电子封装技术的研究进展

合集下载

新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究

新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究

新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究随着现代科技的发展,半导体光电子器件在光通信、计算机、医疗、能源等领域扮演着重要角色。

为了提高半导体光电子器件的性能和集成度,研究人员们不断探索新型的集成与封装技术。

本文将重点探讨这些技术的最新研究进展。

一、背景随着信息技术与光学技术的快速发展,传统的电子器件已经无法满足市场对于高速传输和大容量存储的需求。

半导体光电子器件由于其光电转换效率高、带宽大以及体积小的特点,成为了未来的发展方向。

然而,单独的半导体光电子器件无法充分发挥其潜力,因此研究人员们开始探索新型的集成与封装技术。

二、集成技术的研究进展1. 混合集成技术混合集成技术将不同材料的光电子器件集成在一起,以实现更高的性能。

常见的混合集成技术包括通过微纳加工将器件聚合到一块衬底上,或者使用分离的光电子器件通过光波导进行数据传输。

此外,研究人员还通过材料和工艺的优化,提高不同材料的互补性,进一步提高了集成技术的效果。

2. 基于硅光子技术的集成硅光子技术是近年来较为热门的研究方向之一。

通过在硅基底上进行材料堆叠、控制光的传输和调控,研究人员成功实现了在硅上集成多个光电子器件的目标。

硅光子技术的发展为半导体光电子器件的集成与封装提供了新的思路和方法。

三、封装技术的研究进展1. 波导封装技术波导封装技术是一种将光学器件与光纤连接的封装方法。

通过在器件上制作波导结构,将光信号从光学器件导出并与光纤连接。

在波导封装技术的研究中,研究人员不断优化波导的制作工艺、材料选择以及耦合效率的提高,以提高封装的稳定性和性能。

2. 端面封装技术端面封装技术是一种将光学器件与外界相连的封装方法。

通过将光学器件的端面与光纤进行直接连接,实现光信号的输入和输出。

在端面封装技术的研究中,研究人员致力于提高连接的精度和稳定性,降低插入损耗,从而提高器件的性能和可靠性。

四、封装材料的研究进展1. 光学封装材料光学封装材料在集成与封装技术中起着重要的作用。

微电子技术中的封装与封装工艺研究

微电子技术中的封装与封装工艺研究

微电子技术中的封装与封装工艺研究封装是微电子技术中非常关键的环节,它将芯片与外部环境隔离开来,并提供必要的连接和保护。

在微电子技术中,封装起着承载芯片、提供电气和机械接口、散热和保护芯片等作用。

因此,了解封装及封装工艺的研究对于提升芯片的性能、可靠性和集成度至关重要。

一、封装的作用和发展历程在微电子技术中,封装是将芯片用特定材料包裹起来,同时连接芯片的引脚和其他外部部件的过程。

封装起着以下几个作用:1. 海量连接:封装提供了足够多的引脚连接芯片和其他元器件,实现信号传输和功率供应。

2. 电气接口:通过封装,芯片在外部系统中具备了实现电气接口的能力,如I/O接口、模拟电路接口等。

3. 机械保护:封装可以保护芯片免受机械损坏、湿度和灰尘的侵害,提高芯片的可靠性和稳定性。

4. 散热:芯片在工作时会产生大量热量,封装可以提供散热通道,将热量有效排出,防止芯片过热。

随着微电子技术的发展,封装也在不断演进和改进。

封装的发展历程可以大致分为以下几个阶段:1. DIP封装(Dual Inline Package):DIP封装是最早的封装技术之一,其特点是有两排引脚平行排列。

DIP封装简单、成本低,适用于初始的集成电路。

2. SMT封装(Surface Mount Technology):随着电子产品小型化和轻量化的需求增加,SMT封装逐渐取代了DIP封装。

SMT封装通过焊接芯片的底部引脚与印刷电路板上的焊盘连接,大大节省了空间并提高了生产效率。

3. BGA封装(Ball Grid Array):BGA封装是一种更为先进的封装技术,其底部引脚被排列成网格状。

BGA封装在连接密度、散热性能和可靠性方面都有很大的提升,广泛应用于高性能、高集成度的芯片。

4. CSP封装(Chip Scale Package):CSP封装是一种封装尺寸与芯片尺寸相当的技术,大大缩小了芯片的尺寸。

CSP封装具有体积小、功耗低、高集成度的特点,适用于移动设备等对空间要求严格的领域。

电子封装总结报告范文

电子封装总结报告范文

一、报告背景随着电子技术的飞速发展,电子产品的性能和功能不断提升,对电子封装技术的要求也越来越高。

电子封装技术作为电子产品的重要组成部分,对于提高电子产品的可靠性、稳定性和性能具有重要意义。

本报告旨在总结近年来电子封装技术的发展现状,分析存在的问题,并提出未来发展趋势。

二、电子封装技术发展现状1. 3D封装技术近年来,3D封装技术成为电子封装领域的研究热点。

3D封装技术通过垂直堆叠多个芯片,提高了芯片的集成度和性能。

目前,3D封装技术主要分为硅通孔(TSV)、倒装芯片(FC)和异构集成(Heterogeneous Integration)等类型。

2. 基于纳米技术的封装技术纳米技术在电子封装领域的应用越来越广泛,如纳米压印、纳米自组装等。

这些技术可以提高封装的精度和性能,降低制造成本。

3. 新型封装材料新型封装材料的研究和应用为电子封装技术的发展提供了有力支持。

例如,聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等材料在高温、高压、高频等环境下具有优异的性能。

4. 封装测试与可靠性随着电子封装技术的不断发展,封装测试与可靠性研究成为重点关注领域。

通过测试和评估封装性能,确保电子产品的质量和可靠性。

三、存在的问题1. 封装成本较高随着封装技术的不断发展,封装成本逐渐提高。

如何降低封装成本,提高性价比成为电子封装领域的重要课题。

2. 封装可靠性问题电子封装技术在高温、高压等恶劣环境下容易产生可靠性问题。

如何提高封装的可靠性,延长产品使用寿命成为研究重点。

3. 封装工艺复杂电子封装工艺复杂,涉及多个环节。

如何优化封装工艺,提高生产效率成为电子封装领域的一大挑战。

四、未来发展趋势1. 高性能封装技术未来电子封装技术将朝着高性能、低功耗、小型化方向发展。

例如,硅通孔(TSV)技术将继续发展,以满足更高集成度的需求。

2. 绿色封装技术随着环保意识的不断提高,绿色封装技术将成为电子封装领域的重要发展方向。

例如,可回收、可降解的封装材料将得到广泛应用。

QFN器件封装技术及焊点可靠性研究进展

QFN器件封装技术及焊点可靠性研究进展

QFN 器件封装技术及焊点可靠性研究进展随着电子设备的不断发展和更新,对器件的封装方式也提出了更高的要求。

传统的DIP(Dual in-line Package)和SOP(Small Outline Package)封装已经不能满足高密度、小体积的产品设计要求,QFN (Quad Flat No-leads)封装因其小尺寸、易于制造和高可靠性的特点受到了广泛的关注和应用。

本文将综述QFN 器件封装技术及其焊点可靠性研究进展。

一、QFN 封装技术的发展QFN 是一种新型的小封装器件,其与SOP 封装相比较,具有尺寸更小,耐机械应力和环境温度变化的能力更强,并且因其无引线封装技术,可以减少因引线老化、断裂导致的坏点率。

随着QFN 应用的不断推进,越来越多的生产厂家开始研究和开发QFN 封装技术。

目前基于QFN 封装技术已经发展出了多种类型,常用的有QFN、DFN、SON 封装。

QFN 封装结构特点QFN 封装结构示意图如下图所示:QFN 封装通常会有金属片和封装耳两个部分。

金属片是做为引子追踪结构,充当芯片和基板的连接。

封装耳的设计旨在增加由于温度差异及机械应力的变化而可能导致的应力释放功能。

同时,又因为QFN 封装表面积小,增加封装耳的数量没有大尺寸封装那么容易。

因此,在QFN 封装中,采用封装耳的技术,但是数量要限制,大约在周边6 个位置左右。

QFN 封装工艺步骤QFN 封装工艺主要包括芯片焊接、烤合、粘接和切割等步骤。

该流程包括如下工艺步骤:Step1:基板清洗基板的清洗是为了去除表面的污垢,确保焊接质量。

Step2:芯片焊接将芯片银浆点焊到基板下面,然后将芯片与基板烤合在一起。

Step3:烤合在热板上,加热芯片和基板,使之彼此结合。

Step4:粘接在芯片上部涂上粘接剂,将芯片贴到基板上。

Step5:切割采用拉丝式切割,即先在芯片上把一定深度的切缝拉开,再用剪刀或切割机进行切割。

以上这些步骤构成了QFN 器件封装过程中的主要流程,总体来说相比传统的SOP 封装方式而言,QFN 封装流程更加的严格,也更加复杂。

集成电路封装与封装技术进展与挑战

集成电路封装与封装技术进展与挑战

集成电路封装与封装技术进展与挑战集成电路封装与封装技术是现代电子产业中至关重要的一环,它对电路性能的稳定性、可靠性和尺寸紧凑性等方面都起到了关键作用。

随着科技的不断发展,封装与封装技术也在不断进步与演变,同时也面临着一些挑战。

一、集成电路封装的发展20世纪70年代,集成电路封装技术处于起步阶段,常见的封装形式是DIP(Dual Inline Package)和TO(Transistor Outline)等形式。

这些封装方式体积庞大,占据大量的空间,制约了集成电路的发展。

在80年代初,芯片的集成度不断提高,对封装技术也提出了更高的要求。

为了解决封装体积大的问题,引入了PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)和PGA(Pin Grid Array)等新型封装技术。

这些技术不仅能够以更小的尺寸实现更高的集成度,而且还能够提高电路的可靠性和耐热性能。

到了90年代,为了满足半导体工艺短板和市场需求的不断提高,传统二维封装开始不再适应集成电路的发展需求。

于是开始出现三维封装技术的研究,如BGA(Ball Grid Array)和CSP(Chip Scale Package)等封装技术应运而生。

这些封装方式不仅实现了电路更高的集成度和更小的体积,而且还提高了电路的散热和信号传输能力。

进入21世纪,人们对集成电路封装技术提出了更高的要求。

在追求更高集成度和更小体积的同时,还要保证封装的可靠性和可制造性。

为此,现代集成电路封装技术不仅在封装材料、封装工艺和封装结构上做了大量的创新和研究,还开始引入了新的封装材料和封装工艺,如无铅封装技术、微机电系统封装技术等,以满足不同应用领域的需求。

二、集成电路封装技术的挑战尽管集成电路封装技术取得了巨大的发展,但仍面临着一些挑战。

首先,封装技术需要不断适应集成电路的快速发展。

集成度和功耗的不断增加意味着封装在制造工艺和材料上要有更高的要求。

如何实现更高的集成度和更小的体积,同时保证封装的可靠性和可制造性,是一个重要的挑战。

微电子封装技术的研究现状及其应用展望

微电子封装技术的研究现状及其应用展望

微电子封装技术的研究现状及其应用展望近年来,随着电子产品的快速普及和电子化程度的不断提高,微电子封装技术越来越引起人们的重视。

微电子封装技术主要是将电子器件、芯片及其他微型电子元器件封装在合适的封装材料中以保护它们免受机械损伤和外部环境的影响。

本文将分析现有微电子封装技术的研究现状,并探讨其未来的应用前景。

一、微电子封装技术的研究现状随着电子元器件不断地微型化、多功能化、高集成化和高可靠化,微电子封装技术越来越得到广泛的应用和发展。

在微电子封装技术中,主要有以下几种常用的封装方式:1. 线路板封装技术线路板封装技术(PCB)是较为常见的一种微电子封装技术。

这种方式主要利用印刷板制成印刷电路板,并通过它与芯片之间实现联系,使其具有一定能力。

通常,PCB 封装技术可用于集成电路和大多数微型传感器中的有效信号接口。

2. QFP 封装技术QFP 封装技术指的是方形封装技术,它是一种常见的微电子封装技术,这种技术的特点在于其实现方式非常灵活,具有高密度、高可靠的特点。

这种技术可以用于各种芯片、集成电路、传感器和其他各种微型电子元器件的封装。

3. BGA 封装技术BGA 封装技术指的是球格阵列封装技术,这种技术主要利用钎接技术将芯片连接到小球上。

BGA 封装技术常用于高密度封装尺寸的芯片和集成电路中,并具有高可靠和高信号性能等特点。

它目前被广泛应用于计算机芯片、消费电子、汽车电子、无人机和航空电子等领域中。

4. CSP 封装技术CSP 封装技术指的是芯片级封装技术,该技术是近年来发展起来的一种新型微电子封装技术,主要是使用钎接工艺将芯片封装在封装材料上。

CSP 封装技术具有极小的尺寸和高密度、高可靠性、高信号性能和高互连和生产效率等优点,因此,它被广泛地应用于各种电子元器件和集成电路中。

二、微电子封装技术的应用展望微电子封装技术具有比传统封装技术更高的密度、高速度、高可靠性和多功能的优点,因此,它的应用前景是广阔的。

氮化镓功率器件模块封装技术研究进展

氮化镓功率器件模块封装技术研究进展

应用前景
氮化镓功率器件模块封装技术的应用前景广泛,主要体现在以下几个方面:
1、高频领域:氮化镓功率器件具有高频率、高效率和高稳定性等优点,使 其在高频领域具有广泛的应用前景。例如,在通信系统中,氮化镓功率器件可以 用于射频功率放大器、高效率整流器等关键部件。
2、高温领域:氮化镓功率器件具有优异的热稳定性,可以在高温环境下稳 定工作。这使得它在高温领域的应用具有显著优势。例如,在航天、军事等领域, 氮化镓功率器件可以用于高温电源、导弹制导系统等关键部位。
研究现状
目前,氮化镓功率器件模块封装技术的研究主要集中在以下几个方面:
1、直接集成封装技术:该技术将氮化镓功率器件直接集成到封装基板上, 具有体积小、重量轻、热阻低等优点。但这种技术对封装基板的要求较高,需要 具备高导热性、高绝缘性和良好的机械强度。
2、侧面散热封装技术:该技术通过在氮化镓功率器件的侧面设置散热通道, 将热量导出,提高器件的可靠性。但这种技术的散热效率相对较低,需要采取其 他措施来增强散热效果。
3、高速运算领域:氮化镓功率半导体器件的高温特性使其在高速运算领域 也有着广泛的应用。例如,在超级计算机、数据中心等高功率、高温的环境中, 氮化镓功率半导体器件可以作为高效率的功率转换器件,提高计算机系统的性能 和速度。
三、氮化镓功率半导体器件的技 术发展
随着科技的不断发展,氮化镓功率半导体器件的技术也在不断进步。目前, 已经开发出了多种氮化镓功率半导体器件,如Heterostructure FET(HFETs)、 Schottky Barrier Diodes(SBDs)、High Electron Mobility Transistors (HEMTs)等。这些器件在结构和性能上各有特点,可以根据不同的应用需求进行 选择。

电子封装技术的未来发展趋势研究

电子封装技术的未来发展趋势研究

电子封装技术的未来发展趋势研究电子封装技术,这玩意儿听起来好像有点高大上,有点遥不可及,但实际上它就在我们身边,而且对我们的生活影响越来越大。

先来说说我之前遇到的一件事儿吧。

我有个朋友,他特别喜欢捣鼓电子产品,有一次他自己组装了一台电脑。

在这个过程中,我亲眼看到了那些小小的芯片、电路板,还有各种复杂的接口。

他跟我抱怨说,要是电子封装技术能更厉害一点,他组装电脑就不用这么费劲了,也不用担心某个零件因为封装不好而出现故障。

这让我一下子就对电子封装技术产生了浓厚的兴趣。

那到底啥是电子封装技术呢?简单来说,就是把电子元器件,比如芯片、电阻、电容等等,包起来,保护它们,让它们能更好地工作,就像是给这些小家伙们穿上一层“防护服”。

随着科技的飞速发展,电子封装技术的未来发展趋势那可是相当值得期待的。

首先,小型化是必然的。

你想想,现在的手机越来越薄,电脑越来越轻巧,这可都离不开电子封装技术的不断进步。

以后啊,说不定我们的手机能像一张纸一样薄,电脑能装进口袋里。

微型化的同时,高性能也不能落下。

就好比运动员,不仅要身材小巧灵活,还得实力超强。

未来的电子封装技术会让电子设备的运行速度更快,处理能力更强。

比如说,玩大型游戏的时候再也不会卡顿,看高清电影能瞬间加载。

散热问题也会得到更好的解决。

大家都知道,电子设备用久了会发热,有时候热得能当暖手宝。

未来的封装技术会让这些设备像自带了空调一样,时刻保持“冷静”,就算长时间使用,也不会因为过热而影响性能。

还有啊,绿色环保也是未来的一个重要方向。

现在大家都讲究环保,电子封装材料也不例外。

以后会有更多可回收、无污染的材料被用在封装上,既保护了环境,又能让我们放心使用电子产品。

再说说智能化吧。

未来的电子封装可能不再是单纯的“包装”,而是能智能感知设备的工作状态,自动调整和优化性能。

比如说,当设备检测到你在进行高强度的工作时,它会自动提升性能,保证你的工作顺利进行。

另外,多芯片封装技术也会越来越成熟。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
通过将以上陶瓷材料或纤维与聚合物材料复合, 制成复合材料,ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ于聚合物和陶瓷的性能以及它们之 间所形成的界面性能相互作用和补充,可以获得兼具 二者优异性能的聚合物基复合材料,以满足电子封装 材料所需求的高热导率、低线膨胀系数和低介电常数 性能。
目前,研究人员通过采用碳纤维与环氧树脂(PE) 材料复合获得的材料热导率达695 W/(m·K),完全 可以满足作为高密度封装材料的要求旧J。通过AIN填
(4)有效的质量管理体系和生产管理方法是保证 钎料质量稳定和提高的重要制度。
(5)以文化视角分析,管理理念和企业文化对钎 焊材料品质的引领作用至关重要。
作者简介:
龙伟民,1966年出生,研究员,硕士,硕士生导师, 钎焊材料国家重点实验室常务副主任,郑州机械 研究所副总工程师.郑州机械研究所焊接中心主 任,河南省焊4妻:r-程技术研究中心主任,河南省钎 焊材料重点实验室常务副主任,中国焊接学会钎 焊及特种连接委员会钎料分委会主任,河南省焊 接学会秘书长。从事各类新型钎焊材料开发、钎焊 工艺研究等工作,获得省部市院成果奖19项。已发 表论文200多篇。
万方数据
通信设备中。裸芯片技术是当今最先进的微电子封装 技术一1|。随着电子产品体积的进一步缩小,裸芯片的 应用将会越来越广泛。 2.1。2圆片级封装
圆片级封装以BGA技术为基础,是一种经过改进 和提高的CSP,充分体现了BGA、CSP的技术优势。它 具有许多独特的优点:
(1)封装加工效率高,它以网片形式的批量生产 工艺进行制造;
2010年第1期 25
俘搭钎焊专题。彩砌么勿扔—膨
必要。另外,随着人们环保意识的增强和对铅毒害认 识的加深,电子封装在向无铅化过渡的进程中,封装材 料与封装工艺的改变所带来的最突出的问题之一就是 无铅焊点的可靠性问题。
1封装新材料
人们在满足高密度电子封装技术要求的同时,也 带来了许多亟待解决的新问题,例如,伴随着系统的高 速化、高频化以及封装的高密度化,单位面积的发热密 度迅速增加,电磁波的干扰加剧以及各种噪声的产生。 虽然通过集成电路的优化设计可以在一定程度上减少 上述不利因素,但是同样可以通过使用先进的封装材 料来达到高效率散热冷却、消除高密度化带来的噪声 以及防电磁波的十扰等问题。 1.1新型聚合物基复合材料
26 万201方0年数第据1期
充聚苯乙烯(PS)材料后其热导率得到明显提高,并限 制了PS材料的热膨胀性能,获得了低热膨胀系数的复 合材料H’5 J。虽然通过制备聚合物基复合材料,对复合 材料的性能优化可以有效地满足高密度封装材料的要 求,但是对于复合材料中填料的用量、几何形状、尺寸、 界面结构等对复合材料热学性能、介电性能以及力学 性能的影响规律的研究还不够充分,对复合材料热导 率、热膨胀系数以及介电性能预测还不够准确。以上 研究仍是以后一段时间内电子封装材料研究的热点。 1.2低温共烧陶瓷材料(LTCC)
低温共烧陶瓷(Low Temperature Co—fired Ceram. ic,简称LTCC)技术是一种用于实现高集成度、高性能 的电子封装技术,以其优异的电子、机械、热学特性已 成为未来电子器件集成化、模组化的首选方式,是无源 集成的主流技术∞J。过去的15年间,关于LTCC研究 已产生了大约1 000篇的学术论文及500项专利。 LTCC技术具有如下优点:
(1)导体电阻率低; (2)介质的介电常数小; (3)热导率高; (4)与硅芯片相匹配的低热膨胀系数; (5)易于实现多层化的优点,特别适合于射频、微 波、毫米波器件等‘7 J。有人称LTCC代表着未来陶瓷封 装的发展方向。 目前封装领域LTCC技术的应用主要集中在以下 四个方面:第一,应用于航空、航天及军事领域,LTCC 技术最先是在航空、航天及军事电子装备中得到应用 的。美国罗拉公司的太空系统部门(Space System/Lor- al Inc.)利用LTCC的技术研制成卫星控制电路组件。 美国Raytheon、Westinghouse和Honeywell等公司都拥 有LTCC设计与制造技术,并研制出了多种可用于导 弹、航空和宇航等电子装置的LTCC组件或系统。第 二。应用于MEMS、驱动器和传感器等领域,LTCC可以 通过内埋置电容、电感等形成三维结构,从而大大缩小 电路体积。冈此,在射频电路的驱动器、高频开关等高 性能器件中,i维结构电路得以大量应用,以适应目前 对该类电路体积和性能的要求。第三,应用在汽车电 子等领域。汽车引擎附近的温度为130~500 oC,因此 要求电路板必须能够耐受高温、高湿的工作环境,还必 须具有很高的工作可靠性。LTCC在国外已被列为制 作汽车电子电路的重要材料。第四,在微波无源元件 中的应用。由于LTCC元器件有较低的介质损耗、较高 的工作频率(可达40 GHz)、体积小,以及在恶劣环境
(2)具有倒装芯片封装的优点,即轻、薄、短、小; (3)圆片级封装生产设施费用低,可充分利用圆 片的制造设备,无须投资另建封装生产线; (4)圆片级封装的芯片设计和封装设计可以统一 考虑、同时进行,这将提高设计效率,减少设计费用; (5)圆片级封装从芯片制造、封装到产品发往用 户的整个过程中,中间环节大大减少,周期缩短很多, 这必将导致成本的降低; (6)圆片级封装的成本与每个圆片上的芯片数量 密切相关,圆片上的芯片数越多,圆片级封装的成本也 越低。圆片级封装是尺寸最小的低成本封装。圆片级 封装技术是真正意义上的批量生产芯片封装技术【l 21。 现在生产的大多数圆片级封装器件都用在手机、PDA (个人数字助理)、便携式计算装置以及其它便携式无 线装置之中¨“。 2.1.3微组装技术 微组装技术是在高密度多层互连基板上,采用微 焊接和封装工艺组装各种微型化片式元器件和半导体 集成电路芯片,形成高密度、高速度、高可靠的三维立 体机构的高级微电子组件的技术。 多芯片组件(MCM)就是当前微组装技术的代表产 品【11|。它将多个集成电路芯片和其他片式元器件组装 在一块高密度多层互连基板上,然后封装在外壳内,是 电路组件功能实现系统级的基础。MCM采用DCA(裸 芯片直接安装技术)或CSP,使电路图形线宽达到几微 米到几十微米的等级。在MCM的基础J:设计与外部 电路连接的扁平引线,间距为0.5 mm,把几块MCM借 助SMT组装在普通的PCB上就实现了系统或系统的 功能。当前MCM已发展到叠装的三维电子封装 (3D),即在二维X、Y平面电子封装(2D)MCM基础 上,向z方向,即空间发展的高密度电子封装技术,实 现3D,不但使电子产品密度更高,也使其功能更多,传 输速度更快,性能更好,可靠性更好,而电子系统相对 成本却更低。对MCM发展影响最大的莫过于IC芯片。
巧锄么勿.耽吻钎焊专题r鳄慈
下都有可靠稳定的表现,已开始广泛应用于通讯、汽车 电子、航天、消费电子及国防的控制系统中。如片式 Lc滤波器系列、片式蓝牙天线、片式定向耦合器、片式 平衡一不平衡转换器和低通滤波器阵列等‘8’9l。
两方发达国家目前在LTCC粉料配方,制备T艺以 及烧结技术等方面取得了长足的发展。LTCC材料在 无线电通信领域,尤其在射频电路中使用的优越性越 来越受到人们的关注。在移动电话、GPS全球卫星定 位等通讯领域的MCM组件中,LTCC的无源元件模块 化、集成化已经商、Ik化。国内虽然清华大学、电子科技 大学、上海硅酸盐研究所和信息产业部电子四十三所 等单位正在开发LTCC用陶瓷粉料,但尚未达到批量化 生产的程度。中国LTCC产品技术的开发仍比国外发 达国家至少落后5~10年。加速发展中国LTCC材料 和技术将对中国的电子T业具有莺要意义一J。尽管相 对于聚合物材料,LTCC材料的工艺性、制造成本还有 一定的差距,在消费类电子产品中的应用还不是很广 泛,但是由于LTCC优异的综合性能,随着生产技术的 进步必将成为聚合物电子封装材料的必要的补充。
与其它材料相比,聚合物材料具有优异的加下性 能和粘结性能、价格低廉、适合大规模生产、介电常数 较低的特点。目前,聚合物封装已占到整个封装材料 的95%以上心J。然而随着电子集成电路运行速度和封 装密度的提高,用于微电子集成电路和器件封装的电 子封装材料对电路的性能和运行速度影响越来越大。 要满足高速运行、高能量密度的集成电路封装的需求, 电子封装材料应具备低介电常数和低介电损耗、高热 导率、低线膨胀系数和低吸水性等基本性能。传统单 一的聚合物材料由于同有的低热导率、高热膨胀、具有 吸水性能而已逐渐不能满足高密度封装的要求。
和砌耽吻钎焊专题r鳝慈
12结 论
(1)材料质量、装备基础、工艺要求和生产环境等 客观因素是影响钎焊材料质量的基础要素。
(2)钎焊材料制造过程存在物质、能量、信息三流 系统,工程技术、管理理念和企业文化对应这三个系统 的三个层次。
(3)钎焊材料质量提高有阶梯型现象,企业所对 应的制度和文化制约着钎料质量的阶梯高度,纯粹的 工程技术不是完全解决高质量钎料的所有条件。
电子封装技术的研究进展
哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室(150001) 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(150001)
何鹏 林铁松杭春进
摘要随着信息时代的到来,电子工业得到了迅猛的发展并带动了与之相关的电子封装业的进步。电子封装 技术在现代电子丁业中也越来越重要。高功率、高密度、小型化、高可靠性、绿色封装已是当代电子封装技术的主 要特征。随着电子产品设备向微型化、大规模集成化、高效率、高可靠性方向的发展,对封装材料、技术及可靠性提 出了越来越高的要求。本文简要介绍了目前电子封装材料、技术以及可靠性的基本要求和研究进展,并对未来的 发展方向趋势进行了分析评述。
收稿日期:2009—10-23
万方数据
寸封装(CSP)、倒装芯片(FC)、芯片直接粘贴(DCA)、 圆片级封装(WLP)、三维堆叠封装、系统级封装(SIP)、 多芯片封装(MKP)、多芯片模块封装(MCM)以及适应 各种特殊电子器件需要的光电子封装、高电压和大功 率器件封装、射频和微波器件封装、微机电系统封装 (MEMS)等。电子封装趋于高集成度、高频率、超多L/ O端子数的同时使芯片的集成度迅速增加,必然对封 装材料的热传导性能、介电性能、耐高温性能等方面提 出更高的要求,需要研究和开发与先进封装技术相适 应的新型封装材料…。与此同时,电子封装向高集成、 高密度的发展,促使焊点越来越小而所承载的力学、热 学、电学负荷越来越高,因此封装的可靠性研究就尤为
相关文档
最新文档