黄光制程工艺流程
pcb工厂黄光室波段
PCB工厂黄光室波段1. 什么是PCB工厂黄光室波段？PCB（Printed Circuit Board）工厂黄光室波段是指在PCB制造过程中的一个重要环节，用于在电路板上形成电路图案。
黄光室是一种特殊的实验室，用于进行光刻和曝光的工艺步骤。
在PCB制造过程中，首先需要将设计好的电路图案通过化学方法转移到感光胶上。
这个步骤被称为“黄光制程”。
而黄光室则是用来进行这个制程的地方。
2. 黄光室波段的作用黄光室波段在PCB制造过程中起着至关重要的作用。
其主要功能包括： - 先进工艺：黄光室波段使用了先进的技术和设备，能够实现高精度、高效率的电路图案转移。
- 光刻：通过使用特殊的紫外线曝光设备和感光胶，在电路板上形成所需的电路图案。
- 曝光：将设计好的电路图案通过曝光设备投射到感光胶上，使得感光胶在光照下发生化学反应。
- 图案转移：经过曝光后，感光胶上将形成与设计图案相对应的图案，然后通过化学蚀刻等工艺步骤，将图案转移到电路板上。
3. 黄光室波段的工艺流程黄光室波段的工艺流程一般包括以下步骤： 1. 准备工作：包括清洁黄光室、检查和校准设备等。
2. 材料准备：准备好感光胶、掩膜、电路板等材料，并确保其质量符合要求。
3. 曝光设备设置：根据所需的曝光参数，设置曝光设备，如曝光时间、曝光强度等。
4. 掩膜对位：将掩膜与电路板进行对位，确保掩膜上的图案与电路板上的位置一致。
5. 曝光：将已对位的电路板放置在曝光设备中，在设定的曝光条件下进行曝光。
6. 确认曝光效果：通过检查曝光后的感光胶表面，确认曝光效果是否符合要求。
7. 清洗：使用特定的化学溶液对感光胶进行清洗，去除未曝光的部分。
8. 检查和修复：检查电路板上的图案是否完整，如有缺陷，则进行修复。
9. 蚀刻：将电路板放置在化学蚀刻液中，去除掉未被感光胶保护的部分金属。
10. 清洗和检查：清洗蚀刻后的电路板，并进行最终的质量检查。
4. 黄光室波段的关键技术黄光室波段使用了一系列关键技术来实现高精度、高效率的电路图案转移。
CF黄光工艺说明(1)
BM光阻涂布 GPR
曝光
RPR
显影
R光阻涂布
曝光
BPR
显影 O/C
G光阻涂布
ITO
曝光
显影
PS PR
B光阻涂布
曝光
显影
O/C
Sputtering
PS光阻涂布
曝光
显影
CF成品
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
ITEM
Main Process Condition
Control Item
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
曝光机L stage 第2枚进入AOI
曝光机R stage 第2枚进入AOI
共
缺,Ove
rlay检
查
NG
共 缺,Ove rlay检
查 NG
OK
Coater追加投入
OK
曝光机L stage 第1枚进入Oven
Oven 后特性 值检查
OK
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
黑矩阵 彩色层 保护层 ITO导电膜
偏光片 玻璃基板
配向膜
液晶层 玻璃基板
薄膜晶体管 偏光片
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆彩膜的制造工艺一般有染色法、电沉积法、印刷法、喷墨法和颜料分散法。各工艺的简单流程 如下
图所示：
ITO
Gelatin
Resist
感光性color Resist
曝光 显影 后烘 溅射
Gap；Dose； Temperature；
Chemical Type& Concentration: KOH, Na2CO3 ； Temperature；Time；
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
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2020/4/9
5
Fangxing Confidential and Proprietary Information
Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。
主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
CT
Coating
2020/4/9
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin Coater。我 们公司用的是Roller。我们公司的BM&OC1用的是Inkjet印 刷，而OC2用的是APR凸版印刷。
13
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ITO (Indium Tin Oxide):是一种N类型的宽能隙的半导
体，具有高透光率及导电性，因此相当符合应用于同样 需高透光率及导电性的显示屏等相关产品材料上。 ITO能吸收空气中的CO2和H2O而发生“霉变”，需防潮。 ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应，形成其 它导电和透过率不佳的反应物质，所以在加工过程中， 应尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。
2020/4/9
6
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Clean
Cleaning
成膜前清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→ 洗涤剂刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷 淋→中压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→ 风刀吹干→出料
2020/4/9
14
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EXPO
Exposure
2020/4/9
Exposure：此步骤是黄光制程中的关键所在， 通过曝光，使受到光照的部分光阻溶解于显 影液的速度异于未曝光的那部分光阻，从而 达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三 种：接触式、接近式和投影式。其中投影式 又分scan和step。我们公司采用的曝光方式为 接近式，曝光GAP值 一般为100~250μm。 主要控制参数：曝光能量，曝光GAP，曝光 机plate stage温度。 主要品质异常：曝光偏移，固定光阻残留异 常，过曝。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
2020/4/9
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
CT
Strip Etch Post-bake Dev Expo Pre-bake
4
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Glass
Glass
素玻璃经过清洗、烘烤后进入真空室进行 溅镀ITO/MAM。
主要参考参数：镀膜厚度，膜层附着力。
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。
主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
CT
Coating
Coating：在玻璃正面均匀的涂上一层感光物质——光
阻。
光阻(Photo resist，简称PR)：光阻是利用材料光化
学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降 解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
2020/4/9
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IR/UV/CP
IR UV CP
IR：高温烘干玻璃表面水分。 UV：去除玻璃的表面的有机物，使玻 璃被进一步清洁。
CP：将玻璃温度冷却至室温。 主要控制参数：IR温度，传导速度。
2020/4/9
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2020/4/9
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Clean
Cleaning
清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→洗涤剂 刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷淋→中 压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→风刀吹 干→出料
2020/4/9
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Sputter
Sputter
2020/4/9
溅镀原理：靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氩气。
电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发 生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材 原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜。
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏 性物质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、 显影后留下的部分对底层起保护作用，然 后进行蚀刻脱膜并最终获得永久性图形的 过程。
2020/4/9
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
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制 程 流 程
2020/4/9
黄光制程
2
1
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总 流 程 图
2020/4/9
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
2
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