SEM-EDS扫描电镜和能谱仪

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SEM和EDS

SEM和EDS
附件易配置:同时进行形貌观察和成分分析
电子束与固体样品相互作用时产 生的物理信号
电子散射分类: (1)弹性散射:方向改变,能量
基本不变 特点:符合布拉格定律,携带晶
体结构﹑对称性﹑取向和样品厚度 等信息。 (2)非弹性散射:既改变方向,又 减少能量
特点:伴有其它信息的产生, 也可能携带成分和化学信息 。 电子显微镜常用的信号 二次电子,背散射电子, X射线,俄歇电子,透射电子,吸收电子,阴极荧光
Si(Li)检测器
目前最常用的是Si(Li)X射线能谱仪,其关键部件是Si(Li) 检测器,即锂漂移硅固态检测器,它实际上是一个以Li为施 主杂质的n-i-p型二极管。
Si(Li)检测器探头结构示意图
锂漂移硅Si(Li)探测器
Si(Li)探测器处于真空系统内,其前方有一个7-8 m的铍窗,整个探头装在与存有液氮的杜瓦瓶相 连的冷指内。
扫描电镜的特点
高分辨率:1nm
较高的放大倍数(20-20万倍连续可调)
景深大:成像富有立体感,可直接观察各种凹凸 不平表面的细微结构
试样制备简单
只要将块状或粉末的、导电的或不导电的试样 不加处理或稍加处理,就可直接放到SEM中进行观察。 一般来说,比透射电子显微镜(TEM)的制样简单, 且可使图像更近于试样的真实状态。
2.分析元素范围广
可分析Be-C f元素,基本涵盖了日常所用材料中的元素。
3.分析速度块,不损坏试样
可快速自动进行点﹑线﹑面多种方法分析,几分钟即可完成定性和定量 分析,分析过程不损害试样。
4.定性定量准确
主元素定量分析相对误差为2%-3%
5.制样简单﹑测试方便
能谱仪的分析方法
一、点分析,指入射电子束固定在试样的分析点上进行的定性或定量分 析,也可以描述 为高倍下入射电子束集中于试样表面非常微小区域扫描

EDS能谱仪及环扫ESEM的原理及应用

EDS能谱仪及环扫ESEM的原理及应用

25 kV
空间分辨率
相同加速电压、不同材料下电子范围的MC模拟
Iron
Silver
Carbon
空间分辨率
入射电子束
阴极荧光 二次电子 特征X射线 俄歇电子 背散射电子
分析面积:相互作用区体积 在电子束入射面的投影面 积。 X射线的穿透深度Zm(um): Zm=0.33(E01.7-Ek1.7)A/ρZ
X + e- → X+ + 2e-
环境扫描电镜的特点(二)
消除绝缘样品表面电荷积累的解释
- - - - gas
- - - - gas
电镜参数的选择
薄膜和小颗粒样品的E0选择 薄膜试样和小颗粒试样, 为了防止基体和周围的影响,要根据薄膜的厚 度、小颗粒尺寸及需要测量的元素,选择低加速 电压。 低加速电压使电子束穿透 深度薄,作用区小。能提高轻元素的X射线强度、 提高空间分辨率、减小放电、减小对试样的损 伤。
四、X射线能谱在环扫中的应用


X射线产生机理
a. 连续谱X射线的产生:PE在原子实库仑场 中减速产生韧致辐射。 b. 内壳层电离:产生特征X射线(或Auger电子)
特征X射线
右图:Ti K 系特征谱(Ti Kα = 4.51 KeV) 和 Sb L系特征谱(Sb Lα = 3.61 KeV)
连续X射线
Intensity (I) Generated
EDS的分析精度
“电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则”国家标准 定量结果及允许误差 对定量结果必须正确选取有效位数。EDS定量分析结果, 小数点后保留一位,原始数据可以多保留一位。 EDS分析的相对误差 (含量>20%wt)的元素, 允许的相对误差 <5% (3 %wt<含量<20%wt的元素,允许的相对误差<10% (1 %wt<含量<3%wt的元素,允许的相对误差<30% (0.5%wt<含量<1%wt的元素,允许的相对误差<50%

探讨用sem_eds分析材料的碳含量

探讨用sem_eds分析材料的碳含量

探讨用sem_eds分析材料的碳含量篇一:SEmEdSSEm、EdS一、实验目的1、了解扫描电镜和能谱仪的基本结构与原理2、掌握扫描电镜和能谱仪样品的准备与制备方法3、掌握扫描电镜和能谱仪的基本操作步骤4、了解实验结果的分析与讨论二、实验原理1、扫描电镜的工作原理扫描电镜是用极细的电子束在样品表面扫描,将产生的二次电子用特制的探测器收集,形成电信号运送到显像管,在荧光屏上显示物体的外观形貌。

图1扫描电镜示意图从电子枪阴极发出的直径几个纳米的电子束,受到阴阳极之间加速电压的作用,射向镜筒,经过聚光镜及物镜的会聚作用,缩小成直径约几毫微米的电子探针。

在物镜上部的扫描线圈的作用下,电子探针在样品表面作光栅状扫描并且激发出多种电子信号。

这些电子信号被相应的检测器检测,经过放大、转换,变成电压信号,最后被送到显像管的栅极上并且调制显像管的亮度。

显像管中的电子束在荧光屏上也作光栅状扫描,并且这种扫描运动与样品表面的电子束的扫描运动严格同步,这样即获得衬度与所接收信号强度相对应的扫描电子像,这种图象反映了样品表面的形貌特征。

2、X射线能谱分析原理X射线能量色散谱分析方法是电子显微技术最基本和一直使用的,具有成分分析功能的方法,通常称为X射线能谱分析法,简称EdS或EdX方法。

利用EdS可以在10s以内把试样里所含的浓度在10%(重量百分比)以上所有能量高于1Kev的元素分析出来,并可以在100s 之内把微量到0.5%的元素分析出来。

图2EdS系统框图a、X射线经过薄铍窗进入一个反向偏压的被浸在液氮里冷却的锂漂移硅晶体,这个晶体把X射线能量转换成电荷脉冲;b、电荷脉冲由前置放大器转换成电压脉冲,放大后通过电缆把脉冲信号送到脉冲处理器中去,在处理器中进一步放大;c、放大后的信号由模/数转换器转换成数字信号,并被送入多道分析器,由荧光屏显示出来;d、经多道分析器的信号同时经电脑处理,成为我们需要的数据。

三、主要仪器设备及耗材1、KYKY1000B扫描电镜2、JdS2300X射线色散能谱分析仪3、SBc—12离子溅射仪(样品喷涂导电层用)4、银导电胶、双面胶(制样用)四、实验步骤1、SEm的操作步骤:(一)制样对所测的样品进行简单的清洗干燥,对表面不带电、导电性能差的样品在用扫描电镜观察时,当入射电子束打到样品上,会在样品表面产生电荷的积累,形成充电和放电效应,影响对图象的观察和拍照记录。

扫描电子显微镜(sem-eds)初步认识

扫描电子显微镜(sem-eds)初步认识

1-镜筒 2-样品室 3-EDS能谱探测器 4-监控器 5-EBSD电子背散射探测器 6-计算机主机 7-开机/待机/关机按钮 8-底座 9-WDS波谱探测器
样品 处理
1、样品预处理
样品预处理需要综合考虑以下因素: ①样品需要无磁、无毒、无污染、无放射性,并具有良好稳定性和导电性 。 ②尽量保持样品原始的表面形态和结构。 ③颗粒或粉末数量要适中。 ④测试时要注意清洁,不轻易直接触碰样品和仪器。 ⑤样品表面应尽量光滑,高度差异不可太大。
扫描电镜下城门山石英斑岩斑晶石英 中包裹体内子矿物X射线能谱
总结
近年来对地质样品的实例分析结果表明场发射扫描电子显微镜及加 载的能谱仪、背散射探头、阴极荧光谱仪、背散射电子衍射仪等,在地 球科学研究领域具有广泛的应用前景。随着近年来扫描电子显微镜分辨 率的大幅提高,特别是高分辨低真空扫描电子显微镜的出现,对不具有 导电性的岩石矿物样品的分析,不再需要繁琐且易造成样品污染的导电镀 膜的制样过程,可直接进行样品表面的精细图像和成分分析甚至晶体结 构的研究。这不仅使得实验分析工作更加便捷,而且可以获得更为真实 的表征信息,也有利于样品后续实验工作的开展。
分析 方法
1、点扫描分析法 对于样品中的元素含量较低时,通常用点扫描分析法,将电 子束(探针)固定在样品中感兴趣的点上,进行定性或定量分 析。点扫描准确度较高,但只能分析到样品1 μm左右的区 域,若提高分析准确度,需在样品表面多扫描几个点的信息。
2、线扫描分析法 对于样品中元素含量分布不均匀时,可以采用线扫描分析 法。线扫描是电子束沿着一条分析线进行扫描,可以获得 元素含量变化的线分布曲线。将分析结果和样品的形貌图 像进行对照分析,可以获得元素在不同相的分布情况。
3、导电处理

(精品)扫描电子显微镜SEM和能谱分析技术EDS

(精品)扫描电子显微镜SEM和能谱分析技术EDS
背散射电子检测
EDS
能量分辨率:132eV 分析范围:Be-U
JEOL-6380/SEM的工作界面
颗粒
10,0000-Au 6,0000-纳米晶 金刚石
薄膜及涂层材料
昆虫
生物材料 头发
EDAX-EDS的工作界面---谱线收集
能谱谱线收集实例
Element CK OK AlK SiK MoL CrK MnK FeK
6 能谱仪(EDS)的结构
7 能谱仪(EDS)的特点
优点
1)快速并且可以同时探测不同能量的X-光能谱 2)接受信号的角度大。 3)仪器设计较为简单 4)操作简单
性能 分析时间 检测效果 谱鉴定 试样对检测影响 探测极限 定量分析精度
EDS 几分钟 100% 简单 较小
700ppm ±5-10%
缺点
1)能量解析度有限 2)对轻元素的探测能力有限
3)探测极限 4) 定量能力有限
8 仪器功能介绍及应用
型号 日本电子JEOL-6380LV 美国EDAX GENESIS 2000
SEM/EDS的主要性能指标
SEM
分辨率:高真空模式:3.0nm;低真空模式:4.0nm 低真空:1-270Pa 加速电压:0.5KV-30KV 放大倍数:5倍-30万倍 电子枪:W发卡灯丝式 检测器:高真空模式和低真空模式下的二次电子检测,
号,大小和极性相同,而对于形貌信
息,两个检测器得到的信号绝对值相
同,其极性相反。
Al
Sn
二次电子图像 VS. 背散射电子图像
4 扫描电镜对样品的作用--
物镜光栏、工作距离与样品之间的关系
物镜光栏的影响
工作距离的影响
5 能谱仪(EDS)的工作原理

SEM扫描电镜能谱(EDS)分析技术

SEM扫描电镜能谱(EDS)分析技术

SEM扫描电镜能谱(EDS)分析技术来源:Labs科技⽂摘如果要分析材料微区成分元素种类与含量,往往有多种⽅法,打能谱就是我们最常⽤的⼿段。

能谱具有操作简单、分析速度快以及结果直观等特点,最重要的是其价格相⽐于⾼⼤上的电镜来说更为低廉,因此能谱也成为了⽬前电镜的标配。

今天这篇⽂章集齐了有关能谱(EDS)的各种问题,希望能给⼤家带来帮助。

Q1:能谱的缩写是EDS还是EDX?开始的时候能谱的缩写有很多,⽐如EDS,EDX,EDAX等,⼤家对此也都⼼照不宣,知道ED 就是Energy Dispersive,后⾯因为X-ray Analysis和Spectrum这⼏个词的不同⽤法,导致了缩写的不同。

⽽且相应的汉译也有很多,⽐如能量⾊散谱,能量散射谱等等。

不过,到了2004年左右,相关协会规定,EDS就是能谱或者能谱仪,EDX就是能谱学,Dispersive就不去翻译。

这样EDS就应该是⽂章⾥的正规⽤法,⽽现在有很多⽂章仍然使⽤其他说法,有约定俗成的味道,⼤家知道怎么回事就⾏了。

Q2:TEM的能谱误差⽐SEM的⼩吗?A2:因为很多⼈知道TEM的分辨率⾼,所以认为TEM所配能谱的分辨率⾼于SEM。

这可以说是⼀个⾮常错误的论断。

同样⼚家的能谱,同⼀时期的产品,⽤于TEM的分辨率通常要低于SEM⼏个eV,诚然,TEM可能会观察到更⼩的细节,但这只是能谱分析范围的精准,并不代表能谱的分辨率⾼。

SEM的样品⽐较容易制备,⽽且跟厚度关系不⼤,⼀般电⼦束深⼊样品的⾼度为⼏个微⽶,定量时可以放相应样品的标样(⽐如纯Si就⽤纯Si标样,MgO就⽤MgO标样,有很多国家级标样供选择)来做校正。

⽐较重的元素诸如很多⾦属和稀⼟元素的分析结果可以认为是定量的。

上海硅酸盐研究所的李⾹庭教授对SEM和电⼦探针的EDS分析结果做过⽐较系统的讲述,我摘抄如下:EDS分析的最低含量是0.x%(注:这个x是因元素不同⽽有所变化的。

)“电⼦探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则”国家标准,规定了EDS的定量分析的允许误差(不包括含超轻元素的试样)。

扫描电镜-能谱仪实验技术在《材料分析方法》课程教学中的应用

扫描电镜-能谱仪实验技术在《材料分析方法》课程教学中的应用

扫描电镜-能谱仪实验技术在《材料分析方法》课程教学中的应用引言材料分析方法是材料科学与工程专业的一门重要课程,主要介绍材料分析的方法和技术。

扫描电镜-能谱仪是一种先进的材料分析仪器,具有高分辨率、高灵敏度和多功能性等特点,被广泛应用于材料表面形貌和成分分析中。

本文将介绍扫描电镜-能谱仪实验技术在《材料分析方法》课程教学中的应用,并探讨其在教学中的意义和作用。

一、扫描电镜-能谱仪实验技术的基本原理扫描电镜-能谱仪是将扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)相结合的一种先进材料分析仪器。

它利用电子束对样品进行扫描,通过收集样品发出的电子、X射线和光子等信息,实现样品表面形貌和成分的分析。

扫描电镜-能谱仪的基本原理是利用电子与物质相互作用产生的多种信号,包括二次电子显微图像、反射电子显微图像、能谱图像等,来获取样品的形貌、化学成分和晶体结构等信息。

二、扫描电镜-能谱仪实验技术在《材料分析方法》课程教学中的应用1. 观察样品表面形貌扫描电镜-能谱仪可以对样品进行高分辨率、三维的表面形貌观察,为学生展示材料表面的微观结构和形貌特征。

通过观察样品的表面形貌,学生可以直观地了解材料的微观结构、表面粗糙度和晶粒形貌等信息,对材料的特性有更深入的理解。

2. 分析样品成分扫描电镜-能谱仪还可以对样品进行化学成分分析,通过能谱技术获取样品的元素分布和含量信息。

学生可以通过实验操作,了解不同元素的能谱特征、能谱仪的工作原理和数据分析方法,从而掌握材料的定性和定量分析技术。

3. 研究样品结构扫描电镜-能谱仪还可以对样品的晶体结构和微观组织进行研究,通过显微观察和能谱分析,揭示材料的晶体结构、晶粒大小和形貌等重要信息。

这对于学生深入理解材料的微观组织和性能关系具有重要意义。

4. 实验结果分析与报告撰写扫描电镜-能谱仪实验在《材料分析方法》课程教学中,学生需要进行样品制备、实验操作、数据分析与结果报告等过程。

通过这些实验活动,学生可以培养实验操作技能、数据处理能力、科学研究精神和报告撰写能力,提高学生的综合素质和实际能力。

扫描电子显微镜 射线能谱仪 SEM EDS

扫描电子显微镜 射线能谱仪 SEM EDS

扫描电子显微镜&X射线能谱仪应用介绍扫描电子显微镜/ X射线能谱仪(S E M & E D S)理论依据是电子与物质之间的相互作用。

如图1所示,当一束高能的入射电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征射线和连续谱X射线、背散射电子、以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。

原则上讲,利用电子和物质的相互作用,可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息,如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。

S E M / E D S正是根据上述不同信息产生的机理,对二次电子、背散射电子的采集,可得到有关物质微观形貌的信息,对x射线的采集,可得到物质化学成分的信息。

应用范围1.材料组织形貌观察,如断口显微形貌观察,镀层表面形貌观察,微米级镀层厚度测量,粉体颗粒表面观察,材料晶粒、晶界观察等;2.微区化学成分分析,利用电子束与物质作用时产生的特征X射线,来提供样品化学组成方面的信息,可定性、半定量检测大部分元素(Be4-PU94),可进行表面污染物的分析;焊点、镀层界面组织成分分析。

根据测试目的的不同可分为点测、线扫描、面扫描;3.显微组织及超微尺寸材料分析,如钢铁材料中诸如马氏体、回火索氏体、下贝氏体等显微组织的观察分析,纳米材料的分析;4.在失效分析中主要用于定位失效点,初步判断材料成分和异物分析。

主要特点1.样品制备简单,测试周期短;2.景深大,有很强的立体感,适于观察像断口那样的粗糙表面;3.可进行材料表面组织的定性、半定量分析;4.既保证高电压下的高分辨率,也可提供低电压下高质量的图像。

技术参数分辨率:高压模式:3 n m,低压模式:4 n m放大倍数:5~100万倍检测元素:Be4-PU94最大样品直径:200mm图象模式:二次电子、背散射图1 .电子激发物体表面图2.日立3400N+IXRF 典型图片图3. PCB铜箔相结构观察图4.金相结构分析- 304不锈钢图5.ENIG焊盘剥金后观察图6.金属断口分析-解理断口图7.颗粒形貌观察图8.微米级镀层厚度测量图9.SMT焊点界面成分分图10.表面异物分析。

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五.掃描式電子顯微鏡的構造-照明系统
电子枪、聚光镜 为成像系统提供一个亮度高、尺寸小的照明光点
電子槍的種類: (1)FEG(field Emission Gun单晶鎢) (2)Lab6(六硼化鑭) (3)W filament(鎢陰極)
五.掃描式電子顯微鏡的構造-電子槍
W filament
LaB6
•像差影像比較圖
五.掃描式電子顯微鏡的構造-遮蔽孔鏡

遮蔽孔徑 (Condenser Aperture) : -主要是選擇電子束的尺寸(Beam Size)
五.掃描式電子顯微鏡的構造-掃描線圈
•掃描線圈與倍率的關係
Mag =1
Target
Mag=2
Mag=4
Fixing point (EDS)
五.掃描式電子顯微鏡的構造-接物透鏡
•EDS Detector 收集訊號的角度與距離
八.EDS分析方式
•点spot分析
八.EDS分析方式
•线分析
八.EDS分析方式
•面分析 Element Mapping
九.EDS功能介紹
•INCA Overview
九.EDS功能介紹
•Smart Spectrum Acquisition
九.EDS功能介紹
SEM/EDS構造與原理探討

掃描式電子顯微鏡的構造與原理 能量散射光譜儀的構造與原理
介紹大綱
一.前言 二.電子顯微鏡的發展 三.電子顯微鏡的種類 四.掃描式電子顯微鏡的原理 五.掃描式電子顯微鏡的構造 六.電子顯微鏡對試片的作用 七.電子顯微鏡的應用範圍 八.EDS硬體架構與處理方式介紹 九.EDS功能介紹

五.掃描式電子顯微鏡的構造-電磁透鏡
因電磁透鏡缺陷產生的像差的種類:
球面像差 Cs Spherical aberration 通過透鏡中心或邊緣差異 色散像差 Cc Chromatic aberration 通過透鏡電子能量差異 散光像差 Astigmatism 通過透鏡至同直徑不同 平面差異
五.掃描式電子顯微鏡的構造-電磁透鏡
FEG
五.掃描式電子顯微鏡的構造-電子槍
五.掃描式電子顯微鏡的構造-電子槍
Field emission 電子槍的動作原理
Flash circuit Extracting voltage circuit
- +
Emitter
Extracting electrode Electron source: 5nm
EB
BSE Xray SE
八.EDS硬體架構與處理方式介紹
EDS
detector crystal的動作原理
八.EDS硬體架構與處理方式介紹
•EDS 訊號處理方式
八.EDS硬體架構與處理方式介紹
•EDS 訊號轉換顯示方式
八.EDS硬體架構與處理方式介紹
•EDS 解析度的判定(FWHM)
八.EDS硬體架構與處理方式介紹
•Easy Element ID
九.EDS功能介紹
•Quant Presentation
九.EDS功能介紹
•Data Comparison
九.EDS功能介紹
•Smart MAP
九.EDS功能介紹
•Element Linescan
九.EDS功能介紹
•Automatic Data Collection
七.電子顯微鏡的應用範圍
(1)生物觀察:甘藍菜的花粉顆粒
七.電子顯微鏡的應用範圍
(2)醫學觀察:紅血球外觀
七.電子顯微鏡的應用範圍
(3)動物觀察:青黴菌外觀
七.電子顯微鏡的應用範圍
(4)材料觀察:奈米碳管
七.電子顯微鏡的應用範圍
(5)半導體觀em)介紹
九.EDS功能介紹
•Element Maps
九.EDS功能介紹
•Cameo+
十.SEM视频
SEM视频from NNIN
十.About NNIN
美国国家自然科学基金支持的纳米材料的研究机构
The
Cornell Nanoscale Facility at Cornell University The Stanford Nanofabrication Facility at Stanford University The Solid State Electronics Laboratory at the University of Michigan The Microelectronics Research Center at the Georgia Institute of Technology The Center for Nanotechnology at the University of Washington The Penn State Nanofabrication Facility at the Pennsylvania State University Nanotech at the University of California at Santa Barbara The Minnesota Nanotechnology Cluster (MINTEC) at the University of Minnesota The Nanoscience at the University of New Mexico The Microelectronics Research Center at University of Texas at Austin The Center for Imaging and Mesoscale Structures at Harvard University The Howard Nanoscale Science and Engineering Facility at Howard University The Triangle National Lithography Center at NCSU ( DUV lithography only ) (Affiliate)
三.電子顯微鏡的種類
(1)掃描式電子顯微鏡(SEM)


有很大的景深,對粗糙的表 面,例如凹凸不平的金屬斷 面顯示得很清楚,而立體感 很強。所以,掃描電鏡是研 究固體試片表面形貌的有力 工具 掃描式電子顯微鏡將欲觀察 的試片放在底部,電子束與 試片作用產生二次電子的激 發,在經收集放大,所以加 速電壓與解析度沒有穿透式 來的高,但試片更換與製作 比較方便.
1940-41 RCA 公 司 推 出 美 國 第 一 部 穿 透 式 電 子 顯 微 鏡(解像力50 nm) 。
1941-63 解 像 力 提 昇 至 2~3 Å ( 穿 透 式 ) 及 100Å (掃描式) 1960 Everhart and Thornley 發明二次電子偵測器。 1965 第一部商用SEM出現(Cambridge)
三.電子顯微鏡的種類
•SEM/TEM/OM的構造比較表
三.電子顯微鏡的種類
•SEM/TEM/OM的影像比較
樣品:鼠腎球體
四.掃描式電子顯微鏡的原理

由電子源發射出電子後, 在真空電子槍內下,經 由掃瞄線圈,使電子束 於試片室內對試片表面 作掃瞄,掃瞄之區域愈 大則顯示於螢幕上之倍 率愈小,反之則愈大. 當電子束作用於試片表 面時會激發出電子訊號, 由試片室內之偵測器, 偵測其訊號後經數位放 大後在螢幕上顯像.
10 pA 1000pA
六.電子顯微鏡對試片的作用
•工作距離(WD),物鏡孔片(OL Aperture)與景深三者關係
六.電子顯微鏡對試片的作用
•WD,OL Aperture與景深比較
六.電子顯微鏡對試片的作用
背向電子偵測器
電子撞擊產生電子電洞,加Bias得電流 訊號強度與電子能量大致成線性增加
接物透鏡(Objective Lens)
-主要是功能是改變電子束對試片之間的距離. -在影像上是對聚焦(focus)的改變
Yoke
Pole piece Coil Specimen
Working distance (WD)
六.電子顯微鏡對試片的作用

電子束對試片所產生的能量
六.電子顯微鏡對試片的作用
ACCV=5 kV
ACCV=25 kV
六.電子顯微鏡對試片的作用

電子束電流對試片之影響
六.電子顯微鏡對試片的作用

电流强度的影响
高電子束電流---->由於電子束密度高,所產生二次電子數目較多,影像品質較細緻
低電子束電流---->由於電子束密度低,所產生二次電子數目較少,影像品質較粗糙.
ACCV=10kV
六.電子顯微鏡對試片的作用
背向電子產生原子序對比影像(BEI)
Sn
Pb
六.電子顯微鏡對試片的作用
二次電子與背相電子影像比較
SEI vs BEI
JDC
七.電子顯微鏡的應用範圍
掃描式電子顯微鏡應用範圍非常之廣泛,主要目的為將微小 物體放大至能觀察之範圍,所觀察之種類包含以下幾種: 生物:種子、花粉、細菌…… 醫學 :血球、病毒…… 動物 :大腸、絨毛、細胞、纖維…… 材料 :陶磁、高分子、粉末、環氧樹脂…… 化學、物理、地質、冶金、礦物、污泥 (桿菌) 、機械、 電機及導電性樣品如半導體 (IC、線寬量測、斷面、結構 觀察……)電子材料等

一.前言
什麼是顯微鏡: - 顯微鏡是一種用來將微小 物體放大以便利觀察的器 具。

二.電子顯微鏡發展
1873 Abbe 和 Helmholfz 分 別 提 出 解 像 力 與 照 射 光 的波長成反比。奠定了顯微鏡的理論基礎。


1897 J.J. Thmson 發現電子
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