低维GaN纳米材料的最新研究进展
低维材料的新研究进展

低维材料的新研究进展近年来,低维材料领域的研究备受瞩目。
低维材料是一种特殊的材料,具有非常薄的结构。
传统的三维材料将原子或分子密密麻麻地堆叠在一起,而低维材料则可以从中分离出一定数量的层,使其在表面区域中呈现出非常薄的结构。
由于低维材料具有许多特殊的物理和化学性能,因此在新型器件和技术的研究中呈现出巨大的潜力。
当前,对于低维材料的研究主要集中在二维材料、一维纳米线及零维纳米点等方向上。
其中二维材料是研究最为广泛的一类低维材料。
二维材料具有极高的比表面积和优异的机械强度,且是一类非常薄的材料,因此在能源、电子学、传感器等方向的研究中有着广泛应用。
Graphene是最早被发现的二维材料之一,可以形成高效的电子输运媒介和光学波导。
如果将几层或数十层的Graphene层状堆叠起来,就构成了一种叫做石墨烯多层片(Graphene Multilayer)的材料。
对于石墨烯多层片的研究目前正在进行中,研究人员尝试着用其替代石墨烯,从而更好地实现导电和隔热。
(1)除了Graphene,其他二维材料也备受关注。
MoS2是一种类石墨烯的二维材料,拥有非常高的电子迁移率。
当MoS2单层为p型半导体质量时,其具有非常好的理论性能。
人们重点研究了MoS2应用于场效应晶体管(FET)和光电器件的相关性质。
(2)除此以外,黑磷(Black Phosphorus)也是一种正在研究的二维材料。
黑磷是一种多种颜色的材料,其薄层结构有望在DNA分子、有机半导体和(有)机太阳能电池等领域得到广泛应用。
(3)与二维材料的研究相比,纳米线及纳米点的研究发展较慢,但也在逐步开展。
一维纳米线是指直径缩小到一维尺度的材料。
由于其与其外界环境的各项特性不同,因此似乎具有一些特殊的变化。
人们尝试从纳米线电极、基于核壳结构的静电聚集物、基于纳米线的半导体关元器件以及纳米线催化合成等方向对其进行研究。
(4)整体而言,近年来低维材料的研究进展迅速。
虽然这些新材料相对于传统材料更加具有难点和挑战,但是其独特的物性特征非常适合于许多新型科学技术的发展。
低维纳米材料物理化学性能研究

低维纳米材料物理化学性能研究纳米科技的发展已经为我们带来了许多惊人的突破和进步。
在纳米材料的研究中,低维纳米材料是一个非常重要的分支。
低维纳米材料指的是在一维、二维或三维空间内维度较低的纳米材料。
由于在低维空间内,物质物理和化学性质的变化与经典理论预测不同,低维纳米材料呈现出许多特殊的物理和化学性质。
因此,低维纳米材料的研究具有非常重要的科学价值和应用前景。
本文将介绍一些关于低维纳米材料物理化学性能研究方面的最新进展。
一维低维纳米材料的研究一维低维纳米材料是指具有一维纳米结构的材料,例如纳米线、纳米管等。
这些材料由于具有特殊的表面形态和结构特征,具有很高的导电性和导热性,以及其它各种物理化学性质。
因此,一维低维纳米材料在纳米器件、传感器、能源等方面的应用前景非常广泛。
在一维低维纳米材料研究中,最常用的方法是通过热解或气相沉积技术制备材料。
许多研究中还提出了一些新的制备方法,例如界面合成法、水热合成法等。
例如,研究人员已经通过水热合成法成功制备了二氧化钛纳米管,并表明这些纳米管具有更高的光催化性能。
此外,还有研究人员通过模板法制备出铜纳米线,并利用其优异的导电性和导热性制备了柔性电极。
除了制备方法的改进,目前一维低维纳米材料研究的一个重要方向是探究纳米材料的结构和组成对其物理化学性质的影响。
例如,研究人员已经发现纳米线的直径对其电学性能和导热性有着非常明显的影响。
因此,深入研究纳米材料的结构和组成,以及这些因素对其物理化学性质的影响是低维纳米材料研究的一个重要课题。
二维低维纳米材料的研究二维低维纳米材料是指只能在二维平面内运动的纳米材料。
二维低维纳米材料最著名的例子就是石墨烯。
石墨烯具有单层碳原子排列构成的二维晶体结构,其独特的电学性质、导热性能和力学性质引起了广泛的关注。
在二维低维纳米材料研究中,石墨烯是最常用的研究对象。
研究人员已经通过化学还原法成功制备出大规模的石墨烯片,还发现了一些新的石墨烯合成方法。
低维纳米结构材料的制备及其力学性能研究

低维纳米结构材料的制备及其力学性能研究近年来,随着纳米科技的快速发展,低维纳米结构材料的制备及其力学性能研究引起了广泛的关注。
低维纳米结构材料是指其在至少一个方向上具有尺寸小于100纳米的特征尺寸,并且在其他方向上尺寸较大的材料。
这种结构独特的材料具有许多优异的力学性能,例如高强度、高韧性和优异的抗疲劳性能,广泛应用于材料科学和工程领域。
低维纳米结构材料的制备是研究的关键环节。
目前,常用的制备方法包括化学气相沉积、溶液法、机械合金化等。
其中,化学气相沉积是制备低维纳米结构材料最常用的方法之一。
该方法通过在合适的条件下,使金属或半导体等材料在气相中发生化学反应,生成纳米颗粒,并沉积在基底表面形成纳米结构。
溶液法是另一种常见的制备方法,它通过溶液中的化学反应来实现纳米结构材料的制备。
与化学气相沉积相比,溶液法的制备成本更低,操作简单,适用性更广。
机械合金化是一种通过机械力来制备纳米颗粒的方法,常用的机械合金化方法包括球磨法和挤压法。
这些制备方法不仅能够控制低维纳米结构材料的尺寸和形貌,还可以调控材料的物理和化学性质,实现对力学性能的调控。
低维纳米结构材料的力学性能对其应用具有决定性的影响。
首先,低维纳米结构材料的力学性能受到界面的影响。
在纳米尺度下,界面的原子结构和性质都发生了显著改变,这对材料的力学性能产生了重要影响。
例如,低维纳米结构材料的界面能对其塑性变形、断裂、疲劳等力学性能起到重要作用。
同时,低维纳米结构材料的力学性能还受到材料的晶格缺陷和微观结构的影响。
晶格缺陷可以通过控制制备过程中的温度、压力等条件来调控,从而实现对材料力学性能的调控。
微观结构的改变也可以通过材料制备方法的选择来实现,比如通过改变球磨时间、溶液浓度等因素,从而影响材料的力学性能。
除了制备和界面、晶格缺陷等因素对低维纳米结构材料力学性能的影响外,其组成元素的选择也是研究中的关键。
不同的材料组成元素具有不同的力学性能,比如碳纳米管的高强度和高弹性模量,二维材料石墨烯的高柔性等。
低维纳米材料的制备和性能研究

低维纳米材料的制备和性能研究随着科学技术的不断发展,人们对新材料的需求与日俱增。
近年来,低维纳米材料成为了科学研究的热点之一。
低维纳米材料是指一种厚度在纳米级别,但是其他两个维度尺寸较大的材料,通常包括二维材料和一维材料。
这种材料的特殊属性使它具有许多独特的性能和应用。
一、低维纳米材料的制备方法低维纳米材料的制备非常关键,对于纳米材料的性质和性能有着至关重要的影响。
目前,主要的制备方法有以下几种:1. 化学合成法化学合成法是指通过化学反应合成纳米材料。
这种方法制备出的材料通常具有尺寸均一,形态可控的特点。
2. 物理法物理法是指利用物理手段来制备纳米材料。
这种方法相对于化学合成法来说,具有更好的可重复性和更高的制备效率。
目前主要采用的物理法包括机械法、电化学法、热蒸发法、溅射法和激光剥离法等。
3. 生物法生物法是指利用生物学特性制备纳米材料。
这种方法具有环保、可持续发展等优点,产物纯度高,稳定性好。
生物合成法除了可以制备纳米颗粒,还可以制备类似氧化石墨烯、金属无定形合金等二三维纳米材料。
二、低维纳米材料的性能低维纳米材料由于其特殊的物理结构,在性能上具有很多优良的特点。
具体来说,低维纳米材料具有以下几个方面的性能优势:1. 电学性能大部分低维纳米材料的电性能性能表现优异,且有着极高的载流子迁移率、优秀的导电和强电场效应等特点。
这些特点使低维纳米材料在电子器件中具有广泛应用前景。
2. 光学性能低维纳米材料在光学性能方面也表现出许多优异的特点。
许多低维纳米材料本身就具备较好的光学特性,如碳纳米管、纳米线、纳米棒等,它们的光吸收和光致发光性能比其他材料有所提升。
此外,低维纳米材料还可以通过对其表面进行表面修饰,进一步提升其光学性能。
3. 机械性能当低维纳米材料变得极长、极细时,其表现出了一些其他材料所不具备的性能,比如极高的柔性和轻量化。
如石墨烯就是非常著名的一种极度轻薄材料,拥有高度的柔性和强度,可以广泛应用于柔性电子和柔性传感器等领域。
低维材料的研究进展及其应用

低维材料的研究进展及其应用随着人类科技的不断进步,人们对于材料的研究也在不断深入。
在材料科学领域中,低维材料正变得越来越受到关注。
本文将从低维材料的概念、研究进展以及应用前景三个方面对低维材料进行探讨。
一、低维材料的概念“低维”是一个相对概念,它与“高维”相对。
在材料科学领域中,通常把三维结构称为高维结构,而二维和一维结构则是低维结构。
所以,低维材料通常是指二维或一维材料。
从材料学的角度来看,低维材料是指平面和一维链(或管)构成的材料,包括2D 材料(如石墨烯、硼氮化物等)、1D 纳米线(如半导体纳米线、碳纳米管等)等。
由于低维材料的特殊结构,它们拥有较大的比表面积、更多的表面活性位点、更强的光学、电学特性等。
二、低维材料的研究进展低维材料起源于半导体工业,但近年来,随着石墨烯的发现,低维材料研究成为科学研究的热点。
石墨烯是由单层碳原子构成的二维材料,具有很好的导电性、机械性和光学特性。
石墨烯的发现,推动了低维材料研究的快速发展。
近年来,研究人员不断探索各种低维材料的结构、性质及其应用,涌现出无数令人惊叹的研究成果。
(1)石墨烯以及类石墨烯材料作为最基本的低维材料之一,石墨烯的研究备受人们关注。
除了石墨烯以外,其他的类石墨烯材料(如硼氮化物、六角硼氮化物等)也受到了广泛的关注。
它们不仅具有机械强度和导电性等方面的优异性能,而且在光电领域的应用前景也非常广阔。
(2)二维金属氧化物二维金属氧化物(MXene)是由Mn+1XnTx片层构成的材料,其中M代表过渡金属,X代表碳、氮或氧,T代表表面官能团。
MXene材料的热稳定性、导电性、光学效应都非常优异,适用于电池、传感器等领域。
(3)1D 纳米线在低维材料中,1D 纳米线得到了广泛的应用。
由于其较小的直径和表面积以及良好的晶体品质,纳米线材料对于光学、电学和热学性质的改进效果显著,正成为新型传感器、光电传输设备和生物医学领域的前沿研究方向。
(4)其他低维材料此外,除了上述三类低维材料外,还有很多其他的低维材料也在持续探索中,如石墨烯氧化物、过渡金属二硫属化物等。
GaN材料的应用及研究进展

GaN材料的应用及研究进展I. 介绍- 引入GaN材料的概念和背景- 阐述GaN材料的重要性和发展前景- 简述本文的重点和内容II. GaN材料的物理特性- 分析GaN材料的晶体结构和属性- 探讨GaN材料的电学性质、光学性质和热学性质- 分析GaN材料的缺陷和改善方法III. GaN材料的应用研究进展- 介绍GaN材料的光电器件应用- 探讨GaN材料的功率器件应用- 分析GaN材料在能源应用中的前景- 阐述GaN材料在生物医疗领域的应用IV. GaN材料的制备技术- 介绍GaN材料的制备方法和工艺流程- 探讨GaN材料的晶体生长方法和技术- 分析GaN材料的材料改性技术和应用V. GaN材料的发展方向和前景- 分析GaN材料的发展趋势和前景- 阐述未来GaN材料的应用方向和研究重点- 总结本文的主要观点和结论VI. 结论- 总结GaN材料的应用及研究进展- 强调GaN材料对社会发展的重要性- 提出未来GaN材料发展的建议I. 介绍在当今社会中,新型材料的发展已经成为科技创新和产业发展的重要支撑之一。
GaN材料因其特殊的物理性质和广泛的应用领域而备受关注。
GaN材料具有高功率、高频率、高温度运行特性,还是新一代照明和显示领域的重要材料。
因此,研究GaN材料的发展趋势和创新应用,至关重要。
本文将从GaN材料的物理特性、应用研究进展、制备技术、发展方向和前景五个方面对GaN材料进行深入分析。
GaN材料是一种III-V族化合物半导体。
其晶体结构属于闪锌矿结构,由氮(N)和镓(Ga)原子组成,因此也被称为N型GaN。
GaN材料的物理特性具有多种优势。
首先,GaN具有极高的电子流动率和电子饱和速度,使其能够在高功率和高频率应用中更加有效地工作。
与此同时,GaN材料也具有优异的热传导性能,与铜相比热导率高出近三倍,大大提高了器件的可靠性和寿命。
此外,GaN材料的光学特性非常优秀,可以发出蓝色、绿色和紫色的光,即使在高温度和高电流密度下仍能保持其高亮度和长寿命。
低维纳米材料的制备及其应用研究

低维纳米材料的制备及其应用研究随着纳米技术的不断发展,低维纳米材料成为了当前研究热点之一。
低维纳米材料是指纵向维度比横向维度小很多的纳米材料,具有很强的表面效应和量子效应,因此在光学、电子、能源、生物医学等领域有着广泛的应用前景。
本文将从制备方法、表征技术和应用研究三个方面进行探讨。
一、低维纳米材料的制备方法制备低维纳米材料的方法非常多样,常见的有物理法、化学法和生物法三种方法。
1. 物理法物理法是最早用于制备低维纳米材料的方法之一,也是目前最为常用的方法之一。
其优点在于操作简单,成本低,生成的材料结晶度高。
其中较为常见的有微流控法、机械剥离法、氧等离子体法和物理气相沉积法等。
(1)微流控法微流控法是一种通过微细结构构造实现材料制备的新技术,可以实现高通量、高精确度、低成本的制备。
其原理是利用微流控芯片内的微通道和微结构控制流体的流动和混合,通过控制反应物的混合程度、反应时间、温度等因素得到制备的材料。
微流控法具有材料制备快速、结晶度高、精确度高、污染少等优点,已广泛应用于低维纳米材料的制备中。
(2)机械剥离法机械剥离法是指通过机械方法将大块材料剖成纳米厚度的材料,常用于制备石墨烯和石墨烯衍生物等纳米材料。
其优点在于可以得到单层和双层的石墨烯,结晶度高,但缺点在于步骤繁琐,易造成材料污染和损伤。
(3)氧等离子体法氧等离子体法是指通过等离子体反应将原材料沉积在衬底上制备低维纳米材料。
其优点在于结晶度高且可控性好,但氧化对材料的性能和稳定性有所影响。
(4)物理气相沉积法物理气相沉积法是指通过蒸发和凝华的方式,将原材料沉积在衬底上制备纳米材料。
其优点在于成本低,成品稳定性好,适用于制备单晶、多晶纳米材料。
2. 化学法化学法是指通过化学反应将原材料转化为低维纳米材料。
其优点在于制备过程中可以控制各种反应参数,可以制备出较为均匀和纯净的低维纳米材料。
其中常用的化学法有溶液法、水凝胶法、水热法等。
(1)溶液法溶液法是指通过水或有机溶剂溶解原材料,然后在加入还原剂、表面活性剂等反应物质的情况下,通过控制反应参数如温度、pH等制备低维纳米材料。
低维纳米材料的制备及其应用

低维纳米材料的制备及其应用随着科技的进步和人类对材料的需求不断提高,纳米科技已经成为了现代科技的重要部分。
事实上,纳米科技不仅可以为科学技术的发展带来新的机遇,还可以帮助我们解决许多环境问题和医疗问题。
在纳米科技领域,低维纳米材料成为了当前研究的热点。
低维纳米材料是指其中至少一维在纳米尺度的纳米材料,例如二维的石墨烯、三维的纳米线和一维的纳米点。
这些低维纳米材料的特殊性质,例如高比表面积和量子限制效应,使得它们在许多领域展现出了潜在的应用前景。
制备低维纳米材料的方法多种多样。
在现有的方法中,化学合成和物理法是最常用的制备手段。
其中化学合成的方法包括溶剂热法、水热法、溶胶-凝胶法等等。
这些方法通常需要有机分子或无机分子的介入,从而在实验条件下控制材料的生长和形态,可以得到具有不同形貌、尺寸和表面结构的低维纳米材料。
与化学合成方法不同,物理法主要依靠物理手段快速生长和制备低维纳米材料,例如物理气相沉积、离子束辅助沉积和反应磁控溅射等。
这些制备手段可以制备出许多具有特殊性质和优异应用前景的低维纳米材料。
例如,石墨烯作为二维纳米材料具有超强的力学性能、高导电性和高热稳定性,可以应用于电子器件制备、生物传感和光催化等领域。
纳米线则具有独特的能量特点,可用于太阳能电池和光电传感器的制备。
此外,低维纳米材料还可以用于催化剂的制备、新型传感器的设计和生物医疗的应用等领域。
低维纳米材料的制备和应用有着巨大的前景。
随着研究的深入,许多特殊性质和功能优异的低维纳米材料将会不断被发现。
今后,我们可以期待更多低维纳米材料的制备方法和应用场景的不断拓展。
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李镇江等: 低维 $%& 纳米材料的最新研究进展
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过改变 F< 颗粒大小及相关工艺参数成功地制备出具 有不同尺寸的 $%& 纳米线、 纳米带和纳米环 0 #3 2 。该方 法可通过改变工艺参数使 $%& 低维纳米材料的尺寸 和形态趋于可控。 使人们朝着 $%& 纳米材料的应用又 迈近了一步。 5) 等人用与我们课题组相似的方法即通过金属 $% 与氨气在石英管中于 O!3A G @33A 直接反应获得
作者所在的中国科学院物理所 L@Q) 课题组近年 并 来对 $*+ 低维纳米材料也进行了大量的研究工作, 取得了可喜的成果。 我们利用金属 $* 与 +J9 LP 在液 态氨中于 !23? 5 233? 直接反应制备出 $*+ 纳米晶 ( //0 ///1 ) 自 组 装 块 体 , / .。 和 具 体 工 艺 是 D 将 $*+ ( //0 /1 ) 放进有铂内衬的不锈钢高压釜中, 然 +J9 LP 后加氨水 D 至总容量的 231 5 O31 ,高压釜加热到 高压釜中内压估计在 !23? 5 233? 保温O# @ 5 "#3 @。 反应后高压釜自然冷却至室温。 #33 H4* 以上。 ABC 证明纳米晶自组装块体 $*+ 属六方纤锌矿结构, 按 ER@QSSQS 方法可知其平均粒径为 ""0 > )8。 GFH, EFH 证实其平均粒径为"# )8。 4TS&U 等用石英管作反应容 器, 用相似的方法也制备出六方和立方 $*+ 纳米晶 。 随后又对 $*+ 纳米晶进行了光学性能研究。 发现 了单一红光发射特性, 并对其发光机理进行了讨论。
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一维 "#$ 纳米材料的制备
$*+ 纳米线、纳米棒及其它形态低维纳米材料, 由于其巨大的应用潜力, 近年来同样成为人们研究的 热点之一。 然而有关其制备及物性研究, 从 "//O 年才 刚刚开始,因此这方面的研究还处于较为初级的阶 段。 综观近几年的有关报道可以按其主要反应物不同 将其制备方法分为 ! 类,第 " 类是用 $* 和 $*# V! 按 9 " 混合,然后用不同方法产生 $*# V 气体作为主要 反应物之一; 第 # 类是用金属 $* 和氨气作为反应物; (纳米棒) 第 ! 类是直接用 $*+ 粉制备纳米线 。 !% & "#! ’ 气体作为主要反应物 "//O 年北京大学范守善等人用纳米碳管作限制
模板, $*# V 气体与氨气反应首次制备出 $*+ 纳米 该成果发表在美国著名期刊 ER(Q)RQ 上。 具体工 棒 , "# . 。 艺是 : 将 $* 和 $*# V! 按 9 " 混合后放入氧化铝坩埚底 部, 其上放置一块孔径为 ! "8 5 2 "8 的多孔氧化铝 薄板, 将碳纳米管放在多孔氧化铝薄板上。 然后将其 置于管式炉的石英管中, 在氨气气氛下加热至 " "O! 其反应式为: #$*# V M Y N Z L M 纳 米 管 N Z X 保 温 " @。 9+J! !9$*+ M 纳米棒 N Z J# V Z LV Z 2J# 。 ABC, GFH, E<FC, JBFH 及 46 谱结果表明 $*+ 纳米棒为六方纤锌矿结构, 其直径为9 )8 5 23 )8, 长 (见图") 度达#2 "8 。 L@Q)Y 等用多孔氧化铝膜替代碳纳米管为模板, 用相似的反应制备出 $*+ 纳米线 , "! . 。他们的合成方 法分 # 步:第 " 步用阳极氧化法制备出多孔氧化铝 膜,膜孔径为 "2 )8,孔深 23 "8;第 # 步将 $* 和 $*#V! 按 9 " 混合后放入氧化铝坩埚底部,其上放置 一块多孔氧化铝膜D 然后将其置于水平管式炉的石英 管中, 在保持氨气流量 !33 [RR8 下加热至 " #O! X 保 温 # @。 ABCD B*8*)* 谱, GFH, EGH 表明合成的 $*+ 纳米线为六方纤锌矿结构, 其直径为 "9 )8, 长度达几 百微米。 其反应过程同文献 , "! . 。 #333 年他们又在此 方法的基础上进行了部分改进制备出定向生长的单 晶 $*+ 纳米线 , "9 . 。 第 " 步改进是制备出具有孔径为 孔深 #3 )8 93 "8 5 23 "8 且规则排列的多孔氧化铝 膜。 第 # 步改进是将金属 \) 蒸发至多孔氧化铝膜的孔 底作为生长 $*+ 纳米线的催化剂。 制备出定向生长的 $*+ 纳米线属六方纤锌矿结构,直径为 #3 )8,长达 93 "8 5 23 "8。 46 谱表明在 993 )8 处有一个强的宽
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此外, L@Q) 课题组利用化学气相法制备了 $*+ 量子点 , "" . 。其方法是用粗糙的单晶 6*<PV( 面作 ! 3"# ) 衬底, 将其与金属镓相距一定距离放入石英管中并通 入氩气。将炉子加热到 >#3? 后, 将石英管插入炉中, 保温 " 8()。 " 8() 后将氩气换成氨气, 2 )8 5 > )8 的 较小颗粒组成了 !3 )8 5 23 )8 的较大颗粒 $*+ 量子 万方数据
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低维 !"# 纳米材料的最新研究进展
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收到初稿日期: 收到修改稿日期: 011&B1)B0E ; 0110B1)B&)
基金项目: 国家自然科学基金 < &11DD11& > 和中科院重大项目基金资助 < FGE)&B3&B01)B1) > 作者简介: 李镇江, 男,&EH% 年生, 博士研究生, 副教授, 西北工业大学材料科学与工程学院 D1& 教研室, 陕西西安 =&11=0 , 电话: 10EB?DE)D0DB&