TP金属黄光制程简

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TP金属黄光制程简介
二次压膜
Chemax
干膜要求： 附着力要好；
压膜条件： 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2
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TP金属黄光制程简介
二次曝光
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曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确，勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机
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TP金属黄光制程简介
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TP金属黄光制程简介
一次蚀刻ITO
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蚀刻ITO注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药液不能攻击金属 非晶ITO蚀刻较快，注意控制好蚀刻速 度避免蚀刻过度
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一次脱膜
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脱膜注意事项： 控制好药液浓度； 控制去膜点30~50% 注意干膜反粘 关注材料方阻变化，药液不能攻击ITO 注意D/F Adhesion Promotor是否去除干净
曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 需要使用平行光曝光机
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一次显影
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显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH 显影后最好有烘干以增加干膜附着力 关注显影后线宽是否与底片一致
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一次蚀刻金属
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反应原理 使用氧化剂在酸性环境下氧化金属 蚀刻注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药水不能攻击ITO
二次显影
Chemax
源自文库
显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH
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二次蚀刻金属
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蚀刻金属注意事项： 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化
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二次脱膜
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脱膜注意事项： 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方阻变化，不可攻击ITO
材
料：PET+ITO+金属
PET规格：厚度50~150um 金属类别： --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他（NiCuNi、APC、Ag合金等） ITO类别： --非结晶ITO（方阻150~400Ω） --结晶ITO（方阻80~160Ω）
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一次压膜
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干膜的选择 NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易结 合，需选用附着力好的干膜，如需要 做30以下细线路还需选择解析度良好 的干膜； 压膜条件 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2
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一次曝光
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制程能力： 底片（film）：最细可做20/20um 玻璃底片（光罩）：最细可做10/10um
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TP金属黄光制程简介
制作 群安电子
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TP金属黄光制程简介
Chemax
一次曝光
TP金属黄光流程
材料 一次压干膜
一次显影
一次蚀刻金属
一次蚀刻ITO
一次去膜
二次压干膜
二次曝光
二次显影
二次蚀刻金属
二次去膜
红线框内部分流程也可用印刷制程取代
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TP金属黄光制程简介
材 料
Chemax
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TP金属黄光制程简介
Chemax
TP金属黄光制程简介
细线路蚀刻图片
蚀刻不良，钜齿图片
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