集成电路封装与测试复习题 - 答案
集成电路封装测试技术考核试卷
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
1+X集成电路理论试题(附答案)
1+X集成电路理论试题（附答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.SOP封装的芯片一般采用( )形式进行包装。
A、卷盘B、编带C、料管D、料盘正确答案：B答案解析：SOP封装因其体积小等特点，一般采用编带包装形式。
2.转塔式分选机常见故障不包括（）。
A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案：D3.打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击（）选项，选择目标芯片。
A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正确答案：D4.重力分选机自动装料步骤中将待测料管放在筛选机的入料区内，料管随传送带上升到（）。
A、入料区B、显示区C、废料区D、激光检测区正确答案：D5.以全自动探针台为例，上片过程中，当承重台下降到指定位置时，( )。
A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭正确答案：B答案解析：以全自动探针台为例，承重台前的两个按钮指示灯：绿色表示上升，红色表示下降。
承重台下降到指定位置后，下降指示灯灭，即红色指示灯灭。
6.重力式分选机进行自动上料筛选，当检测到传送带上的料管放置不符合要求时，下一步对料管的操作是( )。
A、拔出塞钉B、进入空管槽C、进入上料槽D、放回上料区正确答案：D答案解析：激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区，等待下次筛选。
7.料盘外观检查的步骤正确的是( )。
A、查询零头（若有）→零头检查→检查外观→电路拼零→零头储存B、检查外观→查询零头（若有）→零头检查→电路拼零→零头储存C、查询零头（若有）→零头检查→电路拼零→零头储存→检查外观D、检查外观→零头储存→查询零头（若有）→零头检查→电路拼零正确答案：B答案解析：料盘外观检查的步骤：检查外观→查询零头（若有）→零头检查→电路拼零→零头储存。
8.下列描述错误的是（）。
A、重力式分选机可分为并行测试和串行测试B、并行测试一般是进行单项测试（可根据测试卡的数量进行 1 site/2 sites/4 sites测试），适用于普通DIP/SOP封装的芯片C、串行测试一般是进行多项测试，适用于DIP24/DIP27等模块电路D、并行测试时模块电路依次进行不同电特性参数的测试正确答案：D9.进行料盘包装时，一个内盒中通常装有( )袋真空包装完的料盘。
集成电路封装和测试复习题答案
一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次根基之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径；构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做煤斜；；用于去除焊盘外表氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡直。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有遮射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（MOdUIe）、⅛路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进展芯片处理时，首先进展在硅片正面切割一定深度切口再进展反面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料枯燥烧结的方法O15、芯片的外表组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术（3种）是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
集成电路封装考试答案
名词解释：1.集成电路芯片封装：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。
2.芯片贴装：3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
4.芯片互联：5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。
6.可焊接性:指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。
7.可润湿性：8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。
9.印制电路板：10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。
11.气密性封装：12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
13.可靠性封装：14.是对封装的可靠性相关参数的测试。
15.T/C测试：16.即温度循环测试。
17.T/S 测试：18.测试封装体抗热冲击的能力。
19.TH测试：20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。
21.PC测试：22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。
23.HTS测试：24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。
封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
25.Precon测试：26.模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。
27.金线偏移：28.集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。
29.再流焊：30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
简答：1.芯片封装实现了那些功能？传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次：芯片层次的封装第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明打线健合技术（WB）：将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。
1+X集成电路理论测试题及参考答案
1+X集成电路理论测试题及参考答案1、平移式设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是( )。
A、测试B、分选C、真空包装D、外观检查答案：A平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。
2、转塔式分选机常见故障不包括（）。
A、料轨堵塞B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、IC定位错误D、真空吸嘴无芯片答案：C3、利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）。
A、电阻加热蒸发B、电子束蒸发C、溅射D、电镀答案：C溅射是在高真空下，利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程。
4、芯片检测工作流程（）。
A、确定产品等级、方案编程调试、研读Spe确定测试机、确定机械手、设计测试DUT、批量验证B、确定产品等级、研读Spe确定机械手、设计测试DUT、确定测试机、方案编程调试、批量验证C、确定产品等级、研读Spe确定测试机、确定机械手、设计测试DUT、方案编程调试、批量验证D、确定产品等级、研读Spe确定机械手、确定测试机、设计测试DUT、方案编程调试、批量验证答案：C5、低压化学气相淀积的英文缩写是（）。
A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD答案：CAPCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。
6、电子组装业中最通用最广泛的文件格式是（）。
A、GerberB、PCBC、ICTD、BOM答案：A7、芯片完成编带并进行清料后，会将完成编带的芯片放在( )上。
A、已检查品货架B、待检查品货架C、待外检货架D、合格品货架答案：B芯片完成编带并进行清料后，将将编带盘、随件单放入对应的中转箱中，并将中转箱放在待检查品货架上等待外观检查。
8、CMP是实现()的一种技术。
A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化答案：D化学机械抛光(CMP)是通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得均匀表面,利用化学腐蚀和机械研磨加工硅片和其他衬底材料的凸出部分,实现全局平坦化的一种技术。
(完整版)集成电路设计复习题及解答
集成电路设计复习题绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2．集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。
（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。
为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。
10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.常用的可测性设计方法有哪些？7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？10.逻辑综合的概念。
11.什么是触发器的建立时间（Setup Time），试画图进行说明。
12.什么是触发器的保持时间（Hold Time），试画图进行说明。
13. 什么是验证，什么是测试，两者有何区别？14.试画图简要说明扫描测试原理。
绪论1、 画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2、集成电路分类情况如何？集成电路设计1． 层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。
1+X集成电路理论试题库(附答案)
1+X集成电路理论试题库（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、进行料盘包装时，一个内盒中通常装有( )袋真空包装完的料盘。
A、1B、2C、3D、4正确答案：A答案解析：进行料盘包装时，-个内盒中通常装有1袋真空包装完的料盘。
2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是（）。
A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C3、点银浆时，银浆的覆盖范围需要（）。
A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正确答案：C答案解析：引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆（银浆覆盖范围>75%）。
4、载带的预留长度一般是( )。
A、10-30cmB、30-50cmC、70-90cmD、50-70cm正确答案：D5、下列语句的含义是（）。
A、-> OUT &= 0X00FF;B、-> OUT |= 0X0F00;C、GPIOB低八位端口，高四位为低，低四位为高D、GPIOB低八位端口，高四位为高，低四位为低E、GPIOB高八位端口，高四位为低，低四位为高F、GPIOB高八位端口，高四位为高，低四位为低正确答案：C6、下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。
A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检正确答案：A答案解析：封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出现废品（崩边等情况）。
引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。
切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。
7、解决铝尖刺的方法有（）。
A、在合金化的铝中适当地添加铜B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构正确答案：C答案解析：解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。
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一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
2、陶瓷封装陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar 或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。
3、共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。
4、封装的层次集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
5、可靠性工程可靠性则是对封装的可靠性相关参数的测试。
产品的可靠性即产品可靠度的性能，具体表现在产品使用时是否容易出故障，产品使用寿命是否合理等。
6、再流焊接技术再流焊接是预先在PCB焊接部位(焊盘)施放适量和适当形式的焊料，然后贴放表面组装元器件，经固化后，再利用外部热源使焊料再次流动达到焊接目的的一种成组或逐点焊接工艺。
7、3D封装是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。
8、切筋是指切除框架外引脚之间的堤坝及在框架带上连在一起的地方。
9、气密性封装是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
10、顺型涂封顺型涂封的原料一般为液状树脂，将组装完成的印制电路板表面清洗干净后，以喷洒或沉浸的方法将树脂原料均匀地涂上，再经适当的烘烤热处理或紫外处理后即成为保护涂层。
11、封装可靠性工程芯片封装流程完成后，封装厂会对产品进行可靠性的测试，可靠性检测是检测产品“未来”的质量，包括预处理、温度循环测试、热冲击、高温储藏、温度和湿度、高压蒸煮。
12、生胚片将各种无机和有机材料混合后，经一定时间的球磨后即称为浆料。
也称为生胚片载体系统，陶瓷管壳的基板是有多层生胚片采用低温共烧技术连接在一起的。
13、柯肯达尔空洞是指线材、键合点金属与金属间化合物之间的两种扩散速率不同的金属在扩散过程中会形成缺陷，产生空洞。
14、墓碑效应小型片状之表面黏装零件，因其两端之金属封头与板面焊垫之间，在焊锡性上可能有差异存在或者是两端散热的速率不同导致焊锡的固化速率不同。
经过红外线或热风熔焊后，偶尔会出现一端焊牢而另一端被拉起的浮开现象，特称为墓碑效应。
15、转移成型技术将将芯片与引线框放在模具中，加热塑封预成型块并放入转移罐，将其压入浇道通过浇口进入模腔，然后快速固化到一定硬度，用塑料将芯片与引线框架包装起来。
16、应力消除芯片切割之前需要对芯片进行减薄处理，并且经过减薄以后的芯片其后表面的裂纹会在此步骤中去除掉，芯片的强度也会增加（应力消除），可用干式抛光、化学研磨液、湿式刻蚀发、干式刻蚀发。
三、问答题1、详细描述狭义芯片封装的工艺流程及其每一步所实现的作用。
工艺流程：为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
作用：为IC芯片提供机械支撑和环境保护、接通半导体芯片的电流通路、提供信号的输入和输出通路、提供热通路，散逸半导体芯片产生的热。
2、在芯片的组装过程中，常常运用到各种不同的焊接技术，详细叙述波峰焊技术和再波峰焊技术的工艺流程并比较其应用范围。
工艺流程：波峰焊技术：准备，元件插装，喷涂钎剂，预热，波峰焊，冷却，清洗再波峰焊技术：印刷焊锡膏与pcb通孔焊盘，放置插装件，再流焊接。
应用范围：一般情况下，波峰焊用于混合组装方式，再流焊用于全表面贴装方式3、在芯片的制造过程中首先需要对芯片进行减薄与切割，详细叙述芯片切割的几种方式与以及他们的工艺流程。
芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割工艺流程：机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例，DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行切割再减薄激光式切割：以激光全切割为例，将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。
晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切割隐形式切割：是将激光聚光与工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法4、WLP（Wafer Level Package）封装的定义是什么？试描述它的结构以及它的制造工艺流程。
WLP是晶圆级封装以BGA技术为基础，直接在晶圆上进行大多数或是全部的封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件包括两个基本工艺：1.薄膜再分布技术工艺流程：a.在IC芯片上涂覆金属布线层介质材料 b.淀积金属薄膜并用光刻方法制备金属导线和所连接的凸点焊区 c.在凸点焊区淀积UBM d.在UBM上制作凸点 2.凸点的制作可以通过应用预测焊球、丝网印刷或电化学淀积的方法制作。
5、简述集成电路狭义封装的流程。
工艺流程：为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码6、在电子产品的生产过程中常用到表面贴装技术，是简述表面贴装技术的组装方式有哪些。
1、单面混合组装：先贴法、后贴法2、双面混合组装：SMC/SMD 和THC同侧方式、SMC/SMD和THC不同侧方式3、全表面组装：单面表面组装、双面表面组装。
7、集成电路封装中，经常会用到金属凸点的制作工艺，如倒装芯片封装、微小模塑封封装等，试描述金属凸点的工艺流程及其所实现的功能（包括了多金属层的制作以及凸点的制作）。
凸点形成办法：蒸镀焊料凸点,电镀焊料凸点,印刷焊料凸点,钉头焊料凸点放球凸点焊料转移凸, 蒸镀凸点。
以蒸镀凸点为例，蒸镀凸点工艺流程：1、现场对硅片溅射清洗（a）在沉积金属前去除氧化物或者照相掩膜。
同时使得硅片钝化层以及焊盘表面粗糙以提高对UBM的结合力2、金属掩膜：常常用带图样的钼金属掩膜来覆盖硅片以利于UBM以及凸点金属的沉积。
金属掩膜组件一般由背板、弹簧、金属模板以及夹子等构成。
硅片被夹在背板与金属模板之间，然后通过手动对位，对位公差可控制在25nm 3、UBM蒸镀（b）然后按顺序蒸镀Cr层、CrCu层、Cu层以及Au层 4、焊料蒸镀（c）在UBM表面蒸镀一层97Pb/Sn或95Pb/Sn。
厚度约为100-125nm。
形成一个圆锥台形状。
8、CSP（Chip Size Package）封装的几种实现形式与其制造工艺流程是什么？试对其进行简要的描述。
CSP是芯片尺寸封装，是封装外壳的尺寸不超过裸芯片尺寸1.2倍的一种先进封装形式（特点：封装尺寸小，可满足高密封装；电学性能优良；测试、筛选、老化容易；散热性能优良；内无需填料；制造工艺、设备的兼容性好）实现形式：刚性基板封装、柔性基板封装、引线框架CSP封装、晶圆级CSP封装、薄膜型CSP封装。
工艺流程：芯片制造、芯片测试、金属化、光刻、腐蚀、除抗蚀剂、聚酰亚胺保护层、光刻、聚酰亚胺图形、除抗蚀剂、聚酰亚胺固化、切割、安装焊球。
9、详细描述芯片切割的方法和种类，如激光切割、DAF等技术。
芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割工艺流程：机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例，DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行切割再减薄激光式切割：以激光全切割为例，将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。
晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切割.隐形式切割：是将激光聚光与工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法10、详细叙述SMT贴片机的构成，和每个组件的作用。
11、什么是气密性封装，常见的气密性封装形式有哪些，工艺流程是怎样的。
气密性封装：是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装常见的气密性封装形式：金属封装、陶瓷封装、玻璃封装以瓷封装为例，工艺流程：引脚/基板黏结、芯片黏结、打线键合、基板/封盖黏结、引脚镀锡、引脚切割成型。
12、3D多芯片封装的概念是什么，如何实现，封装的设计难点在哪。
3D的概念：是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。
封装两种方法实现：封装内的裸芯片对叠；封装内的封装堆叠或称为封装堆叠封装的设计难点：在于芯片的减薄和芯片的堆叠如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！精品。