第六章_光致发光材料荧光光谱分析

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第六章 仪器分析 荧光分析法

第六章 仪器分析 荧光分析法
x射线荧光分析法原子受x射线激发原子荧光分析法原子特征谱线激发荧光分析法紫外可见光激发基态分子吸收一定能量后跃迁至激发态当激发态分子以辐射跃迁形式将其能量释放返回基态时便产生分子发射光依据激发的模式不同分子发光分为光致发光按激发的类型又可分为荧光和磷光两种热致发光场致发光和化学发光等
第6章 荧光分析法
磷光发射:电子由第一激发三重态的最低 振动能级→基态( T1 → S0跃迁)。
1.基本原理
无辐射跃迁方式 振动弛豫:同一电子能级内以热能量交换形式 由高振动能级至低相邻振动能级间的跃迁。
内转换:能量差较小的激发态之间,部分能量 重叠,激发态由高电子能级转移至低电子能级 的无辐射能级交换。
外转换:激发分子与溶剂或其他分子之间产生 相互作用而转移能量的非辐射跃迁;外转换使 荧光或磷光减弱或“猝灭”。 体系间跨越:不同多重态,有重叠的振动能级间 的非辐射跃迁。
2.荧光分光光度计
(2)单色器 选择激发光波长的第一单色器 选择发射光(测量)波长的第二单色器
(3)样品池
低荧光的玻璃或石英 方形适用于90°测量 (4)检测器 光电倍增管 (5)读出装臵
2.荧光分光光度计
2.2 仪器的校正
(1)灵敏度校正 (2)波长校正 (3)激发光谱和荧光光谱的校正
3.分析方法 3.1 荧光强度与物质浓度的关系
1.基本原理
(3)影响荧光强度的外部因素
① 温度 温度升高,荧光物质的荧光效率和荧光 强度下降。 其中一个原因是分子的内部能量转化作 用。当激发分子接受额外热能时,有可能使 激发能转换为基态的振动能量,随后迅速振 动弛豫而丧失振动能量。另一个原因是碰撞 频率增加,使外转换的去活几率增加。
1.基本原理
1.基本原理
1.基本原理

材料分析方法第6章紫外与荧光光谱课件

材料分析方法第6章紫外与荧光光谱课件

2、 纯度检查
如果有机化合物在紫外可见光区没有明 显的吸收峰,而杂质在紫外区有较强的吸收 ,则可利用紫外光谱检验化合物的纯度。如 果有机化合物在紫外可见光区没有明显的吸 收峰,而杂质在紫外区有较强的吸收,则可 利用紫外光谱检验化合物的纯度。
3、 异构体的确定
对于异构体的确定,可以通过经验规则 计算出λmax值,与实测值比较,即可证实化 合物是哪种异构体。
4. 由荧光光谱可获悉的信息
(1) 定性鉴定: (2) 利用激发光谱和荧光光谱可进行样品的鉴定及推
测杂质的存在与否。 (2) 定量分析:
不发生浓度猝灭的稀溶液,其荧光强度和物质的浓度 成比例。 (3) 解析分子间相互作用: 从荧光光谱中求出的荧光发射峰的波长、荧江强度( 量子产率)、荧光寿命,可推测篺所吸收的光能经过 的途径,并且通过考察这些结果与试样浓度的关系及 共存物质的影响,可解析分子间的相互作用。
二、紫外-可见吸收光谱的基本原理
1、紫外吸收光谱:
分子价电子能级跃迁。 波长范围:4-800 nm. (1) 远紫外光区: 100-200nm (2) 近紫外光区: 200-400nm (3) 可见光区:400-800nm 电子跃迁的同时,伴随着振动转动能级的跃 迁;带状光谱。
2、物质对光的选择性吸收及吸收曲线
(2)荧光法灵敏度高、选择性好,可用于痕量分析 ,但是能发生荧光的化学体系不多,这是荧光 法的应用特点。
M + h → M *
基态 态
激发
E1 (△E) E2
E = E2 - E1 = h
量子化 ;选择性吸收
吸收曲线与最大吸收波长max
M+热 M + 荧光或磷光
紫外吸收光谱以波长λ(nm)为横坐标,以吸光

荧光光谱分析技术概述

荧光光谱分析技术概述

荧光光谱分析技术概述1荧光光谱分析原理 (1)2荧光分析法 (4)2.1定性分析法 (4)2.2定量分析法 (4)1荧光光谱分析原理光学分析法分为光谱法和非光谱法,光谱法是辐射能与物质组成和结构的相互作用,以光谱的出来为基础,非光谱法不包含物质内能的变化,不涉及能级跃迁,而是辐射方向和物理性质的改变。

光学分析方法分类表1分析法特征具体方法光谱法光的发射原子发射光谱、原子荧光光谱、X射线荧光光谱、分子荧光光谱、分子磷光光谱、化学发光、电子能谱、俄歇电子能谱光的吸收原子吸收光谱、紫外-可见分光光度法、红外光谱、X射线吸收光谱、核磁共振光谱、电子自旋共振光谱、光声光谱光的散射拉曼光谱非光谱法光的散射比浊法、散射浊度法光的折射折射法、干涉法光的衍射X射线衍射、电子衍射光的转动旋光色散法、偏振法、圆二向色法荧光发光机理可按量子理论通俗解释: 光具有波动、粒子二重性, 光波愈短, 其光子能量愈强; 反之波长愈长其能量则弱。

当某些物质受到紫外线或较短波长光照射, 吸收了全部或部分光能量, 使其分子的能级升高而处于亚稳定状态, 当恢复到稳定的基态时, 这些分子就会立即释放多余的能量, 其中一部分化为热量而消失。

但对某些物质而言, 向基态跃迁时是以“光”形式释放, 因为有部分能量被消耗, 所以重新发出的光能量总比吸收的能量要小。

由于能量愈小, 光波愈长, 所以物质所激发的荧光总比照射它的光波要长。

磷光的能量较荧光还要小, 所以它的波长比荧光要长, 寿命可达数小时之久, 这就是两者的区别。

如果物质的分子吸收了紫外和可见区电磁辐射后,它的电子能跃迁至激发态,然后以热能的形式将这一部分能量释放出来,本身又回复到基态如果吸收辐射能后处于电子激发态的分子以发射辐射的方式释放这一部分能量,再发射的波长可以同分子所吸收的波长相同,也可以不同,这一现象称为光致发光。

最常见的两种光致发光现象是荧光和磷光。

这两种光致发光的机理不同,荧光发光过程在激发光停止后10s内停止发光,而磷光则往往能延续10-3s-10s的时间间隔。

光致发光(PL)光谱课件

光致发光(PL)光谱课件

图2 光致发光光谱测量装置示意图
真空泵
透镜
反射镜
滤光片
激光器
激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
单色仪
光电倍增管
锁相放大器 计算机
制冷仪
三、光致发光特点
光致发光分析方法 的实验设备比较简 单、测量本身是非 破坏性的,而且对 样品的尺寸、形状 以及样品两个表面 间的平行度都没有
特殊要求。
1、光致 发光的优
在上述辐射复合机构中,前两种属于本征 机构,后面几种则属于非本征机构。由此 可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料 结构与组份的丰富信息,是多种复杂物理 过程的综合反映,因而利用光致发光光谱 可以获得被研究材料的多种本质信息。
仪器及测试
测量半导体材料的光致发 光光谱的基本方法是,用 激发光源产生能量大于被 测材料的禁带宽度Eg、且 电流密度足够高的光子流 去入射被测样品,同时用 光探测器接受并的近带边区
该PL谱的主峰为中性施主的束缚激子峰(D0, X)。而CdTe 和Cd0.96Zn0.04Te在该区域内的主发光峰则通常为受主- 束缚激子峰(A0,X)。在Cd0.9Zn0.1Te晶体的近带边区的 PL谱除此之外,还可以看到基态自由激子峰(X1)、上偏振 带峰(Xup)以及第一激发态自由激子峰(X2)。对于质量 较差的CZT晶体,无法看到其自由激子峰(X1)和一次激发 态自由激子峰(X2)。低温PL谱可以用来比较全面的评价 CZT晶体的质量,并由此来推断晶体的探测性能。
三.硅中浅杂质的浓度测定
4、辐射效率的比较 半导体发光和激光器件要求材料具有良好的发光性能,
发光测量正是直接反映了材料的发光特性。通过光致发光光 谱的测定不仅可以求得各个发光带的强度,而且也可以的到 积分的辐射强度。在相同的测量条件下,不同的样品间可以 求得相对的辐射效率。

荧光光谱分析

荧光光谱分析

荧光光谱分析(总19页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第十七章荧光光谱分析当紫外线照射到某些物质的时候,这些物质会发射出各种颜色和不同强度的可见光,而当紫外线停止照射时,所发射的光线也随之很快地消失,这种光线被称为荧光。

西班牙的内科医生和植物学家于1575年第一次记录了荧光现象。

17世纪,Boyle和Newton等著名科学家再次观察到荧光现象。

17世纪和18世纪,又陆续发现了其它一些发荧光的材料和溶液,但是在荧光现象的解释方面却没有什么进展。

1852年,Stokes在考察奎宁和叶绿素的荧光时,用分光计观察到其荧光的波长比入射光的波长稍长,才判明这种现象是这些物质在吸收光能后重新发射不同波长的光,而不是由光的漫射所引起的,从而导入了荧光是光发射的概念。

同时,他由发荧光的矿物“萤石”推演而提出“荧光”这一术语。

1867年,Coppelsroder进行了历史上首次的荧光分析工作,应用铝-桑色素配合物的荧光进行铝的测定。

1880年,Liebeman提出了最早的关于荧光与化学结构关系的经验法则。

到19世纪末,人们已经知道了600种以上的荧光化合物。

20世纪以来,荧光现象被研究得更多了。

例如,1905年Wood发现了共振荧光;1914年Frank和Hertz利用电子冲击发光进行定量研究;1922年Frank和Cario发现了增感应光;1924年Wawillow进行了荧光产率的绝对测定;1926年Gaviola进行了荧光寿命的直接测定等。

荧光分析方法的发展离不开仪器应用的发展。

19世纪以前,荧光的观察是靠肉眼进行的,直到1928年,才由Jette和West研制出第一台光电荧光计。

早期的光电荧光计的灵敏度是有限的,1939年Zworykin和Rajchman发明光电倍增管以后,在增加灵敏度和容许使用分辨率更高的单色器等方面,是一个非常重要的阶段。

1943年Dutton和Bailey提出了一种荧光光谱的手工校正步骤,1948年由Studer推出了第一台自动光谱校正装置,到1952年才出现商品化的校正光谱仪器。

荧光光谱分析法-课件

荧光光谱分析法-课件

b. 荧光光谱的形状与激发波长无关
电子可以跃迁到不同激发态能级,吸收不同波长的能量
(如能级图l 2 、l 1),产生不同吸收带,但荧光光谱却只有一
个发射态,如l 3 。
为什么?
20
c. 镜像规则 由于电子基态的振动能级分布与激发态相似,故通常
荧光光谱与它的激发光谱成镜像对称关系。
各小峰波长 递减值与振 动能级差有 关,各小峰的 高度与跃迁 几率有关。
电子能级的多重性 M=2S+1
平行自旋比成对自旋稳定(洪特规则),三重态能级比相应
单重态能级低;
大多数有机分子的基态处于单重态;
11
小结:激发单重态与激发三重态的不同√
激发单重态分子中没有净电子自旋,因而具有反磁性;激发 三重态有2个自旋平行电子,是顺磁性的 激发单重态分子平均寿命短(10-8~10-6s),而激发三重态 的长(10-4~10s) 基态单重态到激发单重态的激发,不涉及电子自旋方向的 改变而容易发生,属于允许跃迁;而到激发三重态属于禁阻 跃迁
2008年诺贝尔化学奖
2
3
澳大利亚科学家最新发现, 一种叫“螳螂虾”的海里 动物通过发出色彩鲜艳的 荧光来恐吓警告敌对者或 者吸引性配偶,
用荧光抗体染色之 原生动物
4
green-fluorescent protein (GFP) K. Brejc et.al., PNAS 94 (1997) 2306
S0→S1、S2 允许跃迁; S0→T1、T2 禁阻跃迁;通过其他途径进入 (见能级图);进入的几率小;
12
内转换
振动弛豫 内转换
S2
系间跨越
S1

T1 T2

吸 收

《仪器分析》荧光分析法

《仪器分析》荧光分析法

500 nm
3.吸收光谱、激发光谱与荧光光为相似。
F
激发光谱

(2)镜像规则 通常荧光光谱与激发光谱(吸收光谱)大致 呈镜像对称。
4 3 2 1
S1
4 3 2 1
S0
(3)Stokes位移 Stokes位移是指激发光谱与荧光光谱之间 的波长差值。荧光的波长总是大于激发光的波长。
三、样品池
四、检测器
通常用石英杯,四面透光
光电倍增管
与激发光源垂直,为了消除激发光对荧光 测量的干扰
问题:荧光分光光度计与紫外-可见分光光度 计有何异同点?
紫外-可见分光光度计:
光源 单色器 样品池 检测器 数据处理 仪器控制
荧光分光光度计:
光源 激发 单色器 样品池 荧光 单色器 检测器 数据处理 仪器控制
荧光法与UV-Vis法的比较: 相同点:
都需要吸收紫外 - 可见光,产生电子能级跃迁。
荧光法与UV-Vis法的比较:
不同点:
UV-Vis法测定的是物质溶液对紫外-可 见光的吸收程度 (A) 。

荧光法测定的是物质经紫外-可见光照 射后发射出的荧光强度(F)。
本章作业

P64 三计算题 1. P65 四简答题 3、4、
紫外-可见分光光度计 吸收池
荧光分光光度计 吸收池
It
It IF,p I0
I0
荧光光度计
第三节
定量分析方法
F= K c (εcL≤0.05 ) —— 定量分析的依据 方法:标准曲线法和标准对比法
1. 标准曲线法——最常用的定量分析方法
浓度 C1 C2 C3 C4 C5 Cx 荧光强度 F1 F2 F3 F4 F5 Fx

光致发光pmma荧光光谱曲线

光致发光pmma荧光光谱曲线

在这篇文章中,我将为你探讨光致发光PMMA荧光光谱曲线这一主题。

我们需要了解什么是光致发光PMMA,它的特性和应用。

我们将深入研究荧光光谱曲线的原理和特点,以及如何对其进行分析和解读。

我将共享我的个人观点和理解,并总结回顾本文的内容,帮助你更全面、深刻和灵活地理解这一主题。

光致发光PMMA是一种通过光激发产生发光的聚合物材料,其特性包括高透明度、良好的光学性能和化学稳定性。

它在LED、荧光显示器、激光技术等领域具有广泛的应用,成为了现代光电材料中的重要一员。

了解其特性和应用有助于我们更好地理解光致发光PMMA在科技领域的重要性和前景。

接下来,让我们转向荧光光谱曲线。

荧光光谱曲线是指物质在受到紫外光、X射线或电子束等激发后,发出的荧光光谱特性曲线。

通过分析荧光光谱曲线,我们可以了解物质的能级结构、发光机制和特征波长,对于研究和应用具有重要意义。

在分析荧光光谱曲线时,我们需要关注几个关键参数:发射波长、激发波长、荧光量子产率和荧光寿命。

发射波长是指物质发出的荧光光的波长范围;激发波长是指激发物质产生荧光的波长范围;荧光量子产率是指单位时间内发射的荧光光子数与激发的光子数之比;荧光寿命是指物质从受激发到发出荧光的平均时间。

通过对这些参数的分析,我们可以深入理解荧光光谱曲线所反映的物质发光特性和机制。

我想共享我对光致发光PMMA荧光光谱曲线的个人观点和理解。

在我看来,光致发光PMMA作为一种环保、高效的发光材料,具有巨大的应用潜力。

通过对其荧光光谱曲线的深入研究和分析,可以为材料的优化和应用提供重要参考,推动光电材料领域的技术进步和创新发展。

总结回顾本文的内容,我们首先介绍了光致发光PMMA的特性和应用,然后深入探讨了荧光光谱曲线的原理、参数和分析方法。

我共享了我的个人观点和理解,希望能够帮助你更全面、深刻和灵活地理解光致发光PMMA荧光光谱曲线这一主题。

通过本文的阅读,我希望你能对光致发光PMMA荧光光谱曲线有更深入的了解,并在相关领域的研究和应用中取得更多的成果。

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70 60 50 40 30 20 10 0 450
2 5 6 1 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8 557.5 +
Ce0.02 Ce0.06 Ce0.1 Ce0.2 Ce0.3 Ce0.4 Ce0.5 Ce0.6
500
550
600
650
700
λ/nm
图6-6 燃烧法CaS:Eu,Sm 图6-7 燃烧法CaS:Ce,Sm样 样品的荧光发射光谱 品的荧光发射光谱
图6-4 CaS:Eu,Sm红外响应光谱
一、吸收光谱
当光照射到发光材料上时,一部分被反射、散射, 当光照射到发光材料上时,一部分被反射、散射,一部 分透射,剩下的被吸收。 分透射,剩下的被吸收。只有被吸收的这部分光才对发光起 作用。 作用。 但是也不是所有被吸收的光的各个波长都能起激发作用。 但是也不是所有被吸收的光的各个波长都能起激发作用 。 发光材料对光的吸收,和一般物质一样,都遵循以下的规律, 发光材料对光的吸收,和一般物质一样,都遵循以下的规律, 即: I(λ)=I0(λ)e-kλx 其中I 是波长为λ的光射到物质时的强度 其中 0(λ)是波长为 的光射到物质时的强度 , I(λ)是光通 是波长为 的光射到物质时的强度, 是光通 过厚度x后的强度 后的强度, 是不依赖光强 是不依赖光强、 过厚度 后的强度, kλ是不依赖光强、 但随波长变化而变化 称为吸收系数。 的,称为吸收系数。
14
六、发光和猝灭
对于由激发而产生的电子和空穴,它们也不是稳定的, 对于由激发而产生的电子和空穴,它们也不是稳定的, 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。
一般而言, 一般而言,电子和空穴总是通过某种特定的中心而实现 复合的。 如果复合后发射出光子, 复合的 。 如果复合后发射出光子 , 这种中心就是发光中心 它们可以是组成基质的离子、 ( 它们可以是组成基质的离子 、 离子团或有意掺入的激活 剂 ) 。 有些复合中心将电子和空穴复合的能量转变为热而 不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 猝灭中心 发光和猝灭在发光材料中互相独立互相竞争的两种过程 猝灭占优势时, 发光就弱, 效率也低。 反之, 。 猝灭占优势时 , 发光就弱 , 效率也低 。 反之 , 发光就强 ,效率也高。 效率也高。
7
三、激发光谱
激发光谱是指发光的某一谱线或谱带的强度 随激发光波长(或频率)的变化。 随激发光波长(或频率)的变化。 把吸收光谱(或反射光谱)和激发光谱相互 把吸收光谱(或反射光谱) 比较以后, 比较以后 , 就可以判断哪些吸收对发光是有用 的,哪些是不起作用的。 哪些是不起作用的。
8
30 25 20 15 10 5 0 200
10
四、发光光谱(也称发射光谱) 发光光谱(也称发射光谱)
50 Intensity/a.u. 40 30 20 10 0 630 640 λ/nm 650 660
643.3
+
100 90 80
507.7 3+
4
Intensity/a.u.
1-Excited by 270nm 2 642.6 2-Excited by 470nm + 1
16
50 Intensity/a.u. 40 30 20 10 0 630
2 1
643.3
+
+
Intensity/a.u.
1-Excited by 270nm 642.6 2-Excited by 470nm
30 25 20 15 10 5 0 200
470.3
268.3
640 λ/nm
650
660
第六章 光致发光材料荧光光谱分析
一 、吸收光谱 二 、反射光谱 三 、激发光谱 发光光谱(发射光谱) 四 、发光光谱(发射光谱) 五 、能量传输 六 、发光和猝灭 七 、斯托克斯定律和反斯托克斯发光 八 、发光效率 九 、热致释光与红外释光
1
发光现象 : 当物质受到诸如光照、 当物质受到诸如光照、外加电场或电子束轰击等的 激发后,吸收了外界能量,其电子处于激发状态, 激发后,吸收了外界能量,其电子处于激发状态,物质 只要不因此而发生化学变化,当外界激发停止以后, 只要不因此而发生化学变化,当外界激发停止以后,处 于激发状态的电子总要跃迁回到基态。在这个过程中, 于激发状态的电子总要跃迁回到基态。在这个过程中, 一部分多余能量通过光或热的形式释放出来。 一部分多余能量通过光或热的形式释放出来。如果这部 分能量是以光的电磁波形式发射出来,就称为发光现象。 分能量是以光的电磁波形式发射出来,就称为发光现象。
4 7 0 .3
Intensity/a.u.
2 6 8 .3
300
400 λ /n m
500
600
图6-5 燃烧法CaS:Eu,Sm样品的激发光谱
四、发光光谱(也称发射光谱) 发光光谱(也称发射光谱)
发光材料的发射光谱, 发光材料的发射光谱,指的是发光的能量按波长或 频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带谱, 频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带谱, 分布在很广的范围。 分布在很广的范围。 一般地,光谱的形状可以用高斯函数来表示, 一般地,光谱的形状可以用高斯函数来表示,即 EV = EV0 exp[-a(υ-υ0)2] 其中υ是频率, 是在频率υ附近的发光能量密度相 其中 是频率,EV是在频率 附近的发光能量密度相 是频率 对值, 是在峰值频率υ 时的相对能量, 是正的常数 是正的常数。 对值,EV0是在峰值频率 0时的相对能量,а是正的常数。 一般的发光谱带,至少近似地都可以用如上公式表示。 一般的发光谱带,至少近似地都可以用如上公式表示。
6
二、反射光谱
所谓反射光谱, 就是反射率Rλ 随波长( 或频率) Rλ随波长 所谓反射光谱 , 就是反射率 Rλ 随波长 ( 或频率 ) 的变 而所谓反射率,是指反射光的总量(因为既然是粉末, 化。而所谓反射率,是指反射光的总量(因为既然是粉末, 漫反射就很强,这里指的是漫反射)和入射光的总量之比。 漫反射就很强,这里指的是漫反射)和入射光的总量之比。
5
一、吸收光谱
kλ随波长 ( 或频率 ) 的 随波长( 或频率) 随波长 变化, 叫作吸收光谱。 变化 , 叫作吸收光谱 。 发光材料的吸收光谱, 发光材料的吸收光谱 , 首先决定于基质, 首先决定于基质 , 而激 活剂和其他杂质也起一 定的作用, 定的作用 , 它们可以产 生吸收带或吸收线。 生吸收带或吸收线。
4000 3000 2000 1000 0 550 600 650 700 567
wavelength/nm
wavelength/nm
图6-1 CaS:Eu,Sm激发光谱(监 控波长630nm)
图6-2 CaS:Eu,Sm荧光光谱 (激发长534nm)
案 例 1
3500 3000 629.8
80 100
13
六、发光和猝灭
并不是激发能量全部都要经过传输, 并不是激发能量全部都要经过传输,能量传输也不会 无限的延续下去。激发的离子处于高能态, 无限的延续下去。激发的离子处于高能态,它们就不是稳 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中, 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中,如果 发射出光子,这就是发光。 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子, 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子,而将激发能 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。 ),这就称为无辐射跃迁或猝灭 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。激 发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁, 发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁,或者是将激 发能量传递给别的离子,这几种过程都有一定的几率, 发能量传递给别的离子,这几种过程都有一定的几率,决 定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、位置等)。 )。以 定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、位置等)。以 上讲的是离子被激发的情况。 上讲的是离子被激发的情况。
12
五、能量传输
发光材料吸收了激发光 ,就会在内部发生能量状态的转 变:有些离子被激发到较高的能量状态,或者晶体内产生了 有些离子被激发到较高的能量状态, 电子和空穴,等等。而电子和空穴一旦产生,就将任意运动。 电子和空穴,等等。而电子和空穴一旦产生,就将任意运动。 这样,激发状态也就不会局限在一个地方,而将发生转移。 这样,激发状态也就不会局限在一个地方,而将发生转移。 即使只是离子被激发,不产生自由电子, 即使只是离子被激发,不产生自由电子,处于激发态的离子 也可以和附近的离子相互作用而将激发能量传出去。 也可以和附近的离子相互作用而将激发能量传出去。这就是 说,原来被激发的离子回到基态,而附近的离子则转到激发 原来被激发的离子回到基态, 态。这样的过程可以一个接一个地继续下去,形成激发能量 这样的过程可以一个接一个地继续下去, 的传输。 的传输。
如果材料对某个波长的吸收强,反射率就低。反之, 如果材料对某个波长的吸收强,反射率就低。反之,反 射率就高。但不能认为反射光谱就是吸收光谱。实际上, 射率就高。但不能认为反射光谱就是吸收光谱。实际上,这 两种光谱包含完全不同的概念。它们是既有联系,又有区别。 两种光谱包含完全不同的概念。它们是既有联系,又有区别。
四、发光光谱(也称发射光谱) 发光光谱(也称发射光谱)
发光中心的结构决定发射光谱的形成。因此, 发光中心的结构决定发射光谱的形成。因此,不同的 发光谱带,是来源于不同的发光中心, 发光谱带,是来源于不同的发光中心,因此又具有不同的 性能。 性能。
有一些材料的发光谱带比较窄,并且在低温下( 有一些材料的发光谱带比较窄,并且在低温下(液氮 或液氦温度下)显现出结构,即分解成许多谱线。 或液氦温度下)显现出结构,即分解成许多谱线。还有一 些材料在室温下的发射光谱就是线状谱。 些材料在室温下的发射光谱就是线状谱。
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