态和立方晶体这些各向同性材料,当光通
过时,光速不因传播方向改变而变化,材料只有一个折
射率,称为均质介质。但是除立方晶体以外的其他晶型,
都是非均质介质。
光进入非均质介质时,一般都要分为振动方向相互 垂直、传播速度不等的两个波,它们分别构成两条折射 光线,这个现象称为双折射。双折射是非均质晶体的特 性,这类晶体的所有光学性能都和双折射有关。
增加)而减小的性质,称为折射率的色散。色散=

几种材料的色散见图4.1 和4.2。
色散值可以直接由图4.1确定。常用的色散系数为
式中 nD 、nF 和nC 分别为以钠的D谱线,氢的F谱线和 C谱线(5893Å、4861Å和6563Å)为光源,测得的拆射 率。
三、反射
当光线由介质1入射到介质2时, 光在介质面上分成了反射光和折射 光,所图4.3所示。
设光的总能量流W为 式中W、 、 分别为单位时间通过 单位面积的入射光、反射光和折射光 的能量流,根据波动理论
由于反射波的传播速度及横截 面积都与入射波相同,所以
式中 与A分别为反射波与入射波的振幅。 把光波振动分为垂直于入射面的振动和平行于入射面 的振动,Fresnel 推导出
自然光在各方向振动的机会均等,可以认为一半能量 属于同入射面平行的振动,另一半属于同入射面垂直的
为了简单起见,考虑简谐电场作用下的电子运动,则电 场E和电子位移x分别为E=E(ω)eiωt和x=x(ω)eiωt,其中E(ω) 和x(ω)表示对应于频率的振幅值 ,有
x(
)
e m
02
E ( ) 2
i
结论:在简谐振子模型的近似下,电子受迫振动的频率与驱动 光波频率相同。但该式右边的分母中含有虚因子iω,表明受 迫振动与驱动光场间存在相位差,且这个相位差对介质中所有 原子都是一样的
第一节 光通过介质的现象 一、折射
当光从真空进入较致密的材料时,其速度降低。光 在真空和材料中的速度之比即为材料的折射率。
如果光从材料1,通过界面传入材料2时,与界面法 向所形成的入射角i1,折射角i2与两种材料的折射率n1和 n2有下述关系:
式中: 和 分别表示光在材料1及2中的传播速度,
为材料2相对于材料1的相对折射率。
光波的辐射主要是原子最外层电子或弱束缚电子的加速运动产 生的,因而原子的电偶极矩便是这种光辐射的主要波源。了解 电偶极子辐射场的基本性质对经典理论处理光和物质相互作用 的问题极为重要
二、交变电偶极子向空间发射电磁波
当外层电子与原子核等值异号的电荷交替变化 时,即形成一个交变的电偶极子,电偶极矩在它周 围产生交变电场,交变电场又产生交变磁场,交变 磁场再产生交变电场,如此不断继续下去,于是, 在电偶极子周围空间便产生由近及远的电磁波动, 因此,交变电偶极子向空间发射电磁波
上述两条折射光线,平行于入射面的光线的折射率, 称为常光折射率n0,不论入射光的入射角如何变化,n0 始终为一常数,因而常光折射率严格服从折射定律。另
一条与之垂直的光线所构成的折射率,则随入射线
方向的改变而变化,称为非常光折射率ne,它不遵守折
射定律,随入射光的方向而变化。当光沿晶体光轴方向入
射时,只有n0存在,与光轴方向垂直入射时,ne达最大
值,此值是材料的特性。
3.材料所受的内应力
有内应力的透明材料,垂直于受拉主应力方向的n大, 平行于受拉主应力方向的n小。
4.同质异构体
在同质异构材料中,高温时的晶型折射率n较低,低 温时存在的晶型折射率n较高。
表4.1列出了部分玻璃和晶体的折射率。
表4.1 各种玻璃和晶体的折射率
二、色散
材料的折射率n随入射光的频率的减小(或波长的
(3)当光波作用到原子上时,光波使原子极化,原子中的电 子将在光频电磁场矄驱动下作强迫振动,使电子依靠光波电场 的步调振动。对于非磁性材料,仅考虑电场力(-eE)的作 用。如果光场较弱,电子强迫振动的位移不大,则仍可采用简 谐振子模型,电子运动方程为
d2x dt2
r
dx dt
2 0
x
e m
E
式中e=|e|为电子电荷的大小,忽略介质中宏观场与局部电场的 微小差别,E就是外部光波的电场。
振动,所以总的能量流之比为: 当角度很小时,即垂直入射
因介质2对于介质1的相对折射率
,故
m——反射系数, 根据能量守恒定律
(1-m)称为透射系数。由上式可知,在垂直入射的情 况下,光在界面上的反射的多少取决于两种介质的相对 折射率 。
设一块折射率为
ห้องสมุดไป่ตู้
的玻璃,光反射损
失为
介质的n总是大于1的正数,例如空气
,固
体氧化物n=1.3~2.7,硅酸盐玻璃

影响 n 值的因素有:
1.构成材料元素的离子半径
马克斯威尔电磁波理论认为光在介质中的传播 速度为:
式中:C—真空中光速,ε —介质介电常数, —介质导磁率
对于无机材料电介质
,故
当离子半径增大时,其ε增大,因而n也增大。因此,
第四章 材料的光学性能
第一节 光通过介质的现象
第二节 材料的透光性 第三节 界面反射和光泽 第四节 不透明性(乳浊)和半透明性
光和物质相互作用的基本理论
一、重要性
介质中的各种光学现象本质上是光和物质相互作用的结果。从 经典电子模型出发,研究光和物质相互作用的微观过程,是讨 论介质中光的折射、散射、吸收和色散等常见的线性光学现象 的物理本质的基础
三、光和物质相互作用的经典的观点
光和物质相互作用的过程可以看作是组成物 质的原子或分子体系在入射光波电场的作用下, 正负电荷发生相反方向的位移,并跟随光波的频 率作受迫振动,产生感生电偶极矩,进而产生电 磁波辐射的过程。这一过程也为发射次波的过程
(1)(原子内部电子的运动可用简谐振动规律的电偶极子描 述,称为简谐振子。电子的运动方程为
d 2x dt 2
02 x
(2)因为交变电偶极子辐射电磁波,而辐射场必然对电子产 生反作用,即辐射阻尼,这种辐射阻力与位移速度dx/dt成正 比 ,于是电子的运动方程可写成
d2x
dt 2
dx dt
2 0
x
0
为阻力系数。 因此原子内部电子按固有频率的振动是衰减振动,其振幅 随时间不断减小,即为阻尼振动。
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