纳米集成电路设计平台-浙江大学
负责人：200年月日
主管部门意见：
负责人：200年月日
校领导审批意见：
负责人：200年月日
仪器英文名称
The Nano-Microelectronics Design Software
购置数量
1套
（包含3个License）
单价估计
人民币（万元）
美元（元）
பைடு நூலகம்其它
经费预算
略
可供货厂商名（中英文）
1
2
3
仪器主要功能与
应用范围
该软件应为设计复杂的模拟电路、分析关键网络、特征化单元库，以及验证数模混合信号设计，提供所需的最佳性能和最高精确度的电路仿真。其与通用的模拟设计流程和Foundry提供的元器件模型完全兼容，可实现高难度的模拟和纳米级的集成电路设计。
主要技术指标与
规格要求
1、该软件应直接把集成电路的模拟结果输出进行SPice参数提取，实现该项技术到整个流片过程的应用。
2、该软件应拥有最大的经过验证的SPice模型集合，包括传统技术的模型（BIPOLAR、CMOS等）和最新技术的模型（TFT、SOI、HBT、FRAM等）。
3、该软件应可为纳米半导体工艺提供最精确的互连模型，并为领先的全芯片提取工具生成版图参数提取规则文件。
姓名
韩希
恽小华
隋文泉
孙琳琳
赵凌云
职称
高工
教授
教授
助研
教授
方向
电子工程
电磁场与微波技术
电磁场与微波技术
集成电路设计
纳米技术
签名
研究方向意见：
该软件可全面提高纳米集成电路的设计水平，对纳米电子研究平台将是一个极其有利的技术补充，建议购置。
负责人：200年月日
科技创新平台意见：
负责人：200年月日
审批意见
4、该软件应可实现与原理图编辑器的无缝连接和LISA描绘语言的使用，应可对参数化单元进行CROSS_PROBING和原理图拓扑驱动的版图设计。
5、该软件应可利用芯片厂验证过的工艺设计工具包，实现对工艺技术的全面支持。
一.申请理由（请说明1、购置本设备的必要性；2,能利用该设备的学科；3、本校是否有同类设备，能否共享；4、如果本校已有该类设备，说明这些设备的工作情况；5、国内外供货商以及相关设备的比较）
二.预计使用效率以及技术经济效益及风险预测（包括有效机时/年，服务对象，教学、科研、服务成果等）
该软件预计将被利用达每年9个月，服务对象为全校相关学科的教师、科研人员和研究生，用于相关学科的教学、研究，增强浙江大学纳米集成电路的教学和科研水平，使得浙江大学在纳米集成电路研究领域处于国内领先、达到国际先进水平，真正促进学校的跨越式发展，建成世界一流大学，使全校师生多出高水平成果、快出高水平成果，达到显著的社会和经济效益。
三.使用维护技术力量（包括管理责任人、操作人员、维修保养人员的落实、能力水平及是否需要接受专门技术培训等）
管理责任人、操作人员、维修保养人员已基本落实到位，这些研究人员均为相关学科的专家，熟悉相关软件的应用和操作，但须对该软件进行专门的技术培训。
购置提议人
购置附议人1
购置附议人2
购置附议人3
购置附议人4
浙江大学
科技创新平台
购置大型贵重精密仪器设备项目
可行性论证与审批表
设备名称：纳米集成电路设计平台
平台名称：纳米电子
经费来源：院拨
项目负责人：恽小华
填表日期：2006-06-23
浙江大学实验室与设备管理处制
（2005年10月版）
购置大型贵重精密仪器设备项目可行性论证与审批报告
仪器中文名称
纳米集成电路设计平台
1、购置本软件的必要性
该软件将是目前唯一的一款全面性的可研究纳米级和以纳米材料为载体的集成电路的工具，其通过简单的经实际验证的模块化的功能为纳米集成电路的设计和仿真提供一个可扩展的平台。
2、能利用该软件的学科
电磁场与微波技术、微电子学、电路与系统等学科。
3、本校是否有同类软件，能否共享
浙江大学暂未有该软件。
国内院校微电子专业简介
国内院校微电子专业简介中国科学院微电子所中国科学院微电子所成立于1986年，由原中国科学院109集成电路制造厂和半导体所微电子学部合并而成，2003年9月正式更名为中国科学院微电子研究所，是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。
下设4个研究室和两个制造部。
设有博士和硕士学位授予点和博士后流动站.主要研究方向：1. 硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3. 微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）。
本专业一级学科为电子科学与技术。
作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。
博士学位授予权的专业微电子学与固体电子学（080903）□硅器件及集成技术①英语②半导体物理③半导体器件□微细加工与新型纳米器件集成①英语②半导体物理或固体物理③半导体器件或电子线路□微波电路与化合物半导体器件①英语②半导体物理③半导体器件或电子线路□集成电路设计与系统应用（专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）①英语②模拟集成电路③数字集成电路或信号与系统或通信原理或电子线路中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所成立于1960年,建有材料和器件大楼、基础理论和理化楼、电子楼、超净楼、离子楼及专业图书馆等。
本所现有研究员69人，包括9位中国科学院院士和中国工程院院士。
本所是国务院首批批准的博士和硕士学位授予权的单位和博士后流动站建站单位，现有4个博士学位授权点，5个硕士学位授权点，3个博士后流动站，博士生导师55名，硕士生导师53名。
本所是从事半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究的综合性研究所。
浙江大学信电系导师方向
导师姓名 导师类型
陈红胜 池灏 丁扣宝 董利达 董树荣 杜阳 韩雁 郝然 郝寅雷 黄凯 江晓清 金浩 金韬 金文光 金小军 金晓峰 金心宇 金仲和 李春光 李尔平 李凯 骆季奎 马慧莲 潘赟 冉立新 沈会良 沈林放 沈继忠 史治国 宋牟平 孙斌 王柏祥 王德苗 王昊 王浩刚 魏兴昌 吴锡东 夏永祥 徐新民 徐杨 杨冬晓 杨建军 杨建义 章献民 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师
硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 博士生指导教师 硕士生指导教师 硕士生指导教师
集成电路物理设计库
1.集成电路物理设计库集成电路物理设计库（PDK 和标准单元库）作为芯片制造商、EDA供应商、芯片设计者之间的桥梁。
开发工作必备的资源较多：工艺信息、集成电路设计方法和EDA 技术。
从2006 年开始，电子设计平台与共性技术研究室基于中芯国际、上海宏力、上海华虹的65nm、90nm、0.13um 和0.35um 等工艺节点，开发出一系列功能完善、器件类型丰富、设计合理及参数正确的PDK 和标准单元库，并建立了相应的设计参考流程。
在实现PDK 完整功能的基础上，相关研发团队从设计者角度优化参数化单元的CDF 参数，并采用结构化的方式开发Pcell 和批处理方式验证Pcell，保证了开发流程的高效性和可靠性。
同时，对标准单元进行了OPC 校正，移向掩膜分析(PSM)，分辨率增强(RET)等DFM 优化分析；光学模拟仿真结果证实了优化后的标准单元边缘放置误差(EPE)平均减小了5%，即优化后的标准单元库具有更高的可靠性、准确性和可制造性。
经过验证，每套PDK 和标准单元库都能灵活准确的支持电路设计。
能够根据芯片设计者的需求提供专业PDK 设计服务和芯片设计技术支持。
在此基础上，建立了一套完善的设计开发流程。
电子设计平台与共性技术研究室开发的集成电路物理设计库的工艺设计包（PDK：Process Design Kit）应用于数模混合IC 设计,其包含的内容是和全定制流程紧密结合在一起的。
PDK 库主要包括以下内容：（1）器件模型(Device Model)：由Foundry 提供的仿真模型文件；（2）Symbols & View：用于原理图设计的符号,参数化的设计单元都通过了SPICE 仿真的验证；（3）组件描述格式(CDF:Component Description Format) & Callback：器件的属性描述文件,定义了器件类型、器件名称、器件参数及参数调用关系函数集Callback、器件模型、器件的各种视图格式等；（4）参数化单元(Pcell:Parameterized Cell)：它由Cadence 的SKILL 语言编写,其对应的版图通过了DRC 和LVS 验证,方便设计人员进行原理图驱动的版图(SDL:Schematic Driven Layout)设计流程；（5）技术文件(Technology File)：用于版图设计和验证的工艺文件,包含GDSII 的设计数据层和工艺层的映射关系定义、设计数据层的属性定义、在线设计规则、电气规则、显示色彩定义和图形格式定义等；（6）物理验证规则文件(PV Rule File)：包含版图验证文件集(DRC/LVS/RC)。
中国科学院微电子研究所
微电子设备技术研究室招聘信息
/zkyzpzq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》，或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部门及岗位名称。
（四）、微波器件与集成电路研究室
该研究室是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，目前的主要研究方向包括：GaAs基和InP基微波毫米波半导体器件和电路研制、微波大功率GaN基器件和电路研究、微波单片集成电路设计和测试技术、超高频数模混合电路研究、微波混合电路和模块、光电器件与高密度集成技术。研究室下设"4英寸化合物半导体工艺线"、"微波单片集成电路（MMIC）设计和测试"、"微波模块研究"、"光电模块研究"四个科研平台。
射频集成电路研究室招聘信息
/zkyzpzq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》，或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部zq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》，或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部门及岗位名称。
（十一）、射频集成电路研究室
（一）、硅器件与集成技术研究室
该研究室面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。
中科院电路与系统导师研究方向
主要研究方向系统级芯片（SOC）设计方法研究用于系统芯片的EDA工具算法研究及实现超大规模集成电路与系统设计深亚微米和微波IC及电网络的理论、分析、计算机仿真电子电力器件及其集成目前正在重点进行以下几个方面研究工作：1、系统级芯片（SOC）设计方法研究进入二十一世纪,微电子工艺技术己进入超深亚微米阶段,目前集成电路的特征线宽已达到0.18um,已完全有能力将信息采集、加工运算、存贮和随动执行这样的超大规模信息系统集成并固化在芯片上,即SOC(System On Chip)。
根据国际微电子技术的发展现状和趋势分析，以超深亚微米(VDSM)和IP复用(Reuse)技术为支撑的微系统芯片(SOC)在世纪之交正在迅速发展,并将在新世纪成为集成电路技术的主流,这是我国集成电路产业发展十分难得的历史机遇。
我们当前急需去实现的是要抓住SOC发展的这一机遇,突出集成电路设计,加强与网络通信、信息安全和关键电子信息产品整机发展相结合，形成掌握自主知识产权的SOC设计能力和相应的高效服务体系,带动并支持我国集成电路行业的跨越式发展。
超大规模集成电路技术及应用研究正是将重点放在自主开发品种较全并有一定数量的可供嵌入的IP核和典型SOC芯片设计研究上；同时着力掌握以软硬件协同设计、IP复用和VDSM关键设计工具为代表的SOC设计技术；还要积极研究未来SOC新工艺、新器件和可靠性等关键支撑技术，实现我国超大规模集成电路技术的跨越发展。
2、EDA工具算法研究及实现目前，我们的工作重点放在后端工具的开发，主要是面向互连的布线方法学研究与实现。
正在从事或申报的课题有：“超深亚微米工艺条件下的关键线网布线技术研究”，“基于光学校正的超深亚微米IC物理设计优化技术研究”，“IC单元电路逻辑参数提取工具”，“单元电路的逻辑同构识别技术研究”等。
3、深亚微米和微波IC及电网络的理论、分析、计算机仿真随着互连线效应影响的越来越显著，这一方向的研究将有重大的意义，我们正在开展三地七校下一代超深亚微米VLSI设计方法学研究课题：“超深亚微米VLSI中电感参数提取”，而“基于网络快速模拟的电子器件建模”是与Transim/Cadence的合作项目。
浙江大学
海洋学院
2015年1月-2016年12月
72
2015QNA5001
基于相干门的复杂波面测量和补偿技术
斯科
光电信息工程学系
2015年1月-2016年12月
73
2015QNA5002
波前腔外再现实现激光放大器中光束质量的管理
刘崇
光电信息工程学系
2015年1月-2016年12月
74
2015QNA5003
66
2015QNA4045
基于广域观测网的多节点协同信号检测
宋春毅
海洋学院
2015年1月-2016年12月
67
2015QNA4046
图论中的流理论研究及其在海洋中的应用
吴叶舟
海洋学院
2015年1月-2016年12月
68
2015QNA4047
可见光协同本底S(IV)调控强化海岛雨水净化的效能与机理研究
物理学系
2015年1月-2016年12月
9
2015QNA3009
核酸生物传感新技术
姚波
化学系
2015年1月-2016年12月
10
2015QNA3010
二萜steenkrotin A的全合成研究
丁寒锋
化学系
2015年1月-2015年12月
11
2015QNA3011
微纳电极制备及其在高分辨扫描电化学显微镜中的应用
应用于腔镜外科手术导航的复合成像技术研究
王立强
光电信息工程学系
2015年1月-2016年12月
75
2015QNA5004
指纹模板安全与快速匹配技术研究
刘而云
信息与电子工程学系
2015年1月-2016年12月
星载纳米级抗单粒子效应集成电路设计与优化方法
星载纳米级抗单粒子效应集成电路设计与优化方法引言在现代高速电子系统中，由于不可避免的环境辐射和宇宙线等粒子的影响，电子设备容易受到单粒子效应（Si n gl eE ve nt Ef fe cts，简称S EE）的影响，导致电路的瞬态故障或持久性损伤。
而对于在航天器、卫星等星载平台上使用的纳米级集成电路，抗单粒子效应的设计与优化显得尤为重要。
本文将探讨星载纳米级抗单粒子效应集成电路的设计与优化方法。
一、抗单粒子效应的概述1.1单粒子效应的形成机制单粒子效应是指在高能粒子（如宇宙线等）的轰击下，导致电子设备中电荷转移和能量传输的异常现象。
它主要通过三种方式产生效应：电离效应、电荷收集效应和能量沉积效应。
1.2单粒子效应的危害单粒子效应对电子设备的工作稳定性、可靠性和功能完整性都会产生重要影响。
它可能引起电路的瞬态故障、永久性损伤以及功能性变化等问题，严重时甚至导致设备失效。
二、星载纳米级电路的抗单粒子效应设计原则2.1漏极电流抗干扰设计通过优化漏极电流的设计，减少对单粒子辐射的敏感程度，提高电路的抗干扰能力。
可采用增加剂量敏感区，引入硅层面的结构和电位优化等方式来实现。
2.2稳定供电设计充分考虑电源的稳定供应，以减少单粒子效应产生的影响。
采用稳压电源、降噪电源等手段，并结合合理的电源连接布局，确保电路得到稳定供电，降低对供电噪声的敏感度。
2.3记忆元件设计优化对于电路中的记忆元件，如存储器等，要采取特殊的电路设计和工艺优化措施，提高其抗单粒子效应的能力。
比如引入翻转电流和电压势阱技术，设计特殊的电路连接方式等。
三、设计与优化方法实践3.1电路级设计方法电路级设计是保证电路抗单粒子效应的基础。
合理设计电路拓扑结构、减小面积和尺寸、选择低敏感度元器件等是关键步骤。
同时，通过仿真软件进行电路级测试，优化电路元件参数和拓扑结构，提高抗单粒子效应的能力。
3.2层级系统设计方法针对高级集成电路和系统，使用层次化的设计方法，将整个系统分为不同的层次，并针对每个层次进行抗单粒子效应的优化设计。
小尺寸纳米级集成NMOS器件的可制造性设计[电路与系统专业优秀论文]
图１．１ｓ即ｔａ唧ｓＤｅｖｉ∞进行器件模拟的典型工具流程目前在集成电路虚拟制造技术中，比较流行的半导体器件物理特性模拟软件为ｓｙｎｏｐｓｙｓ公司的ｓ眈ｔａｕｍｓＤｅｖｉｃｅ软体。
它采用ＤＤ模型，同时提供了ＨＤ模型以供用户选择：并通过求解三组基本方程——泊松方程、电流连续性方程及载流子输运方程——获得器件模型的二维电势分布和载流子浓度分布，以此来预测在任何偏置条件下器件的电特性。
（１）泊松方程：半导体器件的电学特性通过求解该方程得到。
胛２矿＝１（ｐ—ｎ＋崂一Ｋ）一风（１．１）其中，Ｆ＝‘岛为介电常数，岛为真空介电常数，‘为相对介电常数；是本征费米势；Ｐ和”分别为空穴和电子浓度；Ⅳ：、．Ⅳ：分别表示电离施主和电离受主浓度；ｐ，为表面电荷密度。
（２）电子，空穴的连续性方程：描述在外加电场作用下，半导体内部载流子的扩散行为。
暑＝；寻．ｚ一以＝ｃ（％珥∞署＝吾寻．ｚ一％＝‘（％％纠＜１．２）其中，以和ｕ，分别为电子和空穴的复合率；以和．，，分别为电子和空穴的电流密度。
（３）电流密度方程：反映电子及空穴载流子浓度与准费米势间的关系。
（１３）Ｊ，＝ｑｐ。
Ｅ。
ｎ＋ｑＤ。
可，ＪＰ＝ｑ“ｐＥｐｐ—ｑＤｐ可ｐ其中，脚和脚分别为电子和空穴的迁移率；见和Ｂ为电子和空穴的扩散系数。
ｓ∞ｔａｌｌｒｌ】ｓＤ“ｉｃｅ通过求解上述３个基木方程来预言器件的行为和性能，也可当玺查耋！ｉ圭耋些篓耋袁４．３拟台后的响应表面多项式系数Ｎ０ｏｒｄｅｒｓＴｙｐｅＣｏｅｆｆｉｃｉ∞ｔＴｌｍｌ００００Ｃｏ哪ｔ０．４４２６２３０３９０９０５３２ｌ０００ｌｉｉ摊暂Ｏ．３３５９７０５３８１０９７５６Ｘｌ３ＯｌＯ０ｌｉｎｅａｒ一０．２５１７４４８４５２２３５７７Ｘ２４０ＯｌＯｌｉｎｅａｒＯ．０２９５４４０５４７７６４２２８Ｘ３５ＯＯＯｌｌｉｎｅａｒ－０．０４５８５７８８６８９０２４３８Ｘ．６２ＯＯＯａｘｉａｌ２·Ｏ．０９６３４６２３０９９５９３７３ｘ÷７０２ＯＯａｘｉａｌ２Ｏ．０４５２７８７６９００４０６４８ｘ：８００２０“ｉａｌ２Ｏ．０２４９１５９６９００４０６５７砭９０００２ａｘ瑚２Ｏ．０７３５８９６４４００４０６４４怒１０Ｉｌ００ｉｎｔｅｒａｃｎｏｎ１．０．１５０７８２７３２１６４６３４Ｘ１．ｘ２１ｌｌＯｌＯｉｎｔｃｔ：ａｃｔｉｏｎｌ一０．０２６１９１０８２１６４６３４２ＸｌＸ３１２ＩＯＯＩｉｎ胁ｃｔｉｏｎｌＯ．０４２３２４３３０３３５３６５８Ｘ１．Ⅺ１３０ｌｌＯｉｎｔｅｍｃｔｉｏｎｌ一０．００３０８４９５７ｔ６４６３４１５Ｘ２．竭１４Ｏ１０ｌｉｎｔｅｒａ融ｉｏｎ１．００１２０２５３６９６６４６３４１Ｘ２．Ⅺ１５００Ｉｌｉｎｔｅｆａｃｔｉｏｎ１．００２９６９４２６９６６４６３４ｌ№．Ｋ在完成响应表面建模之后，得到阈值电压和抑制穿通注入、阈值调整注入之问的响应表面如图４．８所示。
基于纳米工艺的数字集成电路电源版图设计
１ 引 言
随着半导体技术按照摩尔定律快速发展到纳 米工艺阶段 ， 出现 了更多 的布线层数、 更 薄的栅
氧、 更低 的 电源 电压 ， 数字集 成 电路呈 现 出更大规 模、 更快 速度 、 更低功 耗 的特点 。在纳 米工 艺后 端 版 图设计 中 ， 电路 规模 的剧 增使 得 更 多更 长 的互
部分 ， 设计 时需 要统 筹考虑 芯 片的供 电情 况 ， 对
电源线进 行合 理 布局 。在芯 片整 体布局 时需要 考
压保持为稳定 的值ຫໍສະໝຸດ 而电压降的存在影响信号延 迟， 降低噪声容限的值 ， 导致芯片时序违例 ， 甚至
产 生功 能失效 。同时 随着芯 片工作 电压 的逐 渐降
虑芯片核 Ｃ ｏ ｒ ｅ 、 Ｉ Ｐ及 Ｉ ／ ０ 的供 电 ， 数 字 电路 与 模 拟 电路 的供 电 ， 同 时考 虑 是 否 为多 电源 多 电压 设 计， 并合理配置电源 Ｐ ＡＤ的个 数 以及 电 源环 线 、 条线等， 确保 电路 中每一个 电压 域都有完 整 的 、 够
用 的电源 网络 。
低， 电压降对 电路 的影 响有迅速加大 的趋势。因
此， 纳 米工艺 的 数字 集 成 电 路 电源 版 图 设计 越 来
越受到重视 ， 通过电源的完整性设计 ， 降低纳米工 艺对电路带来的负面影 响， 给整个芯片的供 电设
计 出一个 均匀 的 电源 网络 ， 从 而提 高 电路 的稳 定 性 和 可靠性 。
给 整个 芯片 的供 电设计 出一个均 匀 的电源 网络 。
第 ３ ３ 卷 第 ２ 期
Ｉ ｌ
Ｉ 。。 ｌ
Ｊ
—
誊 篆成 路 遒讯
７
环 的 间距 以及 电源 环 的 对 数 ； 电 源环 的对 数 一般
集成电路一级学科博士点
集成电路一级学科博士点
以下是部分国内高校中设有集成电路一级学科博士点的列表：
1. 清华大学 - 电子工程系
2. 北京大学 - 电子工程系
3. 上海交通大学 - 电子信息与电气工程学院
4. 浙江大学 - 微电子学院
5. 复旦大学 - 微电子学院
6. 南京大学 - 电子科学与工程学院
7. 中科院上海微系统与信息所 - 微电子学与固体电子学系
8. 南京航空航天大学 - 电子信息工程学院
9. 西安交通大学 - 电子与信息工程学院
10. 东南大学 - 电子科学与工程学院
请注意，该列表仅列举了部分高校中的相应博士点，具体情况可能会有变动，建议您在申请时查阅各高校的官方网站了解最新信息。