模电2013级第一章
直流放大电路的幅 频响应与此有何区别？
见教材图1.5.5（下限频率为零）
2、频率失真（线性失真） （1）幅度失真：
对 不同 频 率的 信 号增 益不同，产生的失真。
二次谐波
I
输入信号 基波
O
t
O
输出信号 基波
O
t
二次谐波
（2）相位失真
对 不同 频 率的 信 号相 移不同，产生的失真。
20lg|A |/dB 幅度失真： 对不同频率的信号增益 3dB 60 不同，产生的失真。
R Iis Vs V s – – + + Ro
Io
+ RL V RL o –
Rs
+ ViVi ––
+
+ AVOVi R i 放大电路 Vo – –
+
电压放大模型
图中 A IS
——负载短路时的 电流增益
电流放大模型
二、电流放大模型 由输出回路得：
I A I o IS i Ro Ro RL
该图称为波特图
普通音响系统放大电路的幅频响应
其中： f H — —上限频率 f L — —下限频率
BW fH fL 称为带宽。
60
20lg|AV|/dB
中频区
3dB 3dB 频率点 频率点 （半功率点） （半功率点）
高频区
3dB
低频区40
带宽
当 f H f L时，BW f H
20 0 2 20 fL 2 102 2 103 2 104 fH f/Hz
Ro I o 则电流增益为： AI AIS Ro RL I i 要想减小负载的影响，则希望…？ 可见： RL A I
Ro RL
由输入回路得：
理想情况： Ro
I I i s
Ri Rs
Rs 要想减小对信号源的衰减，则希望…？ Rs Ri 电流放大适用于RS 理想情况： Ri 0 较大RL较小场合。
三、互阻放大模型（自学）
Ii Ii
s I Vs
R
o
Io
+ V –
+ –
Rs s + R Vi –
+ + rO i i 放大电路 A I Vo R – – 互阻放大模型
RLL R
四、互导放大模型（自学）
R
s
I + V –
i
o
+
V
s
R
i
R
o
–
A V
gS i
R
L
五、隔离放大电路模型
Ro + Vi – Ri – + AVO Vi + Vo –
O
c
1.3 模拟信号和数字信号 模拟信号：在时间和幅值上都是连续的信号。 数字信号：在时间和幅值上都是离散的信号。 处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路的基本知识
1.4.1 模拟信号的放大 1.4.2 放大电路模型
电压放大模型 互阻放大模型 隔离放大电路模型
电流放大模型 互导放大模型
在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变 化的稳态响应，称为放大电路的频率响应。
电压增益可表示为：
( j ) V ( j ) o A V ( j ) V i
( j ) V o [ o ( ) i ( )] Vi ( j )
+ Vs –
Ii Rs + Vi – 放大电路 + Vo –
RL Vo AVOVi Ro RL
可见 R L
R V L o A AV VO Ro RL Vi
即负载的大小会影响增益的大小。 A V
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
Ro RL
理想情况
Ro 0
另一方面，考虑到输入回路对信号源的衰减，
输入端口特性可以等效为一个输入电阻 输出端口特性可以根据不同情况等效成不同 的电路形式（信号源）。
一、电压放大模型
——负载开路时的 A VO 电压增益
Rs + Vs – + Vi –
Ro +
Ri –
+
AVOVi
Vo –
RL
Ri ——输入电阻
Ro ——输出电阻
由输出回路得：
则电压增益为：
Ri 有 Vi V s Rs Ri
Rs + Vs – + Vi – Ri – +
Ro + AVOVi V
o –
RL
要想减小衰减，则希望…？ 理想情况： R
Ri Rs
i
所以，电压放大电路适用于RS较小RL较大场合。
二、电流放大模型 关心输出电流 与输入电流的关 系 , 可变换为电流 放大模型如下：
4、互导增益 I o A (S ) G Vi
( )
1.4.2 放大电路模型
信号源
+ Vs – Ii Rs + Vi – 放大电路 + Vo – Io RL
负载
放大电路是一个双口网络。从端口特性来研究放 大电路，可将其等效成具有某种端口特性的等效电路 （即端口用一些基本元件等效）。
三、增益 反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源 能量转换为输出信号能量的能力。
V 四种增益： AV o V i
I o A I I i
V o A R I i
I o A G V i
、A 常用分贝（dB）表示。 其中： A V I
（1）正弦信号
v(t ) Vm sin( 0 t )
T
v
T = = f Vm
2π
0
0 2πf 0
时域
v Vm
频域
O t
O
-Vm
（2）方波信号
v T= 0
时域
v Vs Vs 2Vs 2Vs O 2V放大和互 导放大电路），Ri愈大，则放大电路输入电压净值vi 愈大；反之，对输入为电流信号的放大电路（电流 放大和互阻放大电路）， Ri愈小，则放大电路输入 电流净值ii愈大。
二、输出电阻 V A V
o VO
i
V A V o VO i
V (dB) 电压增益 20 lg A I (dB) 电流增益 20 lg A P (dB) 功率增益 10 lg A
“甲放大电路的电压增益为 -20 倍”和“乙放大电路 的电压增益为-20dB”，问哪个电路的增益大？ 甲放大电路的增益大！负分贝增益和负放大倍数意义不同。
四、频率响应及带宽（频域指标） 1、频率响应及带宽
1.2 信号及其频谱
1、信号：信息的载体。
各种信息一般都能通过传感器转换为电信号，因 而常把传感器看作电信号源。自然界的大部分信息的 电信号大小随时间连续变化，称为模拟信号。
T/℃ 2 200.5 2 200.0 2 199.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80 t/s
温度波动曲线
2、电信号的时域与频域表示
vi
V
k 2
2 ok
Vo1
100%
O
VO1 是输出电压信号基波 分量的有效值 ， Vok 是高次谐 波分量的有效值， k 为正整数。
t
O
end
本章小结：
1、信号即信息的载体。可分为模拟信号和 数字信号两类。 2、信号放大电路是最基本的模拟信号处理电 路。可分为四种类型。
3、信号放大电路主要的性能指标是：输入电 阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真。 它们是衡量放大电路品质优劣的标准，也是设计 放大电路的依据。
end
1.4.1 模拟信号的放大
一、放大电路的表示方法
信号源
Vs + –
负载
Ii Rs + Vi – 放大电路 + Vo – Io RL
二、放大电路的增益 1、电压增益（电压放大倍数） V o A V V i 3、互阻增益 V o A R I
i
2、电流增益 I o A I I i
输入、输出回路没有公共端，通过磁或光进 行信号传输。
值得注意的是： 各种模型端口中的等效信号源是受控源， 而不是独立信号源。
1.5 放大电路的主要性能指标
输入电阻 输出电阻
增益
频率响应及带宽
非线性失真
一、输入电阻
V i Ri Ii
Rs + Vs –
Ii + Vi – 放 大 Ri 电 路
1、清华大学电子学教研组编，童诗白，华成英 主编，模拟电子技术基础.第3版.北京：高等教 育出版社，2001
2、李哲英主编.电子技术及其应用基础（模拟 部分）.北京：高等教育出版社，2003
教学内容：
1.1 电子系统与信号
1.2 信号与频谱 1.3 模拟信号与数字信号
1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标
频域
Vs O t
满足狄利克雷条件，展开成傅里叶级数：
v(t )
VS 2VS 1 1 (sin 0t sin 30t sin 50t ) 2 π 3 5
2VS VS ——基波分量 ——直流分量 π 2 T 2VS 1 ——三次谐波分量 π 3 频谱：将一个信号分解为正弦信号的集合，得到其正弦信号各频率分量的幅 值（相位）随角频率变化的分布，称为该信号的幅度（相位）频谱。
模电第一章(江晓安)祥解
第一章 半导体器件
此时, ＰＮ结处于导通状态, 它所呈现出的电阻为正向 电阻, 其阻值很小。 正向电压愈大, 正向电流愈大。其关
系是指数关系：
ID ISe
U UT
式中, ＩＤ为流过ＰＮ结的电流；U为ＰＮ结两端电压；
kT UT q , 称为温度电压当量, 其中k为玻耳兹曼常数, Ｔ为绝对温度 ,q为电子的电量 ,在室温下即 Ｔ＝３００Ｋ 时,ＵＴ＝２６ｍＶ；ＩＳ为反向饱和电流。电路中的电阻 Ｒ是为了限制正向电流的大小而接入的限流电阻。
身的性质有关以外, 还与温度有关, 而且随着温度的升高,
基本上按指数规律增加。因此, 半导体载流子浓度对温度 十分敏感。对于硅材料, 大约温度每升高８℃, 本征载流 子浓度ni增加 1 倍；对于锗材料, 大约温度每升高１２℃,
ｎｉ增加 1 倍。 除此之外, 半导体载流子浓度还与光照有
关, 人们正是利用此特性, 制成光敏器件。
第一章 半导体器件
外电场
外电场
P
N
P
N
ID
自建场
自建场
＋ － U R
－ ＋ U R
(a ) 外加正向电压
(b ) 外加反向电压
图 1 - 7 PN结单向导电特性
第一章 半导体器件
2. 若将电源的正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区, 则称此为反向接法
或反向偏置。此时外加电压在阻挡层内形成的电场与自建
场方向相同, 增强了自建场, 使阻挡层变宽, 如图１-７(ｂ)所 示。 此时漂移作用大于扩散作用, 少数载流子在电场作用下 作漂移运动, 由于其电流方向与正向电压时相反, 故称为反 向电流。 由于反向电流是由少数载流子所形成的, 故反向电 流很小, 而且当外加反向电压超过零点几伏时, 少数载流子 基本全被电场拉过去形成漂移电流, 此时反向电压再增加, 载流子数也不会增加, 因此反向电流也不会增加, 故称为反 向饱和电流, 即 ＩＤ＝－ＩＳ。
模拟电子技术第1章PPT课件
多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ，所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同，这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 －
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容（结电容）
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்
模电课程设计报告
课程设计报告课程设计名称模电课程设计 ______________________院系电子通信工程学院____________________专业班级_______________________________________姓名___________________________________学号___________________________________日期2013年12月______________________目录第一章绪论 (3)1.1目的 (3)1.2内容 (3)第二章单相半波整流电路 (4)2.1设计目的 (4)2.2设计电路图 (4)2.3设计原理 (4)2.4 Miltisim 模拟以及结果 (5)2.5设计的器件 (5)2.6设计物品的实物图片 (6)第三章晶体管共射极单管放大器 (6)3.1设计目的 (6)3.2设计电路图 (6)3.3设计原理 (7)3.4 MUltisim 模拟以及结果 (7)3.5设计的器件 (9)3.6设计物品的实物图片 (9)第四章Multisim 模拟差分及运算放大电路 (10)第五章调试与测试数据 (14)第六章结论及设计心得 (17)第一章绪论经过一个学期的对模拟电路这门课程的学习，我们学习了二极管、三极管、场效应管等知识。
学习的最终目的是学以致用。
模电课程设计便是一门理论与实践相结合的课程。
模拟电路主要说的是放大电路，在这次模电课程设计中我们主要设计了晶体管共射极单管放大器和单相半波整流电路。
通过对电路的设计和Multisim 模拟，我们进一步了解和熟悉了模电课上的知识。
对二极管和三极管的应用有了更深层次的学习。
1.1 目的本课程是通信工程专业的专业基础课——《模拟电子技术》的一个实践教学环节。
课程设计教学是知识的综合运用过程，是理论与实践相结合的过程。
以理论为基础设计，在实践中检验、修正。
首先设计一个电路，通过Multisim 模拟，再制作电路板实物。
《模电》第一章重点掌握内容
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电chapter1lw精品文档
1.2.5 温度对PN结特性的影响
i
温度升高，正向特
性曲线左移，反向
UBR
特性曲线下移。
O
u
1.3 半导体二极管
1.3.1 二极管的结构和符号 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.4 二极管的等效模型 1.3.5 二极管应用电路举例
1.4.1 稳压二极管
1 稳压管的伏安特性与等效电路
i
负极 正极
（a）
Δu UZ
O IZmin
Δi
IZmax
（b）
u
D1
rZ D2 UZ
（c）
1.4.1 稳压二极管
2 稳压管的主要参数 （1）稳定电压UZ （2）稳定电流Iz （3）最大稳定电流Izmax （4）额定功率Pz （5）动态电阻rz （6）温度系数α
1.2.2 PN结的单向导电性
（1）外加正向电压
扩散运动>漂移运动
空间电荷区
P
N
IF
+
U
内电场 -
U0-U
R
E
1.2.2 PN结的单向导电性
（2）外加反向电压
漂移运动>扩散运动
空间电荷区
P
N
IR
内电场
-
U
+
U0+U
R
E
1.2.2 PN结的单向导电性
综上所述，PN结外加正向电压时，外电场削弱内 电场，多子扩散占主导地位，正向电流较大，并随外加 电压的变化有显著变化；PN结外加反向电压时，外电 场加强内电场，少子漂移占主导地位，反向电流极小， 且不随外加电压变化。因此，PN结具有单向导电性。
模电第1章
当晶闸管的阳极和阴极间加反向电压时，不管控制极加不 加电压，灯都不亮， 晶闸管截止。如果控制极加反向电压， 无论晶闸管主电路加正向电压还是反向电压，晶闸管都不导通。
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
A
K
K
A
(a)
(b )
图 1-2 功率二极管的外形 (a) 螺栓型； (b) 平板型
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
功率二极管和电子电路中的二极管工作原理一样，即若二 极管处于正向电压作用下，则PN结导通， 正向管压降很小； 反之， 若二极管处于反向电压作用下，则PN结截止， 仅有极 小的可忽略的漏电流流过二极管。经实验测量可得功率二极管 的伏安特性曲线，如图1-3所示。
IV
1
20
IM 2(s itn)2d(t)I2 M
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路 然而在实际使用中，流过晶闸管的电流波形形状、波形导
通角并不是一定的，各种含有直流分量的电流波形都有一个电 流平均值（一个周期内波形面积的平均值），也就有一个电流 有效值（均方根值）。现定义某电流波形的有效值与平均值之 比为这个电流的波形系数，用Kf表示，
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
1.2 晶 闸 管
1.2.1 晶闸管是一种大功率半导体变流器件， 它具有三个PN结的
四层结构，其外形、 结构和图形符号如图1-4所示。由最外的 P1层和N2层引出两个电极，分别为阳极A和阴极K，由中间P2层 引出的电极是门极G（也称控制极）。
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
【精品】模拟电子技术第一章知识要点
第一章常用半导体器件1.1半导体基础知识场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。
它在物理结构上呈单晶体形态。
1.1.1本征半导体1、晶体中原子的排列方式如图所示：2、本征半导体的结构硅单晶中的硅原子通过共价健结构与周围的四个硅原子结合在一起，共价键中的两个电子，称为价电子。
因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。
游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。
一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。
2、本征半导体中的两种载流子由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚自由电子的产生使共价键中留有一载流子外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。
只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，因此，空穴的导电能力不如自由电子。
1.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。
掺入的杂质主要是三价或五价元素。
掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体。
1.N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N型半导体,也称电子型半导体。
自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而带正电荷成为正离子，因此，五价杂质原子也被称为施主杂质。
多数载流子磷（P）正离子杂质半导体主要靠多数载流子导电。
掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。
模电第一章
vo 20 lg 分贝 vi io 20 lg 分贝 ii po 10 lg 分贝 pi
上限截 fH 止频率
f
通频带： fbw=fH–fL
(1-10)
第一章
1.5 放大电路的主要性能指标
频率失真（线性失真）
幅度失真： 对不 同 频率 的 信号 增 益不同产生的失真。
(1-11)
第一章
1.5 放大电路的主要性能指标
频率失真（线性失真）
幅度失真： 对不 同 频率 的 信号 增 益不同产生的失真。 相位失真： 对不 同 频率 的 信号 相 移不同产生的失真。
(1-12)
第一章
1.5 放大电路的主要性能指标
由元 器 件非 线 性特 性 引起的失真。
end
(1-13)
第一章
2、 放大电路的符号及模拟信号放大
其中A= Vo/Vi，是Vo和Vi的相位 差 Vi和Vo分别是输入和输出电压的有效值。
(1-5)
第一章
(2)输入电阻ri 输入电阻是从放大电路输入端看进去 的等效电阻 ii 输入电阻： RS ri ri=vi / ii Av vS ~ vi 信号源 输入端 输出端 （加压求流法）
(1-6)
第一章
RL Ro RL vo RL 则电压增益为 Av Avo vi Ro RL
RL
由此可见
Av
即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
Ro RL
理想情况 Ro 0
(1-15)
第一章
另一方面，考虑到 输入回路对信号源的 衰减 有
由此可见
RL
Ai
要想减小负载的影响，则希望…？ 由输入回路得
数电模电第一章知识点
数电模电第一章
知识点一杂质半导体
N型半导体：多子是电子，少子是空穴
1. 起导电作用的主要是多子
P型半导体：多子是空穴，少子是电子
2. 多子扩散PN结变宽；少子漂移PN结变窄
3. P端接低电位，N端接高电位，PN结反偏，处于高电阻截至状态；
4. P端接高电位，N端接低电位，PN结正偏，处于低电阻导通状态；
知识点二二极管
P N
电流方向
1.伏安特性曲线
2.二极管限幅
题型(书P10例1-2)
3.稳压二极管工作与反向击穿状态
知识点三三极管
1.e—发射区；b—基区；c—集电区
2.I E=I C+I B;IE≈IC＞＞IB ;I E=I EBS(e UBE/UT-1)
3.三极管输出特性
截止区：Uc>Ue>Ub 放大区：Uc>Ub>Ue 饱和区：Ub>Uc>Ue。
模拟电子技术第一章PPT课件
06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈：将放大电路输出信号的一部分或全部，通过一定 的方式（反馈网络）送回到输入端的过程。
反馈的判断：瞬时极性法。
反馈的分类：正反馈和负反馈。 反馈的连接方式：串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反 馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反 馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及，模拟电子技术需要实现 更高的集成度和更小体积，以满足设备小型化的 需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展，模拟电子技术将逐渐实现智能化，
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效，通过优化电路设计和材料
选择，提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中 各元件的参数有关，可以通过 调整元件参数来改变电压放大 倍数。在实际应用中，需要根 据具体需求选择合适的电压放 大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表 示放大电路对信号源和负载 的阻抗，影响信号源和负载 的工作状态。
输入电阻越大，信号源的负 载越轻，信号源的输出电压 越稳定；输出电阻越小，放 大电路对负载的驱动能力越 强，负载得到的信号电压越 大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路，其输入级和输出级采用相同的晶体管，输入信号 通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路，其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信 号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的 信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。