半导体物理期末总结
半导体物理的心得体会
半导体物理的心得体会半导体物理学作为现代电子技术的重要基础，对于了解材料特性、器件设计与制造具有重要意义。
通过学习半导体物理学，我深刻认识到半导体材料的特殊性质以及对电子学发展的巨大贡献。
下面我将从晶体结构、能带理论、载流子行为以及PN结构等方面进行总结与分析。
一、晶体结构晶体结构是理解半导体物理学的基础。
晶体结构的完美排列使得半导体材料具有一定的导电性能。
晶体结构的种类包括立方晶系、六方晶系等等。
通过了解晶体结构，我明白了导电特性与晶格结构之间的密切关系，这使得我更好地理解了半导体器件的工作原理。
二、能带理论能带理论是理解半导体导电性质的关键。
半导体材料的导电行为与其电子能带的填充情况密切相关。
通过学习能带理论，我了解了半导体材料中导带和价带的能级分布情况，以及能带之间的能隙。
同时，我还了解到掺杂对材料导电性质的影响，N型半导体和P型半导体之间的差异。
能带理论为我深入理解半导体器件的工作原理提供了基础。
三、载流子行为载流子是半导体材料的导电活性粒子，对于半导体器件的性能起着决定性作用。
学习半导体物理学，我了解到半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子。
电子是valence带中被激发到conduction带的粒子，而空穴则是原子缺陷引起的带内能级。
通过对载流子行为的研究，我明白了不同的载流子浓度和迁移率对半导体器件的性能影响。
因此，在半导体器件设计和集成电路制造过程中，合理控制载流子行为至关重要。
四、PN结构PN结构是最基本也是最常见的半导体器件结构之一。
通过学习半导体物理学，我了解到PN结构的形成与掺杂技术有密切关系。
PN结构的正向偏置和反向偏置使半导体器件能够应用于二极管、三极管等各种电子元件中。
此外，通过掌握PN结构的工作原理，我还能够理解光电二极管、太阳能电池等新型半导体器件。
总结通过学习半导体物理学，我对半导体材料的特性、器件设计和制造有了更深入的了解。
晶体结构、能带理论、载流子行为以及PN结构等方面的知识为我提供了一个全面的半导体物理学认知框架。
(完整word版)半导体物理知识点总结.doc
一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第 1 章）半导体中的杂质和缺陷能级（第 2 章）核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第 3 章）半导体的导电性（第 4 章）非平衡载流子（第 5 章）核心知识单元 C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）半导体光学性质（第10 章）半导体热电性质（第11 章）半导体磁和压阻效应（第12 章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。
在 1.1 节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在 1.2 节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在 1.3 节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4 节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在 1.5 节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在 1.6 节，介绍 Si 、Ge 的能带结构。
（掌握能带结构特征）在 1.7 节，介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs 的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
半导体物理归纳总结
半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。
在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。
本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。
1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。
它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。
常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。
2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。
能带是描述电子能量和电子分布的概念。
在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。
半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。
3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。
掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。
施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。
掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。
4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。
在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。
当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。
耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。
这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。
5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。
二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。
场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。
晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。
总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。
通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。
半导体物理期末总结
体心立方的倒格是边长为4/a的面心立方 。
例3：证明简立方晶面(h1h2h3)的面间距为 a d h1h2 h3 = 2 + h2 + h2 h1 2 3 证明： 法一： 由 K h =
2π d h1h2 h3
得： d h1h2 h3 =
2π K h1h2 h3
2π b1 = i a 2π b2 = j a 2π b3 = k a
3.能态密度
Z dZ N ( E ) = lim = dE E 0 E
单位能量间隔内的状态数目
2V 2 2 = 3 L 2
3
g(E) =
dZ dE
K空间考虑自旋状态密度为 E-k关系 按能量分布的状态密度 能量变化 dE k状态变化 dk
g (E ) =
4.倒格子 晶体结构=晶格+基元 一个晶体结构有两个格子，一个是正格，另一个为倒格。 正格 正格基矢 a 1 , a 2 , a 正格（点位）矢：
3
倒格 倒格基矢
b1 , b 2 , b 3
倒格（点位）矢：
Rn = n1 a1 + n2 a2 + n3 a3
K n = h1 b1 + h2 b 2 + h3 b 3
简立方：a 1 = a i , a 2 = a j , a 3 = a k ,
2π 2π b1 = a2 a3 = i Ω a
b2
3 1
2π 2π = a a = j Ω a
2π 2π b3 = a1 a 2 = k Ω a
2π b1 = i a 2π b2 = j a 2π b3 = k a
晶体结构
半导体知识物理知识点总结
半导体知识物理知识点总结半导体的电子结构决定了它的导电性质。
在半导体中，能带结构是一个关键的物理概念。
在固体中，电子的能级是分立的，因此存在一个最低能级和一个最高能级，这两个能级之间的能带被称为价带（valence band）和导带（conduction band）。
在绝缘体中，价带与导带之间存在很大的能隙，因此电子很难跃迁到导带，所以绝缘体几乎不导电；而在导体中，价带和导带之间的能隙很小，甚至可能没有能隙，因此电子可以很容易地跃迁到导带，形成电流。
而在半导体中，价带与导带之间的能隙介于绝缘体和导体之间，这使得半导体在外加电场或其他条件下，可以由绝缘体状态变成导体状态，这种特性使得半导体在电子器件中能够发挥重要作用。
半导体中电子运动的理论基础是固体物理中的布洛赫定理，根据这个定理，半导体中的价带和导带都是由大量的原子能级集合而成的。
这些原子能级之间存在能量间隙，称为带隙。
在这些能级之间的电子受到周期性结构的影响，在电场作用下不能逐渐加速而被迅速散射，这种散射使得电子不能无阻碍地在晶体中移动。
根据半导体中电子和空穴的运动情况，半导体的导电机制主要可以分为两种：电子导电和空穴导电。
在半导体中，通过加热或光照等方法，可以将一部分价带中的电子激发到导带中，这样就会在价带中留下正电荷，形成空穴。
这些被激发出来的电子和空穴以载流子的形式参与半导体的导电过程。
当外加电场作用于半导体材料时，电子和空穴会在半导体中运动，从而导致半导体中产生电流。
另外，半导体中的能带结构也与半导体材料的性能及其在器件中的应用有着密切的关系。
在半导体器件中，常见的半导体材料有硅、锗、GaAs等。
硅是最常见的半导体材料之一，由于它价格低廉、制备工艺成熟，被广泛用于半导体器件中。
锗是另一种常见的半导体材料，它的电子迁移率较高，适合用于一些高频器件。
GaAs则是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度，因此被广泛应用于高频和光电器件中。
半导体课程总结心得体会(2篇)
第1篇随着科技的飞速发展，半导体技术已经成为现代社会不可或缺的一部分。
在大学期间，我有幸学习了半导体课程，通过这门课程的学习，我对半导体技术有了更加深入的了解。
以下是我对这门课程的学习心得体会。
一、课程概述半导体课程是一门研究半导体材料、器件及其应用的学科。
它涵盖了半导体物理、半导体器件原理、集成电路设计等多个方面。
通过这门课程的学习，我们可以了解到半导体技术的基本原理、发展历程、应用领域以及未来的发展趋势。
二、课程内容回顾1. 半导体物理在半导体物理部分，我们学习了半导体材料的性质、能带结构、载流子输运等基本概念。
通过对半导体物理的学习，我了解到半导体材料是如何通过掺杂、能带调控等手段实现导电性的。
此外，还学习了半导体器件的基本原理，如二极管、晶体管等。
2. 半导体器件原理在半导体器件原理部分，我们重点学习了晶体管的工作原理、特性及其在集成电路中的应用。
通过对晶体管的学习，我认识到晶体管是现代电子技术的基础，其性能直接影响着集成电路的性能。
3. 集成电路设计集成电路设计部分主要介绍了集成电路的基本概念、设计方法、工艺流程等。
通过学习，我了解到集成电路设计是一个复杂的过程，需要综合考虑电路性能、工艺制程、成本等多方面因素。
4. 半导体技术发展与应用在半导体技术发展与应用部分，我们了解了半导体技术的应用领域，如通信、计算机、消费电子等。
同时，还学习了我国半导体产业的发展现状及未来发展趋势。
三、学习心得体会1. 深入理解半导体技术的重要性通过学习半导体课程，我深刻认识到半导体技术在现代社会中的重要性。
半导体技术是信息时代的基石，它的发展对国家经济、国防、民生等领域都具有重要意义。
2. 培养严谨的学术态度在半导体课程的学习过程中，我逐渐养成了严谨的学术态度。
在学习过程中，我注重理论与实践相结合，努力将所学知识运用到实际问题中。
3. 提高创新能力半导体技术发展迅速，新理论、新技术层出不穷。
在学习过程中，我努力培养自己的创新能力，敢于质疑、勇于探索，为我国半导体技术的发展贡献自己的力量。
半导体物理的心得体会
半导体物理的心得体会一、引言在学习半导体物理的过程中，我不仅仅学到了有关半导体材料、器件以及其应用的基本知识，更重要的是领悟到了科学研究的思维方式和方法。
本文将从我的学习体会出发，对半导体物理进行探讨和总结。
二、半导体材料的基本性质半导体材料是介于导体和绝缘体之间的材料，具备一些独特的特性。
比如，它的电导率随着温度的变化而改变，且在室温下的电导率介于导体和绝缘体之间。
另外，半导体材料还具备自激活和本征导电的特性，这些性质使得半导体物理具有广泛的应用前景。
三、半导体器件的工作原理半导体器件是半导体物理的重要应用之一，常见的半导体器件包括二极管、晶体管和光电二极管等。
通过研究半导体器件的工作原理，我们可以深入理解半导体材料的特性。
以二极管为例，它是由P型半导体和N型半导体结合而成。
当施加正向偏置电压时，P型半导体中的空穴向N型半导体中的电子进行扩散，并发生复合现象，导致电流通过。
而当施加反向偏置电压时，由于内建电场的作用，电流无法通过二极管，呈现出绝缘体的特性。
通过对这些器件的研究和理解，我们可以设计和改进各种半导体器件，以满足不同的应用需求。
四、半导体物理的应用领域半导体物理广泛应用于电子、光电、通信、信息技术等领域。
在电子领域，半导体材料和器件被广泛用于集成电路、计算机硬件、智能手机等电子产品中，推动了电子技术的快速发展。
在光电领域，半导体材料可以通过受激发射产生激光，同时也可以将光信号转化为电信号，实现光电转换。
在通信领域，光纤通信技术的发展离不开半导体材料和器件的支持。
在信息技术领域，半导体材料在存储器件、传感器件以及量子计算等方面的应用具有重要价值。
可以说，半导体物理的应用已经深入到我们生活的方方面面。
五、我对半导体物理的心得体会在学习半导体物理的过程中，我深刻认识到物理学与工程技术的紧密联系。
只有深入理解半导体物理的原理和机制，才能够在实践中应用和创新。
而且需要不断学习和关注最新的科研进展，以跟上发展的步伐。
沈阳工业大学《半导体物理》期末总结(知识点及重点习题总结)
基本概念题：第一章半导体电子状态1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。
1.2能带晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。
答：能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。
通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。
单电子近似：将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。
绝热近似：近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。
1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法答案：克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。
由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。
从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。
1.2导带与价带1.3有效质量有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。
其大小由晶体自身的E-k关系决定。
1.4本征半导体既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。
1.4空穴空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。
设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。
它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。
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载流子：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子，如电子和空穴。
空穴：在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下的空位。
（价带中不被电子占据的空状态，价带顶附近空穴有效质量>0）
杂质的补偿作用：受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到N A受主能级后，施主能级上还有N D-N A个电子，在杂质全部电离的条件下，它们跃迁到导带中成为导电电子，这时，n=N D-N A≈N D ,半导体是n型的；同理p型。
等电子陷阱：与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是电中性的。
由于原子序数不同，这些原子的共价半径和电负性有差别，因而它们能俘获某种载流子而成为带电中心。
本征半导体：晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。
有效质量（物理意义？）：电子受到外力+原子核势场和其它电子势场力，引入有效质量可以
把加速度和外力直接联系。
根据势场的作用由有效质量反映，m n*的正负反应了晶体内部势场的作用。
分布函数：能量为E的一量子态被一个电子占据概率为
杂质电离：当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子；当电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴等。
费米能级的意义：当它和温度T、半导体材料的导电类型n、p，杂质的含量以及能量零点选取有关。
E F是一个很重要的物理参数，只要知道E F数值，在特定T下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定。
统计理论表明，热力学上费米能级E F是系统的化学势。
费米能级位置直观地标志了电子占据量子态情况。
固体物理中处于基态的单个Fermi粒子所具有的最大能量—Fermi粒子所占据的最高能级的能量。
费米能级标志了电子填充能级的水平。
对一系统而言, E F位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。
杂质散射和格波散射：（1）杂质电离后是一个带电离子，施主电离后带正电，受主电离后带负电。
在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，局部地破坏周期性势场，是使载流子散射的附加势场。
（2）Ｔ定，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振动。
晶格中原子的振动都是由若干不同的基波—格波按照波的叠加原理组合而成，声学波声子往往起着交换动量的作用，光学波交换能量。
非弹性散射，主要是长波。
复合中心和陷阱中心：（1）对于有效复合中心, r n≈r p，电子陷阱：r n>r p；空穴陷阱：r p>r n（2）复合中心和电子陷阱中电子的运动途径不同。
复合中心的电子直接落入价带与空穴复合；电子陷阱中的电子要和空穴复合，它必须重新激发到导带，再通过有效复合中心完成和空穴的复合。
（3）位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心对于电子陷阱：E F以上的能级，越接近E F，陷阱效应越显著。
杂质能级最利于陷阱作用的形成。
电阻率与温度的关系：
AB段：温度很低，本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而增大，所以，电阻率随温度升高而下降。
BC段：温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不十分显著，载流子基本上不随温度变化，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度升高而降低，所以，电阻率随温度升高而增大（1分）。
C段：温度继续升高，本征激发很快增加，大量本征载流子的产生超过迁移率减小对电阻的影响，杂质半导体的电阻率将随温度的升高而急剧地下降，表现出同本征半导体相似的特征。
PN结的整流特性：单向导电性。
肖克莱方程：
表面态：电子被局域在表面附近，这样的电子状态称为表面态。
每个表面原子对应禁带中一个表面能级，这些能级组成表面能带。
（还要会算）
MIS结构的电场特性，四种状态：
热平衡下，费米能级应保持定值。
随着向表面接近，价带顶逐渐移近甚至高过费米能级，价带中空穴浓度随之增加。
表面层出现空穴堆积而带正电荷。
越接近表面空穴浓度越高，堆积的空穴分布在最靠近表面的薄层内。
越近表面，费米能级离价带顶越远，价带中空穴浓度随之降低。
表面处空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度。
表面层的这种状态称做耗尽。
表面处电子浓度将超过空穴浓度，形成与原来半导体衬底导电类型（空穴）相反的层---反型层。
施主杂质，受主杂质（举例）：（1）施主杂质电离过程：As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个As原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而As原子形成一个不能移动的正电中心。
（2）受主杂质电离过程：Ga有3个价电子，它与周围的四个Ge原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在Ge晶体的共价键中产生了一个空穴，而Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心，所以，一个Ga原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴，空穴束缚在Ga原子附近，但这种束缚很弱，很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的导电空穴，而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。
迁移率：表示单位场强度下电子的平均漂移速度，表征半导体电迁移能力的重要参数。
功函数（计算）：真空电子能级与半导体的费米能级之差称为半导体功函数。
影响功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。
空间电荷区：pn结形成过程中，多数载流子的相互扩散使达到平衡后（1分），在pn结附近p区一侧出现了由电离受主构成的一个负电荷区（1分），在n区出现由电离施主构成的正电荷区，称为空间电荷（1分）。
他们存在的区域称为空间电荷区（1分）。
理想半导体：（1）原子在格点上固定。
（2）杂质不存在（工艺流程中引入；人为掺杂；温度的影响等。
（3）无缺陷（点缺陷；线缺陷；面缺陷）
扩散长度：非平衡载流子深入样品的平均距离，材料的扩散系数有标准数据，扩散长度测量
是测量寿命方法之一。
直接复合、间接复合：（1）电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合②电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。
PN结的导通：PN结正偏，势垒区变窄，内建电场减弱，多子扩散大于少子漂移，多子扩散形成较大的正向电流I，PN结导通。
电导率和迁移率的关系：
PN结的势垒高度和宽度：平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差V D称为接触电势差或内建电势差。
相应的电子电势能之差qV D称为pn结的势垒高度。
非平衡载流子寿命及意义：非平衡载流子的平均生存时间，（1/τ:单位时间内非平衡载流子的复合概率），寿命标志非平衡载流子浓度减小到原值1/e经历的时间。
！！！
准费米能级：当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态时，就不再存在统一的费米能级。
引入准费米能级，非平衡状态下的载流子浓度用与平衡载流子浓度类似公式表达。
欧姆定律微分形式：
电子浓度和温度关系图的分析P74：
能带产生的原因（允带、禁带、空带、满带、导带和价带）：
杂质半导体载流子浓度与温度的关系：
电中性方程：
金属半导体接触的能带：
金半接触的各种情况：
MIS结构绝缘层中的电荷：
影响MIS结构CV特性的因素：金属半导体功函数差和绝缘层中电荷，使得半导体表面在外加偏压为零的情况下并不处于平带状态。
功函数差别越大，绝缘层中电荷越靠近半导体，对CV曲线影响越大。
电离能:记住公式
多数载流子：。