常用N沟道场效应管及参数
irfp260n场效应管参数
irfp260n场效应管参数
IRFP260N是一款N沟道MOS场效应管，具有以下特点：
1. 高电流承受能力：IRFP260N最大承受电流可达50安培，这使得它非常适合高功率电子设备的应用。
在高功率功率放大器、DC-DC变换器等领域中，IRFP260N都是非常常见的选择。
2. 低导通电阻：IRFP260N的导通电阻非常低，只有0.04欧姆左右。
这意味着在开关状态下，IRFP260N的能耗很小，同时也能减少功率损耗。
3. 高速开关特性：IRFP260N的开关速度很快，从而可以减少占用时间，提高回路的效率。
在需要高速开关的应用领域中，IRFP260N是非常理想的选择。
4. 高温度环境下的可靠性：IRFP260N在高温度环境下依然具有优秀的可靠性。
如果使用在恶劣环境下的功率电子设备，IRFP260N的优良性能可以让其更持久地运行。
5. 绝缘性能优良：IRFP260N在工作过程中能够达到较高的隔离电压，这使得它在高压电气设备领域中非常受欢迎。
IRFP260N场效应管的基本参数如下：
1. 导通电阻：0.04欧姆
2. 最大承受电压：200伏特
3. 最大承受电流：50安培
4. 开关时间：130纳秒
5. 开关电容：1900皮法
除了以上基本参数之外，IRFP260N还具有许多其他优秀的特点。
例如，它具有优异的线性特征、良好的共模噪声抑制能力、低噪声等特点，这些特性使得它在许多领域中得到广泛应用。
总而言之，IRFP260N的特性优秀，适用于许多高功率电子设备的应用。
在电力领域、通信领域以及工业控制等领域中，都可以看到IRFP260N的身影。
场效应管参数对照表
场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
100n06场效应管参数
100n06场效应管参数100N06场效应管是一种常见的功率MOSFET管，具有优异的性能和广泛的应用。
本文将介绍100N06场效应管的参数及其特点。
1. 介绍100N06场效应管的型号和封装100N06是一款N沟道MOSFET管，封装形式为TO-220AB。
它由三个主要部分组成：栅极（G）用于控制电流，漏极（D）负责输出电流，源极（S）是电流的进入点。
这种封装形式便于安装和散热，并且广泛应用于功率放大、开关和调制等领域。
2. 介绍100N06场效应管的主要参数100N06场效应管具有多个重要参数，包括最大漏极电流（ID）、最大漏极-源极电压（VDS）、最大栅极-源极电压（VGS）、漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）和栅极-源极截止电压（VGS(th)）等。
2.1 最大漏极电流（ID）最大漏极电流是指在特定条件下，100N06场效应管可以持续通过的最大电流。
它是评估场效应管承载能力的重要指标。
对于100N06而言，其最大漏极电流可达到100安培（A），可满足大多数功率应用的需求。
2.2 最大漏极-源极电压（VDS）最大漏极-源极电压是指在特定条件下，100N06场效应管可以承受的最大电压。
对于100N06而言，其最大漏极-源极电压可达到60伏特（V），能够适应各种电源电压需求。
2.3 最大栅极-源极电压（VGS）最大栅极-源极电压是指在特定条件下，100N06场效应管栅极和源极之间的最大电压。
对于100N06而言，其最大栅极-源极电压可达到±20伏特（V），能够保证可靠的控制信号输入。
2.4 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）漏极-源极导通电阻是指在特定条件下，100N06场效应管导通时的电阻大小。
对于100N06而言，其漏极-源极导通电阻仅为0.028欧姆（Ω），具有较低的导通电阻，从而降低了功率损耗和发热。
2.5 栅极-源极截止电压（VGS(th)）栅极-源极截止电压是指在特定条件下，100N06场效应管栅极和源极之间的电压达到一定值时，管子开始导通的电压。
irf9610场效应管参数
IRF9610场效应管参数1. 简介IRF9610是一种N沟道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）场效应管。
它是国际整流器公司（International Rectifier）生产的一款功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。
2. 参数说明IRF9610的参数可以分为静态参数和动态参数两类。
2.1 静态参数2.1.1 阈值电压（Vth）阈值电压是指在栅极-源极间施加零偏压时，漏极电流达到一定值的栅极-源极电压。
IRF9610的阈值电压通常在-1V到-3V之间。
2.1.2 最大漏源电流（Id）最大漏源电流是指在给定的栅极-源极电压下，允许通过场效应管的最大漏源电流。
IRF9610的最大漏源电流通常为4A。
2.1.3 最大耗散功率（Pd）最大耗散功率是指在给定的散热条件下，允许场效应管耗散的最大功率。
IRF9610的最大耗散功率通常为40W。
2.2 动态参数2.2.1 输入电容（Ciss）输入电容是指当栅极-源极电压变化时，所需的输入电荷。
IRF9610的输入电容通常为1500pF。
2.2.2 输出电容（Coss）输出电容是指当漏极-源极电压变化时，所需的输出电荷。
IRF9610的输出电容通常为350pF。
2.2.3 反转传输比（Crss）反转传输比是指当栅极-源极和漏极-源极之间施加反向偏置时，从漏极流向栅极的导纳。
IRF9610的反转传输比通常为25pF。
3. 特性曲线IRF9610的特性曲线可以用来描述其在不同工作条件下的性能表现。
3.1 静态特性曲线静态特性曲线描述了IRF9610的漏源电流与栅极-源极电压之间的关系。
通过这些曲线可以了解到在不同工作点下，场效应管的导通状态。
3.2 动态特性曲线动态特性曲线描述了IRF9610在不同频率下的输入电容、输出电容和反转传输比。
通过这些曲线可以了解到场效应管在高频率下的性能表现。
场效应管参数
1W(TO-92)
TO-92
MJE13003/KSE13003/
TO-12 20WTO-126
量
3DD13003/CS13003/
__
HM13003 NPN 400V 600V 9V 0.5A 3A
)
6
产 JCS13003/SIF13003/JD
TO-22
13003
0
40W(TO-22
0)
4A
HM13005 NPN 400V 700V 9V
O8810
21mΩ 21mΩ
SOT2 量 3-6 产
TSSO 量
AO8205/CEM8205/ APM8205 /AP8205/AO8205 AO8205A/CEM8205
道
HM4606
N+P 沟 30V/- 20V/
道
1.4V 30V -20V
HM50N03K N 沟道 30V 20V 1.6V
N 沟道 20V 12V 0.7V 3A
9A
RDS(o
n)
封装
(Max)
状 直接替代型号
态
Si2301/AP2301/SI23
SOT2 量 05/XP152A/
65mΩ 3
产 IRLML6401/IRML6
402/AO3423
Si2301/AP2301/SI23
SOT2 量 05/XP152A
74mΩ 3
极
型号
性
Ve Ic Vceo Vces
Ib
Icp
Ibp
Pc
bo
__
1W
HM13001 NPN 400V 600V 9V 0.5A 1A
状 封装 态
55n80c3场效应管参数
55n80c3场效应管参数一、简介场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常见的电子器件，常用于放大、开关以及信号放大等电路中。
本文将介绍一种被称为55n80c3的场效应管，探讨其参数和特性。
二、结构55n80c3是一种N沟道MOS场效应管。
它由源极、漏极和栅极组成，并通过控制栅极电压来调节从源极到漏极的电流。
三、参数1. 最大漏极电流（IDmax）：55A该参数指示了场效应管在恒定的栅极电压下，最大能够通过的漏极电流。
超过这个电流将导致管子过热，可能损坏器件。
2. 最大漏极-源极电压（VDSmax）：80V这是55n80c3能够承受的最大漏极-源极电压。
超过这个电压可能会导致击穿和器件损坏。
3. 栅极-源极电压（VGS）范围：±20V这个范围指示了栅极与源极之间所能承受的电压范围。
超过这个范围可能会损坏器件。
4. 开启压降（RDS(ON)）：3mΩ开启压降指的是在55n80c3导通时，漏极-源极间产生的电压降。
这个参数反映了场效应管在导通状态时的内部电阻大小。
5. 输入电容（Ciss）：4700pF输入电容是指在栅极与源极之间的电容。
它会影响55n80c3对输入信号的响应速度。
6. 输出电容（Coss）：700pF输出电容是指在漏极与源极之间的电容。
它会影响55n80c3的输出特性。
7. 反馈电容（Crss）：150pF反馈电容是指在栅极与漏极之间的电容。
它会影响到场效应管的高频特性。
四、特点1. 高电流承受能力：55n80c3能够承受高达55A的漏极电流，适用于需要大电流驱动的应用。
2. 高压承受能力：最大漏极-源极电压达到80V，适合高压应用场景。
3. 低开启压降：开启压降只有3mΩ，保证了低功耗和高效率的传输。
4. 宽工作电压范围：栅极-源极电压范围可达±20V，提供了较大的工作空间。
5. 低输入电容：相对较低的输入电容使得55n80c3能够快速响应输入信号。
常用N沟道mos管参数
常用N沟道mos管参数N沟道MOS管是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它具有许多优良的特性，广泛应用于电子设备和电路中。
以下是一些常用的N沟道MOS管参数的介绍。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，MOS管开始导通的电压。
对于N沟道MOS管，阈值电压通常为负值，一般在-1V至-5V之间。
2. 最大漏电流（Idss）：最大漏电流是指当栅极电压为零时，N沟道MOS管漏极电流的最大值。
它表示了当MOS管处于关闭状态时的最大漏电流水平，一般为几微安到几毫安。
3. 饱和漏源电压（VDSsat）：饱和漏源电压是指当MOS管处于饱和区时，漏源间的电压。
在饱和区，MOS管的漏源电压会接近其最小可能值，一般为几十毫伏到几百毫伏。
4. 上升沟道电阻（Rdson）：上升沟道电阻是指在N沟道MOS管处于饱和区时，漏源之间的电阻。
它表示了MOS管饱和状态下导通时的电阻水平，一般为几十毫欧到几百毫欧。
5. 峰值漏源电流（Idp）：峰值漏源电流是指在N沟道MOS管导通时，漏极电流的最大值。
它表示了MOS管能够承受的最大电流水平，一般为几安到几十安。
6. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：开启时间是指MOS管从关断状态到完全导通所需的时间，关闭时间是指MOS管从导通状态到完全关断所需的时间。
它们是描述MOS管开关速度的重要参数，一般为几十纳秒到几百纳秒。
7. 电源电压（Vdd）：电源电压是指N沟道MOS管工作时的电源供应电压。
它决定了MOS管工作的电压范围，一般为几伏到几十伏。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指N沟道MOS管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。
它影响着MOS管的输入和输出特性，一般为几皮法到几十皮法。
9. 漏源电容（Coss）：漏源电容是指N沟道MOS管的漏极与源极之间的电容。
它影响着MOS管的开关速度和功耗，一般为几皮法到几十皮法。
10.载流能力：载流能力是指N沟道MOS管能够承受的最大电流负载。
si2304场效应管参数
si2304场效应管参数
SI2304是一种N沟道场效应管（MOSFET），常用于低功耗、低电压应用。
它具有以下主要参数：
1. 饱和漏-源电压（VDSsat），这是MOSFET在完全导通状态下的漏-源电压。
它取决于电流和温度，并且是确定MOSFET能否在给定的电路中工作的重要参数。
2. 饱和漏-源电流（ID），这是MOSFET在饱和状态下的漏-源电流。
它取决于栅极-源极电压和漏-源电压。
这个参数对于确定MOSFET的工作状态和功耗特性非常重要。
3. 静态漏-源电流（IDSS），这是MOSFET在栅极-源极电压为零时的漏-源电流。
它是MOSFET的关键参数之一，决定了MOSFET的导通能力和静态功耗。
4. 栅极-源极电压（VGS），这是MOSFET的栅极和源极之间的电压。
它决定了MOSFET的导通和截止状态，对于控制MOSFET的工作状态非常重要。
5. 最大耗散功率（PD），这是MOSFET能够连续耗散的最大功率。
它取决于MOSFET的热阻和工作温度，是确定MOSFET在具体应
用中是否能够正常工作的重要参考参数。
以上是SI2304场效应管的一些重要参数，这些参数直接影响了MOSFET在电路中的工作状态和性能表现。
在实际应用中，需要根据
具体的电路要求和工作条件来选择合适的场效应管，并且在使用过
程中需要严格按照数据手册上的参数和特性曲线来进行设计和应用。